CN105023954A - 一种面接触型整流二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种面接触型整流二极管,包括阳极引线(1)、阴极引线(2)、铝合金电极(3)、PN结(4)、硅N型晶体(5)、金锑合金层(6)和支架(7),所述的阳极引线(1)与铝合金电极(3)相连,所述的铝合金电极(3)与PN结(4)相连,所述的PN结(4)与硅N型晶体(5)相连,所述的硅N型晶体(5)与金锑合金层(6)相连,所述的金锑合金层(6)连在支架(7)上,所述的阴极引线(2)也连在支架(7)上,所述的阳极引线(1)和阴极引线(2)的外部依次覆有胶粘层(8)和铜镍合金层(9)。本发明具有如下技术效果:1)引脚不容易被折弯或折断;2)引脚在镶嵌时不容易插入过深,不会导致焊接不稳固。<b />
Description
技术领域
本发明涉及一种面接触型整流二极管,属于半导体技术领域。
背景技术
二极管是最常用的电子元件之一,它最大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都是由二极管来构成的,其原理都很简单,正是由于二极管等元件的发明,才有我们现在丰富多彩的电子信息世界的诞生。
现有的二极管存在如下不足之处:
1)引脚容易被折弯或折断;
2)引脚在镶嵌时容易插入过深,导致焊接不稳固。
这些不足之处都严重影响了二极管的使用寿命。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足之处,提供一种面接触型整流二极管。
本发明的面接触型整流二极管,包括阳极引线(1)、阴极引线(2)、铝合金电极(3)、PN结(4)、硅N型晶体(5)、金锑合金层(6)和支架(7),所述的阳极引线(1)与铝合金电极(3)相连,所述的铝合金电极(3)与PN结(4)相连,所述的PN结(4)与硅N型晶体(5)相连,所述的硅N型晶体(5)与金锑合金层(6)相连,所述的金锑合金层(6)连在支架(7)上,所述的阴极引线(2)也连在支架(7)上,所述的阳极引线(1)和阴极引线(2)的外部依次覆有胶粘层(8)和铜镍合金层(9)。
优选地,
所述的阳极引线(1)和阴极引线(2)上设有定位块(10)。
本发明的面接触型整流二极管具有如下技术效果:
1)引脚不容易被折弯或折断;
2)引脚在镶嵌时不容易插入过深,不会导致焊接不稳固。
附图说明
图1是本发明的面接触型整流二极管的结构示意图。
其中,1为阳极引线,2为阴极引线,3为铝合金电极,4为PN结,5为硅N型晶体,6为金锑合金层,7为支架,8为胶粘层,9为铜镍合金层,10为定位块。
具体实施方式
如图1所示,本发明的面接触型整流二极管,包括阳极引线(1)、阴极引线(2)、铝合金电极(3)、PN结(4)、硅N型晶体(5)、金锑合金层(6)和支架(7),所述的阳极引线(1)与铝合金电极(3)相连,所述的铝合金电极(3)与PN结(4)相连,所述的PN结(4)与硅N型晶体(5)相连,所述的硅N型晶体(5)与金锑合金层(6)相连,所述的金锑合金层(6)连在支架(7)上,所述的阴极引线(2)也连在支架(7)上,所述的阳极引线(1)和阴极引线(2)的外部依次覆有胶粘层(8)和铜镍合金层(9)。所述的阳极引线(1)和阴极引线(2)上设有定位块(10)。
Claims (2)
1.一种面接触型整流二极管,包括阳极引线(1)、阴极引线(2)、铝合金电极(3)、PN结(4)、硅N型晶体(5)、金锑合金层(6)和支架(7),所述的阳极引线(1)与铝合金电极(3)相连,所述的铝合金电极(3)与PN结(4)相连,所述的PN结(4)与硅N型晶体(5)相连,所述的硅N型晶体(5)与金锑合金层(6)相连,所述的金锑合金层(6)连在支架(7)上,所述的阴极引线(2)也连在支架(7)上,其特征在于,所述的阳极引线(1)和阴极引线(2)的外部依次覆有胶粘层(8)和铜镍合金层(9)。
2.根据权利要求1所述的面接触型整流二极管,其特征在于,所述的阳极引线(1)和阴极引线(2)上设有定位块(10)。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017024685A1 (zh) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 南通明芯微电子有限公司 | 一种面接触型整流二极管 |
CN107623045A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-01-23 | 绍兴上虞欧菲光电科技有限公司 | 一种二极管 |
CN112582280A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-03-30 | 深圳市冠禹半导体有限公司 | 一种半导体器件的制备方法和半导体器件 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60240147A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-29 | Nec Corp | 半導体装置 |
CN1194463A (zh) * | 1997-03-25 | 1998-09-30 | 三星航空产业株式会社 | 具有多层镀层的半导体引线框架及其制造方法 |
CN202094127U (zh) * | 2011-05-31 | 2011-12-28 | 常州佳讯光电产业发展有限公司 | 新型三角片二极管 |
CN104218072A (zh) * | 2014-09-30 | 2014-12-17 | 夏洪贵 | 一种面接触型二极管 |
CN204927299U (zh) * | 2015-08-07 | 2015-12-30 | 南通明芯微电子有限公司 | 一种面接触型整流二极管 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102446977B (zh) * | 2010-12-23 | 2013-12-11 | 南通星河电子有限公司 | 一种轴向整流二极管 |
CN203503695U (zh) * | 2013-09-27 | 2014-03-26 | 长兴科迪光电有限公司 | 一种直插式led的新式结构 |
CN104659111A (zh) * | 2015-02-11 | 2015-05-27 | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) | 一种微型玻璃钝化封装整流二极管 |
CN105023954A (zh) * | 2015-08-07 | 2015-11-04 | 南通明芯微电子有限公司 | 一种面接触型整流二极管 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60240147A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-29 | Nec Corp | 半導体装置 |
CN1194463A (zh) * | 1997-03-25 | 1998-09-30 | 三星航空产业株式会社 | 具有多层镀层的半导体引线框架及其制造方法 |
CN202094127U (zh) * | 2011-05-31 | 2011-12-28 | 常州佳讯光电产业发展有限公司 | 新型三角片二极管 |
CN104218072A (zh) * | 2014-09-30 | 2014-12-17 | 夏洪贵 | 一种面接触型二极管 |
CN204927299U (zh) * | 2015-08-07 | 2015-12-30 | 南通明芯微电子有限公司 | 一种面接触型整流二极管 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017024685A1 (zh) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 南通明芯微电子有限公司 | 一种面接触型整流二极管 |
CN107623045A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-01-23 | 绍兴上虞欧菲光电科技有限公司 | 一种二极管 |
CN112582280A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-03-30 | 深圳市冠禹半导体有限公司 | 一种半导体器件的制备方法和半导体器件 |
CN112582280B (zh) * | 2020-12-10 | 2021-07-30 | 深圳市冠禹半导体有限公司 | 一种半导体器件的制备装置 |
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