CN104969670A - 用于屏蔽或减轻开放或封闭结构内的emi的频率选择结构 - Google Patents

Abstract

根据各个方面，示例性实施方式包括一个或更多个频率选择结构(例如，二维频率选择结构或表面或者三维频率选择结构或表面等)，所述一个或更多个频率选择结构可以被用于屏蔽或减轻开放结构或封闭结构内的电磁干扰(EMI)。还公开了使用用于屏蔽或减轻开放结构或封闭结构内的EMI的一个或更多个频率选择结构的方法。

Description

用于屏蔽或减轻开放或封闭结构内的EMI的频率选择结构

相关申请的交叉引用

本申请是于2013年3月29日提交的美国专利申请No.13/853,248以及于2013年1月25日提交的美国专利申请No.13/750,680的PCT国际申请，并且要求了美国专利申请No.13/853,248和美国专利申请No.13/750,680的优先权。以上申请的全部公开通过引用方式被并入到本文中。

技术领域

本公开涉及用于屏蔽或减轻开放结构或封闭结构内的电磁干扰(EMI)的频率选择结构(例如，二维频率选择结构或表面或者三维频率选择结构或表面等)。

背景技术

这部分提供了与本公开相关的背景信息，其不一定是现有技术。

电子装置的操作在设备的电子电路内产生电磁辐射。这种辐射会导致能够干扰特定距离内的其它电子装置的操作的电磁干扰(EMI)或射频干扰(RFI)。在没有充分屏蔽的情况下，EMI/RFI干扰会导致重要信号的劣化或全部丢失，从而使得电子设备低效率或不能操作。

减轻EMI/RFI的影响的常用解决方案是通过使用能够吸收和/或反射和/或重定向EMI能量的屏蔽件(shields)。这些屏蔽件通常被采用以使EMI/RFI局限在其源内，并且使邻近于EMI/RFI源的其它装置隔离。

本文中使用的术语“EMI”应该被认为通常包括并意指EMI辐射或RFI辐射，并且术语“电磁”应该被认为通常包括并意指来自外部源和内部源的电磁和射频。因此，术语屏蔽(如本文中使用的)广泛地包括并意指诸如通过衰减、吸收、反射、阻挡和/或重定向能量或其一些组合来减轻(或限制)EMI和/或RFI，使得EMI和/或RFI不再干扰例如政府规定(government compliance)和/或电子组件系统的内部功能。

发明内容

这部分提供了本公开的总体概要，并且不是其全部范围或其全部特征的全面公开。

根据各个方面，示例性实施方式包括可以被用于屏蔽或减轻开放结构或封闭结构内的EMI的一个或更多个频率选择结构(例如，二维频率选择结构或表面或者三维频率选择结构或表面等)。还公开了使用用于屏蔽或减轻开放结构或封闭结构内的电磁干扰(EMI)的一个或更多个频率选择结构的方法。

另外的适用领域将根据本文中提供的描述而变得明显。本发明内容中的描述和特定示例仅用于说明的目的，而不旨在限制本公开的范围。

附图说明

本文中描述的附图仅用于选择的实施方式而并非所有可能的实现的说明性目的，并且不旨在限制本公开的范围。

图1例示了根据示例性实施方式的具有集成电路的印刷电路板(PCB)、在PCB内的频率选择表面/周期结构以及应用或设置在集成电路上的频率选择表面/周期结构，由此所述频率选择/周期结构可操作用于对集成电路提供屏蔽。

图2例示了可以用作单频带或多频带带阻波导和/或屏蔽结构的频率选择结构的示例性实施方式，其中，该频率选择结构可以包括如由一系列的点表示的任何适当数目的被适当地构造(例如，成形和设置尺寸等)的导电构件、电磁能量吸收构件和/或磁构件(例如，环和/或其它构造等)。

图3例示了可以用作单频带或多频带带阻波导和/或屏蔽结构的频率选择结构的示例性实施方式，其中，该频率选择结构包括应用到介电材料内的导电材料的电磁能量吸收材料。

图4例示了可以用作单频带或多频带带阻波导和/或屏蔽结构的频率选择结构的示例性实施方式，其中，该频率选择结构包括电介质以及在该电介质的表面上的导电材料。

图5例示了可以用作单频带或多频带带阻波导和/或屏蔽结构的频率选择结构的示例性实施方式，其中，该频率选择结构包括电介质以及在该电介质的表面上的电磁能量吸收材料。

图6例示了可以用作单频带或多频带带阻波导和/或屏蔽结构的频率选择结构的示例性实施方式，其中，该频率选择结构包括电介质以及应用到该电介质的表面上的导电材料的电磁能量吸收材料。

图7例示了具有介电构件以及由该介电构件支承并且在特定位置处通过该介电构件彼此分隔开的导电环的频率选择结构的示例性实施方式，其中，该频率选择结构被示出在用于MSL测试(在图8中示出了该MSL测试的结果)的微带线(microstripline)上的测试夹具(fixture)内。

图8是示出了针对第一测试和第二测试(被称作S21测试和MSL测试)的以分贝(dB)为单位的信号强度与以千兆赫兹(GHz)为单位的频率的示例性曲线图，在该第一测试和第二测试中，在指向彼此的两个天线之间具有频率选择结构的示例性实施方式的情况下以及在这两个天线之间不具有频率选择结构的示例性实施方式的情况下记录这两个天线之间的基准信号，以显示该频率选择结构的带阻能力。

图9例示了可以用于减少封闭结构内部的空腔谐振(cavity resonance)的频率选择结构的示例性实施方式，其中，该频率选择结构包括应用到介电基板上的导电材料的电磁能量吸收材料，并且还示出了设置在空腔谐振测试夹具内的频率选择结构。

图10是示出了在频率选择结构测试样品位于图9示出的测试夹具空腔内部时测量的从测试夹具的端口1耦合到测试夹具的端口2(被称作S21)的以分贝(dB)为单位的能量的量与以千兆赫兹(GHz)为单位的频率的示例性曲线图，以及还出于比较目的，在仅一片电磁能量吸收材料位于该测试夹具空腔内部时测量的从测试夹具的端口1耦合到测试夹具的端口2(被称作S21)的能量的量与以千兆赫兹(GHz)为单位的频率的示例性曲线图。

具体实施方式

现在将参照附图更充分地描述示例实施方式。

如以上在背景技术中所解释的，屏蔽件通常被用于通过吸收和/或反射和/或重定向EMI能量来减轻EMI/RFI的影响。传统的屏蔽方法和材料依赖于完全地包围电磁辐射源的导电表面。然而，实际上，必须保留导电表面中的一些间隙以允许仪器退出和/或允许空气流动，这些间隙将使得信号泄露。电磁吸收材料可以被用于使通过间隙的信号泄露减弱。但是，吸收体(absorber)必须完全地覆盖间隙以便有效。在这种情况下，吸收体抑制或防止仪器接入或空气流动，由于通常必须保持仪器接入和/或空气流动，因此这经常不可行。

在认识到以上问题之后，本发明人开发了所公开的包括一个或更多个频率选择结构的示例性实施方式，所述频率选择结构可以被用于屏蔽或减轻开放结构或封闭结构内的EMI。还公开了使用用于屏蔽或减轻开放结构或封闭结构内的电磁干扰(EMI)的一个或更多个频率选择结构的方法。

公开了使用或包括一个或更多个频率选择表面/周期结构的单频带或多频带带阻波导和/或屏蔽结构的示例性实施方式。本文中还公开了用于通过使用一个或更多个频率选择表面/周期结构来使通过开放结构的电磁信号或在封闭结构内部的电磁信号衰减的示例性方法。本发明人已经认识到在使用用于屏蔽目的的频率选择结构方面的优点，其中，所述频率选择结构可以被安装在开放结构内，以在不阻止物体和气流经过开放结构的情况下衰减、反射、阻挡、重定向和/或吸收通过所述开放结构的电磁信号。

在示例性实施方式中，频率选择结构可以具有二维形式(例如，二维频率选择表面或片材等)或三维形式(例如，具有周期图案的三维周期结构等)。频率选择结构可以包括被设计为衰减、反射、阻挡、重定向和/或吸收一个或更多个特定频带上的电磁能量的无源电磁片材或结构。频率选择结构在图案中包括导电材料和/或电磁能量吸收材料，所述图案可以位于介电基板上或者例如悬浮在空气(空气可以被认为是电介质)中。即使以电磁信号几乎平行于频率选择结构行进的非常大的角度(例如，掠射角或掠入角)入射，也存在带阻特性。在示例性实施方式中，一个或更多个频率选择结构可操作用于在仍然允许仪器退出和/或气流通过的同时，衰减、反射、阻挡、重定向和/或吸收通过通道、波导结构、通风孔盖板或其它开放结构传播的电磁信号。

本发明人还已经认识到在使用用于使封闭结构内部的电磁信号衰减的频率选择结构方面的优点。本文中公开了包括频率选择结构的空腔谐振减少结构和/或屏蔽结构的示例性实施方式。该频率选择结构被设计或构造有在一个或更多个带阻频率下谐振的导电元件。吸收体材料连接或附接到导电元件。有利地，本发明人已经发现频率选择结构和吸收体材料能够使用比使用在宽频带上操作的多片吸收体的现有传统方法的吸收体材料显著少的吸收体材料，来减少或减轻空腔谐振。通过以期望的频率为目标，与平坦吸收体片材相比，本文中公开的示例性实施方式可以提供空腔谐振方面的至少等同或相似的减少，同时还提供了由于需要更少量的吸收体而在成本方面的显著减小。

本发明人还已经认识到在使用用于使通过必须允许空气流动的开放结构的电磁信号衰减的频率选择结构方面的优点。例如，在很多电子装置中需要通风孔以允许空气流动，从而防止电子组件中的热积累。但是为了充分地冷却电子装置，通风孔必须足够大，以允许足够的气流来冷却该装置。但是在较高的频率(较小的波长)下，通风孔使得电磁能量泄漏。在示例性实施方式中，在需要或期望通风或空气流动的应用中使用频率选择结构。有利地，频率选择结构可以包括具有开放区域的导电元件(例如，环等)，所述开放区域则能够被用作通风孔。因此，本文中公开的示例性实施方式可以在仍然允许空气流动的同时提供在阻挡电磁能量方面改进的性能。

频率选择结构可以被设计为衰减或阻挡在一个或更多个特定频率或频率范围下的电磁能量。另外地或另选地，频率选择结构可以被设计为允许一个或更多个带通频率下的电磁信号通过。例如，频率选择结构可以被设计为允许在与一个或更多个带阻频率不同的一个或更多个带通频率下的电磁信号通过。或者，例如，频率选择结构可以被设计为即使当该频率选择结构没有正被用于直接地控制或减轻EMI时，也允许一个或更多个带通频率下的电磁信号通过。通过另外的示例，频率选择结构可以被设计具有更小的开放区域的导电元件以允许特定频率或频率范围通过，例如，单频带或多频带带通。由于开放区域或通风孔的尺寸减小，因此频率选择结构可以操作为也允许通风或空气流动的单频带或多频带带通波导和/或屏蔽结构。导电元件(例如，环等)的开放区域可以根据通风气流要求、屏蔽要求、要阻挡的频率和/或要通过的频率等而不同地构造。

本发明人还已经认识到在使用用于减少由封闭的电子装置导致的电磁干扰的频率选择结构方面的优点。电子装置可能需要封闭以使对其它装置的EMI最小化和/或符合法定要求。在示例性实施方式中，一个或更多个频率选择结构可以被包含在封闭结构内部以选择性地阻挡或重定向在设计频率下的电磁能量。频率选择结构可以单独地使用或者与一个或更多个波导结构、介电/导电柱以及其它工程结构结合使用，例如以将电磁能量引导至将吸收该电磁能量的区域或引导至对电路操作不太关键的区域。

针对EMI减轻的当前的方法尝试利用导电材料包围发射体(法拉第笼)以容纳电磁能量。但是本发明人就此已经认识到“法拉第笼”结构的类型在较高的频率下变得较低效，因为该结构必须留出能够泄漏较小波长(较高频率)能量的间隙。因此，本文中公开的示例性实施方式包括即使当存在小间隙时也能够阻挡或重定向电磁能量的频率选择结构。

现在参照图，图1例示了包括体现本公开的一个或更多个方面的单频带或多频带带阻波导和/或屏蔽结构的示例性实施方式。这个例示的实施方式包括可操作用于提供针对印刷电路板(PCB)116上的集成电路112的屏蔽的第一频率选择结构或周期结构104以及第二频率选择结构或周期结构108。第一频率选择结构104位于PCB 116内。第二频率选择结构108被定位、应用或设置在集成电路112上。频率选择结构104、108可操作用于衰减(例如，反射、阻挡、重定向和/或吸收等)到集成电路112的电磁信号/来自集成电路112的电磁信号。

频率选择结构104、108包括在相同或不同的图案(例如，分隔开的导电环等)中的导电和/或电磁能量吸收材料或构件，以衰减、阻挡、反射、重定向和/或吸收一个或更多个特定频率或频带上的电磁能量。在一些示例性实施方式中，频率选择结构104、108中的一者或两者也可以被构造为允许一个或更多个特定频率或频率范围通过，并且由此可操作为单频带或多频带带通波导和/或屏蔽结构。

导电和/或电磁能量吸收材料可以相对于电介质(例如，介电基板、空气等)处在图案中。例如，导电和/或电磁能量吸收材料可以在介电基板的顶表面和/或底表面上和/或在介电基板内。作为另一示例，介电构件可以在图案中的彼此分隔开的位置处支承、悬浮和/或保持导电构件和/或电磁能量吸收构件。在这个示例中，由于导电构件和/或电磁能量吸收构件可以通过介电构件而替代地悬浮例如在空气中，因此频率选择结构可以不包括任何介电基板。在另外的示例中，导电构件和/或电磁能量吸收构件可以单独地附接(例如，粘附地附接等)到限定开放结构或封闭结构的空腔的一个或更多个侧壁或者在开放结构内或封闭结构的空腔内的一个或更多个侧壁。导电构件和/或电磁能量吸收构件可以沿着所述一个或更多个侧壁单独地定位，以形成图案或者经排序或经构图的结构。在又一示例中，导电构件和/或电磁能量吸收构件可以嵌入在开放或封闭结构内或者作为开放或封闭结构的组成部分(例如，嵌入在底座的侧壁内等)。

在包括不止一个频率选择结构的示例性实施方式中，频率选择结构可以彼此相同或彼此不同。此外，频率选择结构可以包括全部具有相同的构造(例如，相同的形状、相同的尺寸、相同的图案等)或并非全部具有相同的构造(例如，不同的形状、不同的尺寸、不同的图案等)的、任何适当数目的导电构件和/或电磁能量吸收构件。例如，频率选择结构可以具有被不同地成形和/或被不同地设置尺寸的导电构件和/或电磁能量吸收构件，以在多个频率下工作和/或在更宽的带宽上工作。

在一些示例性实施方式中，诸如在图2、图3和图6中所示的，频率选择结构可以具有位于导电材料或导体上或者连接到导电材料或导体的电磁能量吸收材料或吸收体。例如，电磁能量吸收材料或吸收体可以层叠在导电材料或导体的顶部上。或者，例如，电磁能量吸收薄膜可以设置在导电材料或导体上并且附接到该导电材料或导体。作为又一示例，导电材料或导体可以涂覆有一个或更多个电磁能量吸收涂层。在其它示例性实施方式中，频率选择结构仅包括电磁能量吸收材料或吸收体(例如，图5等)，而没有导电材料或导体。在另外的示例性实施方式中，频率选择结构仅包括导电材料或导体(例如，图4等)，而没有电磁能量吸收材料或吸收体。在另外的示例性实施方式中，频率选择结构包括相邻或并排的但没有层叠在导电材料或导体的顶部上或层叠在导电材料或导体以下的电磁能量吸收材料或吸收体。

图1中例示的实施方式包括分别位于PCB 116内并且设置在集成电路112上的第一频率选择结构104和第二频率选择结构108。另选的示例性实施方式可以包括多于两个或少于两个的频率选择结构。例如，其它示例性实施方式包括在PCB基板内的第一频率选择结构或者设置在PCB上的集成电路上的第二频率选择结构，但是不包括这两者。附加的示例性实施方式包括在PCB基板的顶表面和/或底表面上的频率选择结构，而在PCB基板内没有任何频率选择结构或者在基板上的集成电路上没有设置任何频率选择结构。另外的示例性实施方式包括多于两个的频率选择结构，诸如在PCB基板内的第一频率选择结构、设置在PCB上的集成电路上的第二频率选择结构以及在PCB基板的顶表面或底表面上的第三频率选择结构。另外的示例性实施方式包括在PCB基板内的第一频率选择结构、设置在PCB上的集成电路上的第二频率选择结构、在PCB基板的顶表面上的第三频率选择结构以及在PCB基板的底表面上的第四频率选择结构。另外地或另选地，可以将频率选择结构放置在EMI噪声路径附近的另一表面上来替代将频率选择结构放置在PCB内和/或PCB的表面(例如，下面等)上的电路上，或者除了将频率选择结构放置在PCB内和/或PCB的表面(例如，下面等)上的电路上之外，还可以将频率选择结构放置在EMI噪声路径附近的另一表面上。

图2例示了可以用作单频带或多频带带阻波导和/或屏蔽结构的频率选择结构或周期结构204的示例性实施方式。如由图2中由一系列点和距离(d)表示的，频率选择结构204(以及本文中公开的其它频率选择结构)可以根据例如要由该频率选择结构204反射、吸收、阻挡和/或重定向哪个频率或哪些频率而包括任何适当数目的被适当地构造(例如，成形、设置尺寸、间隔、构图等)的导电构件和/或电磁能量吸收构件(例如，环和/或其它形状等)。频率选择结构204可以被设计、构造或调整为反射、吸收、阻挡和/或重定向一个或更多个期望的频率或频带宽度(例如，约9GHz等)下的能量。在一些示例性实施方式中，频率选择结构204还可以被构造为允许一个或更多个特定频率或频率范围通过，使得该频率选择结构204还能够可操作为单频带或多频带带通波导和/或屏蔽结构。

在图2中示出的示例中，频率选择结构204包括导电材料或导体220以及在该导电材料或导体220上或应用到该导电材料或导体220的电磁能量吸收材料或吸收体224。图2还例示了电介质228，该电介质228可以包括包含介电基板材料、空气等的任何适当的电介质。在操作时，频率选择结构204反射、吸收、阻挡和/或重定向接近掠入射(偏离法线90度)的信号以阻止能量。在一些示例性实施方式中，诸如当电介质228是空气等时，频率选择结构204(以及本文中公开的其它频率选择结构)还可以允许其它物体和/或通风气流经过该频率选择结构204。

图3例示了可以用作单频带或多频带带阻波导和/或屏蔽结构的频率选择结构304的示例性实施方式。如图3中所示，电磁能量吸收材料或吸收体324在导电材料或导电体320上或者应用到导电材料或导电体320。在使用期间，电磁能量吸收材料324可操作用于衰减或吸收由频率选择结构304反射的电磁信号。虽然图3仅例示了单个导电体320以及在该导电体320上的单个吸收体324，但是频率选择结构304可以根据例如要由该频率选择结构304反射哪个频率或哪些频率而包括任何适当数目的被适当地构造(例如，成形、设置尺寸、间隔、构图等)的导电体320和吸收体324(例如，环和/或其它形状等)。在一些示例性实施方式中，导电体320和吸收体324的构造(例如，数目、形状、尺寸、间隔、图案等)还可以取决于例如是否应当允许频率或频带通过以及应当允许什么频率或频带通过。

图3还例示了电介质328和332。电介质328和332可以包括相同电介质的部分，例如，相同介电基板的上部和下部。或者，电介质328和332可以包括不同的电介质。例如，电介质328可以是介电基板，而电介质332可以包括空气。

图4例示了可以用作单频带或多频带带阻波导和/或屏蔽结构的频率选择结构404的示例性实施方式。如图4中所示，频率选择结构404包括在电介质428的表面上的导电材料或导电体420。虽然图4仅例示了单个导电体420，但是频率选择结构404可以根据例如要由该频率选择结构404反射哪个频率或哪些频率而包括任何适当数目的被适当地构造(例如，成形、设置尺寸、间隔、构图等)的导电体。在一些示例性实施方式中，频率选择结构404的导电体420还可以被构造为允许一个或更多个特定频率或频带通过，使得该频率选择结构404还能够可操作为单频带或多频带带通波导和/或屏蔽结构。

图5例示了可以用作单频带或多频带带阻波导和/或屏蔽结构的频率选择结构504的示例性实施方式。如图5中所示，频率选择结构504包括在电介质528的表面上的电磁能量吸收材料或吸收体524。虽然图5仅例示了单个吸收体524，但是频率选择结构504可以根据例如要由该频率选择结构504反射哪个频率或哪些频率而包括任何适当数目的被适当地构造(例如，成形、设置尺寸、间隔、构图等)的吸收体524。在一些示例性实施方式中，频率选择结构504的吸收体524还可以被构造为允许一个或更多个特定频率或频带通过，使得该频率选择结构504还能够可操作为单频带或多频带带通波导和/或屏蔽结构。

图6例示了可以用作单频带或多频带带阻波导和/或屏蔽结构的频率选择结构604的示例性实施方式。如图6中所示，频率选择结构604包括在导电材料或导体620上或者应用到导电材料或导体620的电磁能量吸收材料或吸收体624，该导电材料或导体620进而在电介质628的表面上。在另选的实施方式中，可以颠倒电磁能量吸收材料或吸收体624以及导电材料或导体620的定位，使得导电材料或导体620在电磁能量吸收材料或吸收体624上或者应用到电磁能量吸收材料或吸收体624。虽然图6仅例示了单个导电体620以及在该导电体620上的单个吸收体624，但是频率选择结构604可以根据例如要由频率选择结构604反射哪个频率或哪些频率而包括任何适当数目的被适当地构造(例如，成形、设置尺寸、间隔、构图等)的导电体620和吸收体624(例如，环和/或其它形状等)。在一些示例性实施方式中，频率选择结构604的导电体620和吸收体624还可以被构造为允许一个或更多个特定频率或频带通过，使得该频率选择结构604还能够可操作为单频带或多频带带通波导和/或屏蔽结构。

图7例示了用于MSL测试的在测试夹具732内并且放置在微带线736上的示例频率选择结构704，其中，结果被显示在图8中并且在下面进行描述。如图7中所示，频率选择结构704包括多个导电构件和/或电磁能量吸收构件720以及多个介电构件、支杆、或间隔件740。介电构件740连接到成对的导电构件和/或电磁能量吸收构件720并且在所述成对的导电构件和/或电磁能量吸收构件720之间延伸。

在这个示例中，频率选择结构704不包括介电基板。作为替代，导电构件和/或电磁能量吸收构件720悬浮例如在空气(其可以被认为电介质)中并且通过介电构件740保持在适当位置。利用这种构造，频率选择结构704的大部分是开放的。如图7中所示，频率选择结构704具有由环形导电构件和/或电磁能量吸收构件720限定的开放区域以及在介电构件740之间限定的开放区域。频率选择结构704的这些开放区域可以被用作通风孔。因此，频率选择结构704可以有利地被用于衰减通过需要通风气流的开放结构(诸如，需要气流以防止热量在电子组件中积累的电子装置)的电磁信号。

在这个例示的实施方式中，导电构件和/或电磁能量吸收构件720是圆形环。多个介电构件740是其每一个连接在相应的一对导电环和/或电磁能量吸收环之间的线性构件或直构件。导电构件和/或电磁能量吸收构件720在由介电构件740限定的等边三角形的顶点处。

继续在图7中示出的这个示例，导电构件和/或电磁能量吸收构件720可以具有约10.2毫米(mm)的环内直径和约12mm的环外直径。环的中心可以在六边形图案中隔开约17.5mm。任何三个相邻的环形成具有等于约17.5mm的边的等边三角形。厚度可以为约1mm。在该段落中提供的尺寸仅是示例，因为频率选择结构可以根据通风气流要求、屏蔽要求、要阻挡的频率和/或要通过的频率等而不同地构造。例如，导电构件和/或电磁能量吸收构件720可以被构造(例如，设置尺寸、成形等)为衰减或阻挡在一个或更多个特定频率或频率范围下的电磁能量。导电构件和/或电磁能量吸收构件720还可以被构造(例如，设置尺寸、成形等)为允许特定频率或频率范围通过，例如，单频带或多频带带通。当开放区域或通风孔的尺寸减小时，频率选择结构704能够可操作为也允许通风或空气流动的单频带或多频带带通波导和/或屏蔽结构。

图7中示出的构造仅仅是可以在示例性实施方式中使用的可能的频率选择结构的一个示例，因为其它示例性实施方式可以包括通过改变介电构件和/或导电构件和/或电磁能量吸收构件的形状、尺寸、间隔的距离、总体几何布局等而调整为不同的频率的一个或更多个频率选择结构。其它布局和几何形状可以被用于频率选择结构704，诸如不同地间隔开(例如，彼此离得更近或更远)和/或具有不同的形状等的、较大或较小数目的导电构件和/或电磁能量吸收构件。例如，导电构件和/或电磁能量吸收构件720可以是非圆形的，例如，三角形、矩形、五边形、六边形、螺旋形、十字架形等。此外，介电构件740可以是非线性的和/或被不同地布置为限定除了图7中示出的等边三角形或六边形图案以外的其它形状。

此外，频率选择结构704可以被定位在开放结构内，使得该频率选择结构可操作用于在不完全地阻挡该开放结构(例如，允许通风气流等)的情况下阻挡通过该开放结构传播的在一个或更多个带阻频率下的电磁信号。或者，例如，频率选择结构704可以被定位在封闭结构的空腔内，使得该频率选择结构可操作用于衰减该空腔内的一个或更多个带阻频率下的电磁信号，以由此减少空腔内的空腔谐振和/或电磁能量传播。作为另外的示例，频率选择结构704可以单独地使用或者与一个或更多个波导结构、电介质/导电柱以及其它工程结构结合使用，例如以将电磁能量引导至将吸收该电磁能量的区域或引导至对电路操作不太关键的区域。

图8是示出了针对两个不同的测试的以分贝(dB)为单位的信号强度与以千兆赫兹(GHz)为单位的频率的示例性曲线图。在这两个测试期间，在指向彼此的两个天线之间具有示例性实施方式的频率选择结构的情况下以及在指向彼此的两个天线之间不具有示例性实施方式的频率选择结构的情况下测量或记录了这两个天线之间的基准信号。结果显示了频率选择结构的带阻能力。提供在图8中示出的这些测试结果仅出于示例的目的而不是为了限制的目的。

对于第一测试(被称作S21)，在指向彼此的两个天线之间测量或记录基准信号。然后，将频率选择结构插设或定位在这两个天线之间，并且再次测量或记录基准信号。在图8中，S21测试结果表示当频率选择结构在两个天线之间时得到的测量值。

通常，S21测试结果显示频率选择结构阻挡、反射、重定向和/或吸收在约9GHz的频率下的能量。频带中断(band stoppage)的水平超过30dB，这意味着通过的信号为基准信号的水平的1/1000。这些测试结果显示包括频率选择结构的这个示例性实施方式具有在大约9GHz下的显著的带阻能力。虽然图8示出了包括频率选择结构的这个示例实施方式阻挡了在约9GHz的频率下的能量，但是其它示例性实施方式可以包括被调整为使在其它适当的一个频率或多个频率下的能量停止的一个或更多个频率选择结构。

第二测试(被称作微带线(MSL)测试)在微带线上执行。利用空的夹具进行基准测量。然后，将频率选择结构704放置在如图7中所示的微带线736的上导体上，并且测量信号。图8中的MSL测试结果显示了在约8GHz下的显著的带阻能力(例如，超过25dB的频带中断水平)。通常，MSL测试可以更大程度地指示包括频率选择结构的带阻波导和/或屏蔽结构的带阻能力。这是因为信号在MSL测试期间平行于频率选择结构行进，并且电场和磁场与频率选择结构的表面或平面垂直。相比之下，能量在S21测试期间正垂直于频率选择结构的表面行进，并且电场和磁场与频率选择结构的表面平行。

频率选择结构可以被设计或构造具有在特定频率下谐振的导电材料、元件或构件。在示例性实施方式中，电磁能量吸收材料被涂覆、粘附或者以其它方式附接到导电元件。电磁能量吸收材料和/或导电元件可以由介电基板支承和/或连接(例如，附接、粘附到等)介电基板。另选地，频率选择结构(例如，图7中的704等)可以不包括任何介电基板。在示例性实施方式中，电磁能量吸收材料粘附在导电元件的顶部上，该导电元件进而可以粘附到介电基板或通过介电构件等连接在一起。在使用时，频率选择结构可操作用于减少或减轻封闭结构内部的空腔谐振和电磁能量传播(也被称作驻波)。

频率选择结构可以减少封闭结构内部的电磁能量以及需要屏蔽的EMI的量。频率选择结构可以在能量到达EMI屏蔽件之前减少封闭结构的空腔中的能量。例如，频率选择结构可以相对于屏蔽件(例如，其上游等)而定位，以在电磁能量到达屏蔽件之前减少空腔中的电磁能量。在这种情况下，频率选择结构可以因此增强总体屏蔽性能。频率选择结构还可以被认为是空腔谐振减少结构和/或屏蔽结构或者其一部分。

通过背景技术，当电子装置被封闭(用于物理或电磁保护)在导电箱内时，发生空腔谐振。由装置发的能量能够在空腔内谐振。空腔具有特定频率，空腔在该特定频率下将取决于空腔的大小或尺寸而谐振。如果发射的信号在这些谐振频率中的一个频率下，则空腔将谐振。这导致电场和磁场随空腔的容积而改变，这会对电路的期望性能产生不利的影响。

传统的空腔谐振方法利用放置在空腔的壁上的电磁吸收体的薄片。吸收体材料通常装填有吸收磁场和/或电场的吸收填充物。吸收体使空腔谐振的频率偏移，并且吸收使得电路能够正常地操作的杂散能量。传统的空腔谐振减轻吸收体在宽范围的频率上操作。给出的吸收材料可以被推荐用于在例如2GHz至26GHz的频率范围等上的空腔谐振减少。成本是空腔谐振吸收体方面的因素，空腔谐振吸收体成本主要归因于吸收填充物。

频率选择结构是被设计为使用介电基板上的导电图案来衰减、反射、阻挡、重定向和/或吸收一个或更多个特定频带上的电磁能量的无源电磁片材。当被放置在空腔内部时，导电图案将在频率选择结构的一个或更多个设计频率下谐振。在示例性实施方式中，电磁能量吸收材料附接到导电图案以吸收能量并提供空腔谐振减轻结构。有利地，与平坦的吸收体片材相比，这些示例性实施方式可以在由于需要更少量的吸收体而提供在成本方面的显著减小的同时还提供在空腔谐振方面的至少等效或相似的减少。本文中公开的空腔谐振减轻结构的示例性实施方式可以被用在宽范围的应用(诸如在窄的频带上需要吸收并且在宽的频带上不需要吸收的应用)中。

图9例示了体现本公开的一个或更多个方面的频率选择结构804的示例性实施方式。频率选择结构804可以被用于封闭结构内部的空腔谐振减少。频率选择结构804可以在能量到达同样位于封闭结构内的屏蔽件之前减少该封闭结构的空腔中的能量。在这个示例性方式中，频率选择结构804可以因此有利地增强总体屏蔽性能。因此，频率选择结构804也可以是空腔谐振减少结构和/或屏蔽结构或者其一部分。

如图9中所示，频率选择结构804包括应用在导电材料820上和/或连接到导电材料820(例如，附接或粘附到其顶表面等)的电磁能量吸收材料824。导电材料820和电磁能量吸收材料824在电介质828的顶表面上或者由电介质828的顶表面支承。但是在其它示例性实施方式中，频率选择结构不包括电介质828。

在另选的实施方式中，可以颠倒电磁能量吸收材料或吸收体以及导电材料或导体的定位，使得导电材料或导体在电磁能量吸收材料或吸收体上或者涂覆到电磁能量吸收材料或吸收体。如本文中针对频率选择结构的其它示例性实施方式公开的，频率选择结构804可以根据例如目标带阻频率(例如，导电体和吸收体旨在该目标带阻频率下谐振)而包括任何适当数目的被适当地构造(例如，成形、设置尺寸、间隔、构图等)的导电体和吸收体(例如，环和/或其它形状等)。

各种各样的材料可以被用于示例性实施方式中的介电基板、导电材料和电磁能量吸收材料。一个示例实施方式包括介电泡沫基板，该介电泡沫基板上具有导电铝环。具有与导电环相同的环形状的电磁能量吸收材料粘附(例如，使用压敏粘合剂丙烯酸胶带)或者以其它方式附接在导电环的顶部上。因此，这个示例性实施方式包括在介电基板上的金属背衬(metal backed)吸收体环。仅通过示例的方式，电磁能量吸收材料可以包括带有磁性的硅橡胶材料(例如，BSR等)。同样仅通过示例的方式，介电泡沫基板可以包括具有低介电损耗、低介电常数和低密度的闭孔(closed cell)交联的碳氢化合物泡沫(例如，PP-4泡沫等)。另选的材料也可以被用于其它示例性实施方式中的介电基板(例如，具有较高的介电常数等)、电磁能量吸收材料和/或导电材料。在另外的实施方式中，频率选择结构不包括任何介电基板。作为替代，该示例频率选择结构包括悬浮并且经由总体上在环(例如，见图7)之间延伸的介电支承件或构件连接在一起的金属背衬吸收体环(例如，带有磁性的铝背衬硅橡胶环等)。

图10提供了针对频率选择结构的测试样品而测量的性能测试数据。提供测试样品和测试结果仅出于示例的目的而不是出于限制的目的。

更具体地，图10是示出了当几个测试样品在图9中示出的测试夹具空腔内部时测量的从测试夹具的端口1耦合到测试夹具的端口2(被称作S21)的以分贝(dB)为单位的能量的量与以千兆赫兹(GHz)为单位的频率的示例性曲线图。出于比较的目的，还测量了当仅一片电磁能量吸收材料在测试夹具空腔内部时从端口1耦合到端口2的能量的量。

在这个特定系列的测试中，测试夹具包括具有长度为14英寸、宽度为8英寸以及高度为0.75英寸的相当大的空腔。测试夹具的输入端口1/输出端口2是N型微波端口。

对于这个示例系列的测试，通过以下示例性处理形成测试样品。将厚度为约0.002英寸的导电铝粘附到厚度为0.04英寸或40密耳(mil)的BSR-2的12英寸乘以12英寸片材的一侧。BSR-2是不导电的带有磁性的硅橡胶材料。使用喷水器(waterjet)在导电材料和电磁能量吸收材料中切割不同直径的环(例如，约7mm的环内直径和约8.5mm的环外直径等)。在介电材料上放置多组尺寸相同或基本相同的4个环。在这个示例中，介电材料包括厚度为0.125英寸的一片PP-4。PP-4是具有低密度、低介电损耗和足够低的介电常数(k＝1.05)的闭孔交联的碳氢化合物泡沫，使得其对于RF和微波是基本上透明的。介电材料操作或用于使导电材料和电磁能量吸收材料的环悬浮在波导的中心。

如图10中所示，当将几个(例如，五个或六个等)金属背衬吸收体环随意地放置在测试夹具的空腔中时，具有空腔谐振的良好衰减。实际上，20至25个金属背衬吸收体环获得与通过正好一片4英寸乘以4英寸的吸收体BSR-2获得的衰减几乎等效的衰减。这个结果是令人惊奇的，这些环包含电磁能量吸收材料的容积的仅约7％，如同4英寸乘以4英寸的吸收体片材包含的容积一样。考虑到电磁能量吸收材料的相对高的成本，利用相对少量的电磁能量吸收材料提供良好的衰减的这种能力可以提供显著的成本节省。

通过示例的方式，环可以被设置尺寸具有在约7毫米至约7.5毫米的范围内的内直径以及在约9mm至约9.5mm的范围内的外直径，其可以优化或改进10.3GHz的性能。此外，测试样品的介电基板具有约0.125英寸的厚度。本文中公开的尺寸本质上是示例，并且不限制本公开的范围，因为其它示例性实施方式可以包括具有不同(例如，更小的等)厚度的介电基板、具有不同直径的环等。

各种各样的材料可以被用于包括导电构件或导电体的示例性实施方式中的导电构件或导电体(例如，220、320、420、620、720、820等)。示例材料包括金属(例如，铜、镍/铜、银、铝等)、导电复合材料等。一些示例性实施方式包括包含导电压敏粘合剂(诸如可从Laird Technologies公司获得的导电压敏粘合剂)的导电构件或导电体。仅通过示例的方式，示例性实施方式包括具有由Laird Technologies公司的黑色导电织带86250带制成的导电构件的一个或更多个频率选择结构，86250带是具有导电压敏粘合剂的镍/铜金属化的织物。通过另外的示例的方式，另一示例性实施方式包括具有由相应的导电压敏粘合剂和/或电磁能量吸收压敏粘合剂制成的导电构件和/或电磁能量吸收构件的一个或更多个频率选择结构。另一示例性实施方式包括包含导电铝构件、元件或图案的一个或更多个频率选择结构。

还可以在本文中公开的示例性实施方式中使用各种各样的电介质。例如，连接到示例性实施方式中的导电构件和/或电磁能量吸收构件(例如，720等)的介电构件(例如，(图7中的)740等)可以由塑料(例如，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯塑料(ABS)塑料等)、非导电压敏粘合剂等制成。在示例性实施方式中，介电构件740由ABS塑料制成。在另一示例性实施方式中，介电构件740由非导电压敏粘合剂或介电压敏粘合剂制成。

各种各样的材料可以被用于包括介电基板的示例性实施方式中的介电基板(例如，228、328、428、528、628、828等)。示例性介电材料包括塑料(例如，ABS塑料、聚酯薄膜塑料等)、复合材料(例如，FR4复合材料等)、柔性材料和/或导热材料。示例性实施方式包括具有包括ABS塑料的介电基板的频率选择结构。另一示例性实施方式包括具有包括FR4复合材料(其包括具有耐燃性环氧树脂粘合剂的编织玻璃纤维布)的介电基板的频率选择结构。附加的示例性实施方式包括具有诸如具有低介电损耗、低介电常数和低密度的闭孔交联的碳氢化合物泡沫(例如，PP-4泡沫等)这样的介电泡沫基板的频率选择结构。

在一些示例性实施方式中，频率选择结构(例如，图7中的704等)不包括任何介电基板。介电基板的缺乏可以允许更好的空气流动。通过示例的方式，频率选择结构可以包括在没有任何介电基板的情况下悬浮并且通过在导电构件和/或电磁能量吸收构件之间延伸的介电构件保持在适当位置的导电构件和/或电磁能量吸收构件。通过另外的示例的方式，导电构件和/或电磁能量吸收构件可以单独地附接(例如，粘附地附接等)到开放结构或封闭结构的一个或更多个侧壁。例如，导电构件和/或电磁能量吸收构件可以粘附地附接到封闭结构的空腔内的一个或更多个内部侧壁。导电构件和/或电磁能量吸收构件可以沿着所述一个或更多个侧壁单独地定位，以形成图案或者经排序或经构图的结构。在又一示例中，导电构件和/或电磁能量吸收构件可以嵌入在开放或封闭结构内或者作为开放或封闭结构的组成部分(例如，嵌入在底座的侧壁内等)。

具有介电基板或不具有介电基板的频率选择结构(例如，104、204、304、404、504、604、704、804等)可以被定位在开放结构内，使得该频率选择结构可操作用于在不完全地阻挡该开放结构的情况下阻挡通过该开放结构传播的在一个或更多个带阻频率下的电磁信号。或者，例如，具有介电基板或不具有介电基板的频率选择结构(例如，104、204、304、404、504、604、704、804等)可以被定位在封闭结构的空腔内，使得该频率选择结构可操作用于衰减该空腔内的一个或更多个带阻频率下的电磁信号，以由此减少空腔内的空腔谐振和/或电磁能量传播。作为另外的示例，具有介电基板或不具有介电基板的频率选择结构(例如，104、204、304、404、504、604、704、804等)可以被用作信号调节器，其中，该频率选择结构被构造或定制有重复的结构以从信号取出或去除特定频率分量。作为又一示例，具有介电基板或不具有介电基板的频率选择结构(例如，104、204、304、404、504、604、704、804等)可以被用作波导，以将有害的EMI“引导”至不太敏感的区域和/或针对可接受的性能改变电子箱电磁签名。

在一些示例性实施方式中，频率选择结构可以是柔性的和/或导热的(例如，具有比空气大的热导率、具有大于0.5瓦特每米每开尔文(W/mK)的热导率等)。通过示例的方式，示例性实施方式包括具有足够的柔性的频率选择结构，以使得即使在装置已经被设计并制造之后也能够将该频率选择结构应用到该装置的几乎任何部分。例如，可以在PCB制造之后或者在PCB和电子组件被制造之后将频率选择结构应用到电子组件或应用在电子组件上。

在示例性实施方式中，柔性频率选择结构包括不导电构件或介电构件和/或包括ABS塑料的基板。同样在这个示例性实施方式中，频率选择结构包括包含导电压敏粘合剂(例如，Laird Technologies公司的黑色导电织带86250带等)的导电构件。在另一示例性实施方式中，柔性频率选择结构包括包含铜的导电构件以及包含聚酯薄膜的基板。在这个示例中，使用FR4/PCB制造工艺将铜图案蚀刻到聚酯薄膜上，该FR4/PCB制造工艺具有更薄以及可能更容易制造的优点。

在一些示例性实施方式中，频率选择结构包括电磁能量吸收材料。在使用期间，电磁能量吸收材料可操作用于衰减由频率选择结构反射的电磁信号。可以在一些示例性实施方式(例如，图2、图3、图5、图6等)中使用各种各样的电磁能量吸收材料，这些电磁能量吸收材料包括吸收颗粒、填充物、薄片等和/或由诸如以下材料的各种导电材料和/或磁性材料制成：羰基铁、铁硅铝磁合金(SENDUST，包含约85％的铁、9.5％的硅和5.5％的铝的合金)、坡莫合金(permalloy，包含约20％的铁和80％的镍的合金)、硅化铁、铁-铬化合物、金属银、磁性合金、磁性粉末、磁性薄片、磁性颗粒、镍基合金和粉末、铬合金以及其任何组合等。仅通过示例的方式，频率选择结构的示例性实施方式可以包括可从Laird Technologies公司获得的电磁能量吸收材料和/或如在美国专利7,135,643(其全部内容被并入到本文中)中公开的电磁能量吸收材料。还仅通过示例的方式，频率选择结构的另一示例性实施方式可以包括包含带有磁性的硅橡胶材料(例如，BSR等)的电磁能量吸收材料。

如在本文中公开的，示例性实施方式可以包括导电构件或电磁能量吸收构件。附加的示例性实施方式还可以包括导电构件和电磁能量吸收构件二者，这二者相邻、彼此邻接或者具有层叠的布置(例如，电磁能量吸收构件层叠在导电构件上，或者导电构件层叠在电磁能量吸收构件上等)。其它示例性实施方式可以包括被构造为是导电构件和电磁能量吸收构件的构件。

在一些示例性实施方式中，频率选择结构可以包括导热的电磁能量吸收材料。在这种情况下，该导热的电磁能量吸收材料能够可操作用于在使得频率选择结构能够与集成电路、其它发热电子组件、散热器等(例如，形成热路径的一部分等)紧密靠近或接触地使用的同时，还衰减由该频率选择结构反射的电磁信号。在示例性实施方式中，频率选择结构包括可从Laird Technologies公司获得的导热的电磁能量吸收复合材料和/或如在美国专利7,608,326(其全部内容被并入到本文中)中公开的导热的电磁能量吸收复合材料。

在一些示例性实施方式中，具有频率选择结构的单频带或多频带带阻波导和/或屏蔽结构还可以被构造为呈现或具有导热特性。该频率选择结构的基板可以是导热的，例如，具有至少0.5瓦特每米每开尔文(W/mK)或更高的热导率、具有比空气大的热导率等。在示例性实施方式中，频率选择结构包括包含装载有导热填充物的复合材料的基板。在单频带或多频带带阻波导和/或屏蔽结构具有或呈现导热特性的示例性实施方式中，导热特性可以使得带阻波导和/或屏蔽结构能够与集成电路、其它发热电子组件、散热器等紧密靠近或接触地使用。例如，导热带阻波导和/或屏蔽结构可以与一个或更多个发热组件相邻或接触地使用，使得该导热带阻波导和/或屏蔽结构的至少一部分(例如，该频率选择结构的基板或导电构件等)限定或包括从所述一个或更多个发热组件到散热器的导热路径的一部分。

在一些示例性实施方式中，频率选择结构具有这样的柔性结构，该柔性结构可以诸如在常规制造工艺之后被合并到电路板中，与电路板集成或成为一体，应用到电路板的表面上、上方或内部等。频率选择结构能够在一些示例性实施方式中可适合和/或热固化在板上。频率选择结构可以在一些示例性实施方式中被正常地布置到一系列的板中。通过示例的方式，频率选择结构能够被构造为可适合于配合表面和/或具有与印刷电路板基板相似的刚度和柔性特性。

有利地，本文中公开的包括可用作单频带或多频带带阻波导和/或屏蔽结构的频率选择结构的示例性实施方式可以提供以下优点中的一个或更多个(但不一定是任一个或全部)。例如，示例性实施方式可以在使得其它物体和气流能够通过开放结构的同时提供对通过该开放结构的电磁信号的衰减。带阻波导和/或屏蔽结构可以被定位或安装在开放结构(例如，开口、间隙、通道等)内，使得该带阻波导和/或屏蔽结构可操作用于在没有阻止接入到设备或者气流通过开放结构的情况下衰减通过开放结构的电磁信号或能量。由于频率选择结构的开放区域能够被用作通风孔，因此该频率选择结构可以被用在需要或期望通风或空气流动的应用中。因此，即使在带阻波导和/或屏蔽结构保持安装或定位在开放结构内时，冷却的气流也可以流经该开放结构流动和/或可以经由该开放结构取出设备(例如，用于测试、修理、维护、替换等)。因为所安装的带阻波导和/或屏蔽结构没有完全地阻挡开口、间隙、通道和其它开放结构，所以可以通过该开口、间隙、通道或其它开放结构来插入工具或测试装置。这不像一些现有的传统屏蔽结构或吸收结构，这些传统屏蔽结构或吸收结构通过完全地阻挡安装有它们的开口、间隙、通道或其它开放结构来操作。

此外，当被用于衰减封闭结构内部的电磁信号时，包括频率选择结构的示例性实施方式还可以提供以下优点中的一个或更多个(但不一定是任一个或全部)。例如，本发明人已经发现具有附接的吸收体材料的频率选择结构可以使用比现有的传统方法(使用在宽的频带上操作的一片吸收体)显著少的吸收体材料来减少或减轻空腔谐振。在一些示例性实施方式中，频率选择结构的主要功能是为了减少封闭结构内部的空腔谐振和电磁能量传播。另外在一些示例性实施方式中，频率选择结构具有为了减少封闭结构内部的电磁能量以及需要屏蔽的EMI的量的辅助(secondary)功能。在这些示例性实施方式中，频率选择结构可以因此在能量到达屏蔽件之前减少空腔中的能量，由此该频率选择结构有利地增强了总体屏蔽性能。

频率选择结构可以被设计为衰减或阻挡在一个或更多个特定频率或频率范围下的电磁能量。频率选择结构可以被设计具有更小的开放区域的导电构件，以允许特定频率或频率范围通过(例如，单频带或多频带带通)。当开放区域的尺寸减小时，频率选择结构能够可操作用于也允许通风或空气流动的单频带或多频带带通波导和/或屏蔽结构。频率选择结构可以单独地使用或者与一个或更多个波导结构、介电/导电柱以及其它工程结构结合使用，例如以将电磁能量引导至将吸收该电磁能量的区域或者引导至对电路操作不太关键的区域。作为示例，频率选择结构可以被用作波导，以将有害的EMI“引导”或定向至不太敏感的区域和/或针对可接受的性能改变电子箱电磁签名。作为另一示例，频率选择结构可以被设计为即使在该频率选择结构没有正被用于直接地控制或减轻时也使得一个或更多个带通频率下的电磁信号能够通过。

本文中公开的频率选择结构可以使用各种方法或技术来形成。通过示例的方式，频率选择结构可以使用三维印刷技术而形成为三维周期结构。频率选择结构可以使用通孔通路(thru-hole vias)而应用(例如，3D印刷等)到板上和/或应用(例如，3D印刷等)在板中，该通孔通路当前仅被用于通过板的所有层连接地。频率选择结构可以被并入到分离出不同部分的板的一个或更多个预定区域或特定区域中。使用3D印刷技术制成的频率选择结构还可以被构造为允许空气流动。

提供了示例性实施方式，使得本公开将是彻底的，并且将范围完全地传达给本领域技术人员。阐述了诸如特定组件、装置和方法的示例这样的许多具体细节，以提供对本公开的实施方式的透彻理解。本领域技术人员将显而易见的是，不需要采用特定细节，示例实施方式可以按照许多不同的形式来具体实现，并且这些都不应该被理解为限制本公开的范围。在一些示例实施方式中，没有详细地描述熟知的工艺、熟知的器件结构和熟知的技术。另外，可以利用本公开的一个或更多个示例性实施方式实现的优点和改进只是出于示例的目的而提供，而不是限制本公开的范围，因为本文中公开的示例性实施方式可以提供上述优点和改进中的全部或者一个也没有提供，并且仍然落入本公开的范围内。

本文中公开的特定尺寸、特定材料和/或特定形状本质上是示例，并且不限制本公开的范围。本文中公开的给定参数的特定值和值的特定范围不排除可用于本文中公开的一个或更多个示例中的其它值和值的范围。此外，预料到的是，本文中所述的特定参数的任何两个特定值可限定可适用于给定参数的值的范围的端点(即，针对给定参数的第一值和第二值的公开能够被理解为公开了第一值和第二值之间的任何值也可用于给定参数)。例如，如果参数X在本文中被例示为具有值A并且还被例示为具有值Z，则预料到的是，参数X可以具有从约A至约Z的值的范围。类似地，预料到的是，参数的值的两个或更多个范围(无论这些范围是嵌套的、交叠的或者分开的)的公开纳入了可使用公开的范围的端点要求保护的值的范围的所有可能组合。例如，如果参数X在本文中被例示为具有在1-10、或2-9、或3-8的范围中的值，则还预料到的是，参数X可以具有包括1-9、1-8、1-3、1-2、2-10、2-8、2-3、3-10以及3-9在内的值的其它范围。

本文中使用的术语仅出于描述特定示例实施方式的目的，而不旨在进行限制。如本文中使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”也可以旨在包括复数形式。术语“包括”、“包含”和“具有”是包括的，并且因此指定存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。除非明确地确定为执行的顺序，否则本文中公开的方法步骤、处理和操作将不被解释为一定需要它们以讨论或示出的特定顺序执行。还将理解的是，可采用附加的或替代的步骤。

当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“接合到”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，该元件或层可直接在另一元件或层上，直接接合、直接连接或直接联接到另一元件或层，或者可存在中间元件或中间层。相比之下，当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接接合到”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。用于描述这些元件之间的关系的其它词应该以相似的方式被解释(例如，“在…之间”与“直接在…之间”、“相邻”与“直接相邻”等)。如本文中使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列的项的任何组合和所有组合。

当被应用于值时，术语“大约”指示计算或测量允许值的一些轻微的不精确(利用一些方法使值精确；近似地或合理地接近值；差不多)。如果出于一些原因，由“大约”提供的不精确在本领域中没有被另外理解为具有这个普通的含义，则本文中使用的“大约”指示可由测量或使用这些参数的普通方法引起的至少变化。例如，术语“总体上”、“大约”和“基本上”可以在本文中用于意指在制造公差内。或者，例如，本文中使用的术语“大约”在修饰本发明的或采用的成分或反应物的数目时是指可以由于以下项而发生的数值量的变化：通过例如当在这些过程中通过疏忽误差在现实中形成浓缩液或溶液时而使用的典型测量和操作过程；通过用于形成组分或执行方法而采用的成分的制造、来源或纯度方面的差异；等。术语“大约”还涵盖由于因特定初始混合物造成的组分的不同平衡条件而导致不同的量。无论是否被术语“大约”修饰，权利要求包括数目的等同物。

尽管在本文中可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应当受这些术语限制。这些术语可以仅被用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。除非由上下文清楚地表明，否则诸如“第一”、“第二”这样的术语和其它数值术语当在本文中被使用时不意指顺序或次序。因此，在不脱离示例实施方式的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

为了便于描述，本文中可使用诸如“内部的”、“外部的”、“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等这样的空间相对术语来描述如在图中所例示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。空间相对术语可旨在包含除了在图中描述的方位之外的、装置在使用或操作中的不同的方位。例如，如果将图中的装置翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定向为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被以其它方式定向(旋转90度或者在其它方位处)，并且相应地解释本文中使用的空间相对描述。

已经出于示例和描述的目的提供了对实施方式的前述描述。这不旨在是排他性的或限制本公开。特定实施方式的独立元件、期望或所述使用、或特征总体上不限制于该特定实施方式，而是在可应用的情况下可互换并且可以被用于所选择的实施方式，即使没有被具体示出或描述。相同的实施方式也可以按照许多方式来改变。这些变型将不被视为脱离了本公开，并且所有这些修改旨在被包括在本公开的范围内。

Claims (18)

1.一种用于屏蔽或减轻开放结构或封闭结构内的EMI的频率选择结构，该频率选择结构包括：

导电构件；和/或

电磁能量吸收构件；和/或

导电的电磁能量吸收构件；

其中，所述频率选择结构被构造为衰减、吸收、反射、阻挡和/或重定向电磁能量或信号。

2.根据权利要求1所述的频率选择结构，其中，所述频率选择结构包括连接到导电构件的电磁能量吸收构件，由此，当所述频率选择结构被定位在封闭结构的空腔内时，所述频率选择结构能够操作用于使所述封闭结构的所述空腔内的电磁信号衰减，以减少所述空腔内的空腔谐振和/或电磁能量传播。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的频率选择结构，其中，所述频率选择结构包括导热的和/或适合于配合表面的至少一部分，由此，当所述频率选择结构被定位在结构内时，所述频率选择结构能够操作用于在不完全地阻挡所述结构的情况下衰减、反射和/或重定向正通过所述结构传播的在一个或更多个带阻频率下的电磁信号。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的频率选择结构，其中，所述频率选择结构包括能够用作一个或更多个通风孔的一个或更多个开放区域，以使得通风气流能够通过所述一个或更多个开放区域。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的频率选择结构，其中，所述频率选择结构被构造为能够操作用于衰减、吸收、反射、阻挡和/或重定向一个或更多个带阻频率下的电磁信号，并且使得与所述一个或更多个带阻频率不同的一个或更多个带通频率下的电磁信号能够通过。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的频率选择结构，其中，所述频率选择结构被构造为将电磁能量引导至将吸收所述电磁能量的预定区域和/或对操作不太关键的预定区域。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的频率选择结构，其中，所述频率选择结构包括导电环以及具有与所述导电环在形状上互补的形状的电磁能量吸收环。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的频率选择结构，其中，

所述频率选择结构包括介电的、柔性的、导热的和/或适合于配合表面的基板；和/或

所述频率选择结构具有足够的热导率，以在被定位用于提供对一个或更多个发热组件的屏蔽时，限定来自所述一个或更多个发热组件的导热路径；和/或

所述频率选择结构具有足够的柔性，以在装置的一部分被制造之后应用到所述装置的这一部分。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的频率选择结构，其中，所述频率选择结构包括介电构件，所述介电构件连接到导电构件、电磁能量吸收构件和/或导电的电磁能量吸收构件，和/或在导电构件、电磁能量吸收构件和/或导电的电磁能量吸收构件之间延伸，使得所述导电构件、所述电磁能量吸收构件和/或所述导电的电磁能量吸收构件在图案中处于彼此分隔开的位置处。

10.根据权利要求9所述的频率选择结构，其中，

所述频率选择结构包括包含圆形环的导电构件、电磁能量吸收构件和/或导电的电磁能量吸收构件；

所述介电构件包括线性构件，所述线性构件中的每一个连接在相应的一对所述圆形环之间；并且

所述圆形环处于由所述介电构件限定的等边三角形的顶点处。

11.根据前述权利要求中的任一项所述的频率选择结构，其中，所述频率选择结构包括二维频率选择结构或三维频率选择结构。

12.一种方法，该方法包括：将频率选择结构定位在开放结构或封闭结构内使得所述频率选择结构能够操作用于衰减、吸收、反射、阻挡和/或重定向在所述开放结构或封闭结构内传播的电磁能量或信号，其中，所述频率选择结构包括导电构件、电磁能量吸收构件和/或导电的电磁能量吸收构件。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，定位频率选择结构的步骤包括将所述频率选择结构定位在开放结构内或者封闭结构的空腔内，使得所述频率选择结构能够操作用于使所述开放结构内或者所述封闭结构的所述空腔内的电磁信号衰减，以由此减少所述开放结构内或者所述封闭结构的所述空腔内的空腔谐振和/或电磁能量传播。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中，定位频率选择结构的步骤包括将所述频率选择结构定位在开放结构内，使得所述频率选择结构能够操作用于在不完全地阻挡所述开放结构的情况下阻挡通过所述开放结构传播的在一个或更多个带阻频率下的电磁信号。

15.根据权利要求12至14中的任一项所述的方法，其中，定位频率选择结构的步骤包括相对于一个或更多个电子装置定位所述频率选择结构，使得所述频率选择结构的一个或更多个开放区域使得通风气流能够通过所述一个或更多个开放区域，以帮助减少在电子组件中积累的热量。

16.根据权利要求12至15中的任一项所述的方法，其中，定位频率选择结构的步骤包括将所述频率选择结构定位在开放结构内或者封闭结构的空腔内，使得所述频率选择结构能够操作用于在使得与一个或更多个带阻频率不同的一个或更多个带通频率下的电磁信号能够通过的同时衰减、反射和/或重定向所述一个或更多个带阻频率下的电磁信号。

17.根据权利要求12至16中的任一项所述的方法，其中，定位频率选择结构的步骤包括将所述频率选择结构定位在开放结构内或者封闭结构的空腔内，使得所述频率选择结构能够操作用于将电磁能量引导至将吸收所述电磁能量的预定区域和/或不太关键的预定区域。

18.根据权利要求12至17中的任一项所述的方法，其中，定位频率选择结构的步骤包括以下步骤：

定位所述频率选择结构以限定从一个或更多个电子组件到所述频率选择结构的导热路径；和/或

在制造所述一个或更多个电子组件之后定位所述频率选择结构。