CN104851968A - 一种用于面内应变传感的各向异性薄膜及其制备方法 - Google Patents
一种用于面内应变传感的各向异性薄膜及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104851968A CN104851968A CN201510262464.4A CN201510262464A CN104851968A CN 104851968 A CN104851968 A CN 104851968A CN 201510262464 A CN201510262464 A CN 201510262464A CN 104851968 A CN104851968 A CN 104851968A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode layer
- anisotropic
- flexible substrate
- film
- strain sensing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 49
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 16
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用于面内应变传感的各向异性薄膜及其制备方法，采用射频磁控溅射方法，在高分子柔性衬底上依次制备底电极层、各向异性薄膜层和顶电极层，测量时，电流沿顶电极层和底电极层从各向异性薄膜层厚度方向流过，实现对平行于各向异性薄膜层方向的变形进行测量。本发明以材料压电压阻传感原理代替欧姆定律，平面内布置的电极变为上下布置，利于传感单元的高密度集成；灵敏度明显优于目前的商用金属薄膜应变片；微加工工艺简单。
Description
技术领域
本发明涉及应变传感器件、应变开关器件中的传感薄膜材料及其制备技术领域，尤其是涉及一种电阻各向异性薄膜及其制备方法。
背景技术
应变传感技术被广泛的应用于工程和科研领域，如工程结构分析、材料力学等。其中贴片式应变传感，即应变片的应用最为广泛。应变片是利用金属薄膜的欧姆定律制成的，其特点是灵活度高，精度好。但缺点是金属薄膜需有一定的长度来满足器件电阻的需求，一般应变片的几何尺寸在毫米级，而且其电极引线布置与传感材料本身在同一个平面，这两方面原因导致其空间分辨率有限，测量精度也相对有限，难以进行高分辨率的阵列化集成使用。常用的应变片灵敏度：Gauge Factor＝2。
利用半导体材料的压阻效应或者压电半导体材料中压电电荷对电极接触电阻的调控效应可以获得较高的应变传感灵敏度。研究表明其应变灵敏度：Gauge Factor一般能达到几百甚至上千的量级，远远高于应变片。而且该类材料用于传感时的几何尺寸通常较小，一般几微米至几百微米尺度即可满足应变传感的需求。
随着大型结构设备从基于强度的设计制造向基于失效模式、基于风险的设计制造理念的转变，应变测量数据的采集和积累，尤其是应变场数据测量需求的增加，促进了高分辨率、高灵敏度应变传感器的发展。
发明内容
本发明的技术目的是针对上述现有技术的不足以及应变测量需求，提供一种用于面内应变传感的各向异性薄膜及其制备方法，利用该薄膜可实现面内应变的高灵敏精度及高空间分辨率的传感。利用所述方法可制备该各向异性薄膜。
本发明提供一种用于面内应变传感的各向异性薄膜，所述薄膜包括在高分子柔性衬底上制备的底电极层、各向异性薄膜层和顶电极层，测量时，电流沿顶电极层和底电极层从各向异性薄膜层厚度方向流过，实现对平行于各向异性薄膜层方向的变形进行测量。
所述的各向异性薄膜层为一层带有压阻特性的半导体薄膜或为压电半导体薄膜，为n型半导体或者是p型半导体。对于压电半导体薄膜，同时具有压电和半导体特性，压电半导体薄膜的厚度方向为压电系数最高的方向。
所述的各向异性薄膜层具有典型的紧密排列柱状晶结构。晶界排列的一致取向性使得各向异性薄膜层在沿晶界方向的电阻率较小而垂直晶界方向的电阻率很大，即在各向异性薄膜层平面内具有超高的电阻率甚至绝缘，在各向异性薄膜层厚度方向电阻率较小，实现薄膜电阻率各向异性的特征。
所述各向异性薄膜层的厚度为100nm至2μm之间；各向异性薄膜层面积为0.01mm2至150mm2之间。
所述顶电极层和底电极层的导电材料可选择金、铂、氧化铟锡等材料，厚度均为100至200纳米，电阻控制在1kΩ以下。
本发明还提供一种用于面内应变传感的各向异性薄膜的制备方法，包括如下步骤：
步骤1：将绝缘的高分子柔性衬底放置在磁控溅射真空腔室衬底托盘的加热器上加热至预设的温度；
步骤2：在绝缘的高分子柔性衬底上使用氩气等离子体和氧气等离子体进行溅射轰击；
步骤3：在溅射轰击后的高分子柔性衬底上使用射频磁控溅射方法溅射底电极层。
步骤4：在底电极层表面溅射各向异性薄膜层；
步骤5：在各向异性薄膜层表面溅射顶电极层。
上述方法步骤中：
所述将高分子柔性衬底放置于加热器上的加热过程，需首先开启磁控溅射设备的旋转轴转动，然后开启加热器加热，加热到预设温度后需保温足够长的时间(至少十分钟)以保证溅射过程的薄膜均匀性和足够小的晶粒尺寸。
所述射频磁控溅射方法所使用的溅射靶材为与各向异性薄膜材料相同成分的靶材。
所述各向异性薄膜层中薄膜材料的生长制备过程中，对于氧化物半导体材料需额外通入适当流量的氧气等气体以保证所生长的各向异性薄膜材料的化学成分。
所述的绝缘的高分子柔性衬底为能够耐受100℃以上高温的热缩性高分子柔性衬底。
本发明的优点在于：
(1)以材料压电压阻传感原理代替欧姆定律，平面内布置的电极变为上下布置，利于传感单元的高密度集成；
(2)灵敏度明显优于目前的商用金属薄膜应变片；
(3)微加工工艺简单；
附图说明
图1为本发明中采用射频磁控溅射法制备用于面内应变传感的各向异性薄膜的过程示意图；
图2为本发明中实施例中将各向异性薄膜用于应变传感的结构示例图；
图3为本发明中实施例中各向异性薄膜的电流应变响应曲线。
具体实施方式
以下结合附图和优选的实施例对本发明作进一步详细说明：
本实施例中为方便测量各向异性薄膜的应变传感的力电耦合性能，在薄膜上下表面各增加了电极制备的工艺步骤。
本实施例中，采用聚酰亚胺或者聚对苯二甲酸乙二醇酯作为高分子柔性衬底材料，其中聚酰亚胺的耐受温度上限为300℃、聚对苯二甲酸乙二醇酯的耐受温度上限为180℃。
将高分子柔性衬底材料依次使用去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇进行超声波清洗，每种溶液清洗时间约15min。随后将高分子柔性衬底置于鼓风干燥箱中在60℃干燥空气下烘干。
本发明提供的用于面内应变传感的各向异性薄膜的制备方法，包括如下步骤：
步骤1：如图1所示，将清洗干燥后的高分子柔性衬底放置在磁控溅射真空室的样品托盘上。使用真空胶带将高分子柔性衬底的边角黏贴于托盘上，以固定高分子柔性衬底。关闭真空室并抽真空至本底真空10-4Pa。开启托盘转盘，开启加热器对高分子柔性衬底加热，温度达到150℃后，保持温度至少10min。
步骤2：向真空室中通入氩气，开启射频电源，调整功率至100W，使用氩气等离子体对高分子柔性衬底表面进行轰击清洗5min后关闭电源，停止通入氩气；向真空室中通入氧气，开启射频电源，调整功率至100W，使用氧气等离子体对高分子柔性衬底表面进行轰击清洗5min后关闭电源，停止通入氧气。
步骤3：采用射频磁控溅射方法在高分子柔性衬底上溅射低电阻率导电材料作为底电极层，导电材料可选择金、铂、氧化铟锡等材料。底电极层的厚度控制在100至200纳米，电阻控制在1kΩ以下。厚度控制可通过提高溅射功率和延长溅射时间来实现，电阻控制可通过控制通入的氧气量和调整基板温度来实现。
步骤4：采用射频磁控溅射方法在底电极层表面溅射各向异性薄膜层，本实施例中选用氧化锌压电半导体材料。溅射过程为：选用高纯度氧化锌材料作为溅射靶材，向真空室中通入氩气、氧气混合气体(通入比例：9:1，总气压：0.5Pa)，开启射频电源，调整功率至100W，开始氧化锌薄膜的溅射的连续生长，生长过程中始终保持气体通入比例、气压和功率的持续和恒定。当溅射生长的氧化锌薄膜厚度达到1μm至2μm后关闭电源，停止通入气体。得到各向异性氧化锌薄膜层。
步骤5：采用射频磁控溅射方法在各向异性氧化锌薄膜层上溅射低电阻率导电材料作为顶电极层，导电材料可选择金、铂、氧化铟锡等材料。顶电极层的厚度控制在100至200纳米，电阻控制在1kΩ以下。
图2为本发明实施例中制得的带有底电极和顶电极的各向异性薄膜的结构示意图，所述的各向异性薄膜结构，包括在高分子柔性衬底层上依次制备的底电极层、各向异性薄膜层和顶电极层。所述的顶电极层和底电极层采用相同的导电材料，所述的各向异性薄膜层具有典型的紧密排列柱状晶结构。各向异性薄膜层厚度为100nm至2μm之间。
图3为对各向异性薄膜的顶电极和底电极施加固定电压后，测量得到的通过底电极和顶电极的电流随应变的响应曲线。可以看出，该各向异性薄膜层对应变的响应灵敏度GaugeFactor可达到100以上，明显高于金属应变片(Gauge Factor一般为2)。
本发明提供的用于面内应变传感的各向异性膜具有压阻特性或同时具备压电和半导体特性，而且其电阻率在厚度和薄膜面内具有各向异性特性。该薄膜利用泊松比可将平面内的变形转变为离面变形，测量该离面变形所引起的薄膜表观电阻变化即可实现对平面内的应变传感。该薄膜改变了应变传感薄膜平面内布置电极的传统结构，将电极布置于薄膜上下形成三维立体的结构，从而实现减小器件尺寸，提高空间分辨率的目的。该薄膜的电阻率各向异性特性，使得利用该薄膜进行阵列化应变测量成为可能。较大的面内电阻率避免了相邻传感单元之间的串扰问题，适中的离面电阻率便于应变传感过程中电流的精确测量。
Claims (8)
1.一种用于面内应变传感的各向异性薄膜的制备方法，其特征在于：
步骤1：将绝缘的高分子柔性衬底放置在磁控溅射真空腔室衬底托盘的加热器上加热至预设的温度；
步骤2：在绝缘的高分子柔性衬底上使用氩气等离子体和氧气等离子体进行溅射轰击；
步骤3：在溅射轰击后的高分子柔性衬底上使用射频磁控溅射方法溅射底电极层；
步骤4：在底电极层表面溅射各向异性薄膜层；
步骤5：在各向异性薄膜层表面溅射顶电极层。
2.根据权利要求1所述的一种用于面内应变传感的各向异性薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1中高分子柔性衬底依次使用去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇进行超声波清洗，每种溶液清洗时间15min；随后将高分子柔性衬底置于鼓风干燥箱中在60℃干燥空气下烘干；高分子柔性衬底在真空室内加热，真空室抽真空至本底真空10-4Pa；加热温度150℃，保持温度至少10min。
3.根据权利要求1所述的一种用于面内应变传感的各向异性薄膜的制备方法，其特征在于：所述的高分子柔性衬底为能够耐受100℃以上高温的热缩性高分子柔性衬底。
4.根据权利要求1所述的一种用于面内应变传感的各向异性薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2中溅射轰击的气体依次选择氩气和氧气，射频电源功率为100W，时间为5min。
5.一种用于面内应变传感的各向异性薄膜，其特征在于：所述薄膜包括在高分子柔性衬底上制备的底电极层、各向异性薄膜层和顶电极层，测量时，电流沿顶电极层和底电极层从各向异性薄膜层厚度方向流过，实现对平行于各向异性薄膜层方向的变形进行测量。
6.根据权利要求5所述的一种用于面内应变传感的各向异性薄膜，其特征在于：所述的各向异性薄膜层为一层带有压阻特性的半导体薄膜或为压电半导体薄膜，为n型半导体或者是p型半导体；对于压电半导体薄膜，同时具有压电和半导体特性，压电半导体薄膜的厚度方向为压电系数最高的方向；所述的各向异性薄膜层具有柱状晶结构；晶界排列的一致取向性使得各向异性薄膜层实现薄膜电阻率各向异性的特征。
7.根据权利要求5所述的一种用于面内应变传感的各向异性薄膜，其特征在于：所述各向异性薄膜层的厚度为100nm至2μm之间；各向异性薄膜层面积为0.01mm2至150mm2之间；所述顶电极层和底电极层的厚度均为100至200纳米，电阻控制在1kΩ以下。
8.根据权利要求5所述的一种用于面内应变传感的各向异性薄膜，其特征在于：所述顶电极层和底电极层的导电材料选择金、铂或氧化铟锡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510262464.4A CN104851968A (zh) | 2015-05-21 | 2015-05-21 | 一种用于面内应变传感的各向异性薄膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510262464.4A CN104851968A (zh) | 2015-05-21 | 2015-05-21 | 一种用于面内应变传感的各向异性薄膜及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104851968A true CN104851968A (zh) | 2015-08-19 |
Family
ID=53851455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510262464.4A Pending CN104851968A (zh) | 2015-05-21 | 2015-05-21 | 一种用于面内应变传感的各向异性薄膜及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104851968A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105067439A (zh) * | 2015-08-26 | 2015-11-18 | 中国特种设备检测研究院 | 一种裂纹尖端应变场传感器及其测量方法 |
| CN109297397A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-02-01 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 静电换能器可动电极的厚度测量方法、装置以及系统 |
| CN109596041A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-04-09 | 大连交通大学 | 一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在薄膜应变计上的应用 |
| CN110736421A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-01-31 | 中国船舶重工集团公司第七0四研究所 | 用于弹性体应变测量的薄膜应变计及制备方法 |
| CN111780653A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-10-16 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 | 基于碳膜纳米导电材料的电阻体及其制备方法 |
| CN115420189A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-12-02 | 电子科技大学 | 一种面向人体健康监测的柔性应变传感器及其制备方法 |
| CN116380327A (zh) * | 2023-03-23 | 2023-07-04 | 墨现科技(东莞)有限公司 | 薄膜压力传感器及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101071085A (zh) * | 2007-06-21 | 2007-11-14 | 复旦大学 | 一种有机压力传感器及其使用方法 |
| CN101118948A (zh) * | 2007-09-03 | 2008-02-06 | 清华大学 | 具有大压电常数和高电阻率的V掺杂ZnO薄膜材料 |
| US20110080069A1 (en) * | 2009-10-06 | 2011-04-07 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Piezoelectric actuation structure including an integrated piezoresistive strain gauge and its production method |
| CN102163687A (zh) * | 2010-12-10 | 2011-08-24 | 清华大学 | 一种高压电响应氧化锌柔性压力传感器及其制备方法 |
| CN202442829U (zh) * | 2012-02-21 | 2012-09-19 | 林志娟 | 一种阵列力传感器 |
-
2015
- 2015-05-21 CN CN201510262464.4A patent/CN104851968A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101071085A (zh) * | 2007-06-21 | 2007-11-14 | 复旦大学 | 一种有机压力传感器及其使用方法 |
| CN101118948A (zh) * | 2007-09-03 | 2008-02-06 | 清华大学 | 具有大压电常数和高电阻率的V掺杂ZnO薄膜材料 |
| US20110080069A1 (en) * | 2009-10-06 | 2011-04-07 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Piezoelectric actuation structure including an integrated piezoresistive strain gauge and its production method |
| CN102163687A (zh) * | 2010-12-10 | 2011-08-24 | 清华大学 | 一种高压电响应氧化锌柔性压力传感器及其制备方法 |
| CN202442829U (zh) * | 2012-02-21 | 2012-09-19 | 林志娟 | 一种阵列力传感器 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 肖韵雪等: "用RF平面磁控溅射高度c轴取向ZnO压电薄膜", 《压电与声光》 * |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105067439A (zh) * | 2015-08-26 | 2015-11-18 | 中国特种设备检测研究院 | 一种裂纹尖端应变场传感器及其测量方法 |
| CN109297397A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-02-01 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 静电换能器可动电极的厚度测量方法、装置以及系统 |
| CN109297397B (zh) * | 2018-10-25 | 2020-07-31 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 静电换能器可动电极的厚度测量方法、装置以及系统 |
| CN109596041A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-04-09 | 大连交通大学 | 一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在薄膜应变计上的应用 |
| CN110736421A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-01-31 | 中国船舶重工集团公司第七0四研究所 | 用于弹性体应变测量的薄膜应变计及制备方法 |
| CN111780653A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-10-16 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 | 基于碳膜纳米导电材料的电阻体及其制备方法 |
| CN111780653B (zh) * | 2020-06-09 | 2022-01-07 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 | 基于碳膜纳米导电材料的电阻体及其制备方法 |
| CN115420189A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-12-02 | 电子科技大学 | 一种面向人体健康监测的柔性应变传感器及其制备方法 |
| CN116380327A (zh) * | 2023-03-23 | 2023-07-04 | 墨现科技(东莞)有限公司 | 薄膜压力传感器及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104851968A (zh) | 一种用于面内应变传感的各向异性薄膜及其制备方法 | |
| CN204632810U (zh) | 一种用于面内应变传感的各向异性薄膜 | |
| TWI534941B (zh) | 用以監測多工加熱器陣列之溫度與控制該加熱器陣列的系統及方法 | |
| CN110726959A (zh) | 一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件 | |
| CN109781287A (zh) | 一种具有高空间分辨率的柔性薄膜热电偶温度传感器 | |
| CN104034752A (zh) | 一种测量薄膜纵向热导率的装置及方法 | |
| Ferreira et al. | Tuning electrical resistivity anisotropy of ZnO thin films for resistive sensor applications | |
| Liu et al. | Influences of annealing temperature on the thermoelectric properties of thin film thermocouples based on a flexible substrate by RF magnetron sputtering | |
| Zhai et al. | Study on the resistance characteristic of Pt thin film | |
| CN102636282B (zh) | 一种高频响薄膜热电极温度传感器及其制备方法 | |
| CN105910737B (zh) | 一种应力定位传感器及其制作方法、应力定位方法 | |
| CN106383161A (zh) | 基于Li3PO4‑Li4SiO4混合固体电解质的电势型气体传感器及其制备方法 | |
| CN106756848B (zh) | 一种金属基高温组合绝缘层及其制备方法 | |
| CN107475681B (zh) | 用于均匀控制大面积柔性衬底温度的方法 | |
| CN110823934B (zh) | 一种样品表面微纳米膜层高温相变的原位测量方法 | |
| US11419186B2 (en) | Thick film element having coated substrate with high heat conductivity | |
| CN105742483B (zh) | 基于载流子调控金属绝缘转变温度的低温磁传感器及其制备方法 | |
| CN103643211A (zh) | 一种新型制备azo薄膜沉积工艺 | |
| CN205222679U (zh) | 定标黑体光源 | |
| CN106367720A (zh) | 一种锡酸镉（cto）薄膜退火方法 | |
| CN105417491B (zh) | 定标黑体光源的制备方法 | |
| CN115684654B (zh) | 一种准确测量双电层电势分布的方法 | |
| Liu et al. | Mechanism of Seebeck coefficient variation at the output of NiCr/NiSi thin film thermocouple with different wires | |
| CN108627546A (zh) | 一种纳米多层膜调制比的实时测量方法及装置 | |
| CN114384118B (zh) | 一种带基底介质薄膜的热扩散系数测量方法及装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150819 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |