CN104774460A - 一种热塑性聚酰亚胺薄膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了属于高分子材料技术领域的一种热塑性聚酰亚胺薄膜及其制备方法。它包括如下重量份数的物质:聚酰亚胺15-2500份,偶联剂2-8份,碳粉2-5份。本发明的热塑性聚酰亚胺薄膜可以充当粘接层,与热固性聚酰亚胺薄膜共同构成PCCL的绝缘层,薄膜的树脂分子结构决定了薄膜基片具有好的尺寸稳定性、弹性率和线膨胀系数,可以达到与铜箔同等的程度,它在因温度、湿度的环境变化而引起的薄膜材料的应力增加方面,受其影晌较小,表现出高的材料尺寸稳定性,适应与FPC实现微细电路图形化。
Description
技术领域
本发明属于高分子材料技术领域,具体涉及一种热塑性聚酰亚胺薄膜及其制备方法。
背景技术
薄轻短小化已成为电子产品,特别是携带型电子产品的技术发展的潮流。在这一发展潮流中,挠性印制电路板成为了电子产品所用的多种类型中的一个“宠儿”。制造FPC用的抗性覆铜板(FCC)是由铜箔(充当导电体)、薄膜(充当绝缘基片)、粘接剂(作为薄膜与铜箔的粘接材料)组成的。自1995年起,由于FPC技术与应用领域的扩展,对薄膜基片的机械强度及它的刚性有了更高的要求,在这种市场需求下,开发出聚酰亚胺簿膜材料产品充当绝缘基片。
当前,随着FPC制造技术在近年来更加走向微细电路图形化,具有高耐热性、高折动挠曲性,已成为衡量高性能FPC的重要标志。许多电子产品目前已经开始要求FCP在一些过去没有的严酷环境中,要保持应有的特性,以使整机产品能够实现高可靠性。应之而生的三层型FPC为了达到高耐热性、高挠曲性、高可靠性的要求,往往是在FCCL构成之一的胶粘剂上,提高性能(即在耐热性、折动挠曲性、机械性等方面得到提高)。但是,起到铜箔与簿膜粘接作用的胶粘剂,往往是在提高了耐热性、挠曲性后,它的原有的粘接性就会有所下降。另外,由于电子电路的用途更加广泛,一些整机产品对FPC的要求:不但在基板制造工程上要具备优良的焊接耐热性,而且在整机产品的实际使用中FPC也要保持长期耐热性的稳定。这就要求作为FPC基板材料(FCCL)的主要材料聚酰亚胺薄膜基片,要具备有好的尺寸稳定性,以适应在基板上制作高 密度的电路图形。
但是近年的携带型电于产品的小型化在不断的发展,对簿膜材料的尺寸稳定性时更高,这种新的要求对于普通聚酰亚胺薄膜是无法达到的。这是由于它们在吸水率、吸湿膨胀率的性能上,存在着偏高的弱点。因此在高湿的情况下,表现出尺寸变化大的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种热塑性聚酰亚胺薄膜。该薄膜稳定性好,可作为铜箔与薄膜之间的粘接层。
一种热塑性聚酰亚胺薄膜,包括如下重量份数的物质:聚酰亚胺15-2500份,偶联剂2-8份,碳粉2-5份。
所述偶联剂为硅烷、钛酸酯或三异硬脂酰基钛酸异丙酯。
所述聚酰亚胺的制备方法为:以芳香长链二胺2,2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷为二胺原料,以均苯四甲酸二酐为二酐原料,采用二步溶液缩聚法制得。
所述聚酰亚胺的制备方法为:以芳香长链二胺2,2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷为二胺原料,以3,3′,4,4′-联苯四羧酸二酐为二酐原料,采用二步溶液缩聚法制得。
所述聚酰亚胺的制备方法为:以芳香长链二胺2,2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷为二胺原料,以4,4′-氧双邻苯二甲酸酐为二酐原料,采用二步溶液缩聚法制得。
所述热塑性聚酰亚胺薄膜的制备方法,按照如下步骤进行:
(1)在室温下,将2,2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷与二酐加入到反应釜, 氮气保护下加入间甲酚,搅拌均匀后,加入异喹啉,升温至190℃,反应12小时,冷却后将反应液倒入乙醇析出,制成聚酰亚胺树脂;
(2)将碳粉放在有机溶剂中,加入偶联剂,经高剪切分散机加以高温处理后预先分散,处理温度为200-800℃;
(3)将合成的聚酰亚胺树脂和处理好的碳粉经搅拌反应釜搅拌,搅拌速度1000rpm,搅拌时间1-2h,制成膜液;
(4)将膜液压入脱泡釜,在真空条件下脱去膜液中的气泡;
(5)将脱泡后的膜液放入流延机加以流延形成厚度均匀的聚酰亚胺薄膜;
(6)将聚酰亚胺薄膜放入亚胺化炉进行亚胺化处理,通过收卷机和分切机进行加工,制成成品。
所述有机溶剂为二甲基乙酰胺,二甲亚砜、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜或N-甲基吡咯烷酮。
所述二酐为均苯四甲酸二酐,3,3′,4,4′-联苯四羧酸二酐或4,4′-氧双邻苯二甲酸酐。
本发明的有益效果:本发明的热塑性聚酰亚胺薄膜可以充当粘接层,与热固性聚酰亚胺薄膜共同构成PCCL的绝缘层,薄膜的树脂分子结构决定了薄膜基片具有好的尺寸稳定性、弹性率和线膨胀系数,可以达到与铜箔同等的程度,它在因温度、湿度的环境变化而引起的薄膜材料的应力增加方面,受其影晌较小,表现出高的材料尺寸稳定性,适应与FPC实现微细电路图形化。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步说明。
实施例1
一种热塑性聚酰亚胺薄膜的制备方法,按照如下步骤进行:
(1)在室温下,将1345g 2,2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷与1000g均苯四甲酸二酐加入到反应釜,氮气保护下加入15000g间甲酚,搅拌均匀后,加入500g异喹啉,升温至190℃,反应12小时,冷却后将反应液倒入乙醇析出,制成聚酰亚胺树脂;
(2)将70g碳粉放在1000g二甲基乙酰胺中,加入20g钛酸酯,经高剪切分散机加以高温处理后预先分散,处理温度为200-800℃;
(3)将合成的聚酰亚胺树脂和处理好的碳粉经搅拌反应釜搅拌,搅拌速度1000rpm,搅拌时间1-2h,制成膜液;
(4)将膜液压入脱泡釜,在真空条件下脱去膜液中的气泡;
(5)将脱泡后的膜液放入流延机加以流延形成厚度均匀的聚酰亚胺薄膜;
(6)将聚酰亚胺薄膜放入亚胺化炉进行亚胺化处理,通过收卷机和分切机进行加工,制成成品。
本实施例的热塑性聚酰亚胺薄膜可以充当粘接层,与热固性聚酰亚胺薄膜共同构成PCCL的绝缘层,薄膜的树脂分子结构决定了薄膜基片具有好的尺寸稳定性、弹性率和线膨胀系数,可以达到与铜箔同等的程度,它在因温度、湿度的环境变化而引起的薄膜材料的应力增加方面,受其影晌较小,表现出高的材料尺寸稳定性,适应与FPC实现微细电路图形化。
实施例2
一种热塑性聚酰亚胺薄膜的制备方法,按照如下步骤进行:
(1)在室温下,将1320g 2,2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷与1100g3,3′,4,4′-联苯四羧酸二酐加入到反应釜,氮气保护下加入14000g间甲酚,搅拌均匀后,加入490g异喹啉,升温至190℃,反应12小时,冷却后将反应液倒入乙醇析出,制成聚酰亚胺树脂;
(2)将70g碳粉放在1000g N,N-二甲基乙酰胺中,加入20g硅烷,经高剪切分散机加以高温处理后预先分散,处理温度为200-800℃;
(3)将合成的聚酰亚胺树脂和处理好的碳粉经搅拌反应釜搅拌,搅拌速度1000rpm,搅拌时间1-2h,制成膜液;
(4)将膜液压入脱泡釜,在真空条件下脱去膜液中的气泡;
(5)将脱泡后的膜液放入流延机加以流延形成厚度均匀的聚酰亚胺薄膜;
(6)将聚酰亚胺薄膜放入亚胺化炉进行亚胺化处理,通过收卷机和分切机进行加工,制成成品。
本实施例的热塑性聚酰亚胺薄膜可以充当粘接层,与热固性聚酰亚胺薄膜共同构成PCCL的绝缘层,薄膜的树脂分子结构决定了薄膜基片具有好的尺寸稳定性、弹性率和线膨胀系数,可以达到与铜箔同等的程度,它在因温度、湿度的环境变化而引起的薄膜材料的应力增加方面,受其影晌较小,表现出高的材料尺寸稳定性,适应与FPC实现微细电路图形化。
实施例3
一种热塑性聚酰亚胺薄膜的制备方法,按照如下步骤进行:
(1)在室温下,将1210g 2,2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷与990g4,4′-氧双邻苯二甲酸酐加入到反应釜,氮气保护下加入15000g间甲酚,搅拌均匀后, 加入500g异喹啉,升温至190℃,反应12小时,冷却后将反应液倒入乙醇析出,制成聚酰亚胺树脂;
(2)将70g碳粉放在1000gN-甲基吡咯烷酮中,加入20g三异硬脂酰基钛酸异丙酯,经高剪切分散机加以高温处理后预先分散,处理温度为200-800℃;
(3)将合成的聚酰亚胺树脂和处理好的碳粉经搅拌反应釜搅拌,搅拌速度1000rpm,搅拌时间1-2h,制成膜液;
(4)将膜液压入脱泡釜,在真空条件下脱去膜液中的气泡;
(5)将脱泡后的膜液放入流延机加以流延形成厚度均匀的聚酰亚胺薄膜;(6)将聚酰亚胺薄膜放入亚胺化炉进行亚胺化处理,通过收卷机和分切机进行加工,制成成品。
本实施例的热塑性聚酰亚胺薄膜可以充当粘接层,与热固性聚酰亚胺薄膜共同构成PCCL的绝缘层,薄膜的树脂分子结构决定了薄膜基片具有好的尺寸稳定性、弹性率和线膨胀系数,可以达到与铜箔同等的程度,它在因温度、湿度的环境变化而引起的薄膜材料的应力增加方面,受其影晌较小,表现出高的材料尺寸稳定性,适应与FPC实现微细电路图形化。
实施例4
一种热塑性聚酰亚胺薄膜的制备方法,按照如下步骤进行:
(1)在室温下,将1210g 2,2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷与990g4,4′-氧双邻苯二甲酸酐加入到反应釜,氮气保护下加入15000g间甲酚,搅拌均匀后,加入500g异喹啉,升温至190℃,反应12小时,冷却后将反应液倒入乙醇析出,制成聚酰亚胺树脂;
(2)将70g碳粉放在1000gN-甲基吡咯烷酮中,加入20g三异硬脂酰基钛酸异丙酯,经高剪切分散机加以高温处理后预先分散,处理温度为200-800℃;
(3)将合成的聚酰亚胺树脂和处理好的碳粉经搅拌反应釜搅拌,搅拌速度1000rpm,搅拌时间1-2h,加入12g马唐提取物,转速调到2000rpm,继续搅拌1-2h,制成膜液;
所述马唐提取物的提取方法为:将马唐晒干,磨成粉末,过80目筛,加3-5倍重量份数的70%乙醇溶液回流提取3次,滤渣采用2-3倍重量的去离子水回流提取1次,合并滤液,脱色,蒸干制成。
(4)将膜液压入脱泡釜,在真空条件下脱去膜液中的气泡;
(5)将脱泡后的膜液放入流延机加以流延形成厚度均匀的聚酰亚胺薄膜;
(6)将聚酰亚胺薄膜放入亚胺化炉进行亚胺化处理,通过收卷机和分切机进行加工,制成成品。
本实施例的热塑性聚酰亚胺薄膜可以充当粘接层,与热固性聚酰亚胺薄膜共同构成PCCL的绝缘层,薄膜的树脂分子结构决定了薄膜基片具有好的尺寸稳定性、弹性率和线膨胀系数,可以达到与铜箔同等的程度,它在因温度、湿度的环境变化而引起的薄膜材料的应力增加方面,受其影晌较小,表现出高的材料尺寸稳定性,适应与FPC实现微细电路图形化。其综合效果优于实施例1-3。
实施例5
一种热塑性聚酰亚胺薄膜的制备方法,按照如下步骤进行:
(1)在室温下,将1210g 2,2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷与990g4,4′-氧双邻苯二甲酸酐加入到反应釜,氮气保护下加入15000g间甲酚,搅拌均匀后, 加入500g异喹啉,升温至190℃,反应12小时,冷却后将反应液倒入乙醇析出,制成聚酰亚胺树脂;
(2)将70g碳粉放在1000gN-甲基吡咯烷酮中,经高剪切分散机加以高温处理后预先分散,处理温度为200-800℃;
(3)将合成的聚酰亚胺树脂和处理好的碳粉经搅拌反应釜搅拌,搅拌速度1000rpm,搅拌时间1-2h,制成膜液;
(4)将膜液压入脱泡釜,在真空条件下脱去膜液中的气泡;
(5)将脱泡后的膜液放入流延机加以流延形成厚度均匀的聚酰亚胺薄膜;
(6)将聚酰亚胺薄膜放入亚胺化炉进行亚胺化处理,通过收卷机和分切机进行加工,制成成品。
本实施例的热塑性聚酰亚胺薄膜不可以充当粘接层,与热固性聚酰亚胺薄膜共同构成PCCL的绝缘层,在因温度、湿度的环境变化而引起的薄膜材料的应力增加方面,受其影晌较大,不适应与FPC实现微细电路图形化。
Claims (8)
1.一种热塑性聚酰亚胺薄膜,其特征在于,包括如下重量份数的物质:聚酰亚胺15-2500份,偶联剂2-8份,碳粉2-5份。
2.根据权利要求1所述一种热塑性聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述偶联剂为硅烷、钛酸酯或三异硬脂酰基钛酸异丙酯。
3.根据权利要求1所述一种热塑性聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚酰亚胺的制备方法为:以芳香长链二胺2,2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷为二胺原料,以均苯四甲酸二酐为二酐原料,采用二步溶液缩聚法制得。
4.根据权利要求1所述一种热塑性聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚酰亚胺的制备方法为:以芳香长链二胺2,2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷为二胺原料,以3,3′,4,4′-联苯四羧酸二酐为二酐原料,采用二步溶液缩聚法制得。
5.根据权利要求1所述一种热塑性聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚酰亚胺的制备方法为:以芳香长链二胺2,2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷为二胺原料,以4,4′-氧双邻苯二甲酸酐为二酐原料,采用二步溶液缩聚法制得。
6.权利要求1所述热塑性聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,按照如下步骤进行:
(1)在室温下,将2,2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷与二酐加入到反应釜,氮气保护下加入间甲酚,搅拌均匀后,加入异喹啉,升温至190℃,反应12小时,冷却后将反应液倒入乙醇析出,制成聚酰亚胺树脂;
(2)将碳粉放在有机溶剂中,加入偶联剂,经高剪切分散机加以高温处理后预先分散,处理温度为200-800℃;
(3)将合成的聚酰亚胺树脂和处理好的碳粉经搅拌反应釜搅拌,搅拌速度1000rpm,搅拌时间1-2h,制成膜液;
(4)将膜液压入脱泡釜,在真空条件下脱去膜液中的气泡;
(5)将脱泡后的膜液放入流延机加以流延形成厚度均匀的聚酰亚胺薄膜;
(6)将聚酰亚胺薄膜放入亚胺化炉进行亚胺化处理,通过收卷机和分切机进行加工,制成成品。
7.根据权利要求6所述热塑性聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂为二甲基乙酰胺,二甲亚砜、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜或N-甲基吡咯烷酮。
8.根据权利要求6所述热塑性聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,所述二酐为均苯四甲酸二酐,3,3′,4,4′-联苯四羧酸二酐或4,4′-氧双邻苯二甲酸酐。
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150715 |
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |