CN106293227A - 一种双面消影的触摸屏导电玻璃的加工方法 - Google Patents
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Abstract
一种双面消影的触摸屏导电玻璃的加工方法，第一步，对上玻璃基板和下玻璃基板进行处理，第二步，对上玻璃基板和下玻璃基板溅射上透明层一、上透明钝化层、上透明层二、下干涉层、下透明钝化层；第三步，在上玻璃基板和下玻璃基板第二步溅射的基础上，进行上干涉层、下透明层和ITO膜溅射；具有良好的电磁屏蔽、静电防护和消影作用，并且能够完全代替现有的传统导电玻璃，为下游客户提供低耗能、高均匀性、低成本的制作电容屏用导电玻璃。
Description
技术领域
本发明涉及导电玻璃技术领域，尤其是一种双面消影的触摸屏导电玻璃的加工方法。
背景技术
目前，电容屏产品使用非常广泛，而电容屏中的双面镀导电玻璃是其主要器件，双面镀导电玻璃的导电薄膜在性能方面要求比较严，比如均匀性、耐热性能、耐酸碱性能、耐高温高湿性能等；在制作透明电路的时候，由于工艺难度增加，在制作电路时常采用酸刻电路。在制作过程中，容易蚀刻掉不应该刻蚀的部位，并且存在电路蚀刻的蚀痕影迹，影响其电磁屏蔽、静电保护功能，存在的蚀痕影迹会对观看图案产生影响。
鉴于上述原因，现研发出一种双面消影的触摸屏导电玻璃的加工方法。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种双面消影的触摸屏导电玻璃的加工方法，具有良好的电磁屏蔽、静电防护和消影作用，并且能够完全代替现有的传统导电玻璃，为下游客户提供低耗能、高均匀性、低成本的制作电容屏用导电玻璃。
本发明为了实现上述目的，采用如下技术方案：一种双面消影的触摸屏导电玻璃的加工方法，所述双面消影的触摸屏导电玻璃是由上玻璃基板、锡面、空气面、上透明层一、上透明钝化层、上透明层二、上干涉层、下玻璃基板、下干涉层、下透明钝化层、下透明层、ITO膜构成；上玻璃基板和下玻璃基板的两个表面均为锡面和空气面，上玻璃基板和下玻璃基板的空气面对应贴合，上玻璃基板上表面的锡面上方设置上透明层一，上透明层一与上透明层二之间设置上透明钝化层，上透明层二上方设置上干涉层，上干涉层上方设置ITO膜，下玻璃基板下表面的锡面下方设置下干涉层，下干涉层与下透明层之间设置下透明钝化层，下透明层下方设置ITO膜；
所述上透明钝化层和下透明钝化层均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；
所述上干涉层和下干涉层均采用五氧化二铌。
第一步，对上玻璃基板和下玻璃基板进行处理，
A、对上玻璃基板和下玻璃基板进行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片处理；
B、对切割后的上玻璃基板和下玻璃基板进行磨边和倒角，先X磨边再倒角，旋转90°再对Y磨边及倒角；
C、刷洗吹干；
D、对磨边和倒角后的上玻璃基板和下玻璃基板进行抛光；
E、再刷洗吹干；
第二步，对上玻璃基板和下玻璃基板溅射上透明层一、上透明钝化层、上透明层二、下干涉层、下透明钝化层；
A、对抛光刷洗吹干后上玻璃基板和下玻璃基板沿空气面粘合在一起进行加热；采用的加热温度为150-280摄氏度；
B、利用磁控溅射真空镀膜设备对加热后的上玻璃基板和下玻璃基板的锡面上同时溅射上透明层一和下干涉层，下干涉层采用五氧化二铌，上透明层一上方和下干涉层的下方同时溅射上透明钝化层和下透明钝化层，上透明钝化层和下透明钝化层均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅，上透明钝化层上方溅射上透明层二；
第三步，在上玻璃基板和下玻璃基板第二步溅射的基础上，进行上干涉层、下透明层和ITO膜溅射；
A、对第二步溅射后的上玻璃基板和下玻璃基板进行加热；加热温度采用280-380摄氏度；
B、利用磁控溅射真空镀膜设备，对加热后的上玻璃基板和下玻璃基板溅射，在上玻璃基板的上透明层二上方和下玻璃基板的下透明钝化层下方，同时进行上干涉层和下透明层溅射，上干涉层采用五氧化二铌，上干涉层的上方和下透明层的下方同步溅射ITO膜；
C、对溅射ITO膜后的上玻璃基板和下玻璃基板，经缓冲室做退火处理：先降温至200摄氏度，再加温至300摄氏度稳定，完成对上玻璃基板和下玻璃基板的镀膜。
本发明的有益效果是：本发明能够保护氧化铟锡导电膜刻蚀线路，不受制作过程工艺中的酸溶液的蚀刻，避免在制作过程中蚀刻掉不应该刻蚀的部位，在制作过程中使氧化铟锡导电膜刻蚀线路达到设计要求，具有良好的电磁屏蔽、静电防护和消影作用，并且能够完全代替现有的传统导电玻璃，为下游客户提供低耗能、高均匀性、低成本的制作电容屏用导电玻璃。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步说明：
图1是，总装结构示意图；
图1中：上玻璃基板1、锡面2、空气面3、上透明层一4、上透明钝化层5、上透明层二6、上干涉层7、下玻璃基板8、下干涉层9、下透明钝化层10、下透明层11、ITO膜12。
具体实施方式
下面结合实施例与具体实施方式对本发明作进一步详细说明：
实施例1
上玻璃基板1和下玻璃基板8的两个表面均为锡面2和空气面3，上玻璃基板1和下玻璃基板8的空气面3对应贴合，上玻璃基板1上表面的锡面2上方设置上透明层一4，上透明层一4与上透明层二6之间设置上透明钝化层5，上透明层二6上方设置上干涉层7，上干涉层7上方设置ITO膜12，下玻璃基板8下表面的锡面2下方设置下干涉层9，下干涉层9与下透明层11之间设置下透明钝化层10，下透明层11下方设置ITO膜12；
所述上透明钝化层5和下透明钝化层10均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；
所述上干涉层7和下干涉层9均采用五氧化二铌。
实施例2
第一步，对上玻璃基板1和下玻璃基板8进行处理，
A、对上玻璃基板1和下玻璃基板8进行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片处理；
B、对切割后的上玻璃基板1和下玻璃基板8进行磨边和倒角，先X磨边，再倒角，旋转90°再对Y磨边及倒角；
C、刷洗吹干；
D、对磨边和倒角后的上玻璃基板1和下玻璃基板8进行抛光；
E、再刷洗吹干；
第二步，对上玻璃基板1和下玻璃基板8溅射上透明层一4、上透明钝化层5、上透明层二6、下干涉层9、下透明钝化层10；
A、对抛光刷洗吹干后上玻璃基板1和下玻璃基板8沿空气面3粘合在一起进行加热；采用的加热温度为150-280摄氏度；
B、利用磁控溅射真空镀膜设备对加热后的上玻璃基板1和下玻璃基板8的锡面2上同时溅射上透明层一4和下干涉层9，下干涉层9采用五氧化二铌，上透明层一4上方和下干涉层9的下方同时溅射上透明钝化层5和下透明钝化层10，上透明钝化层5和下透明钝化层10均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅，上透明钝化层5上方溅射上透明层二6；
第三步，在上玻璃基板1和下玻璃基板8第二步溅射的基础上，进行上干涉层7、下透明层11和ITO膜12溅射；
A、对第二步溅射后的上玻璃基板1和下玻璃基板8进行加热；加热温度采用280-380摄氏度；
B、利用磁控溅射真空镀膜设备，对加热后的上玻璃基板1和下玻璃基板8溅射，在上玻璃基板1的上透明层二6上方和下玻璃基板8的下透明钝化层10下方，同时进行上干涉层7和下透明层11溅射，上干涉层7采用五氧化二铌，上干涉层7的上方和下透明层11的下方同步溅射ITO膜12；
C、对溅射ITO膜12后的上玻璃基板1和下玻璃基板8，经缓冲室做退火处理：先降温至200摄氏度，再加温至300摄氏度稳定，完成对上玻璃基板1和下玻璃基板8的镀膜。
Claims (2)
1.一种双面消影的触摸屏导电玻璃的加工方法，所述双面消影的触摸屏导电玻璃是由上玻璃基板(1)、锡面(2)、空气面(3)、上透明层一(4)、上透明钝化层(5)、上透明层二(6)、上干涉层(7)、下玻璃基板(8)、下干涉层(9)、下透明钝化层(10)、下透明层(11)、ITO膜(12)构成；其特征在于：上玻璃基板(1)和下玻璃基板(8)的两个表面均为锡面(2)和空气面(3)，上玻璃基板(1)和下玻璃基板(8)的空气面(3)对应贴合，上玻璃基板(1)上表面的锡面(2)上方设置上透明层一(4)，上透明层一(4)与上透明层二(6)之间设置上透明钝化层(5)，上透明层二(6)上方设置上干涉层(7)，上干涉层(7)上方设置ITO膜(12)，下玻璃基板(8)下表面的锡面(2)下方设置下干涉层(9)，下干涉层(9)与下透明层(11)之间设置下透明钝化层(10)，下透明层(11)下方设置ITO膜(12)；
所述上透明钝化层(5)和下透明钝化层(10)均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；
所述上干涉层(7)和下干涉层(9)均采用五氧化二铌。
2.一种双面消影的触摸屏导电玻璃的加工方法，其特征在于：
第一步，对上玻璃基板(1)和下玻璃基板(8)进行处理，
A、对上玻璃基板(1)和下玻璃基板(8)进行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片处理；
B、对切割后的上玻璃基板(1)和下玻璃基板(8)进行磨边和倒角，先X磨边，再倒角，旋转90°再对Y磨边及倒角；
C、刷洗吹干；
D、对磨边和倒角后的上玻璃基板(1)和下玻璃基板(8)进行抛光；
E、再刷洗吹干；
第二步，对上玻璃基板(1)和下玻璃基板(8)溅射上透明层一(4)、上透明钝化层(5)、上透明层二(6)、下干涉层(9)、下透明钝化层(10)；
A、对抛光刷洗吹干后上玻璃基板(1)和下玻璃基板(8)沿空气面(3)粘合在一起进行加热；采用的加热温度为150-280摄氏度；
B、利用磁控溅射真空镀膜设备对加热后的上玻璃基板(1)和下玻璃基板(8)的锡面(2)上同时溅射上透明层一(4)和下干涉层(9)，下干涉层(9)采用五氧化二铌，上透明层一(4)上方和下干涉层(9)的下方同时溅射上透明钝化层(5)和下透明钝化层(10)，上透明钝化层(5)和下透明钝化层(10)均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅，上透明钝化层(5)上方溅射上透明层二(6)；
第三步，在上玻璃基板(1)和下玻璃基板(8)第二步溅射的基础上，进行上干涉层(7)、下透明层(11)和ITO膜(12)溅射；
A、对第二步溅射后的上玻璃基板(1)和下玻璃基板(8)进行加热；加热温度采用280-380摄氏度；
B、利用磁控溅射真空镀膜设备，对加热后的上玻璃基板(1)和下玻璃基板(8)溅射，在上玻璃基板(1)的上透明层二(6)上方和下玻璃基板(8)的下透明钝化层(10)下方，同时进行上干涉层(7)和下透明层(11)溅射，上干涉层(7)采用五氧化二铌，上干涉层(7)的上方和下透明层(11)的下方同步溅射ITO膜(12)；
C、对溅射ITO膜(12)后的上玻璃基板(1)和下玻璃基板(8)，经缓冲室做退火处理：先降温至200摄氏度，再加温至300摄氏度稳定，完成对上玻璃基板(1)和下玻璃基板(8)的镀膜。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20170104 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |