CN104821362A - 一种基于铁基板的led封装工艺流程 - Google Patents

一种基于铁基板的led封装工艺流程 Download PDF

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Abstract

本发明一种基于铁基板的LED封装工艺流程，属于LED封装流程技术领域；解决的技术问题是提供了一种基于铁基板的LED封装工艺流程，对于0.5W以下功率的灯珠，使用铁材质基板代替铜材质基板支架，即满足散热要求，又可降低材料成本，提高经济效益，在铁基板表面镀镍后镀银以保持产品的优良性能；采用的技术方案为：一种基于铁基板的LED封装工艺流程，包括扩晶、固晶、烘烤、焊线、点胶、剥料、分光、除湿、装袋、检验和包装的步骤，基于铁为原料制作的基板上进行上述步骤的LED封装流程；本发明可广泛应用于LED封装流程技术领域。

Description

一种基于铁基板的LED封装工艺流程
技术领域
本发明一种基于铁基板的LED封装工艺流程，属于LED封装流程技术领域。
背景技术
LED基板主要是作为LED芯片与系统电路板之间热能导出的媒介，藉由打线、共晶或覆晶的制程与LED芯片结合，目前影响LED使用寿命的因素主要为LED芯片热量的疏散，传统LED为达到良好的散热效果一般采用铜材质基板支架，铜在常见金属中导热系数仅次于银，是热的优良导体，但铜的价格偏高，导致LED封装成本上升。
发明内容
本发明克服了现有技术存在的不足，提供了一种基于铁基板的LED封装工艺流程，对于0.5W以下功率的灯珠，使用铁材质基板代替铜材质基板支架，即满足散热要求，又可降低材料成本，提高经济效益，在铁基板表面镀镍后镀银以保持产品的优良性能。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种基于铁基板的LED封装工艺流程，包括以下步骤：
a、采用超声波清洗LED支架，LED支架采用铁材质为基本材料，表面镀镍后再镀银；
b、对LED支架进行烘干除湿，除湿温度为150℃，除湿时间2小时；
c、对芯片进行检验，材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑，芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求，电极图案是否完整；
d、对芯片进行扩晶操作，采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm；
e、对胶水进行解冻和搅拌，采用针筒式银胶和绝缘胶，针筒式银胶和绝缘胶的解冻胶水量均为10g，解冻时间不小于1小时，解冻温度为18℃到26℃，绝缘胶解冻次数不能多余3次，银胶解冻次数不能多余2次；
f、固晶生产，在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶，将扩张后LED芯片安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片刺到相应的位置上；
g、对固晶胶进行烘烤烧结，银胶烧结的温度控制在150℃，烧结时间2小时；
h、对固定好的芯片进行推力测试；
i、焊线生产，用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上，其中：键合功率为70mw到110mw；键合压力为60 gms到90gms；键合时间为10ms到20ms；键合温度为130℃到160℃；                                                                                               
j、焊接完成后对焊接好的金属丝进行拉力测试；
k、对焊接好的整个材料做除湿处理；
l、配胶后进行点胶；
m、对点胶后的材料进行烘烤；
n、对烘烤后的材料进行检验，检验后进行剥料处理；
o、对剥料后的成品进行分光；
p、对分光后的成品进行除湿，除湿温度为120℃，除湿时间为6小时；
q、将成品进行装袋；
r、装袋完成后，再次进行除湿，除湿温度为70℃，除湿时间为10小时；
s、对除湿后的产品进行最后的检验，然后包装入库。
从固晶到进烤时间控制在2小时。
材料在每站的作业时间不超过24小时。
银胶烧结烘箱必须隔2小时打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。
本发明与现有技术相比具有的有益效果是：
本发明适用于0.5W以下功率的灯珠，使用铁材质基板代替铜材质基板支架，铁材质基板可满足LED芯片的散热要求，节约材料成本，降低资金消耗，提高产品的收益；通过在铁基板表面镀镍，提高本身的机械性能；通过在铁基板表面镀银，提到其导电性、抗腐蚀性和反光性能，实现优良的产品品质。
附图说明
下面结合附图对本发明做进一步的说明。
图1为本发明的封装流程图。
具体实施方式
实施例一：
如图1所示，本发明一种基于铁基板的LED封装工艺流程，包括以下步骤：
a、采用超声波清洗LED支架，LED支架采用铁为基本材料，表面镀镍后再镀银；
b、对LED支架进行烘干除湿，除湿温度为150℃，除湿时间2小时；
c、对芯片进行检验，材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑，芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求，电极图案是否完整；
d、对芯片进行扩晶操作，采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm；
e、对胶水进行解冻和搅拌，采用针筒式银胶和绝缘胶，针筒式银胶和绝缘胶的解冻胶水量均为10g，解冻时间不小于1小时，解冻温度为18℃到26℃，绝缘胶解冻次数不能多余3次，银胶解冻次数不能多余2次；
f、固晶生产，在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶，将扩张后LED芯片安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片刺到相应的位置上；
g、对固晶胶进行烘烤烧结，银胶烧结的温度控制在150℃，烧结时间2小时；
h、对固定好的芯片进行推力测试；
i、焊线生产，用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上，其中：键合功率为90mw；键合压力为80gms；键合时间为20ms；键合温度为140℃；                                                                                                                     
j、焊接完成后对焊接好的金属丝进行拉力测试；
k、对焊接好的整个材料做除湿处理；
l、配胶后进行点胶；
m、对点胶后的材料进行烘烤；
n、对烘烤后的材料进行检验，检验后进行剥料处理；
o、对剥料后的成品进行分光；
p、对分光后的成品进行除湿，除湿温度为120℃，除湿时间为6小时；
q、将成品进行装袋；
r、装袋完成后，再次进行除湿，除湿温度为70℃，除湿时间为10小时；
s、对除湿后的产品进行最后的检验，然后包装入库。
从固晶到进烤时间控制在2小时。
材料在每站的作业时间不超过24小时。
银胶烧结烘箱必须隔2小时打开更换烧结的产品，中间不得随意打开，烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。
实施例二：
在步骤i中，键合功率为70mw；键合压力为60gms；键合时间为20ms；键合温度为130℃，其他步骤均与实施例一相同。
实施例三：
在步骤i中，键合功率为110mw；键合压力为90gms；键合时间为10ms；键合温度为150℃，其他步骤均与实施例一相同。
上面结合附图对本发明的实施例作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (4)

1.一种基于铁基板的LED封装工艺流程，其特征在于，包括以下步骤：
a、采用超声波清洗LED支架，LED支架采用铁为基本材料，表面镀镍后再镀银；
b、对LED支架进行烘干除湿，除湿温度为150℃，除湿时间2小时；
c、对芯片进行检验，材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑，芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求，电极图案是否完整；
d、对芯片进行扩晶操作，采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm；
e、对胶水进行解冻和搅拌，采用针筒式银胶和绝缘胶，针筒式银胶和绝缘胶的解冻胶水量均为10g，解冻时间不小于1小时，解冻温度为18℃到26℃，绝缘胶解冻次数不能多余3次，银胶解冻次数不能多余2次；
f、固晶生产，在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶，将扩张后LED芯片安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片刺到相应的位置上；
g、对固晶胶进行烘烤烧结，银胶烧结的温度控制在150℃，烧结时间2小时；
h、对固定好的芯片进行推力测试；
i、焊线生产，用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上，其中：键合功率为70mw到110mw；键合压力为60 gms到90gms；键合时间为10ms到20ms；键合温度为130℃到160℃；             
j、焊接完成后对焊接好的金属丝进行拉力测试；
k、对焊接好的整个材料做除湿处理；
l、配胶后进行点胶；
m、对点胶后的材料进行烘烤；
n、对烘烤后的材料进行检验，检验后进行剥料处理；
o、对剥料后的成品进行分光；
p、对分光后的成品进行除湿，除湿温度为120℃，除湿时间为6小时；
q、将成品进行装袋；
r、装袋完成后，再次进行除湿，除湿温度为70℃，除湿时间为10小时；
s、对除湿后的产品进行最后的检验，然后包装入库。
2.根据权利要求1一种基于铁基板的LED封装工艺流程，其特征在于：从固晶到进烤时间控制在2小时。
3.根据权利要求1一种基于铁基板的LED封装工艺流程，其特征在于：材料在每站的作业时间不超过24小时。
4.根据权利要求1一种基于铁基板的LED封装工艺流程，其特征在于：银胶烧结烘箱必须隔2小时打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。
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