CN105009304B - 具有背面缓冲层的太阳能电池及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及薄膜太阳能电池，本发明的太阳能电池通过变更制造方式，即，从以往在光吸收层的上部形成缓冲层、透明电极、栅极电极的方式变更为不在光吸收层的上部形成缓冲层、透明电极，而将缓冲层、透明电极、栅极电极形成于CIGS的下部面，从而使太阳光不受障碍物的干扰而直接入射至光吸收层，并且，对第一电极与缓冲层进行图案化来形成具有以锯齿结构相啮合的形状，从而可缩短借助吸收光能而产生的电子‑空穴移动至电极或缓冲层的距离。
Description
技术领域
本发明涉及通过将缓冲层、透明电极及栅极电极形成于CIGS光吸收层的下面，从而可使太阳光不受障碍物的干扰而入射至光吸收层的CIGS太阳能电池。
背景技术
太阳能电池通过利用半导体的性质来产生电，具体地，具有使P(positive)型半导体与N(nagative)型半导体相接合的PN接合结构，若太阳光入射至这种太阳能电池，则借助所入射的太阳光所具有的能量，在上述半导体内产生空穴(hole)及电子(electron)。此时，上述空穴借助在PN接合中所产生的电场来向P型半导体侧移动，上述电子向N型半导体侧移动，以此产生电位。
太阳能电池可分为基板型太阳能电池和薄膜型太阳能电池，基板型太阳能电池为将硅等的半导体物质自身用作基板来制造出的太阳能电池，薄膜型太阳能电池为在玻璃等的基板上以薄膜的形态形成半导体层来制造出的太阳能电池。近期，通过研发利用CIGS光吸收层的太阳能电池，来谋求提高太阳能电池的效率。
为了提高太阳能电池的光电转换效率，应提高光吸收层吸收太阳光的比率。如薄膜型太阳能电池，相对于基板型太阳能电池，由于使用薄膜型光吸收层，因而可降低制造成本，但存在光吸收率下降的问题。为了克服这种光吸收率下降的问题，有必要增加到达光吸收层的太阳光的量。
薄膜型太阳能电池通常具有基板/背面电极/CIGS光吸收层/缓冲层/前表面电极的结构，为了使太阳光到达光吸收层，需经由前表面电极和缓冲层，因此，前表面电极和缓冲层应使用具有透光性的材料。由于透光性越好，到达光吸收层的太阳光的量将会越增加，因而可更加提高光电转换效率。
在(专利文件1)韩国登录特许公报登录号第10-1108988中，通过在CIGS太阳能电池模块形成具有表面结晶性凹凸结构的前表面透明电极，从而具有可实现入射光的低反射和高吸收率的效果。为此，尤其上述包括具有表面结晶性凹凸结构的前表面透明电极的CIGS太阳能电池模块，其特征在于，包括：背面电极，形成于规定的基板上；CIGS光吸收层，形成于背面电极上；缓冲层，形成于CIGS光吸收层上；前表面透明电极，形成于缓冲层的周围，并通过折射规定的入射光来向CIGS光吸收层传递入射光；以及防反射膜，形成于前表面透明电极上，来用于防止入射光的反射，前表面透明电极由含氟氧化锡成膜，与防反射膜相接触的表面具有用于折射的表面结晶性凹凸结构。通过在CIGS太阳能电池模块形成具有表面结晶性凹凸结构的前表面透明电极，从而可实现入射光的低反射和高吸收率，在CIGS太阳能电池模块中，在形成前表面透明电极表面结晶性凹凸结构方面，具有可调节用于调整反射度的凹凸角的优点。但是，存在由透明电极自身吸收一部分太阳光的缺点。
发明内容
技术问题
为了提高太阳能电池的光电转换效率，应提高光吸收层吸收太阳光的比率。如薄膜型太阳能电池，相对于基板型太阳能电池，由于使用薄膜型光吸收层，因而可降低制造成本，但存在光吸收率下降的问题。为了克服这种光吸收率下降的问题，有必要增加到达光吸收层的太阳光量。
薄膜型太阳能电池通常具有基板/背面电极/CIGS光吸收层/缓冲层/前表面电极的结构，为了使太阳光到达光吸收层，需经由前表面电极和缓冲层，因此，前表面电极和缓冲层应使用具有透光性的材料。由于透光性越好，到达光吸收层的太阳光的量将会越增加，因而可更加提高光电转换效率。
本发明的目的在于，提供可以解决在CIGS太阳能电池中，由于太阳光的一部分被缓冲层、前表面电极及栅极电极反射或被吸收而导致无法到达光吸收层的问题，并可通过增加到达光吸收层的太阳光来提高效率的CIGS太阳能电池。
解决问题的手段
为了解决上述问题，本发明的太阳能电池通过不在光吸收层的上部形成以往通常位于光吸收层的上部的缓冲层、前表面电极及栅极电极，从而可使太阳光以不经由上述单位功能膜的方式到达光吸收层。由于太阳光中的一部分不被栅极电极反射或不被前表面电极及缓冲层吸收，因此，可以使太阳光直接、无损失地到达光吸收层。
太阳能电池具有PN接合结构，并且由太阳能产生电子-空穴对，并通过空穴向P型半导体移动以及电子向N型半导体移动来产生电能。若在CIGS光吸收层的上部不形成相当于N型半导体层的缓冲层，则为了维持这种PN接合结构，而需要在CIGS光吸收层的下部形成缓冲层，本发明使第一电极与缓冲层在CIGS光吸收层的下部面不进行电连接。而且，通过在上述缓冲层的下部形成栅极电极，从而可使太阳光在CIGS光吸收层的上部不受障碍物的干扰而达到光吸收层。
考虑电子-空穴对从光吸收层移动至第一电极或缓冲层的距离，通过制造成使上述缓冲层与上述第一电极以锯齿形状相啮合，从而可缩短电子或空穴的移动距离。
发明的效果
本发明通过不在光吸收层的上部形成缓冲层、前表面电极及栅极电极，从而可使太阳光不经由上述单位功能膜而到达光吸收层。太阳光中的一部分不被栅极电极反射或不被前表面电极及缓冲层所吸收，而可使太阳光直接、无损失地到达光吸收层。由于到达光吸收层的太阳光的量增加，因而可提高太阳能电池的效率。通过使缓冲层与第一电极配置成以锯齿状结构相啮合，从而可缩短电子或空穴的移动距离。
附图说明
图1为本发明的具有背面缓冲层的太阳能电池的结构图。
图2为示出可对第一电极和缓冲层进行图案化的实施例的示意图。
图3为按步骤示出具有背面缓冲层的太阳能电池的制造方法的流程图。
图4为按步骤示出具有背面缓冲层的太阳能电池的制造方法的示意图。
图5为按步骤示出在背面缓冲层与基板之间包括电极的太阳能电池的制造方法的流程图。
图6为按步骤示出在背面缓冲层与基板之间包括电极的太阳能电池的制造方法的示意图。
图7为示出以具有背面缓冲层的太阳能电池作为单体电池，且单体电池之间具有串联结构的太阳能电池模块的一实施例的结构图。
<附图标记的说明>
10：基板 100：CIGS光吸收层
200：第一电极 220：第一电极的突出部
240：第一电极的凹陷部 260：第一电极的连接部
300：缓冲层 320：缓冲层的突出部
340：缓冲层的凹陷部 360：缓冲层的连接部
380：第二电极 400：栅极电极
500：防反射层 600：太阳能电池模块
610：基板 620：单体电池的第一电极
630：单体电池的第二电极 640：单体电池的透明电极
650：单体电池的缓冲层 670：单体电池的光吸收层
680：防反射层 690：串联部
具体实施方式
参照附图，将对具有背面缓冲层的太阳能电池及其制造方法的一实施例进行说明。
图1为本发明的具有背面缓冲层的太阳能电池的结构图，上述太阳能电池包括：基板10；第一电极200，形成于上述基板10上的特定区域；缓冲层300，以与上述第一电极200分离规定间隔的方式设置于上述基板10上；以及光吸收层100，形成于上述第一电极200的上部、缓冲层300的上部及上述第一电极200与缓冲层300之间的基板10的上部。此时，若光入射至光吸收层，则将产生电子-空穴对，且电子向缓冲层移动，空穴向第一电极移动。像这样，通过利用吸收光能来使电子与空穴分离的原理来产生电能，因此，上述第一电极200与上述缓冲层300借助上述光吸收层100物质来以电的方式分离。并且，通过在光吸收层100的下部设置缓冲层300，从而增加光吸收层100的光的入射量。
图2为示出可对第一电极和缓冲层进行图案化的实施例的示意图。上述第一电极200和缓冲层300配置于光吸收层100的下部面的相同层，但是为了以电的方式分离，因而以留有规定空间的方式形成。在对第一电极200和缓冲层300进行图案化时，可以考虑以将光吸收层100的下部面的左侧作为第一电极200、将光吸收层100的下部面的右侧作为缓冲层300的方式来形成。在此情况下，若在光吸收层100的左侧产生电子-空穴对，则存在虽然空穴与第一电极200之间的距离缩短，但电子与缓冲层300之间的距离变长的问题，若在光吸收层100的右侧产生电子-空穴对，则将产生虽然电子与缓冲层300之间的距离缩短，但空穴与第一电极200之间的距离变长的问题。为了缩短电子-空穴移动至第一电极200或缓冲层300的距离，有必要在光吸收层100的左侧和右侧均分布第一电极200和缓冲层300。从图2b中可以看出具有锯齿形状的结构的图案化，从中可确认，通过这种锯齿形状的图案化，即使电子-空穴对形成于光吸收层的任何位置，也可缩短移动至电极或缓冲层的距离。在上述第一电极200中，与上述缓冲层300相向的一面具有锯齿状图案，上述锯齿状图案是由第一电极突出部220、第一电极凹陷部240及用于对上述第一电极突出部220和上述第一电极凹陷部240进行电连接的连接部260构成的，上述第一电极突出部220插入于上述缓冲层的凹陷部340，并以隔开规定空间的方式配置，上述缓冲层的突出部320插入于上述第一电极凹陷部240，并以隔开规定空间的方式配置。
第一电极200可使用镍、铜、钼中的一种，优选地使用钼，但并不限定于本实施例。
缓冲层300包含CdS、CdZnS、ZnS、Zn(S,O)、Zn(OH,S)、ZnS(O,OH)、ZnSe、ZnInS、ZnInSe、ZnMgO、Zn(Se,OH)、ZnSnO、ZnO、InSe、InOH、In(OH,S)、In(OOH,S)、In(S,O)中的至少一种，但并不限定于本实施例。
上述太阳能电池还可包括与上述缓冲层300相接触的栅极电极，上述栅极电极400可包含铝、镍中的至少一种。
并且，上述太阳能电池还可包括形成于上述光吸收层100的上部的防反射层500，而上述防反射层500可包括：第一防反射层，形成于上述光吸收层100的上部，并包含Al2O3；以及第二防反射层，形成于上述第一防反射层上，并包含MgF2。
如图1d所示，太阳能电池还可包括上述基板10与上述缓冲层300之间的第二电极380。此时，第二电极380可包含氧化锌、氧化镓、氧化铝、氧化铟、氧化铅、氧化铜、氧化钛、氧化锡、氧化铁、二氧化锡、氧化铟锡中的至少一种，但并不限定于本实施例，这是理所当然的。若具有形成于缓冲层的下部的第二电极与缓冲层尺寸(dimension)相同的结构，则太阳能电池的效率高。
光吸收层可包含选自包括Cu-In-Se、Cu-In-S、Cu-Ga-S、Cu-Ga-Se、Cu-In-Ga-Se、Cu-In-Ga-Se-(S,Se)、Cu-In-Al-Ga-(S,Se)及Cu-In-Al-Ga-Se-S的CIS/CIGS类化合物组中的一种。若太阳光入射至光吸收层，则可利用通过吸收太阳光的能量而形成电子-空穴对的原理来产生电能。
图3为按步骤示出具有背面缓冲层的太阳能电池的制造方法的流程图，图4为按步骤示出具有背面缓冲层的太阳能电池的制造方法的示意图。太阳能电池的制造方法包括：准备基板10的步骤；在上述基板10上形成第一电极200的步骤；通过对上述第一电极200进行图案化，来除去形成于上述基板10的特定部位的第一电极200的步骤；在上述第一电极200及上述基板10上形成缓冲层300的步骤；以使上述缓冲层300可以以与上述第一电极200留有规定间隔的方式配置的方式，对上述缓冲层300进行图案化的步骤；(vi)以及在上述第一电极、缓冲层及上述第一电极与缓冲层之间的基板上形成光吸收层100的步骤。
图5为按步骤示出在背面缓冲层与基板之间包括电极的太阳能电池的制造方法的流程图，图6为按步骤示出在背面缓冲层与基板之间包括电极的太阳能电池的制造方法的示意图。太阳能电池的制备方法包括：准备基板的步骤；在上述基板上形成第一电极的步骤；对上述第一电极进行图案化，来除去形成于上述基板的特定部位的第一电极的步骤；在上述第一电极及上述基板上形成第二电极的步骤；以使上述第二电极可以以与上述第一电极留有规定间隔的方式配置的方式，对上述第二电极进行图案化的步骤；在上述第一电极、第二电极及上述基板上形成缓冲层的步骤；对上述缓冲层进行图案化，以使上述缓冲层可以以与上述第一电极留有规定间隔的方式配置的步骤；以及在上述第一电极、缓冲层及上述第一电极与缓冲层之间的基板上形成光吸收层的步骤。此时，上述第二电极可包含氧化锌、氧化镓、氧化铝、氧化铟、氧化铅、氧化铜、氧化钛、氧化锡、氧化铁、二氧化锡、氧化铟锡中的至少一种，且上述第二电极可通过使用射频(RF)溅射法、反应性溅射法、蒸发蒸镀法(Evaporation)、电子束蒸镀法(E-beam evaporation)、金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)、原子层外延法(Atomic Layer Epitaxy)、原子层沉积法(Atomic LayerDeposition)、分子束外延法(MBE)、电沉积法(Electrodeposition)中的一种方法来形成，但并不限定于本实施例，这是理所当然的。
上述第一电极可包含钼、镍、铜中的至少一种，且上述第一电极可通过使用溅射法(Sputtering)、热蒸镀法(Thermal evaporation)、电子束蒸镀法(E-beam evaporation)、电沉积法(Electrodeposition)中的一种方法来形成，但并不限定于本实施例，这是理所当然的。
上述缓冲层300可包含CdS、CdZnS、ZnS、Zn(S,O)、Zn(OH,S)、ZnS(O,OH)、ZnSe、ZnInS、ZnInSe、ZnMgO、Zn(Se,OH)、ZnSnO、ZnO、InSe、InOH、In(OH,S)、In(OOH,S)、In(S,O)中的至少一种，且上述缓冲层可通过使用溶液生长法(CBD)、电沉积法(Electrodeposition)、共蒸镀法(Coevaporation)、溅射法(Sputtering)、原子层外延法(Atomic LayerEpitaxy)、原子层沉积法(Atomic Layer Deposition)、化学气相沉积法(CVD)、金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)、分子束外延法(MBE)、喷雾热分解法(Spray pyrolysis)、离子层气相反应法(Ion Layer Gas Reaction)、脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition)中的至少一种方法来形成，但并不限定于本实施例，这是理所当然的。
按如下方法对上述第一电极200及上述缓冲层300进行图案化：在上述第一电极200中，与上述缓冲层300相向的一面具有锯齿状图案，上述锯齿状图案是由第一电极突出部220、第一电极凹陷部240及用于对上述第一电极突出部220和上述第一电极凹陷部240进行电连接的连接部260构成的，上述第一电极突出部220插入于上述缓冲层的凹陷部340，并以隔开规定空间的方式配置，上述缓冲层的突出部320插入于上述第一电极凹陷部240，并以隔开规定空间的方式配置。若实现锯齿状的图案可，则具有可缩短在光吸收层100产生的电子-空穴对向第一电极200或缓冲层300移动的距离的优点。上述第一电极200及上述缓冲层300的图案化可采用激光划片(laser scribing)工序，但并不限于本实施例，这是理所当然的。当使用激光划片工序来进行图案化时，若对第一电极200进行图案化，则可将激光波长设为1064nm，将激光功率设为3W来执行工序，若对缓冲层300进行图案化，则可将激光波长设为532nm，将激光功率设为0.3W来执行工序。
光吸收层为选自包括Cu-In-Se、Cu-In-S、Cu-Ga-S、Cu-Ga-Se、Cu-In-Ga-Se、Cu-In-Ga-Se-(S,Se)、Cu-In-Al-Ga-(S,Se)及Cu-In-Al-Ga-Se-S的CIS/CIGS类化合物组中的一种，且上述光吸收层通过使用共蒸镀法(Coevaporation)、溅射法(Sputtering)、电沉积法(Electrodeposition)、金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)、分子束外延法(MBE)、电沉积法(Electrodeposition)、丝网印刷法(Screen printing)、粒子沉积法(Particledeposition)中的一种方法来形成，但并不限定于本实施例，这是理所当然的。
在形成光吸收层100的步骤之后，还可包括在上述光吸收层100的上部形成防反射膜500的步骤，形成上述防反射膜500的步骤包括：使用Al(CH3)3和O3来作为反应气体，并通过原子层沉积法(Atomic Layer Deposition)，在上述光吸收层上使Al2O3作为第一防反射层来成膜的步骤；以及使用MgF2颗粒(Pellet)，并通过热蒸镀法(Thermal Evaporator)，在上述第一防反射层上成膜的步骤。
图7为示出以具有背面缓冲层的太阳能电池作为单体电池，且单体电池之间具有串联结构的太阳能电池模块的一实施例的结构图。上述太阳能电池模块600包括：基板610；以及形成于上述基板610上的多个单体电池。此时，上述单体电池包括：第一电极620，形成于上述基板上的特定区域；第二电极630，以与上述第一电极620分离规定间隔的方式配置；透明电极640，形成于上述第二电极630的上部面及与第一电极620相向的第二电极630的侧面，上述透明电极640以与上述第一电极620分离的方式配置；缓冲层650，形成于上述透明电极640的上部面及与第一电极620相向的透明电极640的侧面，上述缓冲层650以与上述第一电极620分离的方式配置；光吸收层670，形成于上述第一电极620、基板610及缓冲层650上；以及防反射层680，形成于上述光吸收层670上。此时，上述太阳能电池模块还包括串联部690，上述串联部690对各单体电池的第一电极和第二电极进行电连接，从而使上述太阳能电池模块具有串联结构。
第一电极620可包含镍、钼、铜中的一种，第二电极630可包含镍、钼、铜中的一种，用于连接单体电池之间的第一电极和第二电极的串联部690可包含镍、钼、铜中的一种，但并不限于本实施例，这是理所当然的。第一电极620、第二电极630、串联部690可分别以不同材料构成，但可以以相同的材料，例如可在将钼蒸镀于基板上后，通过图案化的方法形成第一电极620、第二电极630、串联部690。
透明电极640可包含氧化锌、氧化镓、氧化铝、氧化铟、氧化铅、氧化铜、氧化钛、氧化锡、氧化铁、二氧化锡、氧化铟锡中的至少一种，但并不限于本实施例，这是理所当然的。此时，透明电极640也可以形成为双层结构，上述透明电极640可包括：包含n-ZnO的下部透明电极；以及包含i-ZnO的上部透明电极，形成于上述下部透明电极上。
缓冲层650可以包含CdS、CdZnS、ZnS、Zn(S,O)、Zn(OH,S)、ZnS(O,OH)、ZnSe、ZnInS、ZnInSe、ZnMgO、Zn(Se,OH)、ZnSnO、ZnO、InSe、InOH、In(OH,S)、In(OOH,S)、In(S,O)中的至少一种，但并不限定于本实施例，这是理所当然的。
光吸收层670可以为选自包括Cu-In-Se、Cu-In-S、Cu-Ga-S、Cu-Ga-Se、Cu-In-Ga-Se、Cu-In-Ga-Se-(S,Se)、Cu-In-Al-Ga-(S,Se)及Cu-In-Al-Ga-Se-S的CIS/CIGS类化合物组中的一种。
防反射层680可包括：第一防反射层，形成于上述光吸收层670上，并包含Al2O3；以及第二防反射层，形成于上述第一防反射层上，并包含MgF2。
通过借助缓冲层使形成于下部的单体电池串联，来构成太阳能电池模块，从而具有增加向光吸收层入射的入射光量的优点，并通过采用背面电极结构，从而具有可增加入射光量的优点。而且，如上所述，为了缩短电子-空穴向第一电极或缓冲层移动的距离，可对第一电极或缓冲层进行图案化来形成具有锯齿结构等的形状。
与附图一同对本发明进行了说明，但这仅仅是包含本发明的主旨的各种实施方式中的一实施例，用于使本发明所属领域的普通技术人员能够容易地实施本发明，因而，明确的是，本发明并不局限于上述的实施例。因此，本发明的保护范围应根据本发明要求保护范围来解释，本发明的权利范围包含在不脱离本发明主旨的范围内的通过修改、替换、代替等来存在于与本发明相同的范围内的所有技术思想。并且，应明确，附图中的部分结构用于更加明确说明本发明的结构，因而相对于实际，进行了放大或缩小。
产业上可利用性
本发明通过不在光吸收层的上部形成缓冲层、前表面电极及栅极电极，从而可使太阳光不经由上述单位功能膜而到达光吸收层。太阳光中的一部分不被栅极电极反射或不被前表面电极及缓冲层吸收，而可使太阳光直接、无损失地到达光吸收层。由于到达光吸收层的太阳光量增加，因而可提高太阳能电池的效率。因上述理由，本发明的产业上的可利用性很高。
Claims (27)
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
基板；
第一电极，形成于所述基板上的特定区域；
缓冲层，以与所述第一电极分离规定间隔的方式设置于所述基板上；以及
光吸收层，形成于所述第一电极的上部、缓冲层的上部及所述第一电极与缓冲层之间的基板的上部，
所述第一电极和所述缓冲层借助所述光吸收层物质来以电的方式相互分离，在光吸收层的下部设置缓冲层，从而增加光吸收层的光的入射量，
在所述第一电极中，与所述缓冲层相向的一面具有锯齿状图案，所述锯齿状图案是由第一电极突出部、第一电极凹陷部及用于对所述第一电极突出部和所述第一电极凹陷部进行电连接的连接部构成的，
所述第一电极突出部插入于所述缓冲层的凹陷部，并以隔开规定空间的方式配置，
所述缓冲层的突出部插入于所述第一电极凹陷部，并以隔开规定空间的方式配置。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极为镍、铜、钼中的一种。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层包含CdS、CdZnS、ZnS、Zn(S,O)、Zn(OH,S)、ZnS(O,OH)、ZnSe、ZnInS、ZnInSe、ZnMgO、Zn(Se,OH)、ZnSnO、ZnO、InSe、InOH、In(OH,S)、In(OOH,S)、In(S,O)中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，
所述太阳能电池还包括与所述缓冲层相接触的栅极电极，
所述栅极电极包含铝、镍中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在所述太阳能电池还包括形成于所述光吸收层的上部防反射层。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述防反射层包括：
第一防反射层，形成于所述光吸收层上，并包含Al2O3；以及
第二防反射层，形成于所述第一防反射层上，并包含MgF2。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括所述基板与所述缓冲层之间的第二电极。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二电极包含氧化锌、氧化镓、氧化铝、氧化铟、氧化铅、氧化铜、氧化钛、氧化锡、氧化铁、二氧化锡、氧化铟锡中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述光吸收层为选自包括Cu-In-Se、Cu-In-S、Cu-Ga-S、Cu-Ga-Se、Cu-In-Ga-Se、Cu-In-Ga-Se-(S,Se)、Cu-In-Al-Ga-(S,Se)及Cu-In-Al-Ga-Se-S的CIS/CIGS类化合物组中的一种。
10.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤(i)，准备基板；
步骤(ii)，在所述基板上形成第一电极；
步骤(iii)，对所述第一电极进行图案化，来除去形成于所述基板的特定部位的第一电极；
步骤(iv)，在所述第一电极及所述基板上形成缓冲层；
步骤(v)，以使所述缓冲层能够以与所述第一电极留有规定间隔的方式配置的方式，对所述缓冲层进行图案化；以及
步骤(vi)，在所述第一电极、缓冲层及所述第一电极与缓冲层之间的基板上形成光吸收层，
其中，按照如下方法对所述第一电极和所述缓冲层进行图案化：
在所述第一电极中，与所述缓冲层相向的一面具有锯齿状图案，所述锯齿状图案是由第一电极突出部、第一电极凹陷部及用于对所述第一电极突出部和所述第一电极凹陷部进行电连接的连接部构成的，
所述第一电极突出部插入于所述缓冲层的凹陷部，并以隔开规定空间的方式配置，并且
所述缓冲层的突出部插入于所述第一电极凹陷部，并以隔开规定空间的方式配置。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一电极或缓冲层的图案化采用激光划片工序。
12.根据权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在形成光吸收层的所述步骤(vi)之后，还包括在所述光吸收层的上部形成防反射膜的步骤。
13.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤(i)，准备基板；
步骤(ii)，在所述基板上形成第一电极；
步骤(iii)，对所述第一电极进行图案化，来除去形成于所述基板的特定部位的第一电极；
步骤(iv)，在所述第一电极及所述基板上形成第二电极；
步骤(v)，以使所述第二电极能够以与所述第一电极留有规定间隔的方式配置的方式，对所述第二电极进行图案化；
步骤(vi)，在所述第一电极、第二电极及所述基板上形成缓冲层；
步骤(vii)，以使所述缓冲层能够以与所述第一电极留有规定间隔的方式配置的方式，对所述缓冲层进行图案化；以及
步骤(viii)，在所述第一电极、缓冲层及所述第一电极与缓冲层之间的基板上形成光吸收层，
其中，按照如下方法对所述第一电极和所述缓冲层进行图案化：
在所述第一电极中，与所述缓冲层相向的一面具有锯齿状图案，所述锯齿状图案是由第一电极突出部、第一电极凹陷部及用于对所述第一电极突出部和所述第一电极凹陷部进行电连接的连接部构成的，
所述第一电极突出部插入于所述缓冲层的凹陷部，并以隔开规定空间的方式配置，并且
所述缓冲层的突出部插入于所述第一电极凹陷部，并以隔开规定空间的方式配置。
14.根据权利要求10或13所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
所述第一电极包含钼、镍、铜中的至少一种，
所述第一电极通过使用溅射法、热蒸镀法、电子束蒸镀法、电沉积法中的一种方法来形成。
15.根据权利要求10或13所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
所述缓冲层包含CdS、CdZnS、ZnS、Zn(S,O)、Zn(OH,S)、ZnS(O,OH)、ZnSe、ZnInS、ZnInSe、ZnMgO、Zn(Se,OH)、ZnSnO、ZnO、InSe、InOH、In(OH,S)、In(OOH,S)、In(S,O)中的至少一种，
所述缓冲层通过使用溶液生长法、电沉积法、共蒸镀法、溅射法、原子层外延法、原子层沉积法、化学气相沉积法、金属有机化合物化学气相淀积、分子束外延法、喷雾热分解法、离子层气相反应法、脉冲激光沉积法中的至少一种方法来形成。
16.根据权利要求13所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一电极、缓冲层或第二电极的图案化采用激光划片工序。
17.根据权利要求10或13所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
所述光吸收层为选自包括Cu-In-Se、Cu-In-S、Cu-Ga-S、Cu-Ga-Se、Cu-In-Ga-Se、Cu-In-Ga-Se-(S,Se)、Cu-In-Al-Ga-(S,Se)及Cu-In-Al-Ga-Se-S的CIS/CIGS类化合物组中的一种，
所述光吸收层通过使用共蒸镀法、溅射法、电沉积法、金属有机化合物化学气相淀积、分子束外延法、丝网印刷法、粒子沉积法中的一种方法来形成。
18.根据权利要求13所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在形成光吸收层的所述步骤(viii)之后，还包括在所述光吸收层的上部形成防反射膜的步骤。
19.根据权利要求11或18所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成防反射膜的步骤包括如下步骤：
步骤(a)，使用Al(CH3)3和O3来作为反应气体，并通过原子层沉积法，在所述光吸收层上使Al2O3作为第一防反射层来成膜；以及
步骤(b)，使用MgF2颗粒，并通过热蒸镀法，在所述第一防反射层上成膜。
20.根据权利要求13所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第二电极包含氧化锌、氧化镓、氧化铝、氧化铟、氧化铅、氧化铜、氧化钛、氧化锡、氧化铁、二氧化锡、氧化铟锡中的至少一种，所述第二电极通过使用射频溅射法、反应性溅射法、蒸发蒸镀法、电子束蒸镀法、金属有机化合物化学气相淀积、原子层外延法、原子层沉积法、分子束外延法、电沉积法中的一种方法来形成。
21.一种太阳能电池模块，所述太阳能电池模块中的太阳能电池的单体电池具有串联结构，所述太阳能电池模块的特征在于，
所述太阳能电池模块包括：
基板；以及
形成于所述基板上的多个单体电池，
所述单体电池包括：
第一电极，形成于所述基板上的特定区域；
第二电极，以与所述第一电极分离规定间隔的方式配置；
透明电极，形成于所述第二电极的上部面及与第一电极相向的第二电极的侧面，所述透明电极以与所述第一电极分离的方式配置；
缓冲层，形成于所述透明电极的上部面及与第一电极相向的透明电极的侧面，所述缓冲层以与所述第一电极分离的方式配置；
光吸收层，形成于所述第一电极、基板及缓冲层上；以及
防反射层，形成于所述光吸收层上，
其中，所述太阳能电池模块还包括串联部，所述串联部对各单体电池的第一电极和第二电极进行电连接，从而使所述太阳能电池模块具有串联结构，所述缓冲层配置于所述光吸收层的下部，从而能够增加光的入射量，
在所述第一电极中，与所述缓冲层相向的一面具有锯齿状图案，所述锯齿状图案是由第一电极突出部、第一电极凹陷部及用于对所述第一电极突出部和所述第一电极凹陷部进行电连接的连接部构成的，
所述第一电极突出部插入于所述缓冲层的凹陷部，并以隔开规定空间的方式配置，并且
所述缓冲层的突出部插入于所述第一电极凹陷部，并以隔开规定空间的方式配置。
22.根据权利要求21所述的太阳能电池模块，其特征在于，所述第一电极为镍、钼、铜中的一种。
23.根据权利要求21所述的太阳能电池模块，其特征在于，所述第二电极为镍、钼、铜中的一种。
24.根据权利要求21所述的太阳能电池模块，其特征在于，所述透明电极包含氧化锌、氧化镓、氧化铝、氧化铟、氧化铅、氧化铜、氧化钛、氧化锡、氧化铁、二氧化锡、氧化铟锡中的至少一种。
25.根据权利要求21所述的太阳能电池模块，其特征在于，所述缓冲层包含CdS、CdZnS、ZnS、Zn(S,O)、Zn(OH,S)、ZnS(O,OH)、ZnSe、ZnInS、ZnInSe、ZnMgO、Zn(Se,OH)、ZnSnO、ZnO、InSe、InOH、In(OH,S)、In(OOH,S)、In(S,O)中的至少一种。
26.根据权利要求21所述的太阳能电池模块，其特征在于，所述防反射层包括：
第一防反射层，形成于所述光吸收层上，并包含Al2O3；以及
第二防反射层，形成于所述第一防反射层上，并包含MgF2。
27.根据权利要求21所述的太阳能电池模块，其特征在于，所述透明电极包括：
包含n-ZnO的下部透明电极；以及
包含i-ZnO的上部透明电极，形成于所述下部透明电极上。
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