CN104978596B - 芯片卡衬底和形成芯片卡衬底的方法 - Google Patents

芯片卡衬底和形成芯片卡衬底的方法 Download PDF

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Abstract

提供一种芯片卡衬底，其包括第一聚合物层，该第一聚合物层包括第一聚合物材料。芯片卡衬底还包括：中介层，布置在第一聚合物层上方并且包括含有多个微孔的聚烯烃；粘附层，布置在中介层上方并且包括粘附剂；以及第二聚合物层，布置在粘附层上方并且包括与第一聚合物材料不同的第二聚合物材料。

Description

芯片卡衬底和形成芯片卡衬底的方法
技术领域
各种实施例总地涉及芯片卡衬底和形成芯片卡衬底的方法。
背景技术
一般而言，集成电路或芯片可以包括在芯片卡衬底中或者位于芯片卡衬底上，该芯片卡衬底通常由塑料材料制成，由此形成所谓的智能卡(以下也称为芯片卡或称为集成电路卡)。可以存在包括例如个人标识或银行业务应用的各种应用。芯片卡典型地包括接触垫片(contact pad)结构，用于将芯片卡电连接到外部设备，例如电连接到读卡器。在不同类型的智能卡之中，存在非接触式智能卡，使得可以使用例如射频的感应技术实现卡数据交换和卡的供电。所谓的双接口卡可以包括接触垫片结构和非接触式接口。芯片卡或芯片卡衬底相应地通常包括多个层。对于芯片卡或芯片卡衬底的技术要求通常包括：即使芯片卡经受外力、化学物质、温度变化等，接合多个层的粘附力也应足够高以防止这些层的剥离。
发明内容
提供一种芯片卡衬底，该芯片卡衬底包括第一聚合物层，该第一聚合物层包括第一聚合物材料。芯片卡衬底还包括中介层、粘附层和第二聚合物层，该中介层布置在第一聚合物层上方并且包括含有多个微孔的聚烯烃，该粘附层布置在中介层上方并且包括粘附剂，该第二聚合物层布置在粘附层上方并且包括与第一聚合物材料不同的第二聚合物材料。
附图说明
在附图中，相同的参考标号贯穿不同视图通常指代相同的部分。附图不一定按比例绘制，而是通常强调图示本发明的原理。在下面的描述中，参照以下附图描述本发明的各种实施例，其中：
图1A示出了根据各种实施例的芯片卡衬底的横截面图，图1B示出了根据各种实施例的芯片卡衬底的放大横截面图；
图2示出了根据各种实施例的芯片卡衬底的横截面图；
图3A示出了根据各种实施例的芯片卡的顶视图，以及图3B示出了沿着线C-C’的图3A的芯片卡的横截面图；
图4示出了用于形成芯片卡衬底的方法的工艺流程。
具体实施方式
下面的具体描述参考通过图示的方式示出其中可以实施本发明的特定细节和实施例的附图。
用语“示例性”这里用来意指“用作示例、实例或说明”。这里描述为“示例性”的任意实施例或设计不一定被认为是比其它实施例或设计优选或有利。
关于在侧或表面“上方”形成的沉积材料使用的用语“上方”这里可以用来意指沉积材料可以“直接形成在所暗指的侧或表面上”，例如与所暗指的侧或表面直接接触。关于在侧或表面“上方”形成的沉积材料使用的用语“上方”这里可以用来意指沉积材料可以在暗指的侧或表面与沉积材料之间布置有一个或多个附加层的情况下“间接地形成在所暗指的侧或表面上”。
这里所述的层的尺寸可以由其在三个正交方向上的尺寸指定，其中层的基本小于其它两个尺寸的尺寸称为层的厚度或高度。其它两个尺寸在层的平面中延伸并且彼此正交且与厚度正交。其它两个尺寸中的平行于层的长边延伸的一个尺寸可以称为层的长度。可以平行于层的短边延伸的另一尺寸可以称为层的宽度。
除非不同地指出，否则术语层、芯片卡衬底或芯片卡的表面、主表面、侧或主侧可以是指层、芯片卡衬底或芯片卡的沿着长度和宽度方向延伸的侧或表面。换言之，这些术语是指层(换言之，衬底，例如卡)的如下侧(换言之，表面)，其覆盖比连接两个侧(换言之，表面)的边缘基本更多的区域。
在各种实施例中，在PET层和PCB层之间的键合或者在PET层和PVC层之间的键合可以分别借助于粘附到PET和中介层的粘附剂和借助于粘附到PCB或PVC的中介层来提供。与两个聚合物层例如PET层和PCB层之间的直接键合相比，通过具有微孔的层可以说明性地改善(间接)键合，这些微孔说明性地提供如下空间，其中在层的一侧上可以(接收并因此)锚定第一聚合物层(例如PCB层)的材料并且在层的相反侧上可以(接收并因此)锚定第二聚合物层(例如PET层)的材料和粘附剂。
在各种实施例中，粘附剂可以选择性地被化学地粘附到第二聚合物层(例如PET层)，而不粘附到第一聚合物层(例如PCB层)。中介层即具有微孔的层可以提供界面层，该界面层可以例如借助于机械粘附进行补偿，例如通过针对粘附剂和第一聚合物层(例如PCB层)之间的化学粘附的选择性缺乏，提供对于第一聚合物层和粘附剂的锚定。
图1A和图1B示出了根据各种实施例的芯片卡衬底100的横截面图。可以示出仅芯片卡衬底100的一部分，和/或可以示出在其形成工艺后的芯片卡衬底100。换言之，完整功能性的芯片卡衬底可以包括其它特征，例如这里未示出的其它层，和/或芯片卡衬底100可以具有更多特征，例如为了形成完整功能性的芯片卡衬底而添加的其它层。
如图1A所示，在各种实施例中，芯片卡衬底100可以包括第一聚合物层102，该第一聚合物层102也称为底部聚合物层102或底部层102。
在各种实施例中，芯片卡衬底100还可以包括布置在第一聚合物层102之上的中介层103。
在各种实施例中，芯片卡衬底100还可以包括布置在中介层103之上的粘附层110。
在各种实施例中，芯片卡衬底100还可以包括第二聚合物层104，该第二聚合物层104也称为天线载体104或中间层104。在各种实施例中，第二聚合物层104可以布置在粘附层110之上。
第一聚合物层102可以具有矩形或方形形状。第一聚合物层102可以具有基本矩形或方形形状。根据各种实施例，第一聚合物层102可以为具有圆化拐角的方形层或矩形层。
在各种实施例中，第一聚合物层102可以具有范围从约1cm到约20cm的长度，例如从约1cm到约3cm或从约5cm到约10cm，例如约8.56cm或约6.6cm或约2.5cm或约1.5cm。
在各种实施例中，第一聚合物层102可以具有范围从约1cm到约10cm的宽度，例如从约1cm到约2cm或从约3cm到约6cm，例如约5.398cm或约3.3cm或约1.5cm或约1.2cm或约4cm。
根据各种实施例，第一聚合物层102可以包括或者可以基本包括以下材料组中的至少一种材料：塑料材料、热塑性材料、柔性材料、聚合物材料、聚酰亚胺、层压材料或例如提供柔性的第一聚合物层102的任意其它合适材料。第一聚合物层102可以包括或基本包括基本无定形热塑性塑料，例如聚氯乙烯或聚碳酸酯。
根据各种实施例，第一聚合物层102可以具有范围从约10μm到约1mm的厚度，例如从约10μm到约200μm，例如从约10μm到约100μm，例如从约50μm的范围，例如大于50μm或小于50μm的厚度。第一聚合物层102可以是箔102，例如聚合物箔102。
第二聚合物层104可以具有矩形或方形形状。第二聚合物层104可以具有基本矩形或方形形状。根据各种实施例，第二聚合物层104可以为具有圆化拐角的方形层或矩形层。
在各种实施例中，第二聚合物层104可以具有范围从约1cm到约20cm的长度，例如从约1cm到约3cm或从约5cm到约10cm，例如约8.56cm或约6.6cm或约2.5cm或约1.5cm。
在各种实施例中，第二聚合物层104可以具有范围从约1cm到约10cm的宽度，例如从约1cm到约2cm或从约3cm到约6cm，例如约5.398cm或约3.3cm或约1.5cm或约1.2cm或约4cm。
在各种实施例中，第二聚合物层104可以包括或者可以基本包括与第一聚合物层102的材料不同并且与第三聚合物层106的材料不同的材料。第二聚合物层104的材料可以包括或可以基本包括以下材料组中的至少一种材料：塑料材料、热塑性材料、柔性材料、聚合物材料、聚酰亚胺、层压材料或被配置为例如借助于刻蚀或印刷而在其上布置天线的任意其它材料。在各种实施例中，第二聚合物层104可以包括或基本包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
根据各种实施例，第二聚合物层104可以具有范围从约10μm到约1mm的厚度，例如从约10μm到约200μm，例如从约10μm到约100μm，例如从约36μm。第二聚合物层104可以是箔104，例如聚合物箔104。
在各种实施例中，第一聚合物层102可以包括或基本包括单个层。在各种实施例中，如图2所示，第一聚合物层102可以包括或基本包括多个层102a、102b、102c、......、102z，例如包括或基本包括多个层102a、102b、102c、......、102z的层堆叠102a-102z。“a”和“z”可以指层堆叠102a-102z的第一层和最后一层。换言之，102a可以在层堆叠102a-102z的一个端部处，而102z可以在层堆叠102a-102z的相反端部处。
多个层102a、102b、102c、......、102z中的每个层的厚度可以是第一聚合物层102的厚度的一小部分。多个层102a、102b、102c、......、102z的厚度之和可以是第一聚合物层102的厚度。在各种实施例中，多个层102a、102b、102c、......、102z中的至少一个层可以具有芯片卡衬底和/或芯片卡的长度和宽度。在各种实施例中，多个层102a、102b、102c、......、102z中的一个或多个层可以比芯片卡衬底和/或芯片卡的长度短。在各种实施例中，多个层102a、102b、102c、......、102z中的一个或多个层可以比芯片卡衬底和/或芯片卡的宽度小一些。换言之，在各种实施例中，至少一个层102a、102b、102c、......、102z可以分别具有不同于该长度和/或宽度的长度和/或宽度。在各种实施例中，所有层102a、102b、102c、......、102z可以具有相同的长度和/或相同的宽度。
第一聚合物层102可以包括多于一种类型的材料。在各种实施例中，层堆叠102a-102z可以包括第一材料的层102a、......、102z和第二材料的另一层102a、......、102z。在各种实施例中，第一聚合物层102可以例如包括(纯)金属层102a、......、102z或金属合金层102a、......、102z和聚合物层102a、......、102z。作为示例，层102a、......、102z之一可以部分或全部地包括或基本包括金属或金属合金。层102a、......、102z例如可以包括金属屏蔽结构，用于保护芯片卡的部分和/或区域免于电磁辐射。在各种实施例中，第一聚合物层102可以包括纸层。在各种实施例中，第一聚合物层102可以包括电容器结构。在各种实施例中，不同层102a、......、102z可以包括不同的结构，例如层102a、102c和102e可以包括或基本包括聚碳酸酯层，层102b可以包括屏蔽结构，而层102d可以包括电容器结构。
在各种实施例中，第一聚合物层102例如可以包括至少一个接触垫片(未示出)，例如两个接触垫片，例如三个接触垫片，例如四个接触垫片，例如五个接触垫片，例如六个接触垫片，例如七个接触垫片，例如八个接触垫片，例如九个接触垫片，例如十个接触垫片，或者甚至多于十个接触垫片。接触垫片可以在第一聚合物层102的一个主表面或两个主表面上露出。接触垫片可以根据标准ISO 7816布置。
在各种实施例中，如图2所示，第二聚合物层104可以包括或包含单个层。在各种实施例中，第二聚合物层104可以包括或包含多个层104a、104b、104c、......、104z，例如包括或包含多个层104a、104b、104c、......、104z的层堆叠104a-104z。
多个层104a、104b、104c、......、104z中的每个层的厚度可以是第二聚合物层104的厚度的一小部分，其中层104a、104b、104c、......、104z的厚度之和可以是第二聚合物层104的厚度。在各种实施例中，多个层104a、104b、104c、......、104z中的至少一个层可以具有最大长度和最大宽度，其中最大长度可以是芯片卡衬底和/或芯片卡的最终长度，并且其中最大宽度可以是芯片卡衬底和/或芯片卡的最终宽度。在各种实施例中，所有层104a、104b、104c、......、104z可以具有相同的长度和/或相同的宽度。在各种实施例中，至少一个层104a、104b、104c、......、104z可以分别具有不同于最大长度和/或最大宽度的长度和/或宽度。
第二聚合物层104可以包括多于一种类型的材料。在各种实施例中，层堆叠104a-104z例如可以包括一种材料的层104a、104b、104c、......、104z和不同材料的另一层104a、104b、104c、......、104z。在各种实施例中，至少层104a、104b、104c、......、104z之一的材料可以不同于第一聚合物层102的所有材料并且不同于第三聚合物层106的所有材料。层堆叠104a-104z可以包括金属层104a、104b、104c、......、104z或金属合金层104a、104b、104c、......、104z和聚合物层104a、104b、104c、......、104z。作为示例，层104a、104b、104c、......、104z之一可以包括金属或金属合金。层104a、104b、104c、......、104z例如可以包括天线。第二聚合物层104例如可以包括至少一个接触垫片，例如两个接触垫片，例如三个接触垫片，例如四个接触垫片，例如五个接触垫片，例如六个接触垫片，例如七个接触垫片，例如八个接触垫片，例如九个接触垫片，例如十个接触垫片，或者甚至多于十个接触垫片。接触垫片可以导电连接到天线。在各种实施例中，层104a、104b、104c、......、104z中的至少一个例如可以包括金属屏蔽结构，用于保护芯片卡的部分/区域免于电磁辐射。在各种实施例中，第二聚合物层104可以包括纸层。在各种实施例中，第二聚合物层104可以包括电容器结构。在各种实施例中，不同层104a、104b、104c、......、104z可以包括不同结构，例如层104a和104c可以均包括或包含一个天线330，而层104b可以包括或包含PET。
在各种实施例中，粘附层110可以包括或基本包括粘附材料，也称为粘附剂。在各种实施例中，第二聚合物层104的层堆叠104a-104z的第一层104a可以与粘附层110接触例如物理接触。在各种实施例中，第二聚合物层104的层堆叠104a-104z的最后一层104z可以与粘附层110接触例如物理接触。在各种实施例中，第二聚合物层104的层堆叠104a-104z的一个或多个其它层例如层104b、层104y等可以与粘附层110接触例如物理接触。在各种实施例中，粘附层110例如可以与中介层103物理接触。
在各种实施例中，粘附层110的粘附剂可以被配置成粘附到第二聚合物层104的至少一种材料。粘附层110可以例如与粘附剂被配置粘附到的第二聚合物层104的材料进行物理接触。粘附剂可以被配置为粘附到第二聚合物层104的聚合物材料。粘附剂可以被适于配置成粘附到第二聚合物层104的PET层。PET层例如可以是图1A和图1B中的层104a。粘附层110例如可以与PET层104a物理接触。
在各种实施例中，粘附剂还可以被配置为粘附到热塑性有机聚合物，例如粘附到难溶于水的热塑性有机聚合物。粘附剂例如可以被配置为粘附到聚烯烃，例如粘附到微孔聚烯烃。在各种实施例中，粘附剂可以被配置为粘附到聚乙烯。粘附剂可以被配置为粘附到微孔聚乙烯。粘附剂可以被配置为粘附到中介层103的材料。粘附剂可以被配置为粘附到中介层103。
粘附剂材料可以被配置为经受被施加到芯片卡衬底100的热工艺，例如层压工艺，而保留或恢复其物理和化学性质，例如其粘附强度等。换言之，粘附剂可以被配置为被加热到例如其软化温度，或被加热到其熔融温度，例如被加热到高达200℃的温度，而保持其粘附特性、张力强度等或在冷却后重新获得它们。
在各种实施例中，粘附层110可以具有范围从约1μm到约200μm的厚度，例如从约10μm到约100μm，例如50μm左右。
在各种实施例中，粘附层110可以具有范围从约1cm到约20cm的长度，例如从约1cm到约3cm或从约5cm到约10cm，例如约8.56cm或约6.6cm或约2.5cm或约1.5cm。
在各种实施例中，粘附层110可以具有范围从约1cm到约10cm的宽度，例如从约1cm到约2cm或从约3cm到约6cm，例如约5.398cm或约3.3cm或约1.5cm或约1.2cm或约4cm。
在各种实施例中，粘附层的长度和/或宽度可以分别与第二聚合物层104(例如第二聚合物层104的聚合物层104a)的长度和/或宽度相同或大致相同。
在各种实施例中，粘附剂可以包括或基本包括胶。在各种实施例中，粘附剂可以包括或基本包括聚乙烯醇(PVA)。
在各种实施例中，粘附剂可以布置于在溶剂中稀释的第二聚合物层104上方，并且可以去除溶剂。以此方式，可以在第二聚合物层104上方形成粘附层110。例如，可以在第二聚合物层104上溅射、滚刷或印刷粘附剂。在各种实施例中，例如以与所述用于在第二聚合物层104上方布置粘附剂的类似方式，可以将粘附剂布置在中介层103上方。以此方式，粘附层110可以形成在中介层103上方。在各种实施例中，粘附层110可以是布置在中介层103上方的箔。该箔可以布置在中介层103与第二聚合物层104之间。
在各种实施例中，中介层103可以布置在第一聚合物层102与第二聚合物层104之间。在各种实施例中，粘附层110可以布置在中介层103与第二聚合物层104之间。
在各种实施例中，中介层103可以包括或基本包括热塑性有机聚合物，例如难溶于水的热塑性有机聚合物。中介层103可以例如包括或基本包括聚烯烃。在各种实施例中，中介层103可以包括或基本包括聚乙烯。中介层103可以例如包括重量比约为30％到50％之间的聚烯烃(例如聚乙烯)。
在各种实施例中，中介层103的体积的很大部分可以包括多个微小孔108，也称为微孔108或称为孔108。例如，微小孔108所占的中介层103的体积可以在约50％到约80％的范围、例如约65％。孔108可以彼此连接。在各种实施例中，每个微孔108可以基本为球形。在各种实施例中，每个微孔108可以具有任意形状。在各种实施例中，中介层103可以具有两个主表面113、123。在各种实施例中，孔108的至少一部分可以与主表面113连接，并且孔108的至少一部分可以与另一主表面123连接。中介层103的材料和/或中介层103的结构也可以称为微孔性的。
在各种实施例中，微小孔108可以具有范围从约0.6μm到约50μm的平均尺寸，例如从约1μm到约40μm，例如从约2μm到约30μm。
在各种实施例中，中介层103可以包括或基本包括合成纸。
在各种实施例中，中介层103可以包括或基本包括微孔性聚乙烯。在各种实施例中，中介层103还可以包括二氧化硅SiO2。中介层103例如可以包括重量比约为50％到70％之间的二氧化硅。中介层103例如可以基本包括约40％的聚乙烯和约60％的二氧化硅(相应重量比)的组合。可以形成微孔性结构，使得约50％到80％的体积填充有气体介质例如空气。约50％到80％的体积可以填充有周围介质例如空气。例如中介层103的约65％的体积可以填充有气体介质例如空气。例如，中介层103的约65％的体积可以填充有周围介质例如空气。
在各种实施例中，中介层103可以包括或基本包括
在各种实施例中，中介层103的厚度的范围可以从约50μm到约300μm，例如从约100μm到约200μm，例如180μm左右。
在各种实施例中，可以形成借助于粘附层110的在第二聚合物层104的聚合物层104b与中间层103之间的粘附、即粘附键合。该键合可以借助于层压、例如通过热和压力的组合来形成。
在各种实施例中，第一聚合物层102的材料的软化温度可以低于第二聚合物层104的聚合物层104b的软化温度。在各种实施例中，第一聚合物层102的材料的软化温度可以低于中介层103的软化温度。
在各种实施例中，第一聚合物层102的材料的熔融温度可以低于第二聚合物层104的聚合物层104a的熔融温度。在各种实施例中，第一聚合物层102的材料的熔融温度可以低于中介层103的熔融温度。
在各种实施例中，粘附层110的材料的软化温度可以低于第二聚合物层104的聚合物层104a的软化温度。在各种实施例中，粘附层110的材料的软化温度可以低于中介层103的软化温度。
在各种实施例中，粘附层110的材料的熔融温度可以低于第二聚合物层104的聚合物层104a的熔融温度。在各种实施例中，粘附层110的材料的熔融温度可以低于中介层103的熔融温度。
在各种实施例中，第一聚合物层102的材料的软化温度和粘附层110的材料的软化温度可以是可比较的，例如，第一聚合物层102的材料的软化温度和粘附层110的材料的软化温度可以相差不大于这两者中的较高温度的30％，例如不大于20％，例如不大于10％。
在各种实施例中，第一聚合物层102的材料的熔融温度和粘附层110的材料的熔融温度可以是可比较的，例如第一聚合物层102的材料的熔融温度和粘附层110的材料的熔融温度可以相差不大于这两者中以摄氏度测量的较高温度的30％，例如不大于20％，例如不大于10％。在各种实施例中，粘附层110的材料的熔融温度和/或软化温度可以相差大于30％。
在各种实施例中，如示出中介层103的区域的放大视图的图1B所示，中介层103可以布置在第一聚合物层102与粘附层110之间。中介层103可以包括微孔108，使得它形成微孔性结构。当中介层103首先布置在第一聚合物层102之上并且粘附层110布置在中介层103之上时，这些层可以在层堆叠中位于彼此之上而无需键合(图1B，左侧)。
图1B(右侧)示出在键合之后、例如在层压之后的从图1B(左侧)的层堆叠。层堆叠例如已被加热和/或按压。
在各种实施例中，在借助于中介层103和粘附层110的对第一聚合物层102和第二聚合物层104的键合期间，可以选择用于键合、例如用于层压的温度，使得粘附层110和第一聚合物层102可以达到其相应软化点以上的温度或者其相应熔融点以上的温度，而第二聚合物层104的聚合物层104a和中介层103达到其相应软化温度以下的最高温度。由此并且在各种实施例中，附加地借助于施加到层堆叠的按压，软化的第一聚合物层102可以部分地强加到如下微孔108中，该微孔108形成在中介层103中并且与中介层103的表面113连接，其中中介层103的表面113可以面向第一聚合物层102，并且软化的粘附层110可以部分地强加到如下微孔108中，该微孔108形成在中介层103中并且与中介层103的另一表面123连接，其中中介层103的表面123可以面向第二聚合物层104并且面向粘附层110。在各种实施例中，在温度的降低之后，粘附层110的材料和第一聚合物层102的材料可以再次硬化并且分别形成在第一聚合物层102与中介层103之间以及在中介层103与第二聚合物层104之间的粘附键合。在第一聚合物层102与中介层103之间的粘附键合可以包括借助于被强加到微孔108中并且在那里被硬化的第一聚合物层102的软化材料而在第一聚合物层102的材料与中介层103的材料之间的机械粘附。在第一聚合物层102与中介层103之间的粘附键合也可以包括在第一聚合物层102的材料与中介层103的材料之间的化学粘附。
在第二聚合物层104与中介层103之间的粘附键合可以包括借助于被强加到微孔108中且在那里被硬化的粘附层110的软化材料而在粘附层110的材料与中介层103的材料之间的机械粘附。在第二聚合物层104与中介层103之间的粘附键合也可以包括在粘附层110的材料与中介层103的材料之间的化学粘附。在第二聚合物层104与中介层103之间的粘附键合也可以包括在第二聚合物层104的材料与粘附层110之间的化学粘附。
在各种实施例中，层堆叠可以包括第一聚合物层102、中介层103、粘附层110和第二聚合物层104。在各种实施例中，层堆叠可以被键合以形成键合的层堆叠。在各种实施例中，所有层可以被加热到大致相同的温度，并且可以选择层的相应材料使得第一聚合物层102和粘附层110在所选温度处软化，同时中介层103和第二聚合物层104的聚合物层104b不达到其相应的软化点。
在各种实施例中，层堆叠可以包括第一聚合物层102、中介层103、粘附层110和第二聚合物层104。在各种实施例中，层堆叠可以被键合以形成键合的层堆叠。在各种实施例中，可以在层堆叠中形成温度梯度。在各种实施例中，粘附层110的材料和第一聚合物层102的材料中的一种材料可以具有更高的软化温度和/或更高的熔融温度，换言之，具有比粘附层110的材料和第一聚合物层102的材料中的另一种材料更高的耐热性。在各种实施例中，可以形成热梯度，使得具有更高耐热性的材料被加热到比粘附层110的材料和第一聚合物层102的材料中的另一种材料更高的温度。例如，如果粘附层110的材料的软化和/或熔融温度高于第一聚合物层102的材料的软化和/或熔融温度，则可以从第二聚合物层104的方向施加热。
在各种实施例中，芯片卡衬底100的键合可以不在单一键合期间执行，而可以在键合的两个或更多个阶段中执行。作为示例，对于第一键合，如果粘附层110的材料的软化和/或熔融温度高于第一聚合物层102的材料的软化和/或熔融温度，则层堆叠可以包括中介层103和包括粘附层110的第二聚合物层104。包括中介层103、粘附层110和第二聚合物层104的层堆叠可以被加热和/或按压，使得中介层103和第二聚合物层104借助于粘附层110而键合，形成预键合的堆叠。然后预键合的堆叠可以布置在第一聚合物层102上方，由此形成另一层堆叠。然后可以通过加热该堆叠或至少第一聚合物层102到第一聚合物层102的软化和/或熔融温度以及可任选地通过按压该堆叠来键合另一层堆叠。作为另一示例，对于第一键合，如果粘附层110的材料的软化和/或熔融温度低于第一聚合物层102的材料的软化和/或熔融温度，则层堆叠可以包括中介层103和第一聚合物层102，并且可以如上所述执行预键合的堆叠的形成和键合的堆叠的形成。
图2示出了根据各种实施例的芯片卡衬底200的横截面图。
芯片卡衬底200可以包括在芯片卡中。
如图2所示，在各种实施例中，芯片卡衬底200可以包括第一聚合物层102、第二聚合物层104、第三聚合物层106、中介层103、粘附层110、另一粘附层112和另一中介层105。针对芯片卡衬底100结合图1A和/或图1B所示和所述的层、材料、性质、位置等对于这里针对芯片卡衬底200所示和所述的相应层可以是相同或类似的。
芯片卡衬底200可以被认为示出了芯片卡衬底100的所有层，和/或该芯片卡衬底可以表示在芯片卡衬底100的进一步处理之后的芯片卡衬底。第一芯片卡衬底100和第二芯片卡衬底200可以不同之处在于，第二芯片卡衬底200包括另一粘附层112、另一中介层105和第三聚合物层106。
在各种实施例中，第二聚合物层104可以布置在第一聚合物层102上方，第三聚合物层106可以布置在第二聚合物层104上方，中介层103可以布置在第一聚合物层102和第二聚合物层104之间。另一中介层105可以布置在第二聚合物层104与第三聚合物层106之间。粘附层110可以布置在中介层103与第二聚合物层104之间，并且另一粘附层112可以布置在另一中介层105与第二聚合物层104之间。
换言之，中介层103可以布置在第一聚合物层102上方，粘附层110可以布置在中介层103上方，第二聚合物层104可以布置在粘附层110上方，另一粘附层112可以布置在第二聚合物层104上方，另一中介层105可以布置在另一粘附层112上方，并且第三聚合物层106可以布置在另一中介层105上方。
在各种实施例中，另一粘附层112的性质基本上可以与粘附层110的性质相同或类似，例如另一粘附层112的材料可以具有与粘附层110的材料基本相同的性质例如粘附性质。另一粘附层112的材料可以与粘附层110的材料基本相同。另一粘附层112可以以结合粘附层110在中介层103与第二聚合物层104之间的布置所描述的任意方式，类似地布置在第二聚合物层104与另一中介层105之间。另一粘附层111例如可以与第二聚合物层104物理接触，例如与第二聚合物层104的最后一层104z或者与第二聚合物层104的第一层104a以及/或者与第二聚合物层的其它层例如层104y或104b进行物理接触。粘附层112可以与另一中介层105例如物理接触。
在各种实施例中，可以以与上述借助于中介层103和粘附层110而在第一聚合物层102与第二聚合物层104之间键合相同的方式，来得到借助于另一中介层105与另一粘附层112而在第二聚合物层104与第三聚合物层106之间的键合。
在各种实施例中，层堆叠的键合例如可以包括将整个层堆叠加热到一个公共温度。这一个公共温度可以在粘附层110和112的材料的软化温度以上或熔融温度以上，以及在第一聚合物层102和第三聚合物层103的材料的软化温度以上或熔融温度以上。这一个公共温度可以在第二聚合物层的材料的软化温度以下，即，在层104a、......、104z的软化点以下以及在中介层103和另一中介层105的材料的软化温度以下。
在各种实施例中，可以在层堆叠中形成温度梯度，例如在中间聚合物层104处或附近达到的温度可以分别低于底部聚合物层102所达到的温度和/或低于顶部聚合物层106所达到的温度。可以形成温度梯度并且可以选择层的材料，使得在底部层102和顶部层106处以及在粘附层110和112处的温度分别达到或超过软化温度或熔融温度，但在中介层103、105处和在中间聚合物层104处的温度不达到或超过软化温度。
在各种实施例中，当粘附层110和112、第一聚合物层102以及第三聚合物层106中的至少一个被软化或熔融时，可以在按压下设置层堆叠。
在各种实施例中，层堆叠的键合或层压可以在两个或更多个工艺中执行，例如在第一键合期间可以分别借助于粘附层110、112，例如借助于加热和/或借助于按压，将中介层103、105与中间聚合物层104键合，由此形成预键合的堆叠，以及在第二键合期间可以借助于加热和/或借助于按压来将预键合的堆叠键合到第一聚合物层102和第三聚合物层106。
在各种实施例中，芯片卡衬底200可以通过如图2所示形成键合的层堆叠来得到。键合的层堆叠例如可以包括底部聚合物层102和顶部聚合物层106以及在它们之间的中间聚合物层104。这些聚合物层可以分别借助于粘附层110和112以及借助于中介层103和105来键合。换言之，聚合物层102和中间聚合物层104之间的键合可以通过将底部聚合物层102键合到中介层103、通过借助于粘附层110将中介层103键合到中间聚合物层104、通过借助于另一粘附层112将中间聚合物层键合到另一中介层105以及通过将另一中介层105键合到顶部聚合物层106来实现。键合例如可以借助于上述层压来执行。换言之，键合例如可以借助于上述层压工艺来实现。
在各种实施例中，另一中介层105的性质可以与中介层103的性质相同或类似，例如另一中介层105的材料、厚度、结构等可以与中介层103的材料、厚度、结构等相同。
第三聚合物层106可以具有矩形或方形形状。第三聚合物层106可以具有基本矩形或方形形状。第三聚合物层106可以具有矩形或方形形状。根据各种实施例，第三聚合物层106可以为具有圆化拐角的方形层或矩形层。
在各种实施例中，第三聚合物层106可以具有范围从约1cm到约20cm的长度，例如从约1cm到约3cm或从约5cm到约10cm，例如约8.56cm或约6.6cm或约2.5cm或约1.5cm。
在各种实施例中，第三聚合物层106可以具有范围从约1cm到约10cm的宽度，例如从约1cm到约2cm或从约3cm到约6cm，例如约5.398cm或约3.3cm或约1.5cm或约1.2cm或约4cm。
在各种实施例中，至少第一聚合物层102和第三聚合物层106可以具有8.56cm的长度和5.398cm的宽度，或者至少第一聚合物层102和第三聚合物层106可以具有6.6cm的长度和3.3cm的宽度，或者至少第一聚合物层102和第三聚合物层106可以具有2.5cm的长度和1.5cm的宽度，或者至少第一聚合物层102和第三聚合物层106可以具有1.5cm的长度和1.2cm的宽度，或者至少第一聚合物层102和第三聚合物层106可以具有6.56cm的长度和4cm的宽度。
在各种实施例中，芯片卡衬底200可以具有范围从约0.3mm到约2mm的厚度，例如从约0.5mm到约1mm，例如约0.762mm的厚度，其中芯片卡衬底200可以包括第一聚合物层102、第二聚合物层104、第三聚合物层106、粘附层110、另一粘附层112、中介层103和另一中介层105。
根据各种实施例，第三聚合物层106可以包括或可以基本包括与第一聚合物层102相同的材料。在各种实施例中，第一聚合物层102和第三聚合物层106可以包括或基本包括不同材料。第三聚合物层106可以包括或可以基本包括以下材料组中的至少一种材料：塑料材料、热塑性材料、柔性材料、聚合物材料、聚酰亚胺、层压材料或提供例如柔性的第三聚合物层106的任何其它合适材料。在各种实施例中，第三聚合物层106可以包括或基本包括基本无定形热塑性塑料，例如聚氯乙烯或聚碳酸酯。如果第一聚合物层102包括或基本包括聚氯乙烯，则第三聚合物层106可以包括或基本包括聚氯乙烯。如果第一聚合物层102包括或基本包括聚碳酸酯，则第三聚合物层106可以包括或基本包括聚碳酸酯。
根据各种实施例，第三聚合物层106可以具有范围从约10μm到约1mm的厚度，例如范围从约10μm到约200μm，例如范围从约10μm到约100μm，例如从约50μm的范围，例如，大于50μm或小于50μm的厚度。第三聚合物层106可以是箔106，例如聚合物箔106。
在各种实施例中，如图2所示，第三聚合物层106可以包括或包含单个层。在各种实施例中，第三聚合物层106可以包括或包含多个层106a、106b、106c、......、106z，例如包括或包含多个层106a、106b、106c、......、106z的层堆叠106a-106z。“a”和“z”可以是指层堆叠106a-106z的第一层和最后一层。换言之，106a可以在层堆叠106a-106z的一端处，而106z可以在层堆叠106a-106z的另一端处。
多个层106a、106b、106c、......、106z中的每个层的厚度可以是第三层106的厚度的一小部分。多个层106a、106b、106c、......、106z的厚度之和可以是第三层106的厚度。在各种实施例中，多个层106a、106b、106c、......、106z中的至少一个层可以具有芯片卡衬底和/或芯片卡的长度以及芯片卡衬底和/或芯片卡的宽度。在各种实施例中，至少一个层106a、106b、106c、......、106z可以分别具有与芯片卡衬底和/或芯片卡的长度和/或宽度不同的长度和/或宽度。
在各种实施例中，所有层106a、106b、106c、......、106z可以具有相同的长度和/或相同的宽度。
第三聚合物层106可以包括多于一种类型的材料。在各种实施例中，层堆叠106a-106z可以包括第一材料的层106a、......、106z和第二材料的另一层106a、......、106z。在各种实施例中，第三聚合物层106例如可以包括金属层106a、......、106z或金属合金层106a、......、106z和聚合物106a、......、106z。作为示例，层106a、......、106z之一可以部分或全部地包括或基本包括金属或金属合金。层106a、......、106z可以包括例如金属屏蔽结构，用于保护芯片卡的部分和/或区域免于电磁辐射。在各种实施例中，第三聚合物层106可以包括纸层。在各种实施例中，第三聚合物层106可以包括电容器结构。在各种实施例中，不同层106a、......、106z可以包括不同结构，例如层106a、106c和106e可以包括或基本包括聚碳酸酯层，层106b可以包括屏蔽结构，而层106d可以包括电容器结构。
在各种实施例中，第三聚合物层106可以包括例如至少一个接触垫片，例如两个接触垫片，例如三个接触垫片，例如四个接触垫片，例如五个接触垫片，例如六个接触垫片，例如七个接触垫片，例如八个接触垫片，例如九个接触垫片，例如十个接触垫片，或者甚至多于十个接触垫片。接触垫片可以在第三聚合物层106的一个主表面或两个主表面上露出。接触垫片可以根据标准ISO 7816布置。
层堆叠102a-102z的多个层102a、......、102z的彼此键合，不管这是否发生在层堆叠102a-102z键合到芯片卡衬底的其它层期间，都是本领域公知的并且与本发明无关。这同样适用于层堆叠104a-104z的多个层104a、......、104z的彼此键合以及层堆叠106a-106z的多个层106a、......、106z的彼此键合。
在各种实施例中，天线载体104可以包括天线330。在各种实施例中，天线330可以形成在天线载体104上或上方。在各种实施例中，天线330可以形成在天线载体104内。换言之，天线104即天线结构104可以形成为第二聚合物层104的中介层104x，其中x即不是“a”也不是“z”。天线330的形状可以为矩形，例如方形。换言之，天线线路330，也称为线路330，例如传导材料的线路330，可以设置在天线载体104上或天线载体104上方或天线载体104内。线路330可以布置成方形或矩形形状。
在各种实施例中，天线330的形状可以为圆形、椭圆形、三角形、五角形或多角形。
在各种实施例中，线路330的端部可以不接合，即方形、矩形、圆形、椭圆形、三角形、五角形或多角形可以不闭合。
在各种实施例中，天线330可以包括或基本包括单一传导天线线路330。在各种实施例中，线路330可以绕矩形或方形的周长多于一次，例如两次或更多次。线路330的对应多重部分也可以称为天线迹线。在各种实施例中，该多重的传导线路330可以彼此邻近。
天线330可以具有内径，即靠近天线载体104的相对边缘而布置的线路330的最内部分330i即最内天线迹线330i之间的最小距离，范围从约2mm到约5cm，例如从约3cm到约4.5cm，或例如从约0.8cm到约3.5cm。
根据各种实施例，天线330的宽度的范围可以从约0.2mm到约5mm，例如从约0.5mm到约3mm，例如从约0.75mm到约1.5mm，例如约1mm。
在各种实施例中，天线330的厚度的范围可以从约1μm到约100μm，例如从约5μm到约50μm，例如从约10μm到约20μm，例如约15μm。
在各种实施例中，天线330可以通过使用铝或铜刻蚀技术来制作，使得天线330可以包括铝或铜。在各种实施例中，天线330可以基本包括传导材料，例如包括Cu、Al、Au、Ag、Pt、Ti、Ni、Sn、Zn、Pb、CuNi中的至少一种的金属、金属合金、金属材料、金属化合物，或任何非金属导电材料例如石墨。在各种实施例中，天线330可以包括构图的层，例如构图的金属层，例如构图的铜层(例如通过使用铜刻蚀技术而提供)。在各种实施例中，天线330可以例如使用Ag浆印刷。
根据各种实施例，如前面所述的天线330的例如在形状、厚度、应用材料、应用结构中的配置可以允许天线330是柔性的，使得如果天线载体104例如由于机械负载而弯曲则天线330可以耐受变形。
根据各种实施例，天线330可以借助于刻蚀被附接到天线载体104。天线330也可以借助于粘附剂、焊接、模制、印刷等被附接到天线载体104。
在各种实施例中，接触垫片332可以形成在天线载体104上或上方。布置在天线载体104上的天线330可以具有到至少一个接触垫片332的导电连接。
在各种实施例中，接触垫片可以形成在第二聚合物层104的与天线330的相同侧上。在各种实施例中，接触垫片332可以形成在第二聚合物层104的天线330未形成于其上的侧上。在各种实施例中，接触垫片332可以借助于通过第二聚合物层104的过孔而连接到天线330。
在各种实施例中，可以在天线载体104上或在天线载体104上方或在天线载体104内形成多个天线330。例如，可以提供芯片卡主天线330和增益天线330，用于在芯片550(见图3A和/或图3B)和芯片卡主天线330之间的信息的非接触式传输。
在各种实施例中，天线330可以被附接到天线载体104的前侧和天线载体104的后侧中的至少一个。如果并且当将安装芯片550时，前侧可以定义为将面向芯片550的天线载体104的侧。后侧可以定义为与第二聚合物层104的前侧相反的第二聚合物层104的侧。
如果形成多个天线330，则天线330可以形成在天线载体104的两侧上，或者所有天线330可以形成在天线载体104的相同侧上。
在各种实施例中，多个芯片卡衬底200可以在共同工艺中形成，例如通过形成片(sheet)的堆叠。片的堆叠可以包括：包括多个第一聚合物层102的片、包括多个第二聚合物层104的片、包括多个第三聚合物层106的片、包括多个中介层103的片、包括多个中介层105的片以及粘附层110和112，该粘附层110和112以使得粘附剂形成在中介层103的片与第二聚合物层104的片之间以及在中介层105的片与第二聚合物层104的片之间的粘附剂片状层的方式形成在中介层103的片、中介层105的片和/或第二聚合物层104的片上方。
第一聚合物层102的片可以包括布置在平面中的多个第一聚合物层102。在各种实施例中，第一聚合物层102的片可以包括或基本包括第一聚合物层102的两维阵列。
第二聚合物层104的片可以包括布置在平面中的多个第二聚合物层104。在各种实施例中，第二聚合物层104的片可以包括或基本包括第二聚合物层104的两维阵列。
第三聚合物层106的片可以包括布置在平面中的多个第三聚合物层106。在各种实施例中，第三聚合物层106的片可以包括或基本包括第三聚合物层106的两维阵列。
中介层103的片可以包括布置在平面中的多个中介层103。在各种实施例中，中介层103的片可以包括或基本包括中介层103的两维阵列。
另一中介层105的片可以包括布置在平面中的多个另一中介层105。在各种实施例中，另一中介层105的片可以包括或基本包括另一中介层105的两维阵列。
在各种实施例中，粘附剂可以布置在中介层103的一侧上，例如在中介层103的面对第二聚合物层104的侧上。在各种实施例中，粘附剂可以布置在第二聚合物层104的一侧上，例如在第二聚合物层104的面对中介层103的侧上。在各种实施例中，粘附剂可以例如借助于溅射、印刷、沉积等而布置在中介层103上或第二聚合物层104上，由此形成包括多个粘附层110的片。片例如包括多个粘附层110的单独片可以形成并布置在中介层103与第二聚合物层104之间。
在各种实施例中，粘附剂可以布置在中介层105的一侧上，例如在中介层105的面对第二聚合物层104的侧上。粘附剂可以布置在第二聚合物层104的一侧上，例如在第二聚合物层104的面对中介层105的侧上。粘附剂可以例如借助于溅射、印刷、沉积等而布置在中介层105上或第二聚合物层104上，由此形成包括多个粘附层112的片。片例如包括多个粘附层112的单独片可以形成并布置在中介层105和第二聚合物层104之间。
在各种实施例中，可以键合片的堆叠。键合的片堆叠可以包括多个芯片卡衬底200。
在各种实施例中，键合的片堆叠可以分离成多个单独的芯片卡衬底，例如分离成芯片卡衬底200，如图2所示。换言之，可以对片的堆叠执行键合，之后可以将键合的片分离成单独的芯片卡衬底200。分离例如可以借助于切割、激光切割、冲压、锯切等执行。
图3A示出根据各种实施例的芯片卡300的顶视图，而图3B示出沿着线C-C’的图3A的芯片卡300的横截面图。
在各种实施例中，芯片卡300可以使用结合前面附图的实施例描述的任何方法、结构、层、部分、材料、参数等来形成。芯片卡300可以被认为是芯片卡衬底，该芯片卡衬底可以包括芯片550并且还可以包括可与芯片550一起使用的附加结构，例如附加接触结构或支撑结构等。芯片卡衬底可以包括第一聚合物层102、第二聚合物层104和第三聚合物层106。它们可以分别对应于在前述实施例中描述的第一聚合物层102、第二聚合物层104和第三聚合物层106。在各种实施例中，芯片卡300还可以包括至少一个天线330和接触垫片332。天线330和接触垫片332可以与针对前述实施例所述的(多个)天线330和接触垫片332一致。
根据各种实施例，芯片550可以包括集成电路、电子电路、存储器芯片、RFID芯片(射频识别芯片)或任何其它类型的芯片中的至少一种。
在各种实施例中，芯片550可以包括体硅层，例如硅衬底或硅晶片。芯片550的体硅层的厚度可以在从约10μm到约200μm的范围内，例如在从约20μm到约100μm的范围内，例如在从约30μm到约80μm的范围内，例如在从约50μm的范围内，例如等于或小于50μm的厚度，例如48μm。
在各种实施例中，芯片550可以包括至少一个金属化层。
在各种实施例中，芯片550可以布置在天线载体104的与天线330的相同侧上。在各种实施例中，芯片550可以布置在天线载体104的相反侧上。在这种情况下，芯片550可以借助于过孔、例如借助于通过天线载体104的过孔以及借助于接触垫片332而电连接到天线330。
在各种实施例中，芯片550可以包括至少一个芯片接触。该至少一个芯片接触中的至少一个可以提供如上所述的布置在第二聚合物层104上的至少一个接触垫片332与芯片550之间的导电连接。在各种实施例中，芯片550可以包括至少一个芯片接触。该至少一个芯片接触中的至少一个可以提供如上所述的例如经由布置在第二聚合物层104上的至少一个接触垫片332的在芯片550与天线330之间的导电连接。在各种实施例中，芯片550可以包括至少一个芯片接触332。该至少一个芯片接触332中的至少一个可以例如在附加接触垫片结构布置在第二聚合物层104的后侧上的情况下提供在芯片550与芯片卡300的附加结构之间的导电连接。
在各种实施例中，芯片550可以具有一个或多个芯片接触垫片。在多于一个的芯片接触垫片的情况下，多个芯片接触垫片可以布置成列和行，例如两列和两行，例如两列和三行，等等。接触垫片可以根据标准ISO 7816布置。在各种实施例中，芯片接触垫片可以包括或基本包括传导材料，例如包括Cu、Al、Au、Ag、Pt、Ti、Ni、Sn、Zn、Pb中的至少一种的金属、金属合金、金属材料、金属化合物，或任何非金属导电材料例如石墨。(多个)芯片接触垫片可以通过至少一个芯片垫片332中的一个或多个电连接到芯片。芯片接触垫片可以具有横向延伸，该横向延伸的范围在约10μm到约1000μm，例如在约200μm到约800μm，例如在约300μm到约700μm，例如在约400μm到约600μm，例如在约500μm。在各种实施例中，芯片接触垫片可以露出，即它们可以面向芯片卡300的外部，并且聚合物层例如第三聚合物层或更通常而言将布置成覆盖芯片550的第一聚合物层102和第三聚合物层106之一可以具有剪切部(cutout)，该剪切部形成为使得芯片接触垫片至少部分地未由聚合物层102或106覆盖，使得芯片550可以电连接到外围结构，例如电连接到数据读取器件、编程器件等。
在各种实施例中，例如可以通过使用粘附剂例如胶，通过熔融、模制或焊接，将芯片550附接到天线载体104。
在各种实施例中，芯片550可以包括芯片支撑结构，其中安装功能性芯片本身(即已编程和/或可编程的半导体器件)、芯片接触垫片等。胶结构或焊料结构的厚度的范围可以在约1μm到约100μm，例如在约10μm到约80μm，例如在约30μm到约60μm，例如在约50μm，例如为等于或小于50μm的厚度。
图4示出用于形成芯片卡衬底的方法的工艺流程600。
形成芯片卡衬底的方法可以包括形成包括第一聚合物材料的第一聚合物层(在4010中)。该方法还可以包括在第一聚合物层上方形成中介层(在4020中)，其中中介层包括含有多个微孔的聚烯烃。该方法还可以包括形成粘附层(在4030中)，其中粘附层包括粘附剂。该方法还可以包括形成第二聚合物层(在4040中)，其中第二聚合物层包括与第一聚合物材料不同的第二聚合物材料。该方法还可以包括在中介层上方布置粘附层(在4050中)。该方法还可以包括在粘附层上方布置第二聚合物层(在4060中)。
本公开的各个方面被提供用于器件并且本公开的各个方面被提供用于方法。将理解到的是，器件的基本性质也适用于方法并且反之亦然。因此，为简便起见，会省略这种性质的重复描述。
芯片卡衬底和/或芯片卡可以包括或基本包括聚合物材料。芯片卡和/或芯片卡衬底可以形成包括多个层的层堆叠，并且每个层可以包括聚合物材料。在各种实施例中，芯片卡和/或芯片卡衬底可以包括均包括或基本包括相同聚合物材料的多个层。以此方式，在例如可以包括加热和/或按压层的层压工艺期间，层可以被软化并或多或少地无缝接合以形成单片化集成结构。换言之，如果层基本包括相同材料，则包括多个层的单片化集成结构可以在层压工艺期间形成。单片化集成结构可以形成在层之间的强健耐用连接。
双接口卡可以包括天线。天线可以被布置在天线载体上方或天线载体上。天线可以借助于在衬底上方形成金属层并刻蚀金属层而形成。在这种情况下，天线载体可以包括或基本包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。芯片卡衬底的其它层可以包括或基本包括不同的聚合物材料，例如聚氯乙烯(PVC)或聚碳酸酯(PCB)。材料的差异可以防止形成单片结构并且它可以进一步防止PET与PVC接合和/或防止PET与PCB接合。
粘附层可以布置在PVC层上或PCB层上，例如在PET层和PVC层之间或PET层与PCB层之间。然而，仅少量粘附剂可以被配置成粘合PET，并且甚至更少粘附剂可以被配置成粘合PET到PVC和/或到PCB。分别施加到PET以及PVC和/或PCB的粘附剂的粘附力可以弱到使得层堆叠分层。如果芯片卡衬底被测试其耐用性，则它可能失败。而且，将形成在PVC和/或PCB层上的粘附剂的附加层以及与其形成相关联的成本会增加总制造成本。
在各种实施例中，可以提供具有改进的对分层(也称为分解)的抵抗性且具有低生产成本的芯片卡衬底。
在各种实施例中，天线载体例如PET天线载体可以与粘附剂的层接触、例如物理接触，并且中介层可以布置在粘附剂的层与PVC或PCB层之间。
在各种实施例中，天线载体可以在两侧上与粘附剂的层接触、例如物理接触。中介层可以布置在每个粘附剂的层上方。聚合物层例如PVC或PCB层可以布置在每个中介层上方。
在各种实施例中，中介层可以被配置为与粘附剂和聚合物材料(例如PVC和/或PCB)二者形成强健耐用连接。作为示例，中介层可以包括或基本包括被配置成与粘附剂和聚合物材料(例如PVC和/或PCB)二者形成强健耐用连接的材料。在各种实施例中，中介层可以具有例如包括多个微小孔的结构之类的结构，也称为微孔结构。在各种实施例中，中介层可以包括例如聚烯烃之类的包括多个微小孔的材料，也称为微孔材料，例如微孔聚烯烃。中介层的结构和/或材料可以被配置成与粘附剂和聚合物材料(例如PVC和/或PCB)二者形成强健耐用连接。粘附剂可以说明性地被认为是被锚定在形成于中介层中的微小孔中。聚合物材料例如PVC和/或PCB可以说明性地被认为是被锚定在形成于中介层中的微小孔中。
在各种实施例中，可以通过将层键合在一起，例如通过将一个或多个PVC和/或PCB层、一个或多个中介层、一个或多个粘附层以及天线载体键合在一起，而由层形成芯片卡衬底或芯片卡。键合例如可以借助于层压、例如通过加热和/或通过施加压力来执行。层的键合可以强到使得PET层可以不与中介层或不与PVC和/或PCB层分离，而不会至少部分地破坏这些层。
在各种实施例中，可以提供芯片卡衬底。芯片卡衬底可以包括第一聚合物层，该第一聚合物层包括第一聚合物材料。芯片卡衬底还可以包括：中介层，该中介层布置在第一聚合物层上方并且包括含有多个微孔的聚烯烃；粘附层，布置在中介层上方并且包括粘附剂；第二聚合物层，布置在粘附层上方并且包括与第一聚合物材料不同的第二聚合物材料。
在各种实施例中，第一聚合物层、中介层、粘附层和第二聚合物层可以形成键合的结构。
在各种实施例中，粘附层可以包括聚乙烯醇。
在各种实施例中，第二聚合物材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯。
在各种实施例中，第一聚合物材料可以包括聚碳酸酯。
在各种实施例中，第一聚合物材料可以包括聚氯乙烯。
在各种实施例中，芯片卡衬底还可以包括另一粘附层，布置在第二聚合物层上方并且包括粘附剂。
在各种实施例中，芯片卡衬底还可以包括另一中介层，布置在另一粘附层上方并且包括含有多个微孔的聚烯烃。
在各种实施例中，芯片卡衬底还可以包括第三聚合物层，布置在另一中介层上方并且包括与第二聚合物材料不同的第三聚合物材料。
在各种实施例中，第一聚合物层、中介层、粘附层、第二聚合物层、另一粘附层、另一中介层和第三聚合物层可以形成键合的结构。
在各种实施例中，另一粘附层可以包括聚乙烯醇。
在各种实施例中，第三聚合物材料可以包括聚碳酸酯。
在各种实施例中，第三聚合物材料可以包括聚氯乙烯。
在各种实施例中，第三聚合物层可以包括与第一聚合物层相同的材料。
在各种实施例中，第一聚合物层和第三聚合物层可以是矩形的。
在各种实施例中，第二聚合物层可以包括天线。
在各种实施例中，天线可以包括铝。
在各种实施例中，第二聚合物层可以包括多个层。
在各种实施例中，芯片卡衬底可以包括在芯片卡中，其中芯片卡还可以包括芯片。
在各种实施例中，可以提供一种形成芯片卡衬底的方法。该方法可以包括形成包括第一聚合物材料的第一聚合物层。该方法还可以包括在第一聚合物层上方形成中介层。中介层可以包括含有多个微孔的聚烯烃。该方法还可以包括形成粘附层。粘附层可以包括粘附剂。该方法还可以包括形成第二聚合物层。第二聚合物层可以包括与第一聚合物材料不同的第二聚合物材料。该方法还可以包括在中介层上方布置粘附层以及在粘附层上方布置第二聚合物层。
在各种实施例中，该方法还可以包括键合第一聚合物层、中介层、粘附层和第二聚合物层。
在各种实施例中，键合可以包括层压。
尽管已经参照特定实施例具体地示出和描述了本发明，但本领域技术人员应理解到，在不脱离所附权利要求限定的本发明的范围和精神的情况下，可以对此进行形式和细节上的各种改变。因而本发明的范围由所附权利要求指示，并且因此旨在涵盖落入权利要求的等同方案的意义和范围内的所有改变。

Claims (15)

1.一种芯片卡衬底，包括：
第一聚合物层，包括第一聚合物材料，所述第一聚合物材料选自包括聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚碳酸酯及其组合的组；
中介层，布置在所述第一聚合物层上方并且包括含有多个微孔的聚烯烃；
粘附层，布置在所述中介层上方并且包括粘附剂；
第二聚合物层，布置在所述粘附层上方并且包括与所述第一聚合物材料不同的第二聚合物材料，其中所述第二聚合物层包括天线。
2.根据权利要求1所述的芯片卡衬底，
其中所述第一聚合物层、所述中介层、所述粘附层和所述第二聚合物层形成键合的结构。
3.根据权利要求1所述的芯片卡衬底，
其中所述粘附层包括聚乙烯醇。
4.根据权利要求1所述的芯片卡衬底，
其中所述第二聚合物材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯。
5.根据权利要求1所述的芯片卡衬底，还包括：
另一粘附层，布置在所述第二聚合物层上方并且包括粘附剂；
另一中介层，布置在所述另一粘附层上方并且包括含有多个微孔的聚烯烃；
第三聚合物层，布置在所述另一中介层上方并且包括与所述第二聚合物材料不同的第三聚合物材料。
6.根据权利要求5所述的芯片卡衬底，
其中所述第一聚合物层、所述中介层、所述粘附层、所述第二聚合物层、所述另一粘附层、所述另一中介层和所述第三聚合物层形成键合的结构。
7.根据权利要求5所述的芯片卡衬底，
其中所述另一粘附层包括聚乙烯醇。
8.根据权利要求5所述的芯片卡衬底，
其中所述第三聚合物材料包括由聚碳酸酯和聚氯乙烯构成的组中的至少一种材料。
9.根据权利要求1所述的芯片卡衬底，
其中所述天线包括铝。
10.根据权利要求1所述的芯片卡衬底，
其中所述第二聚合物层包括多个层。
11.根据权利要求1所述的芯片卡衬底，
其中所述第一聚合物层、所述第二聚合物层及其组合的厚度的范围从约10μm到约1mm。
12.一种芯片卡，包括：
芯片卡衬底，包括：
第一聚合物层，包括第一聚合物材料，所述第一聚合物材料选自包括聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚碳酸酯及其组合的组；
中介层，布置在所述第一聚合物层上方并且包括含有多个微孔的聚烯烃；
粘附层，布置在所述中介层上方并且包括粘附剂；
第二聚合物层，布置在所述粘附层上方并且包括与所述第一聚合物材料不同的第二聚合物材料，其中所述第二聚合物层包括天线；以及
芯片。
13.一种形成芯片卡衬底的方法，所述方法包括：
形成第一聚合物层，所述第一聚合物层包括第一聚合物材料，所述第一聚合物材料选自包括聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚碳酸酯及其组合的组；
在所述第一聚合物层上方形成中介层，其中所述中介层包括含有多个微孔的聚烯烃；
形成粘附层，其中所述粘附层包括粘附剂；
形成第二聚合物层，其中所述第二聚合物层包括与所述第一聚合物材料不同的第二聚合物材料，其中所述第二聚合物层包括天线；
在所述中介层上方布置所述粘附层；
在所述粘附层上方布置所述第二聚合物层。
14.根据权利要求13所述的方法，还包括：
键合所述第一聚合物层、所述中介层、所述粘附层和所述第二聚合物层。
15.根据权利要求14所述的方法，
其中所述键合包括层压。
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