CN104991359A - 一种测试方法和液晶显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种测试方法和液晶显示面板，本发明的测试方法包括：在液晶显示面板外侧边设置测试电极；使所述测试电极与所述像素电极电性连接；给所述液晶显示面板供电使其工作，并通过所述测试电极测试所述像素电极的电压；本发明的测试方法可以直接测量到像素电极的电压，提高了液晶驱动电压测量的精确性、可以正确地解析液晶显示面板的某些问题。

Description

一种测试方法和液晶显示面板
【技术领域】
本发明涉及液晶显示器技术领域，特别是涉及一种测试方法和液晶显示面板。
【背景技术】
液晶显示面板在制作完成后处于密封状态，此时如果需要量测液晶驱动电压只能通过间接方式进行。其中一种测量方式为：测量光学量例如测量亮度得到穿透率，并利用电压与光学量之间的对应关系得到电压，例如根据电压-穿透率关系进行推测。
可见目前液晶驱动电压的测量方式不能在液晶显示面板在工作时直接测量到液晶驱动电压，无法实时监控液晶感受到的驱动电压，导致测量到的液晶驱动电压不准确，以及不能够正确地解析液晶显示面板的某些问题。
因此，有必要提供一种测试方法，以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种测试方法和液晶显示面板，以解决现有技术不能在液晶显示面板工作时直接测量到液晶驱动电压的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明构造了一种测试方法，所述测试方法用于对所述液晶显示面板进行测试；
所述液晶显示面板包括阵列基板；
所述阵列基板包括：多条数据线、多条扫描线和像素单元；
所述数据线，用于传输数据信号；
所述扫描线，用于传输扫描信号；
所述像素单元，由所述数据线和所述扫描线交错构成，且根据所述扫描信号和所述数据信号进行画面显示；
所述像素单元包括：薄膜晶体管和像素电极；
所述薄膜晶体管，用于根据所述扫描信号，将所述数据信号传输给所述像素电极；
其中，所述测试方法包括如下步骤：
在所述液晶显示面板外侧边设置测试电极；
使所述测试电极与所述像素电极电性连接；
给所述液晶显示面板供电使其工作，并通过所述测试电极测试所述像素电极的电压。
在本发明的测试方法中，所述使所述测试电极与所述像素电极电性连接的步骤包括：
在所述阵列基板中的金属层上设置走线；
使所述测试电极与所述走线电性连接，以及使所述像素电极与所述走线电性连接。
在本发明的测试方法中，所述阵列基板包括：所述金属层、中间层以及所述透明电极层，所述中间层位于所述金属层和所述透明电极层之间，所述像素电极层包括像素电极；
所述金属层上的走线具有第一预备熔接区，所述像素电极上具有与所述第一预备熔接区对应的第二预备熔接区；
所述使所述像素电极与所述走线电性连接的步骤包括：
采用激光对所述第二预备熔接区进行照射，以给所述第二预备熔接区加热，熔化所述第二预备熔接区内的像素电极；
熔化的像素电极将热量传递给中间层上与所述第一预备熔接区对应的区域，并熔化该区域，以使得熔化的像素电极可以穿过所述中间层达到所述第一预备熔接区，实现所述第一预备熔接区与所述未熔化的像素电极电性连接。
在本发明的测试方法中，所述阵列基板包括：
基板衬底；
第一金属层，设置在所述基板衬底上，包括薄膜晶体管的栅极、所述多条扫描线；
栅极绝缘层，设置在所述第一金属层上；
半导体层，设置在所述栅极绝缘层，用于形成所述薄膜晶体管的沟道；
所述第二金属层，设置在所述半导体层上，包括所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及多条数据线；
绝缘层，设置在所述第二金属层上；
透明电极层，设置在所述栅极绝缘层和绝缘层上，包括：像素电极，所述像素电极与所述漏极电性连接；
所述金属层为第一金属层，所述中间层包括：栅极绝缘层和/或绝缘层。
在本发明的测试方法中，所述阵列基板包括：
基板衬底；
第一金属层，设置在所述基板衬底上，包括薄膜晶体管的栅极、所述多条扫描线；
栅极绝缘层，设置在所述第一金属层上；
半导体层，设置在所述栅极绝缘层，用于形成所述薄膜晶体管的沟道；
所述第二金属层，设置在所述半导体层上，包括所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及多条数据线；
绝缘层，设置在所述第二金属层上；
透明电极层，设置在所述栅极绝缘层和绝缘层上，包括：像素电极，所述像素电极与所述漏极电性连接；
所述金属层为所述第二金属层，所述中间层为所述绝缘层。
在本发明的测试方法中，所述使所述测试电极与所述走线电性连接的步骤包括：
在所述液晶显示面板内部设置连接线；
通过所述连接线实现所述测试电极与所述走线电性连接。
本发明还提供了一种液晶显示面板，包括：阵列基板和测试电极；
所述阵列基板包括多条数据线、多条扫描线和像素单元；
所述数据线，用于传输数据信号；
所述扫描线，用于传输扫描信号；
所述像素单元，由所述数据线和所述扫描线交错构成，且根据所述扫描信号和所述数据信号进行画面显示；
所述像素单元包括：薄膜晶体管和像素电极；
所述薄膜晶体管，用于根据所述扫描信号，将所述数据信号传输给所述像素电极；
所述测试电极，设置在所述液晶显示面板的外侧边，且与所述像素电极电性连接，用于测试所述像素单元的电压。
在本发明的液晶显示面板中，还包括：位于液晶显示面板内部的连接线路；
所述测试电极通过所述连接线路与所述像素电极电性连接；
其中，所述连接线路包括所述阵列基板中金属层上的走线。
在本发明的液晶显示面板中，所述阵列基板包括：
基板衬底；
第一金属层，设置在所述基板衬底上，包括薄膜晶体管的栅极、所述多条扫描线；
栅极绝缘层，设置在所述第一金属层上；
半导体层，设置在所述栅极绝缘层，用于形成所述薄膜晶体管的沟道；
所述第二金属层，设置在所述半导体层上，包括所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及多条数据线；
绝缘层，设置在所述第二金属层上；
透明电极层，设置在所述栅极绝缘层和绝缘层上，包括：像素电极，所述像素电极与所述漏极电性连接；
所述金属层上的走线为所述第一金属层上的走线。
在本发明的液晶显示面板中，所述阵列基板包括：
基板衬底；
第一金属层，设置在所述基板衬底上，包括薄膜晶体管的栅极、所述多条扫描线；
栅极绝缘层，设置在所述第一金属层上；
半导体层，设置在所述栅极绝缘层，用于形成所述薄膜晶体管的沟道；
所述第二金属层，设置在所述半导体层上，包括所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及多条数据线；
绝缘层，设置在所述第二金属层上；
透明电极层，设置在所述栅极绝缘层和绝缘层上，包括：像素电极，所述像素电极与所述漏极电性连接；
所述金属层上的走线为所述第二金属层上的走线。
本发明提供了一种测试方法和液晶显示面板，本发明的测试方法包括：在所述液晶显示面板外侧边设置测试电极；使所述测试电极与所述像素电极电性连接；给所述液晶显示面板供电使其工作，并通过所述测试电极测试所述像素电极的电压；由前述方案可知，本发明在液晶显示面板外部设置了与像素电极电性连接的测量电极，技术人员可以在液晶显示面板制作完成之后通过该测量电极直接测量到像素电极的电压，也即液晶的驱动电压；应用本发明的测试方法和液晶显示面板，可以实时监控液晶显示面板在工作时液晶感受到的驱动电压，提高了液晶驱动电压测量的精确性、可以正确地解析液晶显示面板的某些问题。
【附图说明】
图1为本发明实施例提供的一种测试电极与像素电极的连接示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种测试电极与像素电极的连接示意图；
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种走线与像素电极熔接的示意图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
本实施例提供了一种液晶显示面板，包括：阵列基板20和测试电极10；
所述阵列基板20包括多条数据线201、多条扫描线202和像素单元203；
所述数据线201，用于传输数据信号；
所述扫描线202，用于传输扫描信号；
所述像素单元203，由所述数据线和所述扫描线交错构成，且根据所述扫描信号和所述数据信号进行画面显示；
所述像素单元203包括：薄膜晶体管2031和像素电极2032；
所述薄膜晶体管2031，用于根据所述扫描信号控制是否将所述数据信号传输给所述像素电极2032；
薄膜晶体管2031包括源极2031a、栅极2031b和漏极2031c；源极2031a与数据线201连接，接收数据信号；栅极2031b与所述扫描线202连接，接收扫描信号；漏极2031c与像素电极2032连接；
所述测试电极10，位于所述液晶显示面板的外部，且与所述像素电极2032电性连接，用于测试所述像素单元203的电压；
具体地，测试电极10可以通过位于液晶显示面板内部的连接线路与像素电极2032电性连接。
本实施例可以在液晶显示面板的外部设置测试电极10，进一步考虑到液晶显示面板的整体性以及方便液晶显示面板的装配，本实施例中测试电极10可以设置在液晶显示面板的侧边；此时，本实施例中测试电极可以为一个金属触点。
应用本实施例提供的液晶显示面板可以测试像素电极2032的电压，具体测试过程包括：
给所述液晶显示面板供电使所述液晶显示面板工作；
将测试设备连接至测试电极10，通过所述测试电极10测试所述像素电极2032的电压。
本实施例中连接线路可以有多种，也就是说，测试电极10可以通过多种连接方式与所述像素电极2032电性连接。
为了节约成本和方便连接，本实施例中连接线路可以包括阵列基板20中金属层(第一金属层或者第二金属层)上的走线；具体地，测试电极10可以与所述走线电性连接，所述走线可以与所述像素电极2032电性连接，从而达到测试电极10与像素电极2032电性连接的目的。
本实施例中连接线路包括走线是指：在测试电极10与像素电极2032之间的连接线路有一部分或者全部为金属层上的走线。
如图1所示，连接线路可以包括：连接线301和阵列基板20中金属层上的走线(图1中未示意图出)；测试电极10与连接线301电性连接，连接线301与阵列基板中金属层上的走线电性连接，该走线又与像素电极2032电性电极，从而达到测试电极10与像素电极2032电性连接的目的；当然，本是实力中测试电极10可以直接通过金属层上的走线与所述像素电极2032电性连接。
优选地，本实施例中阵列基板包括：金属层(例如第一金属层或者第二金属层)、中间层(例如绝缘层)和透明电极层，所述中间层位于金属层和所述透明电极层之间，所述透明电极层位于金属层上方，且包括像素电极；本实施例中为了能够使得金属层上的走线与顶层的像素电极2032电性连接，可以采用桥接线或者桥接孔；走线通过桥接线或者中间层上的桥接孔与所述像素电极2032电性连接。
根据上述描述，如图2所示，为图1中测试电极10与像素电极2032的一种连接方式示意图；图2连接线路可以包括：连接线301和阵列基板20中金属层(例如第一金属层或者第二金属层)上的走线401和桥接线501；其中，测试电极10通过连接线301与金属层上的走线401电性连接，金属层上的走线401通过桥接线与像素电极2032电性连接。
如图3所示，在本实施例中，阵列基板20可以具体包括：
所述阵列基板包括：
基板衬底204；
第一金属层，设置在所述基板衬底204上，包括薄膜晶体管的栅极2031b、所述多条扫描线202；
栅极绝缘层205，设置在所述第一金属层上；
半导体层206，设置在所述栅极绝缘层205，用于形成所述薄膜晶体管2031的沟道；
所述第二金属层，设置在所述半导体层206上，包括所述薄膜晶体管2031的源极2031a、所述薄膜晶体管2031的漏极2031c以及多条数据线201；
绝缘层207，设置在所述第二金属层上；
透明电极层，设置在所述栅极绝缘层205和绝缘层207上，包括：像素电极2032，所述像素电极2032与所述漏极电性2031c连接；
本实施例中走线401可以为第一金属层(M1)上的走线；此时，测试电极10可以通过连接线301与M1上的走线电性连接，M1上的走线可以通过桥接线501或者桥接孔与像素电极2032电性连接。
本实施例中走线401还可以为第二金属层(M2)上的走线；此时，测试电极10可以通过连接线301与M2上的走线电性连接，M2上的走线可以通过桥接线501或者桥接孔与像素电极2032电性连接。
在考虑如何简单方便使金属层上的走线与顶层的像素电极电性连接的基础上，还需要考虑到如果测试电极10与像素电极2032一直保持电性连接，会影响液晶显示面板正常使用时的画面显示的问题；针对前述考虑到的问题，本实施例可以在需要测试时采用熔接走线与像素电极的方式，来使得顶层的像素电极2032与金属层上的走线电性连接；在不需要测试时，不进行熔接使得走线与像素电极不导通；
具体地，参考图4(以M1上的走线401为例)，所述M1上的走线401具有第一预备熔接区4011，M1层与像素电极2032之间的中间层(未示意出)包括：栅极绝缘层205和绝缘层207；所述像素电极2032上具有与所述第一预备熔接区4011对应的第二预备熔接区2032a；第二预备熔接区2032a可以为第一预备熔接区4011在像素电极2032上投影的区域；
本实施例中使所述像素电极2032与所述走线401电性连接的具体过程包括：
采用激光对所述第二预备熔接区2032a进行照射，以给所述第二预备熔接区2032a加热，熔化所述第二预备熔接区2032a内的像素电极2032；
熔化的像素电极将热量传递给中间层(具体包括：栅极绝缘层205和/或绝缘层207)上与所述第一预备熔接区4011对应的区域，并熔化该区域，以使得熔化的像素电极可以穿过所述中间层(穿过栅极绝缘层205和/或绝缘层207)达到所述第一预备熔接区4011，实现所述第一预备熔接区4011与所述未熔化的像素电极电性2032连接。
图4所示的结构，可以使得走线401只有在熔接区被熔接后才会实现电性导通，设置该结构的可以隔绝面板外电极和像素中电极的电性连接；只有在需要量测时，通过熔接操作才会导通。
同理，在上述金属层上的走线为M2上的走线、中间层为绝缘层时，像素电极2032与M2上走线熔接的过程与前述介绍的M1走线与像素电极2032熔接过程类似，这里不再赘述。
应用本实施例提供的液晶显示面板，可以在液晶显示面板工作时直接测量液晶的驱动电压，实时监控液晶感受到的驱动电压，提升了液晶驱动电压测量的精确性，为液晶显示面板的诸多问题提供有力的证据。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种测试方法，其特征在于，所述测试方法用于对所述液晶显示面板进行测试；
所述液晶显示面板包括阵列基板；
所述阵列基板包括：多条数据线、多条扫描线和像素单元；
所述数据线，用于传输数据信号；
所述扫描线，用于传输扫描信号；
所述像素单元，由所述数据线和所述扫描线交错构成，且根据所述扫描信号和所述数据信号进行画面显示；
所述像素单元包括：薄膜晶体管和像素电极；
所述薄膜晶体管，用于根据所述扫描信号，将所述数据信号传输给所述像素电极；
其中，所述测试方法包括如下步骤：
在所述液晶显示面板外侧边设置测试电极；
使所述测试电极与所述像素电极电性连接；
给所述液晶显示面板供电使其工作，并通过所述测试电极测试所述像素电极的电压。
2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述使所述测试电极与所述像素电极电性连接的步骤包括：
在所述阵列基板中的金属层上设置走线；
使所述测试电极与所述走线电性连接，以及使所述像素电极与所述走线电性连接。
3.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，
所述阵列基板包括：所述金属层、中间层以及所述透明电极层，所述中间层位于所述金属层和所述透明电极层之间，所述像素电极层包括像素电极；
所述金属层上的走线具有第一预备熔接区，所述像素电极上具有与所述第一预备熔接区对应的第二预备熔接区；
所述使所述像素电极与所述走线电性连接的步骤包括：
采用激光对所述第二预备熔接区进行照射，以给所述第二预备熔接区加热，熔化所述第二预备熔接区内的像素电极；
熔化的像素电极将热量传递给所述中间层上与所述第一预备熔接区对应的区域，并熔化该区域，以使得熔化的像素电极可以穿过所述中间层达到所述第一预备熔接区，实现所述第一预备熔接区与所述未熔化的像素电极电性连接。
4.如权利要求3所述的测试方法，其特征在于，
所述阵列基板包括：
基板衬底；
第一金属层，设置在所述基板衬底上，包括薄膜晶体管的栅极、所述多条扫描线；
栅极绝缘层，设置在所述第一金属层上；
半导体层，设置在所述栅极绝缘层，用于形成所述薄膜晶体管的沟道；
所述第二金属层，设置在所述半导体层上，包括所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及多条数据线；
绝缘层，设置在所述第二金属层上；
透明电极层，设置在所述栅极绝缘层和绝缘层上，包括：像素电极，所述像素电极与所述漏极电性连接；
所述金属层为第一金属层，所述中间层包括：栅极绝缘层和/或绝缘层。
5.如权利要求3所述的测试方法，其特征在于，
所述阵列基板包括：
基板衬底；
第一金属层，设置在所述基板衬底上，包括薄膜晶体管的栅极、所述多条扫描线；
栅极绝缘层，设置在所述第一金属层上；
半导体层，设置在所述栅极绝缘层，用于形成所述薄膜晶体管的沟道；
所述第二金属层，设置在所述半导体层上，包括所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及多条数据线；
绝缘层，设置在所述第二金属层上；
透明电极层，设置在所述栅极绝缘层和绝缘层上，包括：像素电极，所述像素电极与所述漏极电性连接；
所述金属层为所述第二金属层，所述中间层为所述绝缘层。
6.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述使所述测试电极与所述走线电性连接的步骤包括：
在所述液晶显示面板内部设置连接线；
通过所述连接线实现所述测试电极与所述走线电性连接。
7.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：阵列基板和测试电极；
所述阵列基板包括多条数据线、多条扫描线和像素单元；
所述数据线，用于传输数据信号；
所述扫描线，用于传输扫描信号；
所述像素单元，由所述数据线和所述扫描线交错构成，且根据所述扫描信号和所述数据信号进行画面显示；
所述像素单元包括：薄膜晶体管和像素电极；
所述薄膜晶体管，用于根据所述扫描信号，将所述数据信号传输给所述像素电极；
所述测试电极，设置在所述液晶显示面板的外侧边，且与所述像素电极电性连接，用于测试所述像素单元的电压。
8.如权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于，还包括：位于液晶显示面板内部的连接线路；
所述测试电极通过所述连接线路与所述像素电极电性连接；
其中，所述连接线路包括所述阵列基板中金属层上的走线。
9.如权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括：
基板衬底；
第一金属层，设置在所述基板衬底上，包括薄膜晶体管的栅极、所述多条扫描线；
栅极绝缘层，设置在所述第一金属层上；
半导体层，设置在所述栅极绝缘层，用于形成所述薄膜晶体管的沟道；
所述第二金属层，设置在所述半导体层上，包括所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及多条数据线；
绝缘层，设置在所述第二金属层上；
透明电极层，设置在所述栅极绝缘层和绝缘层上，包括：像素电极，所述像素电极与所述漏极电性连接；
所述金属层上的走线为所述第一金属层上的走线。
10.如权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括：
基板衬底；
第一金属层，设置在所述基板衬底上，包括薄膜晶体管的栅极、所述多条扫描线；
栅极绝缘层，设置在所述第一金属层上；
半导体层，设置在所述栅极绝缘层，用于形成所述薄膜晶体管的沟道；
所述第二金属层，设置在所述半导体层上，包括所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及多条数据线；
绝缘层，设置在所述第二金属层上；
透明电极层，设置在所述栅极绝缘层和绝缘层上，包括：像素电极，所述像素电极与所述漏极电性连接；
所述金属层上的走线为所述第二金属层上的走线。
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