CN104769501A - 用于确定反射镜元件的取向的监视系统和euv光刻系统 - Google Patents

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Abstract

一种光学系统，包括：反射镜系统(19)，包括多个反射镜元件(23)，其中，所述反射镜元件的取向可以独立于彼此设定；以及监视系统(52)，构造成确定所述反射镜元件(23)的取向。所述监视系统包括：监视辐射源(57)，构造成以具有多个不同波长的光(55)照明所述多个反射镜元件；监视透镜(59)，具有物平面(61)、像平面(63)以及布置在所述物平面和所述像平面之间的光瞳平面(77)；滤色器(78)，在不同位置处具有彼此不同的依赖于波长的透射属性；以及空间解析和波长解析光检测器(67)，具有检测区(65)；其中，所述反射镜元件(23)布置在所述监视透镜(59)的物平面(61)的区域中；其中，所述光检测器(67)的检测区(65)布置在所述监视透镜(59)的像平面(63)的区域中；以及其中，所述滤色器(78)布置在所述监视透镜(59)的光瞳平面(77)的区域中。

Description

用于确定反射镜元件的取向的监视系统和EUV光刻系统
技术领域
本发明涉及一种用于确定反射镜元件的取向的监视系统以及一种具有这种监视系统的EUV光刻系统。
背景技术
EUV光刻系统可用于通过借助EUV辐射将要成像的结构(还称为掩模或掩模母版)成像到辐射敏感结构(还称为光刻胶)上来产生微型化部件。EUV辐射是紫外辐射，尤其具有位于极紫外(EUV)区域中的波长，比如具有位于从5nm至30nm的范围内的波长。
从EP1202101A2中已知的EUV光刻系统包括成像光学单元、EUV辐射源和第一反射镜系统，成像光学单元构造成将物平面成像到像平面，要成像的结构可布置在物平面中，辐射敏感结构可布置在像平面中，第一反射镜系统布置在EUV辐射源和物平面之间的EUV光路中，并包括基底和固定到基底的多个反射镜元件，反射镜元件关于基底的取向可以分别被设定为能够不同地设定入射在要成像的结构上的EUV辐射的角分布。
问题包括相对于反射镜系统的基底或相对于其中集成了反射镜系统的光学系统的另一部件或相对于这种光学系统的光轴或场平面或光瞳平面设定反射镜系统的多个反射镜元件，使得实现对角分布的期望设定，并且在EUV光刻系统操作期间维持该角分布。
发明内容
本发明在考虑上述问题的情况下完成。
本发明的实施例提供了一种光学系统，其包括反射镜元件的系统和监视系统，可以设定反射镜元件的取向，监视系统用于确定反射镜元件的取向。
本发明的其它实施例提供了一种EUV光刻系统，其包括反射镜元件的系统和监视系统，可以设定反射镜元件的取向，监视系统用于确定反射镜元件的取向。
根据一些特定实施例，光学系统包括反射镜系统和监视系统，其中，反射镜系统具有多个反射镜元件，其中，反射镜元件的取向可分别独立于彼此设定，并且其中，监视系统被设置用于确定反射镜元件的取向，并包括下列部件：监视辐射源，其构造成以具有多个不同波长的光照明多个反射镜元件；监视透镜，具有物平面、像平面以及布置在物平面和像平面之间的光瞳平面；滤色器，其在不同位置处具有彼此不同的依赖于波长的透射属性；以及空间解析和波长解析光检测器，具有检测区，其中，反射镜元件布置在监视透镜的物平面区域中，其中，光检测器的检测区布置在监视透镜的像平面区域中，并且其中，滤色器布置在监视透镜的光瞳平面区域中。
具有多个反射镜元件的反射镜系统可被结合在另一光学系统中，在另一光学系统中，满足另一光学系统的功能所需的目的，其中，为了另一光学系统的目的，例如，可能需要反射镜元件相对彼此或相对另一参考物(比如反射镜元件所附接到的基底)的预定取向。继而，监视系统被构造成确定反射镜元件的取向，使得根据所确定的取向，可采取特定措施。
监视透镜使物平面成像至像平面，使得物平面和像平面是彼此光学共轭的平面。从物平面中给定点以不同角度发出的光束再一次从不同角度入射至像平面中的单个点。监视透镜的光瞳平面布置在物平面和像平面之间的光路中。在那里，所述光瞳平面具有从物平面中不同点以相同角度发出的光束在相同点处与光瞳平面相交的属性。
反射镜元件布置在监视透镜的物平面区域中，即反射镜元件的光学有效反射镜区要么正好布置在监视透镜的物平面中，要么布置成与监视透镜的物平面相距不远的距离，使得反射镜元件可以以可接受的成像质量成像在监视透镜的像平面中。监视透镜的物平面和像平面也可不是完全平面，而是弯曲平面(由于期望或不期望的场曲)。反射镜元件的表面不必正好布置在平面中，而是可布置在弯曲的二维区中。
由于监视透镜将反射镜元件光学成像至空间解析的检测器上，所以由监视辐射源发射并在特定反射镜元件处反射的光由于光学成像而会(如果其进入监视透镜)入射在空间解析检测器上与特定反射镜元件相关联的点，确切地说，独立于特定反射镜元件相对于基底的取向。
对于成像质量或者物区、图区和检测器布置的几何位置而言重要的条件是，在检测器上有核心区域用于每个光学有效反射镜区，仅来自该反射镜区的光照射在所述核心区域上，而来自另一反射镜区的光不会照射在所述核心区域上。然而，对于检测，检测器上的每个点不必仅由来自一个反射镜区的光照射。这使得可降低监视透镜的复杂性。
然而，在特定反射镜元件处反射的光在依赖于反射光离开物平面的角度的点处穿过监视透镜的光瞳平面。该角度又依赖于特定反射镜元件的取向。滤色器布置在光瞳平面中，根据位置，滤色器具有对于光的不同波长而不同的透射属性。结果，在对应于特定反射镜元件的点处入射在检测器上的光经历滤色器进行的颜色过滤，这依赖于特定反射镜元件的取向。这导致在与特定反射镜元件相关联的点处入射在检测器上的光具有依赖于特定反射镜元件的取向的颜色或波长分布。该颜色或波长分布可由波长解析光检测器确定，所以，反向地，反射镜元件的取向可从所确定的颜色中推导出。
根据示例性实施例，光学系统还包括控制器，其构造成分析由光检测器检测到的光强，并确定反射镜元件的取向，其中，根据在检测器的检测区上的与相应反射镜元件相关联的点处检测到的波长，确定每个单独反射镜元件的取向。
光检测器可以是能够根据位置和波长两者检测入射在其上的光的任何类型的光检测器。光检测器可包括多个检测器像素，每个单独的检测器像素能够提供表示入射在检测器像素上的光强的检测信号。检测器像素可包括滤色器，使得彼此相邻的各检测器像素对入射光的不同颜色敏感。这种滤色器的示例是所谓的Bayer滤波器。根据其它实施例，光检测器包括至少一个分色光束分离器和至少两组检测器像素，由光束分离器产生的一个部分束入射在一组像素上，由光束分离器产生的另一部分束入射在另一组像素上，使得不同组的像素检测光的不同颜色或波长。
根据另一实施例，利用不同颜色的光可在检测器材料中穿透至不同深度的事实。通过在检测器的不同深度处获取由光产生的载荷子，可得到颜色信息。
根据示例性实施例，反射镜系统包括多个致动器，其构造成改变反射镜区的至少一些相对于基底的取向，其中，控制器构造成基于所确定的反射镜元件的至少一个的取向来致动致动器。结果，可在反射镜系统操作期间测量反射镜元件的取向、确定该取向是否对应于期望取向，并可选地通过致动致动器来校正反射镜元件的取向。因此，可以在操作期间调节反射镜元件的取向(闭环控制)。
根据示例性实施例，监视辐射源是点源，即具有尽可能小的直径的辐射源。监视辐射源的光发射部分的直径可以例如小于2.0mm，或者小于1.0mm，或者小于0.5mm。
根据特定实施例，监视系统包括彼此邻近布置的若干监视辐射源。这导致各监视辐射源的光以不同角度入射在反射镜元件上，对应于监视辐射源数量的光束数量以不同角度在朝向监视透镜的方向上由每个反射镜元件发射出。由于仅反射光束之一必须由检测器检测来确定特定反射镜元件的取向，所以与具有仅单个监视辐射源的实施例相比，可减少监视透镜的有效直径，使得在特定反射镜元件处反射的一些光束不会进入监视透镜并成像在检测器上。比较小的监视透镜在更低成本和更少的所需安装空间方面是有利的。
根据其它实施例，提供多个监视透镜、多个滤色器和多个光检测器，其中，反射镜元件布置在监视透镜的每个单独一个的物平面区域中，其中，多个光检测器的每个的检测区布置在监视透镜的每个单独一个的像平面区域中，并且其中，多个滤色器之一布置在监视透镜的每个单独一个的光瞳平面区域中。与具有单个监视透镜的设计相比，多个监视透镜可具有更小的更有效的直径，这同样在更低成本和占据更小安装空间方面是有利的。
根据实施例，本发明提出了一种具有EUV光路的EUV光刻系统，包括：成像光学单元，其布置在EUV光路中，并构造成将成像光学单元的物平面成像在成像光学单元的像平面中，要成像的结构可布置在物平面中，辐射敏感结构可布置在像平面中；EUV辐射源和反射镜系统，反射镜系统包括基底和附接到基底的多个反射镜元件，其中，可分别设定反射镜元件相对基底的取向；以及监视系统，用于确定反射镜元件的取向，其中，监视系统包括：监视辐射源，其构造成以具有多个不同波长的光照明多个反射镜元件；监视透镜，具有物平面、像平面以及布置在物平面和像平面之间的光瞳平面；滤色器，在不同位置处具有彼此不同的依赖于波长的透镜属性；以及具有检测区的空间解析和波长解析光检测器，其中，反射镜元件布置在监视透镜的物平面区域中，其中，光检测器的检测区布置在监视透镜的像平面区域中，其中，滤色器布置在监视透镜的光瞳平面区域中，并且其中，反射镜系统的反射镜元件布置在EUV辐射源和成像光学单元的物平面之间的EUV光路中。
根据示例性实施例，反射镜系统包括多于1000个反射镜元件、多于10000个反射镜元件、或者甚至多于100000个反射镜元件。
根据其它示例性实施例，反射镜元件的反射镜区在总反射镜区内彼此邻近布置，其中，总反射镜区的直径大于100mm或大于150mm。
根据示例性实施例，反射镜元件的反射镜区具有小于1mm2的面积。举例来说，反射镜元件可具有方形反射镜区，其边长为0.5mm或更小。
根据其它示例性实施例，反射镜元件的取向可均改变多于±0.05rad，尤其改变多于±0.1rad。而且，反射镜元件的取向可以在两个彼此独立的方向上改变。
根据示例性实施例，通过监视透镜的成像是缩小的成像。举例来说，监视透镜的将监视透镜的物平面成像至监视透镜的像平面的线性放大率的绝对值可以小于0.6或小于0.3。
根据示例性实施例，光检测器具有多个检测器像素，其中，检测器像素的数量充分(substantially)大于布置在监视透镜的物场中的反射镜元件的数量。举例来说，检测器像素的数量为布置在监视透镜的物场中的反射镜元件的数量的10倍或100倍。结果，由特定反射镜元件反射的光同时入射在检测器的多个像素上，并由这些像素检测，使得检测器的多个像素有助于确定入射光的颜色。如此可增加检测的光的颜色的精度，因此，增加确定特定反射镜元件的取向的精度。
根据其它示例性实施例，由特定反射镜元件反射的光入射在检测器的正好一个像素上，使得通过评估由检测器的单个像素检测的光强，特定反射镜元件的枢转位置是可能的。
附图说明
参考附图，从下面对示例性实施例的详细描述，本公开的前述和其它有利特征将更明显。应注意，并非所有可能实施例都必须呈现本文所确认的优点的每个或任一个。
图1示出根据一个实施例的EUV光刻系统的EUV光路的示意图；
图2示出图1的EUV光刻系统的具有多个反射镜元件的反射镜系统的顶视图的示意图；
图3示出用于图2所示反射镜系统的监视系统的示意图；
图4示出图3所示监视系统的滤色器的示意图；
图5示出说明使用多个监视辐射源的示意图；以及
图6示出具有多个监视透镜的监视系统的示意图。
具体实施方式
在下述示例性实施例中，在功能和结构上类似的部件尽可能由类似的参考标号表示。因此，为了理解特定实施例的单独部件的特征，可以参考本公开的对发明内容和其它实施例的描述。
图1以示意图示出EUV光刻系统1，并用于说明EUV光刻系统的EUV光路3。光刻系统1的EUV光路3用于成像要成像的结构5，要成像的结构的表面布置在光刻系统1的物平面7中。为此，要成像的结构5由EUV辐射照明，EUV辐射由EUV辐射源9产生。EUV辐射源9可以例如是等离子体辐射源，其发射处于例如5nm至15nm的波长区域中的EUV辐射。由EUV辐射源发射的一部分辐射以准直方式在聚焦反射镜11处反射，使得其入射在第一反射镜系统13上，第一反射镜系统包括基底15和附接到基底15的多个反射镜元件17。在反射镜元件17处反射的EUV辐射入射在第二反射镜系统19上，第二反射镜系统包括基底21和附接到基底的多个反射镜元件23。可直接或间接在于一个或多个其它反射镜处反射之后，将在反射镜元件23处反射的EUV辐射引导至要成像的结构5。在所示示例性实施例中，在于三个反射镜25、26和27(其在EUV光路中一个布置在另一个之后)处反射之后，将在反射镜元件23处反射的EUV辐射引导至要成像的结构5。
两个反射镜系统13和19用于照明EUV光刻系统的物平面7中的选择的场，从而通过改变反射镜元件的取向和/或通过改变两个反射镜系统的反射镜元件的取向设定物平面7中的被照明场的设计和范围来设定光入射在物平面7上的角分布。为此，两个反射镜系统可具有相似的设计。
图2示出基于反射镜系统19的反射镜系统的设计的示例的示意图。反射镜系统19的反射镜元件23的反射区具有方形设计。反射区的其它设计是可能的。反射镜系统19的反射镜元件23的数量可以大于1000、大于10000、大于100000。举例来说，反射镜系统19的直径可位于从200mm至300mm的区域中。单独反射镜元件均可通过致动器31在两个线性独立的方向上从休止(rest)位置偏离±0.1rad。致动器可根据压电原理、静电原理或其它原理操作。
反射镜系统19具有多个致动器31，图2仅以示例方式示出两个致动器，用于改变若干或所有反射镜元件23的反射镜区相对于基底15的取向。致动器31借助控制线34由控制器33控制。致动器31通过控制器33致动，以设定入射在物平面7上的EUV辐射的期望角分布和/或空间分布。可从EP1 202 101 A2和DE10 2009 054 540.9中收集与如此设定EUV辐射有关的背景信息，这些文献的公开内容全部并入本申请。
EUV光刻系统1还包括成像光学单元37，其布置在物平面7和像平面39之间的EUV光路3中，辐射敏感结构41的表面可布置在像平面中，要成像的结构5通过成像光学单元37成像在像平面中。为此，成像光学单元37包括多个反射镜43、44、45、46、47和48，在于要成像的结构5上反射之后，EUV辐射相继在这些反射镜上反射。尽管所示示例性实施例的成像光学单元37具有六个反射镜43至48(其沿成像光学单元37的光轴49布置)，但是成像光学单元的其它示例可包括更多个或更少个反射镜，用于在像平面39中获得物平面7的成像。
图3示出EUV光刻系统1的监视光路51的示意图。监视光路51包括监视系统52，并用于确定反射镜系统19的反射镜元件23的反射镜区相对于反射镜系统基底21的取向。在图3中，仅以示例性方式在截面图中示出反射镜系统19的三个反射镜元件231、232、233。反射镜元件23布置在球形弯曲区53上，其曲率半径为约1m。
反射镜元件23由光55照明，光55由监视辐射源57产生，监视辐射源57是点光源。自然地，点光源实际上并非无限小，而是具有有限范围，使得监视辐射源57的直径为例如0.5mm。由监视辐射源57产生并被引导至反射镜元件23的光具有许多不同波长，即许多不同颜色，并可尤其为可见白光。
监视系统52包括监视透镜59，其在图3中示意性示出为光学透镜元件。实际上，监视透镜将包括若干透镜元件，以提供具有高光学质量的成像。为此，监视透镜可尤其为颜色校正的。
监视透镜59具有物平面61，其成像至与其光学共轭的像平面63。光检测器67的检测区65布置在像平面63中，以便以空间解析和波长解析方式检测物平面61的像，并将像输出到控制器33。
反射镜系统19的反射镜元件23布置在监视透镜51的物平面61周围的区域中。基于反射镜元件23所布置的区域53的曲率，可看出，反射镜元件并不需要正好位于物平面61上。然而，反射镜元件23位于物平面61周围的区域中，使得可以足够的成像质量将反射镜元件23成像至光检测器67的检测区65上。而且，监视透镜59可实现为使得其物平面具有近似反射镜元件23所布置的区域53的设计的场曲。
监视透镜59将反射镜元件23成像至监视透镜59的像平面63中，因此成像在光检测器67的检测区65上。由于在检测区65上的位置711处的成像而产生反射镜元件231的像，在位置712处产生反射镜元件232的像，在检测区65上的位置713处产生反射镜元件233的像。图3中的线731表示在反射镜元件231的给定取向情况下，在反射镜元件231处反射的光束55。在其中性位置，反射镜231会将光束55作为由741表示并以虚线示出的光束引导至监视透镜的中心。独立于反射镜元件231的取向，在反射镜元件231处反射的光55总是入射在检测器67的检测区65上的位置711处，即，在该位置，检测器65总是能够检测在反射镜元件231处反射的光。由于由监视透镜59提供的光学成像，位置711与反射镜元件231相关联。
滤色器78布置在监视透镜59的光瞳平面77中，光瞳平面77布置在监视透镜59的物平面61和像平面63之间。从相同反射镜元件231发出的两个光束731和741穿过光瞳平面77，并由此在不同位置811和812处穿过滤色器78。在这两个位置处，滤色器78具有彼此不同的依赖于波长的透射属性，使得当反射镜元件231的取向改变时，在位置711处检测到的光的颜色改变。滤色器78的依赖于波长的透射属性被设计成可根据在位置711处检测到的光的颜色推导出反射镜元件231的取向。控制器53构造成，对于每个单独的反射镜元件，检测入射到检测器上的与所述元件相关联的位置的光，并关于光的颜色分析所述光，由此产生信号，该信号代表相应反射镜元件的取向。
类似地，图3使用虚线743示出当反射镜元件233位于其中性、非偏转取向时在该反射镜元件233处反射的测量光，线733表示在示例性取向的情况下，在反射镜元件233处反射的光，其在位置813处穿过滤色器78，并在位置713处入射在检测器67的检测区65上。通过关于波长分布评估在位置713处检测到的光，控制器33可推导出该光在位置813处穿过滤色器78。从该位置，可清楚地确定反射镜元件233的取向。
对于反射镜元件232，图3示出其在中性、非偏转位置使得反射光的对应线232和742重合的情况。该光在位置814处穿过滤色器，并在位置712处入射在检测器67的检测区65上。再一次，控制器33可根据在位置712处入射在检测器67上的光的颜色推导出光穿过滤色器78的位置814，由此，可确定反射镜元件232的取向。
EUV光刻系统的EUV光路必须布置在真空中。因此，该系统包括限定出真空空间的真空容器，限定出EUV光路的那些元件布置在真空空间内。这些元件包括反射镜元件23。监视光路51不需要一定布置在真空空间内。其可部分地布置在真空空间之外。图3示出这种情况，其中，参考标号80表示对监视辐射透明的窗口，该窗口是真空容器的一部分。监视光路51穿过窗口80，所以监视透镜59和检测器67可布置在真空之外。
图3的参考标号70表示带孔光阑(perforated stop)，其可布置在检测器67的检测区65的上游光路中。带孔光阑70由不透过监视辐射的板构成，该板在由于经由监视透镜59的光学成像而对应于反射镜元件23位置的位置处具有透光开口。带孔板70可具有阻止杂散辐射的目的，使得杂散辐射不会到达检测器67的检测区65，从而变得更简单地确定穿过带孔板的开口并由检测器检测的光的颜色。
图4示出滤色器78的颜色轮廓的示意图。在所示示例中，过滤器78包含红色、绿色和蓝色，其色饱和度在水平方向x和竖直方向y上改变。在所示示例中，滤色器内的位置坐标x和y的值分别介于0和1之间。
在示例性滤色器的情况下，红色、绿色和蓝色的色饱和度设计为如下：红色＝x；绿色＝y；蓝色＝1-0.5*(x+y)。
根据另一示例性实施例，以下适用：红色＝0.5*x；绿色＝0.5*y；蓝色＝1-0.5*(x+y)。
该滤色器具有线性颜色轮廓，对于红色、绿色和蓝色三种颜色，其相应地提供透射率的值，透射率的值随着滤色器上的空间坐标值而线性变化。如果要确定穿过滤色器的光束的颜色质心(即平均色值)，则滤色器的这种线性设计是有利的，所述光束在延伸区域上穿过滤色器，并因此在其光束横截面内经受不同透射属性。然而，继而寻求的是存在于穿过滤色器的光束的中心的透射属性，该透射属性对应于光束内的各透射属性的质心或平均值。线性颜色轮廓确保可以确定质心或中心点，即使关于穿过滤色器的光束的形状和/或范围没有任何信息也如此。
举例来说，可通过反转片实现滤色器，反转片以自动受控的方式暴露于不同波长的光，并随后被显影和定影。
从图3中可看出，监视透镜59必须具有足够大的直径，使得在实际中出现的反射镜元件23的所有取向的情况下，监视辐射源57的辐射(在反射镜元件23处反射)进入监视透镜59。这要求比较大的监视透镜59。
图5是用于说明减小监视透镜大小的措施的示意图。在基于图5说明的示例中，并不是使用点光源充当监视辐射源57，而是使用彼此邻近布置的四个监视辐射源。四个点光源中的两个的位置被赋予图3中的参考标号571和572。
在图5中，具有参考标号59的大圆59表示仅使用一个监视辐射源57(如图3所示)的监视透镜的直径。在该圆59内，在所有反射镜元件23处以所有取向反射的光束入射在布置在光瞳平面77中的滤色器78上。圆59具有直径R0。如果使用四个光源，则圆59的区域可由四个较小圆60覆盖，四个较小圆具有半径r＝R0/(2*cos45°)＝0.707R0。这意味着可使用具有更小半径r的滤色器的监视透镜，以便检测由每个反射镜元件23反射并从光源中的至少一个发出的辐射。在此，可能发生冗余，即可能是这样的情况：在检测器的与反射镜元件相关联的位置处检测到从两个不同光源发出并在两个不同位置处穿过滤色器的光。结果，不可能通过分析所检测的光唯一地确定由反射镜元件反射的光穿过所述滤色器的位置。结果，也不可能通过分析所检测的光清楚地确定反射镜元件的角位置。可例如通过以时间强度调制方式操作的多个光源并在检测器上检测各种颜色时考虑该时间强度调制来补偿该唯一性的缺失。举例来说，在给定时间可以总是仅四个光源中的一个交替地操作。继而，在检测器处检测的颜色的分配可唯一地分配至特定光源，因此，可唯一地确定所讨论的反射镜元件的取向。在基于图5所述的示例中，使用四个监视辐射源。然而，可使用不同数量的监视辐射源，比如两个监视辐射源、六个监视辐射源或甚至更多个监视辐射源。
在另一实施例中，并不连续地致动各光源，即并不通过时分复用致动各光源，而是通过频分复用致动各光源。光源中的至少两个同时操作，但是以不同频率引起时间强度调制。从WO2008/095695A2中可知这对于特定检测器是有利的。
图6说明用于减小监视透镜大小并由此节省必要安装空间的另一示例。尽管基于图3说明的光学系统具有单个监视透镜，但是图6所示光学系统具有四个监视透镜，其中两个监视透镜591和592以简化方式显示为光学透镜元件。四个监视透镜布置成在绕中心轴线20的周向方向上分布，其中，监视辐射源57位于轴线20上。
在该示例中，可以存在单元反射镜元件23的枢转位置(pivotedposition)，这导致在这些位置处反射的光不会进入监视透镜591、592之一。如果这构成问题，其可通过例如使用不仅一个监视辐射源57而是使用若干监视辐射源的事实来补偿，如上面基于图5所说明的。如果存在单独反射镜元件的枢转位置，这导致在这些位置处反射的光不会进入监视透镜之一，那么假如每个反射镜元件有足够的枢转位置(其中在这些位置处反射的光进入监视透镜)，则这在一些应用中是可接受的。当针对单独反射镜元件规定目标枢转位置时，那么有必要考虑仅可能进行检测的枢转位置被关联的事实。
基于图4所说明的，红色、绿色和蓝色三种颜色的饱和度在滤色器78的整个区域上的线性变化使得可唯一地确定光束穿过滤色器的位置。然而，为了以期望精度确定该位置，必须在滤色器中获得比较大数量的不同颜色，并且检测器必须能够解析对应大数量的不同颜色。可例如通过将过滤器分为四个方形部分来降低该要求，其中，在每个方形部分中，每个单独利用的颜色的饱和度可在0和1之间改变。结果，如果不知道特定光束穿过滤色器的可能位置，则不可能唯一地确定光束穿过滤色器的位置。然而，如果已知大致知道反射镜元件的取向，则可从此大致知道的取向确立在该四个部分的哪个中该反射镜元件处反射的光束穿过了该滤色器，并继而可唯一地确定光束在该确立的部分内穿过滤色器的位置，所以可唯一且十分精确地确定反射镜元件的取向。相应地，可提供滤色器的设计，其能够在由于反射镜元件的致动器的给定致动而大致已知反射镜取向的实施例的情况下提高确定取向的精度。
尽管相对于本公开的某些示例性实施例描述了本公开，但是明显的是，许多替代、修改和变化对本领域技术人员来说是明显的。相应地，本文阐述的本公开的示例性实施例意在是说明性的，而不是限制性的。在不脱离由所附权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，可以进行各种修改。

Claims (22)

1.一种光学系统，包括：
反射镜系统(19)，包括多个反射镜元件(23)，其中，所述反射镜元件的取向能够独立于彼此设定；以及
监视系统(52)，构造成确定所述反射镜元件(23)的取向，其中，所述监视系统包括：
监视辐射源(57)，构造成以具有多个不同波长的光(55)照明所述多个反射镜元件；
监视透镜(59)，具有物平面(61)、像平面(63)以及布置在所述物平面和所述像平面之间的光瞳平面(77)；
滤色器(78)，在不同位置处具有彼此不同的依赖于波长的透射属性；以及
空间解析和波长解析光检测器(67)，具有检测区(65)；
其中，所述反射镜元件(23)布置在所述监视透镜(59)的物平面(61)的区域中；
其中，所述光检测器(67)的检测区(65)布置在所述监视透镜(59)的像平面(63)的区域中；以及
其中，所述滤色器(78)布置在所述监视透镜(59)的光瞳平面(77)的区域中。
2.如权利要求1所述的光学系统，还包括控制器，所述控制器构造成分析由所述光检测器检测的光强，并确定所述反射镜元件的取向，其中，根据在所述检测器的检测区上的与相应反射镜元件相关联的位置处检测的波长，确定每个单独反射镜元件的取向。
3.如权利要求2所述的光学系统，其中，所述反射镜系统包括多个致动器，所述多个致动器构造成改变所述反射镜元件中的至少一些相对于其它反射镜元件的取向，其中，所述控制器还构造成基于所确定的所述反射镜元件中的至少一个的取向来致动所述致动器。
4.如权利要求1至3任一项所述的光学系统，其中，所述监视辐射源具有小于2.0mm，尤其小于1.0mm的直径。
5.如权利要求1至4任一项所述的光学系统，其中，所述监视系统包括布置成彼此相距一距离的多个监视辐射源。
6.如权利要求5所述的光学系统，其中，所述多个监视辐射源各自发射具有预定时间强度调制的辐射，并且其中，至少两个监视辐射源的时间强度调制彼此不同。
7.如权利要求1至6任一项所述的光学系统，其中，所述监视系统包括多个监视透镜、多个滤色器和多个光检测器，
其中，所述反射镜元件布置在所述监视透镜的每个单独一个的物平面的区域中；
其中，所述多个光检测器的每个的检测区布置在所述监视透镜的每个的像平面的区域中；以及
其中，所述多个滤色器之一布置在所述监视透镜的每个的光瞳平面的区域中。
8.如权利要求1至7任一项所述的光学系统，其中，在所述检测区的上游光路中布置带孔掩模，并且其中，所述带孔掩模的孔布置在对应于所述反射镜元件的位置的位置处。
9.如权利要求1至8任一项所述的光学系统，其中，所述滤色器对于至少一个波长具有线性的空间依赖分布，在该分布中，所述滤色器对所述至少一个波长的光的透射率的值随着所述滤色器上的空间坐标的值而线性地变化。
10.一种具有EUV光路的EUV光刻系统，其中，所述EUV光刻系统包括：
成像光学单元，布置在所述EUV光路中，并构造成将物平面成像至像平面中，在所述物平面中能够布置要成像的结构，在所述像平面中能够布置辐射敏感结构；
根据权利要求1至9之一所述的光学系统；以及
EUV辐射源；
其中，所述反射镜系统的反射镜元件布置在所述EUV辐射源和所述成像光学单元的物平面之间的EUV光路中。
11.如权利要求10所述的EUV光刻系统，其中，所述反射镜系统具有多于1000个反射镜元件。
12.如权利要求10或11所述的EUV光刻系统，其中，在总反射镜区内彼此相邻地布置所述反射镜元件的反射镜区，其中，所述总反射镜区的直径大于100mm，尤其大于150mm。
13.如权利要求10至12任一项所述的EUV光刻系统，其中，所述反射镜元件的反射镜区分别具有小于1mm2的面积。
14.如权利要求10至13任一项所述的EUV光刻系统，其中，所述反射镜元件的至少一个的取向能够改变多于±0.05弧度或多于±0.1弧度。
15.如权利要求10至14任一项所述的EUV光刻系统，其中，所述反射镜元件的取向能够在两个线性独立的方向上改变。
16.如权利要求10至15任一项所述的EUV光刻系统，其中，所述监视透镜的物平面在所述监视透镜的像平面中的像的线性放大率的绝对值小于0.6，尤其小于0.3。
17.如权利要求10至16任一项所述的EUV光刻系统，其中，所述监视透镜具有像侧数值孔径NA，所述像侧数值孔径NA适用以下：
0.1<NA<0.9或
0.3<NA<0.8。
18.如权利要求10至17任一项所述的EUV光刻系统，其中，所述光检测器具有多个检测器像素，并且其中，所述检测器像素的数量大于布置在所述监视透镜的物场中的反射镜元件的数量的5倍，尤其大于10倍。
19.如权利要求18所述的EUV光刻系统，其中，所述检测器像素各自包括滤色器，并且其中，直接相邻的检测器像素具有彼此不同的滤色器。
20.如权利要求18所述的EUV光刻系统，其中，所述光检测器具有至少一个分色光束分离器和至少两组检测器像素，所述至少两组检测器像素在所述分色光束分离器的下游光路中布置在不同光路中。
21.如权利要求10至20任一项所述的EUV光刻系统，其中，所述滤色器具有能够由光检测器解析的至少2000个彼此不同的光谱透射属性。
22.如权利要求10至20任一项所述的EUV光刻系统，其中，所述反射镜元件布置在真空容器内，并且其中，所述监视辐射源和/或所述监视透镜布置在所述真空容器之外。
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