CN105009311A - 具有提高的光提取效率的发光二极管 - Google Patents

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Abstract

根据本发明，具有提高的光提取效率的发光二极管包括：半导体叠层结构，包括形成在基板上的N层、发光层和P层；N型电极，形成在N层上；以及P型电极，形成在P层上，其中，N型电极和P型电极包括焊盘电极和分散电极，N型电极和/或P型电极包括用于将光反射到分散电极上的反射电极层。因此，发光二极管具有在电极上的反射电极层以提高光提取效率。此外，在焊盘单元下方图案化反射层，因此形成粗糙度并提高粘附力。

Description

具有提高的光提取效率的发光二极管
技术领域
本公开涉及一种发光二极管，更具体地，涉及一种将反射器用于电极结构而具有提高的光提取效率的发光二极管。
背景技术
当前，LED被应用于诸如自然色LED显示装置、LED交通信号灯以及白光LED等的各种应用领域。近来，已经期望高效白光LED来替代普通的荧光灯。具体地，白光LED的效率正在接近普通荧光灯的效率。
通常，发光二极管通过在诸如蓝宝石基板的基板上生长外延层来形成，并且包括N型半导体层、P型半导体层和设置在它们之间的有源层。同时，N型电极焊盘形成在N型半导体层上，P型电极焊盘形成在P型半导体层上。发光二极管通过电极焊盘电结合到外部电源，因此被驱动。在这种情况下，电流从P型电极焊盘经由半导体层流向N型电极焊盘。
通常，由于P型半导体层具有高电阻率，因此电流不均匀分布在P型半导体层内，而集中在P型半导体层的形成有P型电极焊盘的部分上。电流集中导致发光区的减小，由此使发光效率劣化。
为了解决这些问题，使用通过形成P型分散电极来得到电流扩展的技术，其中，通过将P型电极的形状扩大至P型半导体层的部分区域而获得所述P型分散电极。由于从P型电极焊盘引入的电流被分布到P型分散电极并接着被引入到P型半导体层中，因此发光二极管的发光区可被拓宽。
为了促进电流在发光二极管内扩展，使用从电极焊盘延伸的延伸部。例如，第6,650,018号美国专利公开了通过沿与电极接触部117和127(即，与电极焊盘)互相相反的方向延伸多个延伸部而增强电流扩展的特征。
当使用一个或更多个从电极焊盘延伸的延伸部时，如上所述，电流扩展到发光二极管中的效果增强，这能够有助于提高发光二极管的效率。
图1是示出传统的发光装置的剖视图。
参照图1，发光装置100由用于发射光的发光二极管110、用于设置发光二极管110的模制部150以及用于包封发光二极管的包封材料180构成。包封材料180提供有用于反射光的反射填充物185，从而可增大光效。另外，发光二极管110在其上部设置有电极130。
如在现有专利中公开的，电极130被设置为具有电极焊盘和从电极焊盘延伸的延伸部。这里，出于电流扩展的目的，电极130由诸如Au或Cr的具有优异导电性的材料制成。
然而，由于电极焊盘和从电极焊盘延伸的延伸部由诸如Au或Cu的具有不良的反射特性的材料制成，因此由于通过电极焊盘和/或延伸部的光吸收而发生大的光损失，这样的光损失在提高发光二极管的光提取效率方面充当大的障碍。
如上所述，形成在发光二极管上的电极130吸收/阻挡从发光二极管发射的光。因此，需要改进电极的结构以提高发光二极管的光效。
发明内容
技术问题
各个实施例针对提供一种使用反射电极而具有提高的光提取效率的发光二极管。
另外，各个实施例针对提供一种具有提高的光提取效率的发光二极管，所述发光二极管可通过改变焊盘电极的下结构来防止焊盘电极剥离现象。
技术方案
根据本发明的一方面，具有提高的光提取效率的发光二极管包括：半导体叠层结构，包括形成在基板上的N层、发光层和P层；N型电极，形成在N层上；以及P型电极，形成在P层上，其中，N型电极和P型电极包括焊盘电极和分散电极，N型电极和P型电极中的至少一个包括构造成反射分散电极上的光的反射电极层。
反射电极层可另外形成在焊盘电极上。
反射电极层可由用于反射光的材料形成。
反射电极层可由从由Al、Ag、Pt、Pd、Au、Rh、Al合金、Ag合金、Pt合金、Pd合金、Au合金和Rh合金组成的组中选择的任意一种导电材料形成。
形成在分散电极上的反射电极层还可包括：抗氧化膜，形成在反射电极层上；以及粘合层，形成在抗氧化膜与反射电极层之间。
抗氧化膜可由防止反射电极层被氧化的透明材料形成。
抗氧化膜可由SiO2形成。
粘合层可由Ti形成。
发光二极管还可包括在分散电极与P层和N层中的任意一个之间的透明电极。
发光二极管还可包括形成在焊盘电极与P层和N层中的任意一个之间的反射层。
反射层可以以由具有不同的折射率的两种或更多种反射材料制成的多个层来形成。
反射层可被图案化以在反射层的表面上形成粗糙度，焊盘电极可支承在P层和N层中的任意一个上。
透明电极可由于反射层的粗糙度而具有形成在透明电极的表面上的粗糙度。
透明电极可覆盖反射层，并且可设置在焊盘电极与N层和P层中的任意一个之间。
透明电极可设置在除了N层和P层中的任意一个的通过反射层暴露的区域以外的区域上。
反射层可由绝缘材料形成，所述绝缘材料包括从由SiOx、SiNx、SixNy、SiONx和TiO2组成的组中选择的任意一种。
反射层可由从由Al、Ag、Pt、Pd、Au、Rh、Al合金、Ag合金、Pt合金、Pd合金、Au合金和Rh合金组成的组中选择的任意一种导电材料形成。
有益效果
根据本发明的实施例，发光二极管设置为在分散电极层上具有反射电极层，从而可提高光提取效率。
另外，由于反射器在焊盘电极的下部上被图案化，因此由于反射器而形成表面粗糙度，使得表面粗糙度可提高与焊盘电极的粘附力。
附图说明
图1是示出传统的发光装置的剖视图；
图2是解释根据本发明的实施例的发光二极管的透视图；
图3是解释根据本发明的实施例的发光二极管的平面图；
图4a是沿图3中的A-A'线截取的剖视图；
图4b是根据另一实施例的沿图3中的A-A'线截取的剖视图；
图5a和图5b是在图4b中示出的区域“K”的放大视图；
图6a和图6b是示出根据本发明的其他实施例的焊盘部的视图；
图7是示出根据本发明的形成在发光二极管中的焊盘部的透视图；以及
图8是示出根据本发明的另一实施例的发光二极管的剖视图。
*标记说明
20：发光二极管200：半导体叠层结构
210：基板220：N层
230：发光层240：P层
320：N型分散电极340：P型分散电极
410：反射电极层420：粘合层
430：抗氧化膜500：反射层
具体实施方式
以下，将参照附图来详细地描述本发明的示例性实施例。下面描述的实施例通过示例的方式来呈现以努力向本领域技术人员充分地传达本发明的构思。因此，本发明不限于下面的实施例，而可以以许多其他形式来实施。在附图中，为了方便起见，可以以夸大的比例的方式来示出组件的宽度、长度和厚度。将理解的是，当组件被称为“在”另一组件“上”或“在”另一组件“上方”时，组件可“直接在”所述另一组件“上”或“直接在”所述另一组件“上方”，或者也可在它们之间存在中间组件。遍及说明书和附图，相同的组件将通过同样的附图标记来指示。
首先，将参照图2至图8来描述根据本发明的实施例的发光二极管。尽管将给出关于实施例中的包括半导体的发光二极管的下面的描述，但本发明不限于此，并且下面的描述可用于使用各种光的发光装置中。
图2是解释根据本发明的实施例的发光二极管的透视图，图3是解释根据本发明的实施例的发光二极管的平面图。
参照图2和图3，根据本发明的实施例的发光二极管20包括：半导体叠层结构200，包括在基板210上的N层220、P层240和发光层230；N型电极320，形成在N层220上；以及P型电极340，形成在P层240上。
基板210可为绝缘基板或导电基板。基板210可由蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、氧化铝锂(LiAl2O3)、氮化硼(BN)、氮化铝(AlN)或氮化镓(GaN)制成，但不限于此。另外，为了提高光提取效率，基板210可在其表面上设置有光提取图案。
N层220形成在基板210上，P层240位于N层220上，发光层230设置在N层220和P层240之间，由此形成半导体叠层结构200。
同时，N层220和P层240为III-V族化合物半导体层，例如，为(Al、Ga、In)N半导体层。可确定发光层230的组成元素和组成比例以发射具有需要的波长的光，例如，紫外光或蓝光。
如附图中所示，N层220和/或P层240可以以单层来形成，或者可以以多层结构来形成。另外，发光层230可具有单量子阱结构或多量子阱结构。另外，缓冲层(未示出)可设置在基板210与N层220之间。可使用MOCVD或MBE技术来形成半导体叠层结构200的N层220、发光层230和P层240。
P型电极340形成在P层240的上部上，P层240的一部分被台面蚀刻以使N层220暴露。N型电极320形成在被暴露的N层220上。这里，P/N型电极340和320可如上所述地设置，或者P/N型电极340和320可设置在N层220上，使得P/N型电极340和320的设置不限于上述的设置。在这种情况下，半导体叠层结构200的通过台面蚀刻工艺形成的侧表面可形成为相对于基板210的表面具有预定的倾斜角度。
同时，发光二极管20通过电极320和340电结合到外部电源，因此被驱动。在这种情况下，电流从P型电极340经由半导体叠层结构200流向N型电极320。
通过如上形成的P型电极340和N型电极320提供电流，使得可通过发光层230来形成能够发射光的发光区。
然而，由于P层240具有高电阻率，因此电流在P层240内不均匀分布，并且集中在形成有P型电极340的部分上，具体地，在焊盘电极343上。电流集中导致发光区的减小，由此使发光效率劣化。
因此，为了使电流均匀地分布，N/P型电极320和340被设置为具有分别从N层220上的N型焊盘电极323和P层240上的P型焊盘电极343延伸的N/P型分散电极325和345。
这里，N/P型电极320和340可由诸如金(Au)或镍(Ni)的具有优异的电导率的材料制成。然而，虽然金和镍具有优异的电导率，但会吸收光。因此，金和镍可吸收从发光层230发射的光，因此会使发光二极管20的光提取效率劣化。
在这种情况下，其上形成有N/P型电极320和340的区域可为由于构成N/P型电极320和340的金属等而阻挡光的非发光区。因此，N/P型电极320和340可为减小发光区的因素。然而，发光二极管20需要用于电流供应和电流扩展等的N/P型电极320和340。
因此，在根据本发明的实施例的发光二极管20中，能够反射发射的光的反射电极层410形成在N/P型电极320和340中的每个上，因此可提高光提取效率。
根据本发明，发光二极管20包括形成在N/P型电极320和340上的反射电极层410。即，反射电极层410可形成在N/P型电极320和340的N/P型焊盘电极323和343以及N/P型分散电极325和345上。在这种情况下，如图3中所示，反射电极层410可仅形成在分散电极325和345上。
这是因为N/P型焊盘电极323和343对应于与引线键合的区域，因此当反射电极层410由绝缘材料、非导电材料制成时，必须从焊盘电极323和343去除反射电极层410。
另外，反射电极层410可构造为具有可反射光的Al、Ag和它们的合成物中的任意一种。另外，反射电极层410可以以这样的方式来形成，所述方式是堆叠具有相互不同的折射率的多个材料层并形成具有反射结构的反射器。
如上所述，反射电极层410形成在作为非发光区的N/P型电极320和340上以反射光，从而可提高发光二极管20的光提取效率。
图4a是沿图3中的A-A'线截取的剖视图，图4b是根据另一实施例的沿图3中的A-A'线截取的剖视图，图5a和图5b是在图4b中示出的区域“K”的放大视图。
这里，图4b与图4a的不同之处在于，在前者中示出的焊盘电极的下结构与在后者中示出的焊盘电极的下结构不同，图5a与图5b的不同之处在于，在前者中示出的透明电极的结构与在后者中示出的透明电极的结构不同。另外，为了避免重复的描述，将参照图2和图3给出下面的描述。
参照图4a和图4b，N层220、发光层230和P层240顺序地形成在基板210上，由此形成半导体叠层结构200。这里，透明电极270、P型电极340和反射电极层410形成在P层240上；N型电极320和反射电极层410形成在N层220上。透明电极270可另外还形成在N型电极320的下部上。如附图中所示，可以以通过蚀刻P层240的一部分而暴露N层220的一部分的台面结构来形成发光二极管20。
如上形成的发光二极管20被供应有穿过P型电极340和N型电极320的电流，由此通过设置在P层240和N层220之间的发光层230而形成能够发射光的发光区。
尽管N/P型电极320和340分别形成在N层220和P层240上，但本发明不限于此。N/P型电极320和340可形成在N层220和P层240中的任意一个上。
另外，N/P型电极320和340分别包括引线键合的N/P型焊盘电极323和343，并且包括从N/P型焊盘电极323和343延伸的N/P型分散电极325和345。这里，N/P型焊盘电极323和343可与N/P型分散电极325和345一体地形成，或者可与N/P型分散电极325和345单独地形成。附图示出一体形成的实例，其中，N/P型分散电极325和345与N/P型焊盘电极323和343形成在同一高度处。
这里，为了便于描述，其上形成有N/P型焊盘电极323和343的区域将被称为焊盘部PA，其上形成有N/P型分散电极325和345的区域将被称为分散部DA。这里，形成在焊盘部PA上的N/P型焊盘电极323和343起用于键合引线的键合焊盘的作用，并且具有比形成在分散部DA上的N/P型分散电极325和345相对宽的区域，使得可键合引线。
以下，将单独地描述焊盘部PA和分散部DA，其中，N/P型电极320和340将被称为电极320和340，N/P型焊盘电极323和343将被称为焊盘电极323和343，N/P型分散电极325和345将被称为分散电极325和345，N型和P型将仅在指定N型或P型时使用。
首先简要地说差异，不同之处在于，分散部DA被设置为具有另外形成在其上的抗氧化膜430和粘合层420，同时焊盘部PA被设置为具有设置在焊盘电极323和343的下部上的反射层500。
首先，解释分散部DA，透明电极270形成在N/P层220和240上，分散电极325和345形成在透明电极270上。然后，反射电极层410形成在分散电极325和345上。
可利用可反射光的Al、Ag和它们的合成物中的任意一种来构造反射电极层410。另外，反射电极层410可以以这样的方式来形成，所述方式是堆叠具有相互不同的折射率的多个材料层并形成具有反射结构的反射器。
当利用可反射光的Al、Ag和它们的合成物中的任意一种来构造反射电极层410时，可通过使用电子束形成分散电极325和345并接着相继地沉积Al金属和Ag金属来形成反射电极层410。
另外，反射电极层410可使用电镀法来形成，并且可使用电解法或无电镀法来形成。可直接在以无电镀法形成电极320和340之后以无电镀法形成反射电极层410。另外，当使用电解法时，可通过在形成分散电极材料之后不去除光致抗蚀剂(PR)并通过在电镀反射电极材料之后去除光致抗蚀剂来同时形成电极320和340以及反射电极层410。
另外，可在电极320和340上使用相互不同的材料来形成反射电极层410。这里，可形成由具有相互不同的折射率的材料层构成的反射器。可将反射器用作导电材料，从而用于反射电极层410。
分布式布拉格反射器(DBR)可用于反射电极层410。可通过交替地堆叠具有相互不同的折射率的两个或更多个绝缘层或导电层来形成DBR。
当反射电极层410由DBR形成时，可选择并使用具有可反射性的导电材料。在这种情况下，可从由Al、Ag、Pt、Pd、Au、Rh、Al合金、Ag合金、Pt合金、Pd合金、Au合金和Rh合金组成的组中选择将用于反射电极层410的导电材料。
另外，可从由SiOx、SiNx、SixNy和SiONx组成的组中选择将用于反射电极层410的绝缘材料。例如，形成工艺可通过化学气相沉积或溅射来完成。在这种情况下，当将绝缘材料用于反射电极层410时，必须去除形成在焊盘电极323和343上的反射电极层410。
如上所述，在形成在分散部DA上的分散电极325和345上按次序形成反射电极层410、粘合层420和抗氧化膜430。在这种情况下，抗氧化膜430可覆盖已经被暴露的粘合层420、反射电极层410和分散电极325和345的侧表面。
另外，由于反射电极层410由金属形成，因此从发光二极管20散发的热可使反射电极层410氧化。为了防止这样的氧化，可在反射电极层410上形成抗氧化膜430。抗氧化膜430由从发光层230产生的光可透过其的透明材料制成，不限于绝缘层，例如可由SiO2形成。
在这种情况下，由于抗氧化膜430和反射电极层410可由具有低粘附力的材料制成，因此两个层会彼此剥离。因此，可在抗氧化膜430和反射电极层410之间形成用于提高粘附力的粘合层420。粘合层420可由Ti等形成。
不在已经形成在焊盘部PA上的焊盘电极323和343上形成抗氧化膜430和粘合层420。这是因为焊盘部DA是引线将与其键合的区域，诸如抗氧化膜430的绝缘材料必须从焊盘部去除，使得将来键合材料可形成在焊盘部上。
同时，焊盘部DA还包括位于焊盘电极323和343的下部上由反射器形成的反射层500。
解释焊盘部DA的反射电极层410，反射电极层410形成在电极320和340上。透明电极270可形成在N型电极320与N层220之间以及P型电极340与P层240之间。这里，透明电极270可以不形成在N层220上。
例如，解释形成在P层240上的透明电极270，透明电极270可位于P层240上，并且与P层240欧姆接触。在具有高电阻率的P层240上均匀地分布电流是很难的。此外，尽管电流被分布到分散电极325和345，但电流会集中在分散电极325和345的边缘部分。为此，在P层240和P型电极340之间形成可均匀地分布电流并且光可透过其的透明电极270。无须说的是，透明电极270还可以形成在N型电极320和N层220之间。
此外，当P型电极340和P层240彼此接触时，因为P层240具有高的电阻率而难以实现欧姆接触。因此，可在P型电极340与P层240之间形成透明电极270，使得两个元件可欧姆接触。
另外，透明电极270可由氧化铟锡(ITO)形成。如上所述，通过P型电极340引入的电流被分布到透明电极270并接着被引入到P层240，使得发光二极管20的发光区可更宽。
另外，在透明电极270上形成的反射电极层410形成在焊盘电极323和343以及分散电极325和345上，其中，焊盘电极323和343对应于作为非发光区的引线键合区。因此，尽管反射电极层410形成在透明电极270上，但与在分散部DA中一样，反射电极层410会由于键合的引线而不执行反射功能。
为此，根据本发明，反射层500另外设置在焊盘电极323和343的下部上，由此增大光提取区域并提高光提取效率。
这里，反射层500可由DBR形成。DBR可以以这样的方式形成，所述方式是重复地堆叠具有相互不同的折射率的材料层并通过光刻工艺执行图案化，或者可以以这样的方式形成，所述方式是交替地堆叠具有相互不同的折射率的两个或更多个层以起分布式布拉格反射器(DBR)的作用。出于提高反射特性的目的，DBR可形成在非发光区上。
如图5b中所示，图案可形成在焊盘部PA上以提高焊盘电极323和343的粘附力。当DBR形成为图案时，在形成在反射层500上的透明电极270上形成粗糙度，从而可提高焊盘电极323和343与透明电极270之间的粘附力。另外，其上形成有粗糙度的透明电极270可由于其粗糙度而提高光提取效率。
图6a和图6b是示出根据本发明的其他实施例的焊盘部的视图，图7是示出根据本发明的形成在发光二极管中的焊盘部的透视图。
这里，图6a至图7是示出根据本发明的发光二极管的焊盘部的剖视图。这里，尽管将利用N型焊盘电极作为示例来描述焊盘电极，但是对于N/P型焊盘电极还可形成相同的形状。另外，为了避免重复的描述，将参照图2和图5b给出下面的描述。
参照图6a至图7，首先，在位于焊盘电极323和343的下部的透明电极270的结构方面存在差异。另外，反射电极层410可选择性地形成在焊盘电极323和343的上部上。
首先，与P层240接触的反射层500形成在焊盘电极323和343的下部处。
反射层500可由DBR形成。DBR可以以这样的方式形成，所述方式是重复地堆叠具有相互不同的折射率的材料层并通过光刻工艺执行图案化，或者可以以这样的方式形成，所述方式是交替地堆叠具有相互不同的折射率的两个或更多个层以起分布式布拉格反射器(DBR)的作用。当在具有发光功能、光探测功能或光调制功能等的各种发光装置中需要高可反射性时使用分布式布拉格反射器(DBR)。
DBR是通过交替地堆叠具有相互不同的折射率的两种类型的介质而构造成利用在折射率方面的差异来反射光的反射镜。将用作反射层500的绝缘材料可从由例如SiOx、SiNx、SixNy和SiONx组成的组中选择。例如，可通过化学气相沉积或溅射来形成DBR。另外，与反射电极层410类似，可使用由导电材料构成的DBR。
反射层可形成在N/P层上。另外，焊盘电极形成在反射层上，其中，透明电极可设置在反射层和焊盘电极之间。另外，可不形成透明电极。
可先形成反射层500之后再形成透明电极270，但本发明不限于此，可在形成透明电极270之后形成反射层。
如图6b中所示，在形成反射层500之后，形成透明电极，然后可通过图案化工艺使透明电极270和反射层500的形状图案化。
已经被如上所述地被图案化的反射层500和透明电极270在透明电极270的表面上形成粗糙度。因此，形成在具有粗糙度的透明电极270的表面上的焊盘电极323和343可提高透明电极270与焊盘电极323和343之间的粘附力。
另外，分散电极层320和340的焊盘部PA可形成在通过内部反射层500支承的结构中。反射层500可在多个环形形状物形成在焊盘电极343的下部处以支承焊盘电极343的结构中。即，由于焊盘电极343与P层240之间的粘附力因为反射层500而提高，因此可防止焊盘电极343被剥离。
此外，按照从外部支承分散电极320和340的夹紧结构来构造还形成在分散电极320和340附近的透明电极270，可进一步地提高粘附力。
因此，提高了焊盘电极343与P层240之间的粘附力，由此减少了当引线键合并形成在焊盘电极343上时焊盘电极343被剥离的现象。
图8是示出根据本发明的另一实施例的发光二极管的剖视图。这里，为了避免重复的描述，将参照图2和图7来给出下面的描述。这里，虽然图2示出并解释了按照台面结构构造的发光二极管，但是图8解释了按照Acrich结构构造的发光二极管。
参照图8，多个半导体叠层结构200形成在基板210上。
首先，为了提高基板210的表面的光提取效率，在基板210的表面上形成图案。在这种情况下，基板的图案可通过蚀刻基板的表面来形成，或者可通过图案化在基板上的光提取图案来形成。
半导体叠层结构200通过依次堆叠N层220、发光层230和P层240来形成。这里，通过蚀刻P层240和发光层230的一部分来使N层220暴露。另外，绝缘层433形成在半导体叠层结构200的整个表面上。绝缘层433可由SiO2等形成。
在这种情况下，绝缘层433的一部分被蚀刻，并且通过蚀刻绝缘层433而暴露的区域对应于将在其上形成电极320和340的区域。如上所述，电极材料形成在绝缘层433和通过绝缘层433暴露的区域上，从而形成电极320和340。在这种情况下，N型电极320和P型电极340可形成为彼此连接。
另外，反射电极层410形成在电极320和340上。如上所述，反射电极层410由反射光的材料形成，并且可形成在焊盘部PA或分散部DA上。另外，反射电极层410可不形成在焊盘部PA上。
另外，用于防止氧化的抗氧化膜(见图5a)形成在反射电极层410上，粘合层420(见图5a)形成在抗氧化膜(见图5a)与反射电极层410之间。
如上所述，根据本发明，按照Acrich结构形成发光二极管20，反射电极层410形成在电极320和340上，从而可提高光提取效率。
产业上的可利用性
本发明关于一种可在诸如自然色LED显示装置、LED交通信号灯以及白光LED等的各种应用领域中使用的发光二极管。

Claims (17)

1.一种具有提高的光提取效率的发光二极管，包括：
半导体叠层结构，包括形成在基板上的N层、发光层和P层；N型电极，形成在N层上；以及P型电极，形成在P层上，其中，
N型电极和P型电极包括焊盘电极和分散电极，N型电极和P型电极中的至少一个包括构造成反射分散电极上的光的反射电极层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，反射电极层另外形成在焊盘电极上。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，反射电极层由用于反射光的材料形成。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，反射电极层由从由Al、Ag、Pt、Pd、Au、Rh、Al合金、Ag合金、Pt合金、Pd合金、Au合金和Rh合金组成的组中选择的任意一种导电材料形成。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，形成在分散电极上的反射电极层还包括：
抗氧化膜，形成在反射电极层上；以及
粘合层，形成在抗氧化膜与反射电极层之间。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，抗氧化膜由防止反射电极层被氧化的透明材料形成。
7.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，抗氧化膜由SiO2形成。
8.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，粘合层由Ti形成。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括在分散电极与P层和N层中的任意一个之间的透明电极。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括形成在焊盘电极与P层和N层中的任意一个之间的反射层。
11.根据权利要求10所述的发光二极管，其中，反射层以由具有不同的折射率的两种或更多种反射材料制成的多个层来形成。
12.根据权利要求10所述的发光二极管，其中，反射层被图案化以在反射层的表面上形成粗糙度，焊盘电极被支承在P层和N层中的任意一个上。
13.根据权利要求10所述的发光二极管，其中，透明电极由于反射层的粗糙度而具有形成在其表面上的粗糙度。
14.根据权利要求10所述的发光二极管，其中，透明电极覆盖反射层，并且设置在焊盘电极与N层和P层中的任意一个之间。
15.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，透明电极设置在除了N层和P层中的任意一个的通过反射层暴露的区域以外的区域上。
16.根据权利要求10所述的发光二极管，其中，反射层由绝缘材料形成，所述绝缘材料包括从由SiOx、SiNx、SixNy、SiONx和TiO2组成的组中选择的任意一种。
17.根据权利要求10所述的发光二极管，其中，反射层由从由Al、Ag、Pt、Pd、Au、Rh、Al合金、Ag合金、Pt合金、Pd合金、Au合金和Rh合金组成的组中选择的任意一种导电材料形成。
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