CN104981733B - 电光装置及电子设备 - Google Patents

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Abstract

对起因于各像素中的泄漏电流的差异的显示质量的下降进行抑制。像素(30G)包括像素电容(36)和控制对于像素电容(36)的电压的供给及断开的开关元件(14)，相应于像素电容(36)的电压对第1波长(530nm)的照射光进行调制。像素(30R)包括像素电容(36)和控制对于像素电容(36)的电压的供给及断开的开关元件(14)，相应于像素电容(36)的电压对比第1波长长的第2波长(620nm)的照射光进行调制。像素(30G)的像素电容(36)的电容值比像素(30R)的像素电容(36)的电容值大。

Description

电光装置及电子设备
技术领域
本发明涉及利用多个像素对图像进行显示的技术。
背景技术
现有技术中公开了：将包括液晶电容等的像素电容和TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)等的开关元件的多个像素排列成矩阵状的显示装置。开关元件配置于被供给相应于显示灰度等级的灰度等级电压的数据线与像素电容之间，对相对于像素电容的灰度等级电压的供给/断开进行控制。像素电容对灰度等级电压进行保持并对相应于灰度等级电压的灰度等级进行显示。例如，在投影型的显示装置中，对应于多个显示色(例如红色、绿色及蓝色)的任一色的波长的照射光照射于各像素的像素电容而通过像素电容进行调制(光量控制)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2006—276118号公报
发明内容
发明所要解决的问题
对于各像素的照射光的一部分也能到达各像素的开关元件。起因于对于开关元件的光照射而在开关元件产生光泄漏电流，使像素电容所保持的电压发生变动。光泄漏电流的电流量相应于对于开关元件照射的照射光的波长而不同。从而，像素电容中的保持电压的变动的程度按各像素的显示色而不同，结果存在显示质量下降的问题。例如，若像素电容中的保持电压的变动的程度按各像素的显示色而不同，则闪烁的产生的程度按显示色不同而导致显示质量下降。考虑以上的情况，本发明的目的在于，对起因于各像素的开关元件中的泄漏电流的差异的显示质量的下降进行抑制。
用于解决问题的手段
用于解决以上的问题，本发明的电光装置具备第1像素和第2像素，其中，所述第1像素包括第1像素电容和控制对于第1像素电容的电压的供给及断开的第1开关元件，相应于第1像素电容的电压对第1波长的照射光进行调制，所述第2像素包括第2像素电容和控制对于第2像素电容的电压的供给及断开的第2开关元件，相应于第2像素电容的电压对比第1波长长的第2波长的照射光进行调制；第1像素电容的电容值比第2像素电容的电容值要大。根据以上的构成，因为第1像素电容的电容值比第2像素电容的电容值要大，所以尽管第1像素的光泄漏电流比第2像素的要大，但是能够使第1像素电容与第2像素电容的保持电压的变化量之差变小。从而，能够对起因于第1像素与第2像素的光泄漏量的差异的显示质量的下降进行抑制。
在本发明优选的方式所涉及的电光装置中，具备包括第3像素电容和控制对于第3像素电容的电压的供给及断开的第3开关元件并相应于第3像素电容的电压对比第1波长短的第3波长的照射光进行调制的第3像素，第3像素电容的电容值比第1像素电容的电容值要大。根据以上的构成，因为在第1像素、第2像素和第3像素之间，能够减小各像素的像素电容中的电压的变化量之差，所以使得能够对起因于光泄漏量的差异的显示质量的下降进行抑制的效果特别地显著。
在本发明的优选的方式中，具备包括第3像素电容和控制对于第3像素电容的电压的供给及断开的第3开关元件并相应于第3像素电容的电压对比第1波长短的第3波长的照射光进行调制的第3像素，第3像素电容的电容值与第1像素电容的电容值相等。根据以上的构成，可以减小各像素的像素电容中的电压的变化量之差，并使像素电容的构成在第1像素与第3像素中共用化。
在本发明的优选的方式中，第1像素电容及第2像素电容的各自包括在相对置的电极间夹着有液晶的液晶电容和并联地连接于液晶电容的辅助电容，液晶电容的电容值在第1像素电容与第2像素电容相同，第1像素电容的辅助电容的电容值超过第2像素电容的电容值。根据以上的构成，因为辅助电容的电容值在第1像素与第2像素中不相同，所以可以使液晶电容的电容值在第1像素与第2像素中共用化。
在本发明的优选的方式中，第1像素电容及第2像素电容的各自的辅助电容包括第1电极及第2电极和夹于第1电极及第2电极之间的电介质层，具备关于第1像素及第2像素的各自形成有俯视时内周缘位于第1电极及第2电极的周缘的内侧的开口部的绝缘层，绝缘层之中的开口部的周围的部分夹于第1电极与第2电极之间，对应于第1像素的所述开口部的面积比对应于所述第2像素的开口部的面积要大。根据以上的构成，通过使绝缘层的开口部的面积在第1像素与第2像素中不相同，可以容易且可靠地使辅助电容的电容值在第1像素与第2像素之间不相同。
以上的各方式涉及的电光装置可采用于各种电子设备。例如，通过对来自光源装置的照射光按像素进行调制而将图像投影于投影面的投影型显示装置假想为本发明涉及的电子设备的优选例。
附图说明
图1是电光装置的剖视图。
图2是电光装置的电构成的说明图。
图3是1个像素的电路图。
图4是表示照射于TFT的光的波长与光泄漏量的关系的曲线图。
图5是表示各像素中的像素电容的电容值的关系的图。
图6是表示布线层的具体的构成的剖视图。
图7是表示利用了电光装置的投影型显示装置的各要件的图。
具体实施方式
(第1实施方式)
图1是本发明的第1实施方式中的电光装置100的剖视图。电光装置100包括空出预定的间隔相互地相对置的第1基板10及第2基板20和密封于第1基板10及第2基板20之间的空间的液晶90而构成。从光源装置(图示略)发出的照射光(白色光)从第2基板20的表面21入射于电光装置100。
图1的第2基板20为包含玻璃和/或石英等而形成的光透射性的板状构件。在第2基板20之中的液晶90侧的面上形成过滤层22，在过滤层22的面上形成对置电极24。过滤层22包括多个滤色器26(26R、26G、26B)和遮光层28而构成。多个滤色器26对应于不相同的多个显示色(红色、绿色、蓝色)的任一。对应于红色的滤色器26R使照射光之中的对应于红色(R)的波长的光(红色光)选择性地透射，滤色器26G使照射光之中的对应于绿色(G)的波长的光(绿色光)选择性地透射，滤色器26B使照射光之中的对应于蓝色(B)的波长的光(蓝色光)选择性地透射。遮光层28为对各滤色器26的外缘进行限定的遮光性(吸收光或使其反射的性质)的膜体。对置电极24例如以ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等的光透射性的导电材料在第2基板20的基本整面连续地形成。
第1基板10为包含玻璃和/或石英等而形成的光透射性的板状构件。在第1基板10之中的液晶90侧的面上，形成布线层12和多个像素电极16。布线层12为包括多条布线(例如后述的扫描线40及数据线50)和/或多个TFT14的层状的部分。多个像素电极16例如以ITO等的光透射性的导电材料形成于布线层12的面上，与各滤色器26对置地俯视排列为矩阵状。虽然实际上也形成对各像素电极16进行覆盖的取向膜等的要件，但是在图1中为了方便而将图示进行了省略。
图2是电光装置100的电构成的说明图。如示于图2地，布线层12包括延伸于X方向的多条扫描线40和延伸于与X方向交叉的Y方向的多条数据线50。在扫描线40与数据线50的各交叉处配置像素30(30R、30G、30B)。如示于图1及图2地，各像素30对应于不相同的多个显示色的任一色。对于对应于红色的像素30R，透射了滤色器26R的红色光进行入射。同样地，绿色光入射于绿色的像素30G，蓝色光入射于蓝色的像素30B。
图3是各像素30的电路图。如示于图3地，本实施方式的像素30包括像素电容36和TFT14而构成。像素电容36包括液晶电容32和辅助电容34而构成。液晶电容32为在像素电极16与对置电极24之间夹有液晶90的静电电容。辅助电容34为在第1电极70与第2电极74之间夹有电介质层72的静电电容。如示于图3地，辅助电容34的第2电极74及液晶电容32的像素电极16共用地连接于TFT14的漏。另一方面，辅助电容34的第1电极70及液晶电容32的对置电极24电连接于被供给预定的电位的布线。如以上地，液晶电容32与辅助电容34电并联地连接。从而，像素电容36的电容值为液晶电容32的电容值与辅助电容34的电容值的合计。到达像素30的照射光通过相应于像素电极16与对置电极24之间的电压(液晶电容32及辅助电容34的各自的两端间的电压)而变化的液晶电容的相位差，调制其相位。即，像素30作为相应于像素电容36所保持的电压对照射光进行调制(对照射光的光量进行控制)的要件而起作用。
如示于图3地，各像素30中的各TFT14的源连接于数据线50。即，TFT14介于数据线50与像素电容36之间而对两者间的电连接(导通/非导通)进行控制。对数据线50，供给相应于以图像信号指定的灰度等级的灰度等级电压。TFT14相应于供给于扫描线40的扫描信号被控制为导通状态或截止状态。若TFT14被控制为导通状态，则供给于数据线50的灰度等级电压介由TFT14供给于像素电容36而保持于像素电容36。另一方面，若TFT14被控制为截止状态，则从数据线50对于像素电容36的灰度等级电压的供给停止。如在以上进行了说明地，TFT14作为控制对于像素电容36的灰度等级电压的供给及断开的开关元件而起作用。
在本实施方式中的电光装置100中，如示于图1地，按俯视对应于各像素电极16之间的区域的格子状形成遮光层28，防止对于各像素30的TFT14的光照射。但是，照射光的一部分例如在入射于布线层12之后在布线层12内的各要素的边界面等反射或散射而可能到达TFT14。到达TFT14的照射光会使处于截止状态的TFT14产生光泄漏电流(起因于光照射的漏与源之间的电流的泄漏)。
图4是表示照射于本实施方式的TFT14的光的波长与光泄漏电流的电流量(以下称为“光泄漏量”)的关系的曲线图。在透射各滤色器26的光的波长的范围内(例如450nm～620nm)中，存在照射光的波长越短则TFT14的光泄漏量越增加的大体的倾向。在第1实施方式中，透射滤色器26B的蓝色光的代表性的波长约为450nm，透射滤色器26G的绿色光的代表性的波长约为530nm，透射滤色器26R的红色光的代表性的波长约为620nm。如从图4可理解地，照射蓝色光时的光泄漏量IB超过照射绿色光时的光泄漏量IG，照射绿色光时的光泄漏量IG超过照射红色光时的光泄漏量IR(IB＞IG＞IR)。
在本实施方式中，在像素30R的TFT14，透射滤色器26R的红色光(波长约620nm)到达得最多。同样地，在像素30G的TFT14，透射滤色器26G的绿色光(波长约530nm)到达得最多。在像素30B的TFT14，透射滤色器26B的蓝色光(波长约450nm)到达得最多。从而，存在如下倾向：像素30B的TFT14的平均的光泄漏量超过像素30G的TFT14的平均的光泄漏量，像素30G的TFT14的平均的光泄漏量超过像素30R的TFT14的平均的光泄漏量。
如果在TFT14产生光泄漏电流则由像素电容36保持的电压经时性降低。光泄漏量越多则像素电容36的电压降低(例如每单位时间的降低量)越大。因此，在像素电容36的电容值在所有像素中相同时，会发生以下不均衡：像素30B中的电压降低超过像素30G中的电压降低，像素30G中的电压降低超过像素30R中的电压降低。
从对以上的不均衡进行抑制的观点出发，在第1实施方式中，相应于光泄漏量按每种显示色选定各像素30的像素电容36的电容值。具体地，如示于图5地，像素30B的像素电容36的电容值CB超过像素30G的像素电容36的电容值CG，像素30G的像素电容36的电容值CG超过像素30R的像素电容36的电容值CR(CB＞CG＞CR)。在第1实施方式中，液晶电容32的电容值在全部的显示色的像素30的范围中相同。从而，相应于各像素30的辅助电容34的电容值而使像素电容36的电容值按每种显示色不同。具体地，像素30B的辅助电容34的电容值cB超过像素30G的辅助电容34的电容值cG，像素30G的电容值cG超过像素30R的辅助电容34的电容值cR(cB＞cG＞cR)。
图6是着眼于1个像素30而表示布线层12的具体的构成的剖视图。图6的绝缘层60形成于第1基板10的面上。在绝缘层60的面上按每个像素30形成半导体层62而以栅绝缘层64覆盖。在栅绝缘层64的面上，在与半导体层62之间夹着栅绝缘层64地形成栅电极66。栅电极66连续于扫描线40。栅电极66与半导体层62夹着栅绝缘层64相对置的部分作为TFT14而起作用。跨栅电极66的面上及栅绝缘层64的面上形成绝缘层68。在绝缘层68的面上，按每个像素30形成第2电极74。第2电极74介由贯通绝缘层68及栅绝缘层64的接触孔电连接于半导体层62(漏区域)。在第2电极74的面上形成电介质层72。跨第2电极74的面上及绝缘层68的面上形成绝缘层76。在电介质层72的面上按每个像素30形成第1电极70。以第1电极70、第2电极74和电介质层72形成辅助电容34。
在绝缘层76形成开口部77。开口部77的内周缘俯视时位于第2电极74的周缘的内侧。从而，绝缘层76之中的开口部77的周围的部分位于第1电极70与第2电极74之间。即，在开口部77的内侧的区域中，在第1电极70与第2电极74之间仅夹着电介质层72，而在开口部77的外侧的区域中，在第1电极70与第2电极74之间却夹着电介质层72及绝缘层76的双方。从而，辅助电容34的电容值与开口部77的面积(绝缘层76之中的夹在第1电极70与第2电极74之间的区域的面积)相关。具体地，开口部77的面积越大则辅助电容34的电容值变得越大。在本实施方式中，像素30B中的辅助电容34的开口部77的面积比像素30G中的辅助电容34的开口部77的面积要大，像素30G中的辅助电容34的开口部77的面积比像素30R中的辅助电容34的开口部77的面积要大。
跨第1电极70的面上及绝缘层76的面上形成绝缘层78。在绝缘层78的面上形成数据线50。数据线50介由贯通绝缘层78、绝缘层76、绝缘层68及栅绝缘层64的接触孔电连接于半导体层62(源区域)。跨数据线50的面上及绝缘层78的面上形成绝缘层80。在绝缘层80的面上按每个像素30形成像素电极16。像素电极16介由贯通绝缘层80、绝缘层78、绝缘层76的接触孔电连接于第2电极74。即，像素电极16介由第2电极74电连接于半导体层62(漏区域)。
如根据以上的说明所理解地，在本实施方式中，因为各像素30的像素电容36的电容值相应于产生于各像素30的TFT14的光泄漏量按各像素30的每种显示色而选定，所以尽管光泄漏量按各像素30的显示色不相同，但也可降低各像素30中的像素电容36的保持电压的变化量之差。从而，可以对起因于各像素30的每种显示色的光泄漏量的差异的显示质量的下降进行抑制。
(第2实施方式)
将本发明的第2实施方式说明于以下。还有，关于在例示于以下的各构成中作用和/或功能与第1实施方式等同的要件，沿用在以上的说明中参照的符号而适当地省略各自的详细的说明。
人类对于绿色光的可见度超过对于蓝色光和/或红色光的可见度。从而，绿色的像素30G中的像素电容36的保持电压的变化与其他颜色的像素30中的保持电压的变化相比较，存在易于被观察者察觉的倾向。考虑到以上的情况，在第2实施方式中，将像素30G的像素电容36的电容值CG确保为，与像素30B的像素电容36的电容值CB等同(CB＝CG＞CR)。因为如以上地电容值CB与电容值CG等同，所以像素电容36的结构(开口部77的面积)在像素30G与像素30B中相同。另一方面，像素30B的像素电容36的电容值CB和/或像素30G的像素电容36的电容值CG超过像素30R的像素电容36的电容值CR的这一关系，与第1实施方式相同。
在第2实施方式中也可得到与第1实施方式同样的效果。并且，在第2实施方式中，因为在对应于可见度高的绿色的像素30G确保与像素30B的电容值CB同等的电容值CG，所以能够对起因于光泄漏量的显示质量的下降进行抑制的效果特别地显著。并且，也具有像素电容36的结构在像素30G与像素30B中共用化的优点。
(第3实施方式)
第3实施方式的电光装置100除了红色的像素30R、绿色的像素30G和蓝色的像素30B之外还包括白色的像素30(以下，称为“白色像素30W”)。例如，可采用不在过滤层22之中的对应于白色像素30W的区域形成滤色器26的构成和/或在过滤层22之中的对应于白色像素30W的区域形成透明层(使照射光的全部的波长分量透射的要件)的构成。在白色像素30W的TFT14，比其他颜色的像素30高的强度的照射光到达。从而，在白色像素30W中，与其他颜色的像素30(30R、30G、30B)相比较，存在光泄漏量大的倾向。
考虑到以上的倾向，在第3实施方式中，白色像素30W的像素电容36的电容值CW超过其他颜色的像素30的电容值(CR、CG、CB)。电容值CB超过电容值CG且电容值CG超过电容值CR这一关系，与第1实施方式相同(CW＞CB＞CG＞CR)。还有，与第1实施方式同样地，液晶电容32的电容值在包括白色的全部的显示色的像素30的范围中相同。从而，像素30W的辅助电容34的电容值cW超过其他颜色的像素30的辅助电容34的电容值(cR、cG、cB)(cW＞cB＞cG＞cR)。
在第3实施方式中也可得到与第1实施方式同样的效果。还有，使像素30G的像素电容36的电容值CG与像素30B的像素电容36的电容值CB相等的第2实施方式的构成，同样地也可应用于第3实施方式。
(变形例)
例示于以上的方式可多样地变形。将具体的变形的方式例示于以下。从以下的例示任意地选择的2个以上的方式可适当地合并。
(1)虽然在所述的各方式中，在具备滤色器26的过滤层22将照射光分离为各波长的光，但是将照射光分离为波长不同的多种色光的单元并不限于滤色器26。例如，如记载于特开平10—253955的技术地，能够采用对包括于照射光的各色的光以按每色而不相同的角度使之衍射来进行分离的体积全息体。由体积全息体分离的各色的光按每色以微透镜聚光，照射于相对应的像素30。
(2)像素30的显示色的种类并不限于所述的各方式中的例示。例如，也可以具备对黄色光(波长约550nm)进行调制的像素30Y。在过滤层22，形成使照射光之中的对应于黄色(Y)的波长的光选择性地透射的滤色器26Y。如果以照射光的波长越短则TFT14的光泄漏量越增加这样的所述的倾向为前提，则优选构成为：将像素30Y的像素电容36的电容值CY设定为绿色的像素30G的电容值CG与红色的像素30R的电容值CR之间的值。
(3)虽然在所述的各方式中，使液晶电容32的电容值在各显示色的像素30的范围中相同，但是也可以使液晶电容32的电容值按各像素30的每种显示色不相同。与各像素30中的液晶电容32的电容值的异同无关地，各像素30中的液晶电容32的电容值与辅助电容34的电容值的合计值(CR、CG、CB)满足所述的各方式中的关系(CB＞CG＞CR)即可。
(4)在所述的各方式中例示的各要件可适当地省略。例如，虽然在所述的各方式中包括液晶电容32与辅助电容34而构成像素电容36，但是也可以将辅助电容34省略。并且，过滤层22虽然设置于第2基板20，但是也可以设置于第1基板10，还能够与电光装置100分开另行设置而省略。即，不管生成各色光的方法如何，只要是不同波长的色光到达各显示色的像素30的构成即可。
(5)虽然在所述的各方式中，为了使像素电容36的电容值C按各像素30的每种显示色不相同而使辅助电容34的开口部77的面积按各像素30的每种显示色不相同，但是用于使像素电容36的电容值按每种显示色不相同的构成并不限于以上的例示。例如，可考虑使辅助电容34的电介质层72的膜厚按每种显示色不相同的构成和/或使第1电极70及第2电极74的面积按每种显示色不相同的构成、以不同的介电常数的材料形成各像素30的电介质层72的构成。
(应用例)
所述的各方式的电光装置100可用于各种电子设备。图7是表示利用了所述的各方式的电光装置100的投影型显示装置(投影机)200的各要件的图。投影型显示装置200包括光源装置300、电光装置100和投影光学系统400。从光源装置300发出的照射光在电光装置100受调制，调制后的照射光介由投影光学系统400投影于投影面500。在投影型显示装置200中，电光装置100作为相应于以图像信号指定的图像对照射光进行调制的要件(光阀)而起作用。
还有，作为可应用本发明涉及的电光装置的电子设备，除了例示于图7的投影型显示装置200之外，还可举出便携信息终端(PDA：Personal Digital Assistants，个人数字助理)、数字静态照相机、电视机、摄像机、汽车导航装置、车载用的显示器(仪表盘)，电子记事本、电子纸、计算器、文字处理机、工作站、可视电话机、POS终端、打印机、扫描仪、复印机、视频播放器、具备有触摸面板的设备等。
符号的说明
10……基板，12……布线层，40……扫描线，50……数据线，60……绝缘层，62……半导体层，64……栅绝缘层，66……栅电极，68……绝缘层，70……第1电极，72……电介质层，74……第2电极，76……绝缘层，77……开口部，78……绝缘层，80……绝缘层，16……像素电极，90……液晶，30(30R、30G、30B)……像素，14……TFT，36……像素电容，32……液晶电容，34……辅助电容，20……基板，22……过滤层，26(26R、26G、26B)……滤色器，28……遮光层，24……对置电极，200……投影型显示装置，100……电光装置，300……光源装置，400……投影光学系统，500……投影面。

Claims (5)

1.一种电光装置，其特征在于，
具备：
第1像素，其包括第1像素电容和控制对于所述第1像素电容的电压的供给及断开的第1开关元件，相应于所述第1像素电容的电压来对绿色光进行调制，和
第2像素，其包括第2像素电容和控制对于所述第2像素电容的电压的供给及断开的第2开关元件，相应于所述第2像素电容的电压来对红色光进行调制；
所述第1像素电容的电容值比所述第2像素电容的电容值大，
所述电光装置还具备第3像素，该第3像素包括第3像素电容和控制对于所述第3像素电容的电压的供给及断开的第3开关元件，相应于所述第3像素电容的电压来对蓝色光进行调制；
所述第3像素电容的电容值与所述第1像素电容的电容值相等。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：
具备第3像素，该第3像素包括第3像素电容和控制对于所述第3像素电容的电压的供给及断开的第3开关元件，相应于所述第3像素电容的电压来对蓝色光进行调制；
所述第3像素电容的电容值比所述第1像素电容的电容值大。
3.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于：
所述第1像素电容及所述第2像素电容的各自包括：在相对置的电极之间夹着液晶的液晶电容和并联地连接于所述液晶电容的辅助电容；
所述液晶电容的电容值在所述第1像素电容与所述第2像素电容中相同；
所述第1像素电容的所述辅助电容的电容值超过所述第2像素电容的电容值。
4.根据权利要求3所述的电光装置，其特征在于：
所述第1像素电容及所述第2像素电容的各自的所述辅助电容包括：
第1电极及第2电极；和
夹于所述第1电极及所述第2电极之间的电介质层；
该电光装置具备绝缘层，该绝缘层关于所述第1像素及所述第2像素的各自形成有开口部，该开口部俯视时内周缘位于所述第1电极及所述第2电极的周缘的内侧；
所述绝缘层之中的所述开口部的周围的部分夹于所述第1电极与所述第2电极之间，对应于所述第1像素的所述开口部的面积比对应于所述第2像素的所述开口部的面积大。
5.一种电子设备，其特征在于：
具备权利要求1～4中的任一项所述的电光装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107357103B (zh) * 2017-07-17 2020-03-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种像素阵列基板及显示器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323698A (ja) * 1999-03-11 2000-11-24 Sharp Corp アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び、該基板を用いたイメージセンサ
JP2003241213A (ja) * 2002-02-18 2003-08-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子及びそれを備えた画像表示応用装置
CN1601361A (zh) * 2003-09-25 2005-03-30 三星电子株式会社 液晶显示器
JP2007047615A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0926564A (ja) * 1995-07-10 1997-01-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JP3688845B2 (ja) 1997-03-12 2005-08-31 富士通株式会社 液晶表示装置
JP2001228491A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP4223993B2 (ja) * 2004-05-25 2009-02-12 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP2006276118A (ja) 2005-03-28 2006-10-12 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
US8841811B2 (en) 2010-08-18 2014-09-23 Remy Technologies Llc Conductor insulation arrangement for an electric machine
JP5772090B2 (ja) 2011-03-11 2015-09-02 セイコーエプソン株式会社 プロジェクター

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323698A (ja) * 1999-03-11 2000-11-24 Sharp Corp アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び、該基板を用いたイメージセンサ
JP2003241213A (ja) * 2002-02-18 2003-08-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子及びそれを備えた画像表示応用装置
CN1601361A (zh) * 2003-09-25 2005-03-30 三星电子株式会社 液晶显示器
JP2007047615A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置

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