CN104993689B - Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路 - Google Patents

Abstract

一种Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，其特征在于：包括第一组高频自激推挽振荡电路、第二组高频自激推挽振荡电路、MCU、“日”字型磁芯的磁集成变压器TR和MCU供电取样电路，第一组高频自激推挽振荡电路的绕组N11和绕组N12分别绕在磁集成变压器TR的一个边柱上，第二组高频自激推挽振荡电路的绕组N14和绕组N13分别绕在磁集成变压器TR的另一个边柱上，MCU供电取样电路的绕组NV绕在磁集成变压器TR的中柱上，MCU供电取样电路根据绕组NV产生的感应电信号给MCU提供电能和取样信号，MCU对接收到的取样信号进行处理，并根据处理后的信息控制开关管T1和开关管T2的工作。本发明具有降低发热、输出电流低纹波、高功率因数、高电功效率和成本低等优点。

Description

Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路

技术领域

本发明属于开关电源技术领域，具体涉及Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路。

背景技术

传统 Boost拓扑，是DC/DC变换基本方法之一，尤其适用于低电压直流电升压为高电压直流电输出。Boost作为APFC最常见拓扑，其贮能电感存在直流偏磁，会加速磁芯老化；该APFC贮能电感发热较严重，制约了APFC模块整体往轻、薄、短、小方向优化。而其采用常见的桥式整流和高压电解电容，由于电解电容体积较大、寿命较短，降低了开关电源的可靠性，也不利于实现大功率开关电源模块的轻、薄、短、小。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是提供一种不使用电解电容而提高可靠性，实现逐个脉冲精确占空比控制，实现真正的“谷底开关QR”，降低发热，实现输出电流低纹波，实现高的功率因数及电功效率，成本低的Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路。

本发明的技术方案是：提供一种Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，包括第一组高频自激推挽振荡电路、第二组高频自激推挽振荡电路、MCU、“日”字型磁芯的磁集成变压器TR和MCU供电取样电路，所述第一组高频自激推挽振荡电路的绕组N11和绕组N12分别绕在所述磁集成变压器TR的一个边柱上，所述第二组高频自激推挽振荡电路的绕组N14和绕组N13分别绕在所述磁集成变压器TR的另一个边柱上，所述第一组高频自激推挽振荡电路和所述第二组高频自激推挽振荡电路的输入端分别与交流电源Uin的两端电性连接，所述MCU通过开关管T1和开关管T2分别调控所述第一组高频自激推挽振荡电路和所述第二组高频自激推挽振荡电路的APFC过程；所述MCU供电取样电路的绕组NV绕在所述磁集成变压器TR的中柱上，所述MCU供电取样电路根据所述绕组NV产生的感应电信号给所述MCU提供电能和取样信号，所述MCU对接收到的取样信号进行处理，并根据处理后的信息控制所述开关管T1和所述开关管T2的工作。

作为对本发明的改进，所述第一组高频自激推挽振荡电路包括所述绕组N11、所述绕组N12、推挽开关S1和推挽开关S2，所述绕组N11和所述绕组N12有第一中心抽头，交流电源UIN的一端通过差模电感L2与所述第一中心抽头连接，所述绕组N11的同名端连接整流二极管D01的正极，所述绕组N12的异名端连接整流二极管D02的正极，所述整流二极管D01和所述整流二极管D02的负极连接电容C01一端，所述电容C01另一端接地。

作为对本发明的改进，还包括感应磁环B1，绕组Ng1、绕组Ng2、绕组Ns1和绕组Ns2对应所述感应磁环B1设置，所述绕组Ng1的异名端通过电阻Rg1连接所述推挽开关S1的控制端，所述绕组Ng2的同名端通过电阻Rg2连接所述推挽开关S2的控制端，所述绕组Ng1的同名端和所述绕组Ng2的异名端分别与电阻Rj的一端连接，所述电阻Rj的另一端连接所述电容C01的一端；所述绕组N11的同名端连接所述推挽开关S1的一端，所述推挽开关S1的另一端连接所述绕组Ns1一端，所述绕组Ns1的另一端连接所述绕组Ns2的一端，所述绕组Ns2的另一端通过所述推挽开关S2连接所述绕组N12的异名端；所述开关管T1的一端与所述绕组Ns1的另一端连接，所述开关管T1的另一端通过电阻rs1接地，所述开关管T1的控制端连接所述MCU。

作为对本发明的改进，电容Cs1和电阻Rs1并联并且其并联电路的两端分别与所述绕组N12的异名端和所述推挽开关S1的控制端连接，所述推挽开关S1的控制端连接稳压二极管Ds1的负极，所述稳压二极管Ds1的正极连接所述推挽开关S1的另一端；电容Cs2和电阻Rs2并联并且其并联电路的两端分别与所述绕组N11的同名端和所述推挽开关S2的控制端连接，所述推挽开关S2的控制端连接稳压二极管Ds2的负极，所述稳压二极管Ds2的正极连接所述绕组Ns2的另一端。

作为对本发明的改进，所述第二组高频自激推挽振荡电路包括所述绕组N14、所述绕组N13、推挽开关S3和推挽开关S4，所述绕组N14和所述绕组N13有第二中心抽头，交流电源UIN的另一端通过差模电感L1与所述第二中心抽头连接，所述绕组N14的同名端连接整流二极管D04的正极，所述绕组N13的异名端连接整流二极管D03的正极，所述整流二极管D04和所述整流二极管D03的负极连接所述电容C01一端。

作为对本发明的改进，还包括感应磁环B2，绕组Ng3、绕组Ng4、绕组Ns3和绕组Ns4对应所述感应磁环B2设置，所述绕组Ng4的异名端通过电阻Rg4连接所述推挽开关S4的控制端，所述绕组Ng3的同名端通过电阻Rg3连接所述推挽开关S3的控制端，所述绕组Ng4的同名端和所述绕组Ng3的异名端分别与电阻Rj的一端连接，所述电阻Rj的另一端连接所述电容C01的一端；所述绕组N14的同名端连接所述推挽开关S4的一端，所述推挽开关S4的另一端连接所述绕组Ns4一端，所述绕组Ns4的另一端连接所述绕组Ns3的一端，所述绕组Ns3的另一端通过所述推挽开关S3连接所述绕组N13的异名端；所述开关管T2的一端与所述绕组Ns4的另一端连接，所述开关管T2的另一端通过电阻rs2接地，所述开关管T2的控制端连接所述MCU。

作为对本发明的改进，电容Cs4和电阻Rs4并联并且其并联电路的两端分别与所述绕组N13的异名端和所述推挽开关S4的控制端连接，所述推挽开关S4的控制端连接稳压二极管Ds4的负极，所述稳压二极管Ds4的正极连接所述推挽开关S4的另一端；电容Cs3和电阻Rs3并联并且其并联电路的两端分别与所述绕组N14的同名端和所述推挽开关S3的控制端连接，所述推挽开关S3的控制端连接稳压二极管Ds3的负极，所述稳压二极管Ds3的正极连接所述绕组Ns3的另一端。

作为对本发明的改进，还包括独立绕组Ni，所述独立绕组Ni绕在所述磁集成变压器TR的中柱上，所述独立绕组Ni的一端与二极管Di1的正极、二极管Di2的负极连接，所述二极管Di1的负极连接所述电容C01的一端，所述二极管Di2的正极接地；所述独立绕组Ni的另一端通过调谐电感Lf连接电容Ci2的一端和电容Ci1的一端，所述电容Ci1的另一端连接所述电容C01的一端，所述电容Ci2的另一端接地。

所述MCU供电取样电路包括所述绕组NV，所述绕组NV的一端分别通过电容Cv1和电容Cv2与二极管Dv1的正极和二极管Dv2的负极连接，所述二极管Dv1的负极和所述二极管Dv2的正极分别与所述绕组NV的另一端连接，所述二极管Dv2的负极与电阻R2的一端和电阻Rj连接，所述电阻R2的另一端与所述MCU连接和所述取样电阻RZ连接，所述取样电阻RZ与所述MCU的信号取样端连接。

本发明的优点在于：

APFC过程包括Boost电路差模电感L1或差模电感L2受控于低频的开关管T1或开关管T2的低频率过程，还包括磁集成的两组高频自激推挽振荡电路的高频电感的高频推挽频率过程，两个频率于磁集成变压器TR的磁芯发生复合，复合频率的基波是，并由于磁化曲线之非线性造成谐波。推挽振荡有抵消偶次谐波，强化奇次谐波作用。整流二极管D01、D02以及D03、D04的全波整流具有倍频作用有利于滤波。使得APFC的直流输出电流纹波，比较容易滤波平滑，所以电路中均用纯固态电容，而不必采用大电容量的电解电容，提高可靠性；交流输入电源Uin经差模电感L1和差模电感L2，对推挽振荡直接供电，是交流电源供电方式，电流源供电能克制推挽振荡两臂高频参不完全对称之差异而可能导致的直流偏磁问题；实现逐个脉冲精确占空比控制，实现真正的“谷底开关QR”；开关电源内部热源分散到两组高频自激推挽振荡电路的4个推挽开关，具有降低发热、输出电流低纹波、高功率因数、高电功效率和成本低等优点。

附图说明

图1是本发明的电路原理示意图。

具体实施方式

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”、“相连”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明的具体含义。

请参见图1，图1所揭示的是一种Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，包括第一组高频自激推挽振荡电路、第二组高频自激推挽振荡电路、MCU、“日”字型磁芯的磁集成变压器TR和MCU供电取样电路，所述第一组高频自激推挽振荡电路的绕组N11和绕组N12分别绕在所述磁集成变压器TR的一个边柱上，所述第二组高频自激推挽振荡电路的绕组N14和绕组N13分别绕在所述磁集成变压器TR的另一个边柱上，所述第一组高频自激推挽振荡电路和所述第二组高频自激推挽振荡电路的输入端分别与交流电源Uin的两端电性连接，所述MCU通过开关管T1和开关管T2分别调控所述第一组高频自激推挽振荡电路和所述第二组高频自激推挽振荡电路的APFC过程；所述MCU供电取样电路的绕组NV绕在所述磁集成变压器TR的中柱上，所述MCU供电取样电路根据所述绕组NV产生的感应电信号给所述MCU提供电能和取样信号，所述MCU对接收到的取样信号进行处理，并根据处理后的信息控制所述开关管T1和所述开关管T2的工作。

本实施例中，所述第一组高频自激推挽振荡电路包括所述绕组N11、所述绕组N12、推挽开关S1和推挽开关S2，所述绕组N11和所述绕组N12有第一中心抽头，交流电源UIN的一端通过差模电感L2与所述第一中心抽头连接，所述绕组N11的同名端连接整流二极管D01的正极，所述绕组N12的异名端连接整流二极管D02的正极，所述整流二极管D01和所述整流二极管D02的负极连接电容C01一端，所述电容C01另一端接地。

还包括感应磁环B1，绕组Ng1、绕组Ng2、绕组Ns1和绕组Ns2对应所述感应磁环B1设置，所述绕组Ng1的异名端通过电阻Rg1连接所述推挽开关S1的控制端，所述绕组Ng2的同名端通过电阻Rg2连接所述推挽开关S2的控制端，所述绕组Ng1的同名端和所述绕组Ng2的异名端分别与电阻Rj的一端连接，所述电阻Rj的另一端连接所述电容C01的一端；所述绕组N11的同名端连接所述推挽开关S1的一端，所述推挽开关S1的另一端连接所述绕组Ns1一端，所述绕组Ns1的另一端连接所述绕组Ns2的一端，所述绕组Ns2的另一端通过所述推挽开关S2连接所述绕组N12的异名端；所述开关管T1的一端与所述绕组Ns1的另一端连接，所述开关管T1的另一端通过电阻rs1接地，所述开关管T1的控制端连接所述MCU。

电容Cs1和电阻Rs1并联并且其并联电路的两端分别与所述绕组N12的异名端和所述推挽开关S1的控制端连接，所述推挽开关S1的控制端连接稳压二极管Ds1的负极，所述稳压二极管Ds1的正极连接所述推挽开关S1的另一端；电容Cs2和电阻Rs2并联并且其并联电路的两端分别与所述绕组N11的同名端和所述推挽开关S2的控制端连接，所述推挽开关S2的控制端连接稳压二极管Ds2的负极，所述稳压二极管Ds2的正极连接所述绕组Ns2的另一端。

本实施例中，所述第二组高频自激推挽振荡电路包括所述绕组N14、所述绕组N13、推挽开关S3和推挽开关S4，所述绕组N14和所述绕组N13有第二中心抽头，交流电源UIN的另一端通过差模电感L1与所述第二中心抽头连接，所述绕组N14的同名端连接整流二极管D04的正极，所述绕组N13的异名端连接整流二极管D03的正极，所述整流二极管D04和所述整流二极管D03的负极连接所述电容C01一端。

还包括感应磁环B2，绕组Ng3、绕组Ng4、绕组Ns3和绕组Ns4对应所述感应磁环B2设置，所述绕组Ng4的异名端通过电阻Rg4连接所述推挽开关S4的控制端，所述绕组Ng3的同名端通过电阻Rg3连接所述推挽开关S3的控制端，所述绕组Ng4的同名端和所述绕组Ng3的异名端分别与电阻Rj的一端连接，所述电阻Rj的另一端连接所述电容C01的一端；所述绕组N14的同名端连接所述推挽开关S4的一端，所述推挽开关S4的另一端连接所述绕组Ns4一端，所述绕组Ns4的另一端连接所述绕组Ns3的一端，所述绕组Ns3的另一端通过所述推挽开关S3连接所述绕组N13的异名端；所述开关管T2的一端与所述绕组Ns4的另一端连接，所述开关管T2的另一端通过电阻rs2接地，所述开关管T2的控制端连接所述MCU。

电容Cs4和电阻Rs4并联并且其并联电路的两端分别与所述绕组N13的异名端和所述推挽开关S4的控制端连接，所述推挽开关S4的控制端连接稳压二极管Ds4的负极，所述稳压二极管Ds4的正极连接所述推挽开关S4的另一端；电容Cs3和电阻Rs3并联并且其并联电路的两端分别与所述绕组N14的同名端和所述推挽开关S3的控制端连接，所述推挽开关S3的控制端连接稳压二极管Ds3的负极，所述稳压二极管Ds3的正极连接所述绕组Ns3的另一端。

本实施例中，还包括独立绕组Ni，所述独立绕组Ni绕在所述磁集成变压器TR的中柱上，所述独立绕组Ni的一端与二极管Di1的正极、二极管Di2的负极连接，所述二极管Di1的负极连接所述电容C01的一端，所述二极管Di2的正极接地；所述独立绕组Ni的另一端通过调谐电感Lf连接电容Ci2的一端和电容Ci1的一端，所述电容Ci1的另一端连接所述电容C01的一端，所述电容Ci2的另一端接地。

本实施例中，所述MCU供电取样电路包括所述绕组NV，所述绕组NV的一端分别通过电容Cv1和电容Cv2与二极管Dv1的正极和二极管Dv2的负极连接，所述二极管Dv1的负极和所述二极管Dv2的正极分别与所述绕组NV的另一端连接，所述二极管Dv2的负极与电阻R2的一端和电阻Rj连接，所述电阻R2的另一端与所述MCU连接和所述取样电阻RZ连接，所述取样电阻RZ与所述MCU的信号取样端连接。稳压二极管DZ2的阴极和电容CV2的一端与所述电阻R2的另一端连接，所述稳压二极管DZ2的正极和电容CV2的另一端接地。稳压二极管DZ1的阴极和电容CV1的一端与所述电阻Rj的一端连接，所述稳压二极管DZ1的正极和所述电容CV1的另一端接地。所述MCU通过电阻rv和电阻R3所述电阻Rj的另一端连接。

本发明中，所述推挽开关S1和所述推挽开关S2起振之后，源极电流流经所述绕组Ns1和所述绕组Ns2，所述绕组Ng1和所述绕组Ng2感生电流，形成正回馈，感生电流在所述绕组绕组Ng1和所述绕组Ng2、所述电阻Rg2、所述稳压二极管Ds2、所述电阻Rg1和所述稳压二极管Ds1之间形成闭环电流，所述感应磁环B1饱和导通之后，迅速转变为截止，接着又从截止转化为饱和导通，成为矩形磁化曲线磁环，工作点从磁化曲线的第I象限转变到第象限，又从第象限转变到第象限……不断反复，工作在“矩形磁化曲线”的回环线上，充分发挥磁材料的四个象限工作。

同理，所述第二组高频自激推挽振荡电路一相同原理形成自激推挽振荡。

本发明中，所述MCU分别对所述开关管T1和所述开关管T2以占空比控制信号和逐个脉冲精确控制，具体过程为：

输入交流电正半波，交流电源Uin的L端为高电位，N端为低电位，只有推挽开关S3和推挽开关S4具有工作的可能，推挽开关S1和推挽开关S2不具备工作的条件。单片机MCU输出脉冲至开关管T2的源极，输出占空比控制信号至开关管T2的栅极，驱动开关管T2，开关管T2分别对推挽开关S3和推挽开关S4源极驱动产生D类自激推挽振荡；

输入交流电负半波，交流电源Uin的N端为高电位，L端为低电位，只有所述推挽开关S1和所述推挽开关S2具有工作的可能，所述推挽开关S3和所述推挽开关S4不具备工作的条件。所述MCU输出脉冲至所述开关管T1的源极，输出占空比控制信号至所述开关管T1的栅极，驱动所述开关管T1，所述开关管T1分别对所述推挽开关S1和所述推挽开关S2源极驱动产生D类自激推挽振荡。

推挽振荡的必要条件是推挽振荡必须处在极性电源。对所述推挽开关S1和所述推挽开关S2而言，只能是交流电源Uin的N端为正极性的10毫秒半波工作，而对所述推挽开关S3和所述推挽开关S4而言，只能是在交流电源Uin的L端为正极性的10毫秒半波工作。

推挽振荡的充分条件是源极驱动所述开关管T1或所述开关管T2导通脉冲时段才接通推挽振荡电流回到公共端。

由此实现把开关电源内部热源分散到4个推挽开关，即所述推挽开关S1、所述推挽开关S2、所述推挽开关S3和所述推挽开关S4，每两个推挽开关分别控制所述绕组N11、所述绕组N12、所述绕组N13和所述绕组N14的自感和漏电感之总和的APFC过程。交流电源Uin的频率为50赫兹或60赫兹，则所述开关管T1和所述开关管T2工作频率均为电源频率一百倍以上，即5KHZ至6KHZ以上。而所述推挽开关S1和所述推挽开关S2以及所述推挽开关S3和所述推挽开关S4的推挽工作频率为电源频率一千倍左右，而且又仍然处于所述磁集成变压器TR磁芯最佳工作频率之内，磁芯损耗不大。

所述MCU分别通过所述电阻rs1和所述电阻rs2取样所述开关管T1和所述开关管T2的电流负反馈信号，仅当电流过零之后，才输出下一个脉冲，实现真正“谷底开关QR”工作。

APFC电感贮能和续流为：

APFC电感，包含两部分磁能的续流能量，一部分来自所述差模电感L1或所述差模电感L2，另一部分来自高频电感即所述绕组N11和所述绕组N12以及所述绕组N13和所述绕组N14的自感与漏感之和。其中所述差模电感L1或所述差模电感L2贮能是所述开关管T1或所述开关管T2导通时段，续流是T1或T2截止时段。高频电感的贮能及续流分别是所述推挽开关S1、所述推挽开关S2或所述推挽开关S3、所述推挽开关S4振荡导通和截止的时段。

本发明中，在交流电源Uin的交流电正半波，交流电从交流电源Uin的L端流经所述差模电感L1，流入所述绕组N13和所述绕组N14的中间抽头后分成两路，一路流经所述绕组N13到所述整流二极管D03向所述电容C01充电，另一路流经所述绕组N14到所述整流二极管D04向所述电容C01充电，所述电容C01一端接地，所述整流二极管D1正极接地，充电电流流经所述整流二极管D1回到交流电源Uin的N端，实现正半波整流；

在交流电源Uin的交流电负半波，交流电从交流电源Uin的N端流经贮能所述差模电感L2，流入所述绕组N11和所述绕组N12的中间抽头后分成两路，一路流经所述绕组N11到所述整流二极管D01向所述电容C01充电，另一路流经所述绕组N12到所述整流二极管D02向所述电容C01充电，所述整流二极管D2正极接地，充电电流依次流经所述整流二极管D2、熔断保险丝F，回到交流电源Uin的L端，实现负半波整流；

本实施例中，所述MCU启动后，所述磁集成变压器TR中柱上的所述绕组NV产生感应电流，感应电流经两只105/25V型的所述电容Cv1和所述电容Cv2,两只4148型的所述二极管Dv1和所述二极管Dv2组成的全波倍电压整流电路，取代启动所述电阻Rj的作用，向所述MCU供电，实现自供电。所述MCU分别取样负载的电压负反馈信号和电流负反馈信号，用于调整占空比控制信号使输出恒功率。

本实施例中，由于所述MCU分别有负载的电压负回馈回路和电压负回馈回路，使APFC的输出端子，相当于巨大电流的稳压恒流（7字形）外特性，不防看作是一个大电流稳压二极管的两端。

在所述磁集成变压器TR的中柱设置所述独立绕组Ni接收输入电源的谐波及其它有害的谐波，所述独立绕组Ni和所述调谐电感Lf与所述电容Ci1、所述电容Ci2组成两组串联谐振电路，把上述谐波能量经所述二极管Di1和所述二极管Di2转化为直流电流源，贮存于所述电容Ci1和所述电容Ci2，主动抑平所述电容C01的输出电流纹波。

所述独立绕组Ni的主动平滑纹波作用有利于本发明不用大电容量。实测波形证实本发明不用电解电容有低纹波优点。本发明具有高功率因数及高电功效率的优点，本发明低THD及低EMC有利于通过3C认证及其他认证。

Claims (9)

1.一种Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，其特征在于：包括第一组高频自激推挽振荡电路、第二组高频自激推挽振荡电路、MCU、“日”字型磁芯的磁集成变压器TR和MCU供电取样电路，所述第一组高频自激推挽振荡电路的绕组N11和绕组N12分别绕在所述磁集成变压器TR的一个边柱上，所述第二组高频自激推挽振荡电路的绕组N14和绕组N13分别绕在所述磁集成变压器TR的另一个边柱上，所述第一组高频自激推挽振荡电路和所述第二组高频自激推挽振荡电路的输入端分别与交流电源Uin的两端电性连接，所述MCU通过开关管T1和开关管T2分别调控所述第一组高频自激推挽振荡电路和所述第二组高频自激推挽振荡电路的APFC过程；所述MCU供电取样电路的绕组NV绕在所述磁集成变压器TR的中柱上，所述MCU供电取样电路根据所述绕组NV产生的感应电信号给所述MCU提供电能和取样信号，所述MCU对接收到的取样信号进行处理，并根据处理后的信息控制所述开关管T1和所述开关管T2的工作。

2.根据权利要求1所述的Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，其特征在于：所述第一组高频自激推挽振荡电路包括所述绕组N11、所述绕组N12、推挽开关S1和推挽开关S2，所述绕组N11和所述绕组N12有第一中心抽头，交流电源Uin的一端通过差模电感L2与所述第一中心抽头连接，所述绕组N11的同名端连接整流二极管D01的正极，所述绕组N12的异名端连接整流二极管D02的正极，所述整流二极管D01和所述整流二极管D02的负极连接电容C01一端，所述电容C01另一端接地。

3.根据权利要求2所述的Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，其特征在于：还包括感应磁环B1，绕组Ng1、绕组Ng2、绕组Ns1和绕组Ns2对应所述感应磁环B1设置，所述绕组Ng1的异名端通过电阻Rg1连接所述推挽开关S1的控制端，所述绕组Ng2的同名端通过电阻Rg2连接所述推挽开关S2的控制端，所述绕组Ng1的同名端和所述绕组Ng2的异名端分别与电阻Rj的一端连接，所述电阻Rj的另一端连接所述电容C01的一端；所述绕组N11的同名端连接所述推挽开关S1的一端，所述推挽开关S1的另一端连接所述绕组Ns1一端，所述绕组Ns1的另一端连接所述绕组Ns2的一端，所述绕组Ns2的另一端通过所述推挽开关S2连接所述绕组N12的异名端；所述开关管T1的一端与所述绕组Ns1的另一端连接，所述开关管T1的另一端通过电阻rs1接地，所述开关管T1的控制端连接所述MCU。

4.根据权利要求3所述的Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，其特征在于：电容Cs1和电阻Rs1并联并且其并联电路的两端分别与所述绕组N12的异名端和所述推挽开关S1的控制端连接，所述推挽开关S1的控制端连接稳压二极管Ds1的负极，所述稳压二极管Ds1的正极连接所述推挽开关S1的另一端；电容Cs2和电阻Rs2并联并且其并联电路的两端分别与所述绕组N11的同名端和所述推挽开关S2的控制端连接，所述推挽开关S2的控制端连接稳压二极管Ds2的负极，所述稳压二极管Ds2的正极连接所述绕组Ns2的另一端。

5.根据权利要求2所述的Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，其特征在于：所述第二组高频自激推挽振荡电路包括所述绕组N14、所述绕组N13、推挽开关S3和推挽开关S4，所述绕组N14和所述绕组N13有第二中心抽头，交流电源Uin的另一端通过差模电感L1与所述第二中心抽头连接，所述绕组N14的同名端连接整流二极管D04的正极，所述绕组N13的异名端连接整流二极管D03的正极，所述整流二极管D04和所述整流二极管D03的负极连接所述电容C01一端。

6.根据权利要求5所述的Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，其特征在于：还包括感应磁环B2，绕组Ng3、绕组Ng4、绕组Ns3和绕组Ns4对应所述感应磁环B2设置，所述绕组Ng4的异名端通过电阻Rg4连接所述推挽开关S4的控制端，所述绕组Ng3的同名端通过电阻Rg3连接所述推挽开关S3的控制端，所述绕组Ng4的同名端和所述绕组Ng3的异名端分别与电阻Rj的一端连接，所述电阻Rj的另一端连接所述电容C01的一端；所述绕组N14的同名端连接所述推挽开关S4的一端，所述推挽开关S4的另一端连接所述绕组Ns4一端，所述绕组Ns4的另一端连接所述绕组Ns3的一端，所述绕组Ns3的另一端通过所述推挽开关S3连接所述绕组N13的异名端；所述开关管T2的一端与所述绕组Ns4的另一端连接，所述开关管T2的另一端通过电阻rs2接地，所述开关管T2的控制端连接所述MCU。

7.根据权利要求6所述的Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，其特征在于：电容Cs4和电阻Rs4并联并且其并联电路的两端分别与所述绕组N13的异名端和所述推挽开关S4的控制端连接，所述推挽开关S4的控制端连接稳压二极管Ds4的负极，所述稳压二极管Ds4的正极连接所述推挽开关S4的另一端；电容Cs3和电阻Rs3并联并且其并联电路的两端分别与所述绕组N14的同名端和所述推挽开关S3的控制端连接，所述推挽开关S3的控制端连接稳压二极管Ds3的负极，所述稳压二极管Ds3的正极连接所述绕组Ns3的另一端。

8.根据权利要求2所述的Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，其特征在于：还包括独立绕组Ni，所述独立绕组Ni绕在所述磁集成变压器TR的中柱上，所述独立绕组Ni的一端与二极管Di1的正极、二极管Di2的负极连接，所述二极管Di1的负极连接所述电容C01的一端，所述二极管Di2的正极接地；所述独立绕组Ni的另一端通过调谐电感Lf连接电容Ci2的一端和电容Ci1的一端，所述电容Ci1的另一端连接所述电容C01的一端，所述电容Ci2的另一端接地。

9.根据权利要求2所述的Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，其特征在于：所述MCU供电取样电路包括所述绕组NV，所述绕组NV的一端分别通过电容Cv1和电容Cv2与二极管Dv1的正极和二极管Dv2的负极连接，所述二极管Dv1的负极和所述二极管Dv2的正极分别与所述绕组NV的另一端连接，所述二极管Dv2的负极与电阻R2的一端和电阻Rj连接，所述电阻R2的另一端与所述MCU连接和所述取样电阻RZ连接，所述取样电阻RZ与所述MCU的信号取样端连接。