CN104889573A - 一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法 - Google Patents

一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104889573A
CN104889573A CN201510295613.7A CN201510295613A CN104889573A CN 104889573 A CN104889573 A CN 104889573A CN 201510295613 A CN201510295613 A CN 201510295613A CN 104889573 A CN104889573 A CN 104889573A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
sample
cutting
thin film
cadmium telluride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510295613.7A
Other languages
English (en)
Inventor
张姗
林春
魏彦锋
刘丹
李辉
胡晓宁
丁瑞军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute of Technical Physics of CAS
Original Assignee
Shanghai Institute of Technical Physics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Technical Physics of CAS filed Critical Shanghai Institute of Technical Physics of CAS
Priority to CN201510295613.7A priority Critical patent/CN104889573A/zh
Publication of CN104889573A publication Critical patent/CN104889573A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法,它包括以下步骤:1、利用作图软件绘制切割路径,保存图形文档。2、将样品放在激光加工平台上,调节样品位置和水平,使激光聚焦在样品表面。3、设定激光加工系统的工作参数:波长:532nm/1064nm;脉宽:10ps~20fs;输出功率:10~200mW;扫描速度:200~2000mm/s;重复频率:500~1500Hz;重复次数:10~100次。4、样品切割。使用本发明进行碲镉汞薄膜切割能够获得宽度较窄、机械损伤小、边缘光滑、内部干净的切割槽,且操作简单,提高了工艺可靠性。

Description

一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法
技术领域
本发明涉及一种激光加工技术,具体涉及一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法。
背景技术
碲镉汞(HgCdTe,MCT)做为一种优良的三元系红外探测器材料,具有可调节的禁带宽度、宽光谱覆盖范围、较大的光学吸收系数、较高的电子和空穴迁移率等优点,成为制备红外探测器的优选红外材料。在碲镉汞探测器芯片的制备过程中经常需要制备不同形状的沟槽来进行光敏元的隔离或改变芯片中的应力分布。常规制备沟槽的方法有两种,分别为湿法腐蚀和干法刻蚀。湿法腐蚀需要先制备出各种形状的光刻胶掩膜,再利用含溴的腐蚀液进行腐蚀。湿法腐蚀对材料的损伤小,但可控性差、腐蚀时间过长会造成图形失真,难以形成高深宽比的沟槽。干法刻蚀也需要光刻,能较好的保持图形,但容易造成材料反形,增大器件的漏电流,降低器件性能。作为三元系闪锌矿结构的半导体材料,由于碲镉汞材料中Te-Hg键能较小,碲镉汞材料的性能不稳定,极易受到热或机械应力的影响造成Hg原子分布的变化,在受热和应力过程中产生的缺陷会作为产生-复合中心影响光生载流子的产生和运动,对器件性能产生影响。
激光加工作为一种新型能源加工技术,具有高精度、高效率、高质量的优点,由于不存在与加工对象的力学接触,对材料的应力影响降到最低。随着超短脉冲激光技术的发展,激光“冷加工”成为高精密加工制造的研究热点。
发明内容
本发明的目的在于获得适合碲镉汞薄膜切割的激光刻蚀条件和操作步骤。
本发明的目的是这样实现的:
一种用激光刻蚀进行碲镉汞薄膜切割的方法,其特征在于包括以下步骤:
1)利用作图软件绘制切割路径,保存图形文档。
2)将样品放在激光加工平台上,调节样品位置和水平,使激光聚焦在样品表面。
3)设定激光加工系统的工作参数:
激光波长:532nm/1064nm;
激光脉宽:10ps~20fs;
激光输出功率:10~200mW;
激光扫描速度:200~2000mm/s;
激光重复频率:500~1500Hz;
重复次数:10~100次;
4)样品切割。
将激光切割后的样品放于光学显微镜下观察,切割槽内材料去除干净、槽的宽度均匀、边缘光滑没有裂纹。
本发明的优点在于:
1、采用超短脉冲激光和选择合适的激光工作参数,有效避免了激光加工过程中的热效应对碲镉汞材料性能的影响。
2、可以通过作图软件,灵活调整加工图形。由于不需要光刻过程,节省了光刻所需掩膜板的制备,极大节约成本。
3、降低了碲镉汞器件制备过程的复杂程度,提高成品率。
具体实施方式
实施案例1:
在本实施例中,本发明包括如下的步骤:
1)利用作图软件Auto CAD绘制一个10×10mm的矩形方框,并将矩形框的位置定义在中心距离原点(11mm,11mm)的位置,保存图形文档。
2)将外延层碲镉汞厚度为20um的碲镉汞/碲锌镉材料放在激光加工平台上,调节样品位置和水平,并使激光焦点位于样品表面。
3)设定激光加工系统的工作参数:
激光波长:532nm;
激光脉宽:20fs;
激光输出功率:10mW;
激光扫描速度:2000mm/s;
激光重复频率:1500Hz;
重复次数:10次;
在碲镉汞薄膜上刻蚀得到宽度约为10um的切割槽,切割槽内部材料去除干净、槽的宽度均匀、边缘光滑没有裂纹。
实施案例2:在本案例中设定的激光加工系统的工作参数如下:
激光波长:1064nm;
激光脉宽:20ps;
激光输出功率:200mW;
激光扫描速度:200mm/s;
激光重复频率:500Hz;
重复次数:100次;
在碲镉汞薄膜上刻蚀得到宽度约为20um的切割槽,切割槽内部材料去除干净、槽的宽度均匀、边缘光滑没有裂纹。
实施案例3:在本案例中设定的激光加工系统的工作参数如下:
激光波长:1064nm;
激光脉宽:10ps;
激光输出功率:50mW;
激光扫描速度:1000mm/s;
激光重复频率:1000Hz;
重复次数:50次;
在碲镉汞薄膜上刻蚀得到宽度约为15um的切割槽,切割槽内部材料去除干净、槽的宽度均匀、边缘光滑没有裂纹。

Claims (1)

1.一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法,具体步骤如下:1)利用作图软件绘制切割路径,保存图形文档;2)将样品放在激光加工平台上,调节样品位置和水平,使激光聚焦在样品表面;3)设定激光加工系统的工作参数;4)切割样品,其特征在于:
所述的步骤3)中设定的激光加工系统的工作参数为:激光波长:532nm/1064nm;激光脉宽:10ps~20fs;激光输出功率:10~200mW;激光扫描速度:200~2000mm/s;激光重复频率:500~1500Hz;重复次数:10~100次。
CN201510295613.7A 2015-06-02 2015-06-02 一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法 Pending CN104889573A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510295613.7A CN104889573A (zh) 2015-06-02 2015-06-02 一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510295613.7A CN104889573A (zh) 2015-06-02 2015-06-02 一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104889573A true CN104889573A (zh) 2015-09-09

Family

ID=54022759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510295613.7A Pending CN104889573A (zh) 2015-06-02 2015-06-02 一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104889573A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110695535A (zh) * 2019-09-17 2020-01-17 广东工业大学 一种薄膜材料异形结构及其激光加工方法
CN111805181A (zh) * 2020-07-20 2020-10-23 石家庄恒融世通电子科技有限公司 预成型焊片的制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003334678A (ja) * 2002-05-20 2003-11-25 Mitsubishi Electric Corp Cad/cam装置
DE10341121A1 (de) * 2003-09-03 2005-05-25 Institut für Physikalische Hochtechnologie e.V. Verfahren zur Strukturierung von Chalkogenid-basiertem Material
CN101281936A (zh) * 2008-04-24 2008-10-08 珈伟太阳能(武汉)有限公司 单面指状交叉式太阳能电池片的切割方法
CN101315957A (zh) * 2008-04-21 2008-12-03 上海大学 激光加工在p型碲镉汞材料上形成pn结的方法及装置
CN101590570A (zh) * 2008-05-26 2009-12-02 上海市激光技术研究所 一种激光扫描焊接列管式换热器的方法及装置
CN102202466A (zh) * 2011-04-12 2011-09-28 北京工业大学 一种基于覆铜板的激光辅助选区微去除铜膜方法
CN103464898A (zh) * 2013-08-30 2013-12-25 哈尔滨汽轮机厂有限责任公司 一种针对超级合金薄壁成型件尺寸精度的控制方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003334678A (ja) * 2002-05-20 2003-11-25 Mitsubishi Electric Corp Cad/cam装置
DE10341121A1 (de) * 2003-09-03 2005-05-25 Institut für Physikalische Hochtechnologie e.V. Verfahren zur Strukturierung von Chalkogenid-basiertem Material
CN101315957A (zh) * 2008-04-21 2008-12-03 上海大学 激光加工在p型碲镉汞材料上形成pn结的方法及装置
CN101281936A (zh) * 2008-04-24 2008-10-08 珈伟太阳能(武汉)有限公司 单面指状交叉式太阳能电池片的切割方法
CN101590570A (zh) * 2008-05-26 2009-12-02 上海市激光技术研究所 一种激光扫描焊接列管式换热器的方法及装置
CN102202466A (zh) * 2011-04-12 2011-09-28 北京工业大学 一种基于覆铜板的激光辅助选区微去除铜膜方法
CN103464898A (zh) * 2013-08-30 2013-12-25 哈尔滨汽轮机厂有限责任公司 一种针对超级合金薄壁成型件尺寸精度的控制方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110695535A (zh) * 2019-09-17 2020-01-17 广东工业大学 一种薄膜材料异形结构及其激光加工方法
CN110695535B (zh) * 2019-09-17 2021-07-30 广东工业大学 一种薄膜材料异形结构及其激光加工方法
CN111805181A (zh) * 2020-07-20 2020-10-23 石家庄恒融世通电子科技有限公司 预成型焊片的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI494983B (zh) 利用具有電漿蝕刻之混合式多步驟雷射劃線製程的晶圓切割
US8980726B2 (en) Substrate dicing by laser ablation and plasma etch damage removal for ultra-thin wafers
US9040389B2 (en) Singulation processes
KR102303589B1 (ko) 마스크리스 하이브리드 레이저 스크라이빙 및 플라즈마 에칭 웨이퍼 다이싱 프로세스
JP6081993B2 (ja) プラズマエッチングを伴うハイブリッドガルバニックレーザスクライビングプロセスを用いたウェハダイシング
TWI508155B (zh) 使用混合式分裂射束雷射劃線製程及電漿蝕刻的晶圓切割
TWI621164B (zh) Wafer processing method
TWI657540B (zh) 具有晶圓級底部塡料之晶圓的隱形切割
CN103582943A (zh) 多步骤和非对称塑形的激光束划线
US20150162243A1 (en) Screen print mask for laser scribe and plasma etch wafer dicing process
CN104584205A (zh) 用于以激光和等离子体蚀刻的基板切割的遮罩残留物移除
KR102469595B1 (ko) 플라즈마 다이싱 동안 웨이퍼 프레임 지지 링 냉각에 의한 다이싱 테이프 열 관리
US20160027697A1 (en) Hybrid wafer dicing approach using a rectangular shaped two-dimensional top hat laser beam profile or a linear shaped one-dimensiional top hat laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
JP2021515986A (ja) マルチパスレーザスクライビングプロセスとプラズマエッチングプロセスを使用したハイブリッドウエハダイシングアプローチ
CN111992903A (zh) 激光同步剥离晶圆的方法
JP2022511299A (ja) 中間ブレークスルー処理を用いたハイブリッドレーザスクライビング及びプラズマエッチング手法を使用するウエハダイシング
Du et al. Se doping of silicon with Si/Se bilayer films prepared by femtosecond-laser irradiation
TW201517152A (zh) 用於使用雷射刻劃及電漿蝕刻之晶圓切割的交替遮蔽及雷射刻劃方法
CN104889573A (zh) 一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法
TW201545235A (zh) 用於改良晶圓塗佈處理之烘烤工具
US9196536B1 (en) Hybrid wafer dicing approach using a phase modulated laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
US8445361B1 (en) Method of dividing a semiconductor wafer having semiconductor and metal layers into separate devices
Moser et al. Laser processing of gallium nitride–based light-emitting diodes with ultraviolet picosecond laser pulses
JP7527728B2 (ja) チップの製造方法
JP2013251456A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150909

RJ01 Rejection of invention patent application after publication