CN104868038A - 透明led封装结构 - Google Patents

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王潜
向健勇
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Shenzhen Liantronics Co Ltd
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    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials

Abstract

本发明公开了一种透明LED封装结构，包括透明LED基板和封装在所述透明LED基板上的LED发光体，所述透明LED基板内具有绝缘层、透明薄膜导电层及表面覆膜，所述LED发光体的封装在透明LED基板上后，LED发光体的两极电性连接到透明LED基板内透明薄膜导电层上对应的电极上，所述LED发光体为LED芯片，所述LED芯片通过透明绝缘固晶胶固定在两个导电接触点之间，所述透明薄膜导电层为GZO薄膜导电层，所述GZO薄膜导电层的厚度为300nm-550nm。该种透明LED封装结构具有结构简单、生产工艺简单、生产难度低、产品透光率高、性能稳定、使用寿命长等现有产品所不具备的优点。

Description

透明LED封装结构
技术领域
本发明涉及透明LED应用领域，特别是一种透明LED封装结构。
背景技术
发光二极管简称为LED，其可将电能转化为光能。LED具有高效、环保、节能、使用寿命长等传统灯具所不具备的优点而被大规模推广应用。随著LED技术的发展，LED产品的种类越来越丰富、性能越来越好。其中，透明LED发光领域是一个LED应用推广的重要领域，其广泛应用于商场、大厦、广告牌等需要透明显示的地方。现有的透明LED产品中，普遍还存在结构复杂、生产工艺复杂、生产困难、生产成本高、LED模块透光率偏低、性能不稳定等技术缺陷，严重限制了透明LED产品进一步推广应用和技术创新。
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种新的技术方案以解决现存的技术问题。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明提供一种透明LED封装结构，解决了现有透明LED产品结构复杂、生产工艺复杂、生产成本高、透光率低、性能不稳定等技术缺陷。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
透明LED封装结构，包括透明LED基板和封装在所述透明LED基板上的LED发光体，所述透明LED基板内具有绝缘层、透明薄膜导电层及表面覆膜。
作为上述技术方案的改进，所述LED发光体的封装在透明LED基板上后，LED发光体的两极电性连接到透明LED基板内透明薄膜导电层上对应的电极上。
作为上述技术方案的进一步改进，所述LED发光体为LED芯片，所述LED芯片通过透明绝缘固晶胶固定在两个导电接触点之间。
作为上述技术方案的进一步改进，所述透明薄膜导电层为GZO薄膜导电层。
作为上述技术方案的进一步改进，所述GZO薄膜导电层的厚度为300nm-550nm。
作为上述技术方案的进一步改进，所述GZO薄膜导电层的透光率大于或等于85%。
作为上述技术方案的进一步改进，所述透明LED基板内具有一层或多层GZO薄膜导电层，其和绝缘层间隔涂覆，最表面的一层GZO薄膜导电层上表面涂覆有所述的表面覆膜。
作为上述技术方案的进一步改进，所述绝缘层为透明绝缘聚合物薄膜。
作为上述技术方案的进一步改进，所述表面覆膜为厚度5～20nm的DLC透明薄膜。
作为上述技术方案的进一步改进，所述所述透明LED基板的一面或两面封装有LED发光体。
本发明的有益效果是：本发明提供了一种透明LED封装结构，该种LED封装结构具有结构简单的优点，可以极大地简化生产该种透明LED封装结构产品的生产工艺，有效降低生产难度，进一步可降低生产成本，经济效益更好；另外，采用GZO薄膜导电层作为透明薄膜导电层，可有效提高该种LED产品的透光率和性能的稳定性，整体性能得到极大提升。该种透明LED封装结构解决了现有透明LED产品结构复杂、生产工艺复杂、生产成本高、透光率低、性能不稳定等技术缺陷。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的结构示意图；
图2是图1中A的局部放大图。
具体实施方式
以下将结合实施例和附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本发明的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本发明的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本发明保护的范围。另外，专利中涉及到的所有联接/连接关系，并非单指构件直接相接，而是指可根据具体实施情况，通过添加或减少联接辅件，来组成更优的联接结构。本发明创造中的各个技术特征，在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合，参照图1、图2。
透明LED封装结构，包括透明LED基板1和封装在所述透明LED基板1上的LED发光体2，所述透明LED基板1内具有绝缘层、透明薄膜导电层及表面覆膜。
优选地，所述LED发光体2的封装在透明LED基板1上后，LED发光体2的两极电性连接到透明LED基板1内透明薄膜导电层上对应的电极上。
优选地，所述LED发光体2为LED芯片，所述LED芯片通过透明绝缘固晶胶固定在两个导电接触点之间。
优选地，所述透明薄膜导电层为GZO薄膜导电层。
优选地，所述GZO薄膜导电层的厚度为300nm-550nm。
优选地，所述GZO薄膜导电层的透光率大于或等于85%。
优选地，所述透明LED基板1内具有一层或多层GZO薄膜导电层，其和绝缘层间隔涂覆，最表面的一层GZO薄膜导电层上表面涂覆有所述的表面覆膜。
优选地，所述绝缘层为透明绝缘聚合物薄膜。
优选地，所述表面覆膜为厚度5～20nm的DLC透明薄膜。
优选地，所述所述透明LED基板1的一面或两面封装有LED发光体。
该种透明LED封装结构中，透明薄膜材料为GZO材料，该种材料相比于现有的ITO等透明LED材料具有多种优势，如，GZO薄膜的透明LED显示屏的透明度达到90%，在长时间的连续使用情况下能够保证稳定、正常显示，性能稳定性高；GZO透明薄膜材料在可见光波段平均透过率达到90%，有利于光的提取，透光率高，远高于ITO材料75%的水平；另外，当GZO薄膜的厚度为300nm时，透过率为86.8%，当薄膜的厚度增加时，透过率的厚度有所提高，并在500nm时达到最高的97.9%，此时GZO的光透过率最高，此时透明LED的性能最好，但是，过厚的GZO薄膜厚度意味著要消耗更多的材料和溅射时间，所以GZO的最佳厚度要根据实施本发明时的具体条件及平衡器件性能和成本两方面考虑。
在实施本发明时，该种透明LED封装结构可以成条状设计或板状设计，封装的LED发光体2的个数可以根据具体的实施条件决定。
以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可做出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (10)

1.透明LED封装结构，其特征在于：包括透明LED基板（1）和封装在所述透明LED基板（1）上的LED发光体（2），所述透明LED基板（1）内具有绝缘层、透明薄膜导电层及表面覆膜。
2.根据权利要求1所述的透明LED封装结构，其特征在于：所述LED发光体（2）的封装在透明LED基板（1）上后，LED发光体（2）的两极电性连接到透明LED基板（1）内透明薄膜导电层上对应的电极上。
3.根据权利要求2所述的透明LED封装结构，其特征在于：所述LED发光体（2）为LED芯片，所述LED芯片通过透明绝缘固晶胶固定在两个导电接触点之间。
4.根据权利要求1所述的透明LED封装结构，其特征在于：所述透明薄膜导电层为GZO薄膜导电层。
5.根据权利要求4所述的透明LED封装结构，其特征在于：所述GZO薄膜导电层的厚度为300nm-550nm。
6.根据权利要求5所述的透明LED封装结构，其特征在于：所述GZO薄膜导电层的透光率大于或等于85%。
7.根据权利要去6所述的透明LED封装结构，其特征在于：所述透明LED基板（1）内具有一层或多层GZO薄膜导电层，其和绝缘层间隔涂覆，最表面的一层GZO薄膜导电层上表面涂覆有所述的表面覆膜。
8.根据权利要求1所述的透明LED封装结构，其特征在于：所述绝缘层为透明绝缘聚合物薄膜。
9.根据权利要求1所述的透明LED封装结构，其特征在于：所述表面覆膜为厚度5～20nm的DLC透明薄膜。
10.根据权利要求1-9任一项所述的透明LED封装结构，其特征在于：所述所述透明LED基板（1）的一面或两面封装有LED发光体。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20110210356A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Semiconductor package and fabrication method thereof
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CN103629575A (zh) * 2013-11-29 2014-03-12 华南理工大学 一种具有柔性透明衬底的led灯具

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