CN104928623A - Ogs触摸屏用ito薄膜生产方法 - Google Patents

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thin film
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杨忙
沈效龙
张国强
黄永振
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Shandong Hua Xinfuchuan Electronic Science And Technology Co Ltd
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Shandong Hua Xinfuchuan Electronic Science And Technology Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，避免制程过程中膜结构的破坏，及不同温度处理对导电层电性的影响，以使高分子材料表面溅镀的导电层电性稳定。一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，包括以下步骤：（1）低温溅镀：在高分子材料的基板表面上低温溅镀ITO薄膜层，溅镀温度为室温~150℃；（2）退火：将上述溅镀好的基板在退火设备中进行退火，退火温度为180℃~250℃，退火处理时间为15-50分钟。

Description

OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法
技术领域
   本发明涉及ITO薄膜生产方法，具体涉及一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法。
背景技术
以高分子材料表面为基底溅镀的ITO薄膜，在ITO薄膜制备或热处理过程中的加温容易对高分子材料衬底造成破坏，进而破坏薄膜的性能。
退火对薄膜的微结构和化学组分具有重要的影响。退火处理可以使ITO薄膜更加稳定、降低薄膜的电阻率，提高薄膜透过率、减小薄膜内应力及增大薄膜附着力等。
ITO膜的光学性能和电学性能强烈的依赖于它的微结构，而薄膜的微结构又和制备工艺密切相关。为了避免上述问题以及优化制备工艺，本发明提出在低温条件下制备ITO薄膜，并采用低成本的大气环境退火处理，以达到使ITO薄膜更加稳定，降低电阻率的工艺技术。
发明内容
本发明目的是提供一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，避免制程过程中膜结构的破坏，及不同温度处理对导电层电性的影响，以使高分子材料表面溅镀的导电层电性稳定。
为了实现上述目的，本发明采用技术方案如下：
一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，包括以下步骤：
（1）低温溅镀：在高分子材料的基板表面上低温溅镀ITO薄膜层，溅镀温度为室温~150℃；
（2）退火：将上述溅镀好的基板在退火设备中进行退火，退火温度为180℃~250℃，退火处理时间为15-50分钟。
进一步地，退火过程包括：大气环境下将基板以5-20℃/min从室温升温到180℃~250℃的高温，在高温下保温15-50分钟，以自然冷却降温到室温。 
更进一步地，退火设备为IR炉或烤箱。
本发明的有益效果：
采用本发明方法，通过退火处理使ITO薄膜层进行结晶重构，使高分子材料表面溅镀的ITO薄膜层电性稳定，降低电阻率。
具体实施方式
 下面对本发明做进一步清楚、完整地描述，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例1
一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，包括以下步骤：
（1）低温溅镀：在高分子材料的基板表面上低温溅镀ITO薄膜层，溅镀温度为室温~150℃；
（2）退火：将上述溅镀好的基板在退火设备中进行退火，退火温度为180℃~250℃，退火处理时间为15-50分钟。
本实施例中，退火设备为IR炉或烤箱，退火过程包括：大气环境下将基板以5-20℃/min从室温升温到180℃~200℃的高温，在高温下保温35-50分钟，以自然冷却降温到室温。 
经试验测得该OGS触摸屏用ITO薄膜的电阻率为2.15*10-4Ω·cm,载流子浓度 （1021cm-3）和电子迁移率（15~45cm2V-1s-1）,表明该方法制得ITO薄膜导电性能良好。
实施例2
一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，包括以下步骤：
（1）低温溅镀：在高分子材料的基板表面上低温溅镀ITO薄膜层，溅镀温度为室温~150℃；
（2）退火：将上述溅镀好的基板在退火设备中进行退火，退火温度为180℃~250℃，退火处理时间为15-50分钟。
本实施例中，退火设备为IR炉或烤箱，退火过程包括：大气环境下将基板以5-20℃/min从室温升温到200℃~230℃的高温，在高温下保温25-40分钟，以自然冷却降温到室温。 
实施例3
一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，包括以下步骤：
（1）低温溅镀：在高分子材料的基板表面上低温溅镀ITO薄膜层，溅镀温度为室温~150℃；
（2）退火：将上述溅镀好的基板在退火设备中进行退火，退火温度为180℃~250℃，退火处理时间为15-50分钟。
本实施例中，退火设备为IR炉或烤箱，退火过程包括：大气环境下将基板以5-20℃/min从室温升温到230℃~250℃的高温，在高温下保温15-30分钟，以自然冷却降温到室温。 
以上仅描述了本发明的基本原理和优选实施方式，本领域人员可以根据上述描述作出许多变化和改进，这些变化和改进应该属于本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）低温溅镀：在高分子材料的基板表面上低温溅镀ITO薄膜层，溅镀温度为室温~150℃；
（2）退火：将上述溅镀好的基板在退火设备中进行退火，退火温度为180℃~250℃，退火处理时间为15-50分钟。
2.根据权利要求1所述OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，其特征在于：退火过程包括：大气环境下将基板以5-20℃/min从室温升温到180℃~250℃的高温，在高温下保温15-50分钟，以自然冷却降温到室温。
3.根据权利要求1或2所述OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，其特征在于：退火设备为IR炉或烤箱。
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