CN111684611B - 防止led管芯污染的方法 - Google Patents

Abstract

提供一种允许反射层邻接倚靠金属接触部的边缘同时防止LED管芯的金属接触部的污染的方法。该方法包括在沉积反射膜层之前用阻挡层封装电接触（即，金属接触部）过孔。阻挡层通过限定具有比金属接触部过孔更大大小的掩模图案来封装金属接触部，这防止了金属接触部被反射膜污染。这种封装减少了金属接触部的污染，并且还减少了LED管芯工作期间的电压降。

Description

防止LED管芯污染的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年12月14日提交的美国非临时申请15 / 842,391和2018年1月31日提交的欧洲专利申请第18154461.0号的权益，它们的内容通过引用在此并入本文。

技术领域

本发明大体上涉及发光二极管（LED），并且更具体地涉及最小化LED处理期间的污染。

背景技术

包括变化的LED管芯架构的应用是已知的。在需要电接触的LED布置的区域中创建过孔。本领域普通技术人员理解，在沉积期间或在随后的处理步骤中，诸如银（Ag）和铝（Al）的可移动原子可以迁移或以其他方式重定位到过孔中。

这在某些LED管芯中尤其成问题，因为已知Ag污染下面的外延。防止污染的典型方法是提供阻挡层（或如图1中示出的电介质层114），并在位于下面的阻挡材料中的过孔和位于Ag层中的过孔之间提供大的偏移。随后通过覆盖保护板材料（诸如镍（Ni）或钨（W））来密封Ag层，这导致Ag层的总表面积的减少，并减少了每个LED管芯上的反射面积。

生产LED管芯通常涉及多轮掩模和光刻，这需要第二沉积层中的大的过孔大小，以为由于过孔未对准而导致的问题提供余量。第一沉积层和第二沉积层之间的过孔大小的这种不匹配限定了关键尺寸（CD）的大小，并且如果使用蚀刻来形成过孔，则这导致大的底切，从而导致增大的CD。

半导体材料的蚀刻是众所周知的，并且在美国专利9,583,353中描述，该专利通过引用并入本文，如同完全阐述一样。包括用于LED架构的晶片接合的应用也是众所周知的。在美国专利8,154,042中公开了另一种已知类型的LED管芯，该专利通过引用并入本文，如同完全阐述一样。这些已知类型的器件已经产生了显著增加的光输出。然而，仍然存在污染问题。

LED管芯中的反射层以各种方式污染相关联的金属接触部。由于接触金属之上的直接沉积、反射膜退火工艺、在反射层的蚀刻工艺期间与过孔接触的蚀刻产物的侵入和/或由于在反射层的形成期间从第一阻挡层去除材料而在随后的接合层中的空隙，可能发生污染。如果反射膜的微量元素与下面的外延变成电接触，则可能导致一致的高正向电压。

将期望提供一种防止LED管芯中的金属接触部的污染的可靠方法。

发明内容

简要地说，提供了一种用于防止在LED管芯的金属接触部处的污染的方法。

本公开提供了施加阻挡层以封装电接触（即，金属接触部）的方法，这最小化了反射层中的关键尺寸（CD），从而增加了LED管芯上的总反射表面。阻挡层通过限定具有比金属接触部过孔更大大小的掩模图案来封装金属接触部，这防止了金属接触部被反射膜污染。这种封装防止了金属接触部的污染，并且还减少了LED管芯工作期间的电压升高。

附图说明

当结合所附附图阅读时，将最好地理解前述发明内容以及以下详细描述。在附图中：

图1A-1H图示了根据第一实施例的用于形成LED管芯的步骤。

图2图示了在位于LED管芯中的阻挡层和反射层之间形成的间隙。

图3A-3G图示了根据第二实施例的用于形成LED管芯的步骤。

图4图示了示出LED管芯的特性的表格。

图5A图示了根据现有技术的LED管芯的形貌。

图5B图示了根据本发明实施例的LED管芯的形貌。

图6A-6H图示了根据第三实施例的用于形成LED管芯的步骤。

图7A-7H图示了根据第四实施例的用于形成LED管芯的步骤。

图8A-8G图示了根据第五实施例的用于形成LED管芯的步骤。

图9A-9D图示了根据一实施例的LED管芯的关键尺寸。

具体实施方式

应当理解，用于防止LED管芯中的污染的附图和描述已经简化，以示出与清楚理解有关的元件，同时为了清楚起见，消除了典型电子封装中发现的许多其他元件。本领域普通技术人员可以认识到，在实现本发明中其他元件和/或步骤是期望和/或需要的。然而，由于这样的元件和步骤在本领域中是众所周知的，并且因为它们不便于对本发明的更好的理解，因此本文不提供对这样的元件和步骤的讨论。

在LED管芯形成的蚀刻去除工艺期间，反射层被蚀刻离开金属接触部过孔，并且过蚀刻工艺用于确保从金属接触部过孔彻底去除反射膜以防止污染。该蚀刻去除工艺过度地减少了反射镜总反射区域的总面积，并减少了LED管芯的光输出。本文公开的实施例消除了具有更精确可控的阻挡层尺寸的反射膜蚀刻工艺，其减少了由于反射面积的损失而导致的光输出损失。在现有的应用中，通过反射膜蚀刻工艺部分或完全去除的第一阻挡层改变了管芯形貌，并在晶片接合工艺之后在金属接触部过孔下方导致大的空隙。本文公开的实施例通过消除反射膜蚀刻工艺来改善管芯形貌并显著减少空隙。

由于反射膜层的过蚀刻，LED管芯中的第二阻挡层和反射膜之间通常存在间隙。反射镜掩模未对准可能导致反射膜直接位于接触金属之上，并且随后的热处理既加速了交叉污染又导致了正向电压以不可控的方式增加。本文公开的实施例提供了针对LED管芯的设计，其具有足够大的阻挡大小以完全封装金属接触部过孔，这消除了反射膜污染金属接触部。本文公开的实施例沉积反射镜层的覆盖片以最大化反射镜面积并提高光输出。

LED管芯的生产包括多个步骤，其在图1A-1H中图示出。在一实施例中，LED管芯是磷化铝铟镓（AlInGaP）LED器件。然而，本领域普通技术人员将从本公开认识到，可以生产替代类型的LED管芯。作为图1A所示的初始步骤110，提供了外延层112、电介质层114和第一光阻层116。在一实施例中，外延层112包括GaP。本领域普通技术人员将从本公开认识到，可以使用替代类型的半导体化合物材料。在一实施例中，电介质层114包括二氧化硅。本领域普通技术人员将从本公开认识到，可以使用替代类型的电介质层。

在图1B所示的步骤120期间，在需要电接触的电介质层114中创建过孔122。在图1C所示的步骤130期间，过孔122填充有用于电接触形成的金属接触部132，并且第一阻挡层134形成在金属接触部132之上以防止接触金属的污染。在一实施例中，金属接触部132由金铍（AuBe）化合物形成。本领域普通技术人员将从本公开认识到，可以使用替代类型的金属接触部。

如图1D所示，在步骤140期间，去除了第一光阻层116。如图1E中的步骤150所示，反射膜层152形成在电介质层114和第一阻挡层134之上。在一实施例中，使用退火工艺来改善反射膜层152的粘附。本领域普通技术人员将认识到，可以省略退火工艺，或者可以使用其他方法/布置来改善粘附。在图1F所示的步骤160期间，第二光阻层162沉积在反射膜层152上并被图案化。反射膜层152也从金属接触部区132去除。如图1G所示，在步骤170期间，第二阻挡层172沉积在金属接触部132上以防止金属接触部132的污染。如图1H所示，在步骤180期间，去除第二光阻层162（以及第二光阻层162的区中的第二阻挡层172），并且反射膜层152的顶表面和第二阻挡层172的顶表面是共面的。

在从金属接触部过孔的顶表面去除反射膜层152期间，第一阻挡层134的部分蚀刻引起问题。微量的反射膜层152可能在形成和退火步骤期间进入过孔，这导致LED器件的工作电压的增加。在反射膜层152的蚀刻期间还生成蚀刻副产物，这也可能导致器件的工作电压的增加。另外，随着反射膜层152被蚀刻离开金属接触部区，材料从抗蚀剂162下方被去除，从而导致反射膜的总面积的减少并且导致LED管芯的光输出的相关减少。保护片（即，第二阻挡层172）在电介质过孔的顶部边缘和保护片的外部边缘之间创建低反射率的区，并且在保护片的外部边缘和反射膜的内部边缘之间创建甚至更低反射率的区。通过反射膜蚀刻工艺部分或完全去除的第一阻挡层134改变了管芯的形貌，并在晶片接合工艺之后在金属接触部过孔下方可能导致大的空隙。最终，在掩模工艺期间使得能够从金属接触部过孔蚀刻掉反射膜层152，任何明显的掩模未对准都可能导致反射膜位于金属接触部132之上，这是不期望的并且导致金属接触部132的污染。该问题被图2的右半侧最好地图示出，下面将对其进行更详细的讨论。

图2图示出了由于未对准而将反射材料沉积到电接触金属上的情况。如图2所示，在管芯形成工艺期间，在反射膜层152和第二阻挡层172之间产生间隙202。这些间隙202是不期望的，并且由于过多的过蚀刻而导致反射镜面积的损失，并产生接合空隙。该区具有最低的反射率。与由银覆盖的区相比，从电介质顶部的边缘到第二阻挡层的外部边缘的区也具有显著降低的反射率。本文公开的实施例使这些间隙最小化。

如本文大体公开的，提供阻挡层以分离金属接触部的图案化岛和反射镜的覆盖片。阻挡层能够实现无污染的金属接触部，这降低了接触电阻，并降低了LED管芯工作期间的电压降和功耗。在一实施例中，提供了反射镜层的覆盖片，其没有从金属接触部的顶部被部分蚀刻掉。通过最大化反射镜面积，该配置改善了LED管芯的光输出。

在一实施例中，消除了反射膜蚀刻工艺，这防止了反射镜面积损失并使光输出损失最小化。本文公开的LED管芯架构改善了底部接触表面形貌，同时还显著减小了晶片接合工艺之后的接合空隙。根据本文公开的实施例生产的成品LED管芯通过避免工作电压增加、降低功耗和增加光输出而提供了改善的性能。

本文公开的阻挡层通过提供具有比金属接触部的特定岛更大直径的图案来封装金属接触部，从而防止在处理或正常操作期间金属接触部被反射镜污染。通过使用允许反射镜层直接定位在保护片附近（即，在邻接接触部中）同时防止在处理和/或正常操作期间接触部污染的形成步骤和工艺，光输出被最大化并且操作电压被最小化。这种布置提供了使用基座接合（例如，竖直LED器件）的LED管芯架构的接触层的改善的形貌。在一实施例中，与已知的LED管芯相比，本文公开的形成LED管芯的方法提供了大约20％的表面粗糙度降低。在一实施例中，与已知的LED管芯相比，本文公开的形成LED管芯的方法提供了大约18.6％的表面粗糙度降低。跨接触区域，在已知的LED管芯中提供了大约60.0 nm的RMS。根据本文公开的方法的实施例，提供了小于50.0 nm的RMS。在一实施例中，提供了48.8 nm的RMS。如本文所使用的，RMS根据ASME B46.1定义为轮廓高度与平均线的偏差的均方根平均值。

在一实施例中，提供了一种用于在电接触的形成期间最小化彼此相邻地位于电介质层上的反射镜层的薄膜和保护片之间产生的偏移的方法。该方法包括在电介质层中形成过孔。该步骤可以包括在电介质膜沉积之前穿过存在于半导体上的任何材料形成过孔，使得半导体可以通过该过孔电连接到外部环境。该方法包括使用单层或多层薄膜通过过孔在半导体上形成电接触。在一实施例中，该方法包括在过孔上方形成保护片（即，阻挡层）作为盖或屏蔽物，以防止污染物侵入到过孔中。该方法包括在电介质上形成反射层，并在反射层和保护片之间实现严格的CD控制。

如图3A-3G所示，公开了根据一实施例的形成LED管芯的一种方法300。图3A-3D大体上对应于图1A-1D，并且这些步骤大体上与上述步骤相同，即，步骤110对应于步骤310，步骤120对应于步骤320等。如图3E所示，在步骤350期间，第二光阻层362被沉积在位于远离期望的电接触（即，金属接触部332）的区的区域中的电介质层314上。第二光阻层362是光阻材料的图案化层。如图3F所示，在步骤360期间，第二阻挡层372的覆盖物沉积在第二光阻层362、电介质层314以及金属接触部332上。第二阻挡层372的覆盖物覆盖LED的整个顶部表面。如图3G所示，在步骤370期间，仅从远离期望的电接触（即，金属接触部332）的区的区域中去除第二光阻层362和第二阻挡层372的组合层的部分。在步骤370期间，反射膜352的覆盖层沉积在LED的整个顶部表面上方，即，沉积在电介质层322和第二阻挡层372上。这种配置确保反射膜层352与第二阻挡层372接触，并提供可靠的配置，以防止金属接触部332被反射膜层352污染。

关于本文使用的光阻层的术语“图案化”或“被图案化”可以根据多种方法来执行。在一实施例中，通过剥离执行图案化。在另一实施例中，通过湿法蚀刻执行图案化。

图4图示了一表格，该表格示出了现有LED管芯（“原始”）和根据本文所述方法生产的LED管芯的实施例（“实施例1”）的正向电压、通量水平和功效。与原始管芯设计相比，正向电压降低了1％，通量提高了9％，并且总体管芯功效提高了10％。正向电压的降低归因于实施例1提供的CD大小的精确控制。原始设计中的蚀刻通常导致大于预期的CD大小。在本文所述的方法和所得的LED管芯中，生产方法允许反射层邻接倚靠保护TiW层，从而增加反射层的总表面积并增加通量水平。实施例1的LED设计具有5μm CD，并且TiW层没有完全覆盖5μm宽的氧化物过孔，这是由过孔开口步骤中的氧化物过蚀刻引起的，并在观察到正向工作电压（Vf）2％的增加时导致接触部的一些Ag污染。反射层邻接氧化物过孔边缘的布置将通量水平增加了10％，从而提供了8％的功效净改善。

该表格突出了控制氧化物过孔上方的CD大小以在最大化通量和正向电压无损失之间进行平衡的重要性。在将Ag从过孔回蚀到8μm的实施例中这本是不可能的，因为在生产中更严格的CD余量会是不可行的，并且在产品中设计了大的过蚀刻余量以防止epi污染，而该实施例示出，可以显著显著减小CD大小，从而提高了总反射率和管芯通量水平。

图5A图示了根据现有技术生产的LED管芯的形貌。图5B图示了根据本文公开的实施例生产的LED管芯的空隙大小的减小和反射面积的恢复。通过金属接触部处的改善的形貌，与现有的LED管芯相比，空隙510的大小减小了至少50％。与图5A中所示的现有技术相比，图5B中公开的本实施例提供了较小的空隙510'。在图5A的LED管芯中，LED管芯中的银过蚀刻产生了损失的反射面积。在图5B的实施例中，银恢复了该损失的反射面积，这提高了通量。

如图6A-6G所示，公开了用于形成LED管芯的方法600的另一实施例。图6A-6D大体上对应于图1A-1D和图3A-3D，并且步骤大体上与上述步骤相同，即，步骤110对应于步骤610，步骤120对应于步骤620等。如图6E所示，步骤650包括在电介质层614和金属接触部632上沉积第二阻挡层672的覆盖物。在图6F所示的步骤660期间，将第二光阻层662图案化到仅在期望的电接触（即，金属接触部632）和第一阻挡层634的区中的LED上。步骤660还包括仅在远离期望的电接触的区的区域中去除第二阻挡层672的部分。如图6G所示，步骤670包括在电介质层614和第二光阻层662上沉积反射膜652的覆盖物。在图6H所示的步骤680期间，从期望的电接触的区中去除第二光阻层662和反射膜652的组合层的部分。该实施例与图3A-3G所示的实施例类似之处在于该实施例提供了直接倚靠阻挡层延伸的反射层。该实施例还确保了反射膜没有沉积在阻挡层封装地带中。该实施例在反射膜652的顶部表面与第二阻挡层672的顶部表面之间提供了共面布置。该共面布置至少提供在管芯的与期望的电接触的区域相邻的区中。根据该实施例，上表面形貌具有在46.0 nm-50.0 nm之间的表面粗糙度，并且更优选地具有48.8 nm的表面粗糙度。

图7A-7H图示了用于形成LED管芯600的另一实施例。图7A-7D大体上对应于图1A-1D、3A-3D和6A-6D。图7A-7H的实施例包括在位于期望的电接触（即，金属接触部732）的区中的电介质层714上沉积第二光阻层762，如图7E如步骤750所示。图7F示出了步骤760，其包括在第二光阻层762和电介质层714上沉积反射膜752的覆盖物。图7G图示了步骤770，其包括在远离期望的电接触（即，远离金属接触部732）的区的区域中去除第二光阻层762和反射膜752的组合层的部分。最后，如图7H所示，该方法包括步骤780，其包括将第二阻挡层772的覆盖物沉积到电介质层714、金属接触部732（包括第一阻挡层734）和反射膜752上。该实施例还确保在金属接触部的区中没有沉积反射膜752。根据该实施例，上表面形貌具有在74.0nm-78.0 nm之间的表面粗糙度，并且更优选地具有76.8 nm的表面粗糙度。

在图8A-8G中公开了用于形成LED管芯800的附加实施例。图8A-8D大体上对应于图1A-1D、3A-3D、6A-6D和7A-7D。图8A-8G的实施例包括图8E所示的步骤850，其示出了将第二阻挡层872的覆盖物沉积到LED布置（包括电介质层814以及第一阻挡层834和金属接触部832的组合层）的整个顶部表面上。如图8F所示，在步骤860期间，第二光阻层862沉积在期望的电接触的区（即，第一阻挡层834和金属接触部832的组合层的区）中的第二阻挡层872上。在步骤860期间，第二阻挡层872的部分也从远离期望的电接触的区的区域中去除。最后，如图8G所示，在步骤870期间，第二光阻层862被去除，并且反射膜852的覆盖物沉积到电介质层814和第二阻挡层872上。该实施例提供了与图3A-3G、6A-6H和7A-7H的实施例类似的优点，确保了反射层邻接倚靠阻挡层的边缘。该实施例还确保了在金属接触部的区中没有沉积反射膜852。根据该实施例，上部表面形貌具有在72.0 nm-76.0 nm之间的表面粗糙度，并且更优选地具有74.7 nm的表面粗糙度。

在图9A-9D所示的实施例中，公开了一种用于在电介质层上沉积材料薄膜的方法，其中在薄膜层和电介质层之间具有最小过孔大小偏移。将这些层沉积到晶片上。薄膜层和电介质层之间的过孔大小偏移，被定义为关键尺寸（CD），在图9A和9B中清楚地图示出。在一实施例中，该方法包括沉积第一薄膜层作为第一沉积。该步骤可以包括单个沉积步骤或多个沉积步骤。通过第一沉积形成第一过孔。该方法包括沉积第二层作为第二沉积。第二沉积可以包括单个沉积步骤或多个沉积步骤。接下来，通过第二沉积形成第二过孔。第二过孔的位置与第一过孔的位置相关。如图9A和9B所示，第二过孔与第一过孔同心。本领域普通技术人员将从本公开认识到，可以在第一或第二沉积中沉积多个层，并且可以在第一过孔或第二过孔中包括多个过孔。这种布置在来自第一和第二沉积的过孔之间提供了严格的CD控制。这种布置还防止来自第二沉积的材料进入在第一沉积中形成的过孔并降落在下面的材料/衬底上。公开了一种最小化CD同时防止来自第二沉积步骤的材料进入在第一沉积中形成的过孔的方法。在图9C所示的实施例中，该方法包括使用掩模来破坏材料从第二沉积步骤到第一沉积步骤的接触的连续性。在一实施例中，然后去除掩模。在另一实施例中，不去除掩模。在一实施例中，第一沉积由沉积到晶片上的电介质层（诸如SiO2）组成。施加抗蚀剂层并通过光刻将其图案化，并且将该图案转移到电介质层。在一实施例中，通过减法（例如蚀刻）转移图案。蚀刻从电介质层去除材料，从而形成可以填充有材料的过孔（如果需要的话）。然后去除抗蚀剂层，并施加新的抗蚀剂层并对其进行图案化。如果使用抗蚀剂层来破坏过孔处的第二沉积的连续性，则可以使用相同的掩模，但是具有相反的极性，这导致抗蚀剂层保留在过孔之上。可替代地，如果使用相同的抗蚀剂层和掩模极性，则可以将硬掩模沉积到过孔中，并通过剥离方法进行图案化。在该阶段，第一沉积层中的过孔在过孔之上形成有抗蚀剂层或硬掩模盖。此技术定义的CD是可能的最小CD，因为该技术确保了过孔上方的材料（即，抗蚀剂层或硬掩模）具有最小可能的“占用区域”。这确保了第一沉积和第二沉积之间的接触部的表面积最大化，同时防止了来自第二沉积层的材料蔓延到在第一沉积层中形成的过孔中。如果需要，可以复制该方法用于后续沉积，以继续过孔的向上生长，同时最小化每个沉积步骤的水平生长速率。

本领域普通技术人员将从本实施例认识到，本文描述的方法和配置可以应用于任何LED架构。特别地，本文描述的方法和配置可以应用于使用金属接触部和反射层的任何LED架构。

可以根据已知的晶片制造组件和方法，使用标准制造设备来实施本实施例。可以将本实施例并入到晶片制造的现有制造工艺的修改流程中，以能够实现管芯架构变化。

在一个实施例中，公开了一种形成发光二极管（LED）管芯的方法。该方法包括：（a）提供管芯，该管芯最初包括衬底和外延基底层、包括在电接触的区中限定过孔的电介质层、以及在过孔内的金属接触部；（b）在远离基底层的整个表面上方沉积阻挡层；（c）在位于覆盖金属接触部的管芯的区中的阻挡层上沉积图案化的光阻层；（d）在远离基底层的整个表面上方沉积反射层；以及（e）剥离图案化的光阻层和反射层的覆盖部分。

在一个实施例中，公开了一种形成发光二极管（LED）管芯的方法。该方法包括：（a）提供管芯，该管芯最初包括衬底和外延基底层、包括在电接触的区中限定过孔的电介质层、以及在过孔内的金属接触部；（b）在远离位于覆盖金属接触部的管芯的区中的基底层的表面上沉积图案化的光阻层；（c）在远离基底层的整个表面上方沉积反射层；（d）剥离位于覆盖金属接触部的管芯的区中的光阻层和反射层的覆盖部分；以及（e）在远离基底层的整个表面上方沉积阻挡层。

在一个实施例中，公开了一种形成发光二极管（LED）管芯的方法。该方法包括：（a）提供管芯，该管芯最初包括衬底和外延基底层、包括在电接触的区中限定过孔的电介质层、以及在过孔内的金属接触部；（b）以下中的至少一项：（i）在远离位于邻近金属接触部的管芯的区中的基底层的表面上沉积图案化的光阻层，并且然后在远离基底层的整个表面上沉积阻挡层；或者（ii）在远离基底层的整个表面上方沉积阻挡层，并且然后在远离位于覆盖金属接触部的管芯的区中的基底层的表面上沉积图案化的光阻层；（c）剥离图案化的光阻层；以及（d）在远离基底层的整个表面上方沉积反射层。

在保持在权利要求的精神和范围内的情况下，可以针对多种应用和用途修改本文描述的用于LED管芯的非限制性方法和实施例。本文描述和/或附图中示出的实施方式和变型仅以示例的方式呈现，并且不对范围和精神进行限制。尽管可能关于特定的实施方式进行描述，但是本文的描述可以适用于本文所述的方法和系统的所有实施方式。

如本文所述，本文所述的方法不限于执行任何（多个）特定功能的任何（多个）特定元件，并且所呈现的方法中的一些步骤不一定以所示顺序发生。例如，在一些情况下，两个或更多个方法步骤可以以不同顺序或同时发生。另外，所述方法中的一些步骤可以是可选的（即使没有明确声明为可选的），并且因此可以省略。本文公开的方法的这些和其他变型将是容易显而易见的，特别是考虑到用于使用溅射沉积来在本文所述的发光器件中生长层的方法的描述，并且被认为在本发明的全部范围内。

一些实施方式的一些特征可以被省略或与其他实施方式一起实施。本文所述的器件元素和方法元素可以是可互换的，并且可以在本文所述的示例或实施方式中的任一个中使用或从中省略。尽管以上以特定的组合描述了特征和元素，但是每个特征或元素可以在没有其他特征和元素的情况下单独使用，或者以具有或不具有其他特征和元素的各种组合来使用。

Claims (17)

1.一种方法，包括：

提供晶片，所述晶片包括外延层、在所述外延层上方的电介质层、所述电介质层中的至少一个过孔、以及在所述至少一个过孔中的金属接触部；

在所述金属接触部和邻近所述金属接触部的所述电介质层的一部分上方沉积阻挡层；以及

在所述阻挡层和所述电介质层的整个表面上方沉积反射层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括粗糙化所述反射层，使得所述反射层的粗糙化表面具有在46.0nm-50.0nm之间的表面粗糙度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积阻挡层包括：

在与所述至少一个过孔不相邻的区中的所述电介质层上图案化光阻层，

在所述接触部、所述电介质层和所述光阻层的暴露部分上方沉积所述阻挡层，以及去除所述光阻层和覆盖所述光阻层的所述阻挡层的区。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述去除光阻层和阻挡层的区包括执行对所述光阻层和所述阻挡层的区的剥离。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括当在所述金属接触部和邻近所述金属接触部的所述电介质层的所述一部分上方沉积所述阻挡层之前，在所述接触部上沉积另一阻挡层。

6.一种器件，包括：

外延层；

在所述外延层上方的电介质层，所述电介质层限定至少一个过孔；

在所述至少一个过孔中的金属接触部；

阻挡层，在所述金属接触部和邻近所述金属接触部的所述电介质层的一部分上方；以及

反射层，在所述阻挡层和所述电介质层的整个表面上方。

7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述反射层在位于相邻金属接触部之间的区中与所述电介质层接触。

8.根据权利要求6所述的器件，其中，所述金属接触部包括金铍(AuBe)化合物。

9.根据权利要求6所述的器件，其中，所述反射层的上部表面具有在46.0nm和50.0nm之间的表面粗糙度。

10.根据权利要求6所述的器件，还包括在所述金属接触部与所述阻挡层之间的另一阻挡层。

11.根据权利要求6所述的器件，其中，所述反射层包括Ag和Al中的一个。

12.根据权利要求6所述的器件，其中，所述器件是发光二极管(LED)器件。

13.根据权利要求6所述的器件，其中，所述器件是发光二极管(LED)器件的晶片。

14.根据权利要求6所述的器件，其中，所述外延层包括至少一种磷化镓(GaP)材料。

15.根据权利要求6所述的器件，其中，所述反射层与所述阻挡层直接接触。

16.一种方法，包括：

提供晶片，所述晶片包括外延层、在所述外延层上方的电介质层、所述电介质层中的至少一个过孔、以及在所述至少一个过孔中的金属接触部；

在所述金属接触部和邻近所述金属接触部的所述电介质层的一部分上方沉积阻挡层；以及

在所述电介质层的上方沉积反射层，其中，所述反射层被沉积成使得所述反射层的横向边缘直接邻接倚靠所述阻挡层的横向边缘。

17.一种器件，包括：

外延层；

在所述外延层上方的电介质层，所述电介质层限定至少一个过孔；

在所述至少一个过孔中的金属接触部；

阻挡层，在所述金属接触部和邻近所述金属接触部的所述电介质层的一部分上方；以及

反射层，在所述电介质层的上方，其中，所述反射层的横向边缘直接邻接倚靠所述阻挡层的横向边缘。