CN104766629B - 增强nand型flash可靠性的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及闪存技术领域，尤其涉及一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，包括：预先获取NAND型FLASH每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；预先根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；根据调整后的读取、擦除或编程方式对所述NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。本发明技术方案在读取、擦除或编程时利用衰退模型对存储单元的阈值电压进行补偿，增强了NAND型FLASH的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及闪存（Flash Memory）技术领域，尤其涉及一种增强NAND型FLASH可靠性的方法。
背景技术
可靠性是产品在规定条件下和规定时间内完成规定功能的能力。对于闪存（FlashMemory），简称FLASH，一般而言，数据保持能力、耐久力、抗干扰能力等是评价闪存可靠性的重要参数，其中，数据保持力指的是闪存存储的数据经过一段时间之后没有失真或丢失，仍可以有效读出的能力。
NAND型FLASH是闪存的一种。对于NAND型FLASH在实际使用的过程中，因各种串扰和随机效应的影响，例如工艺波动，浮栅的交叉耦合效应，电荷转移的随机性等原因，使得NAND型FLASH存储单元（cell）的阈值电压产生随机的改变。因NAND型FLASH在读取、擦除或编程时都是以阈值电压为基础的，因此当阈值电压产生改变后，进而会使得擦除与编程的性能越来越差，同时数据的保持特性也受到很大影响，进而极大的降低了NAND型FLASH的可靠性。并且，随着NAND型FLASH工艺尺寸的进一步缩小，尤其是2xnm及1xnm及以下的MLC（2-bit信息/每存储单元）和TLC（3-bit信息/每存储单元），影响也越来越明显。
发明内容
本发明的目的在于提出一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，以增强NAND型FLASH的可靠性。
本发明实施例提供了一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，包括：
预先获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；
预先根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；
在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的所述衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；
根据调整后的读取、擦除或编程方式对所述NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。
进一步的，所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，所述预先根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型,并保持衰退模型至存储阵列中；包括：
预先根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，获取所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；
根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
进一步的，所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，所述获取所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压，包括：
获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的阈值电压；
根据各页中各存储单元的阈值电压，获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的平均阈值电压；
将所述各页中各存储单元的平均阈值电压作为各页的阈值电压。
进一步的，所述的NAND型FLASH可靠性的方法，所述根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；包括：
根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压，获取每次读取、擦除或编程时的所述各页的阈值电压与理想状态下相应页的阈值电压的差值；
建立每次读取、擦除或编程时的所述各页的阈值电压与理想状态下相应页的阈值电压的差值和每次读取、擦除或编程次数的第一映射关系；
将所述第一映射关系存入衰退模型，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
进一步的，所述的NAND型FLASH可靠性的方法，所述根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；包括：
建立每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压与每次读取、擦除或编程次数的第二映射关系；
将所述第二映射关系存入衰退模型，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
进一步的，所述的NAND型FLASH可靠性的方法，所述根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中，包括：
将存储阵列的读取、擦除或编程次数划分成至少一个范围；
获取各范围内次数的平均阈值电压；
将所述各范围内次数的平均阈值电压作为各范围中各次数所对应的阈值电压；
根据各范围中的次数及所述各范围中次数所对应的阈值电压，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
进一步的，所述一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，所述在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；包括：
在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整存储阵列所施加的参考电压。
进一步的，所述一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，所述在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；包括：
在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整数据的采样时间。
进一步的，所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，所述预先获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；包括：
预先在第一次读取、擦除或编程时起，获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数。
本发明实施例提供的增强NAND型FLASH可靠性的方法，根据NAND型FLASH每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压建立相应的衰退模型，在读取、擦除或编程时根据衰退模型调整读取、擦除或编程的方式。以此，本发明技术方案根据衰退模型调整读取方式、编程方式或擦除方式，以补偿因干扰因素，例如工艺波动、浮置栅极的交叉耦合效应等因素对NAND型FLASH可靠性的影响；进而在使用过程中因利用衰退模型对NAND型FLASH的补偿效应增强NAND型FLASH在使用过程中的可靠性，保证了NAND型FLASH数据保持的完整性、耐久力及抗干扰性。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，并不构成对本发明的限定。在附图中：
图1示出的是随擦除和编程次数的增加擦除存储单元阈值电压、编程存储单元阈值电压变化及参考电压示意图；
图2示出的是本发明实施例一中增强NAND型FLASH可靠性的方法流程示意图；
图3示出的是根据衰退模型调整后随擦除和编程次数的增加擦除存储单元的阈值电压、编程存储单元的阈值电压变化及参考电压示意图；
图4示出的是本发明实施例二中增强NAND型FLASH可靠性的方法流程示意图；
图5示出的是本发明实施例三中增强NAND型FLASH可靠性的方法流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本发明进行更加详细与完整的说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
NAND型FLASH由存储单元（cell）组成。通常情况下，一个存储单元包括源极（source，S），漏极（drain，D），控制栅极（controlling gate，CG），以及浮动栅极（floatinggate，FG），控制栅极可用于接参考电压VG。若漏极接参考电压VD，控制栅极CG施加电压VG以及源极S连接于接地极后，存储单元实现沟道热电子注入方式的编程操作。擦除则可以在衬底施加一正电压，控制栅极CG施加负电压，进而利用浮动栅极FG与沟道之间的隧穿效应，把注入浮动栅极FG的电子吸引到沟道。存储单元cell数据是0或1取决与浮动栅极FG中是否有电子。如浮动栅极FG有电子，需要高的控制栅极电压才能使界面处感应出导电沟道，使MOS管导通，表示存入0。若浮动栅极FG中无电子，则较低的控制栅极电压就能使界面处感应出导电沟道，使MOS管导通，即表示存入1。
在使用NAND型FLASH时，因工艺波动、存储单元浮栅单元的交叉耦合等干扰因素的影响会造成电荷会随机的进入浮动栅极，以此改变存储单元的阈值电压。在读取、编程或擦除时，因存储单元阈值电压的改变原会造成读取、编程或擦除时误读、过擦除等。存储单元的数据记录是存储单元的阈值电压为基础的，阈值电压的大小及改变都会对存储单元准确的进行读取、擦除或写入产生很大影响。
图1示出的是随擦除和编程次数的增加擦除存储单元阈值电压、编程存储单元阈值电压变化及参考电压示意图。
图1示出了擦除存储单元阈值电压和编程存储单元阈值电压随擦除和编程次数的增加变化关系。图1中可以看出，随着擦除和编程次数的增加，因干扰因素的影响使得擦除存储单元的阈值电压和编程存储单元的阈值电压也随着擦除和编程次数的增加而变化。当擦除与编程次数达到一定次数值后，例如图中示出的n次时，如果读取时的参考电压仍维持原来的电压值，则此时因擦除存储单元阈值电压和编程存储单元的阈值电压因干扰因素的影响产生变化，则在此时进行读取时，参考电压将不能正确识别出是擦除存储单元还是编程存储单元，进而造成数据读取时的误读，降低NAND型FLASH的可靠性。其中，擦除存储单元的阈值电压是指存储单元在处于擦除状态时的阈值电压，编程存储单元的阈值电压是指存储单元在处于编程后状态时的阈值电压及读取时的阈值电压。
为了增强或补偿NAND型FLASH在使用过程因干扰因素影响引起的可靠性降低等，本发明提出了一种利用衰退模型以补偿NAND型FLASH在使用过程中，每次的读取、擦除或编程时因干扰因素所造成的阈值电压的变化，下述以具体的实施进行说明。
图2示出的是本发明实施例一中增强NAND型FLASH可靠性的方法流程示意图；参照图2，本实施例中增强NAND型FLASH可靠性的方法包括：
步骤201、预先获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数。
NAND型FLASH在出厂前会进行一连串的测试流程；例如，产品接脚（pin）的短路/断路测试、逻辑功能测试、电擦除特性测试等。一般情况下，这些测试流程往往会涉及对每次读取、擦除或编程时存储单元的阈值电压进行记录的过程。因此，对特定批量和型号的NAND型FLASH可以通过上述测试过程，或专门的测试方式获取每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数。
可选的，本实施例中，在第一次读取、擦除或编程时起，也即是在NAND型FLASH使用的整个生命周期内，获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数。在第一次读取时即获取存储单元的阈值电压值能够获取较完整的数据信息，为建立衰退模型提供了完整的数据信息。
步骤202、预先根据存储阵列每次读取、写入或擦除时各存储单元的阈值电压及相应的读取、写入或擦除次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
衰退模型是指预先利用NAND型FLASH存储阵列每次读取、编程或擦除时各存储单元的阈值电压及相应的读取、编程或擦除次数等数据建立的各种映射关系。映射关系可以是指每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压与相应读取、擦除或编程次数所建立的映射关系，还可以是每次读取、擦除或编程时各存储单元阈值电压和理想状态阈值电压的差值与相应的读取、擦除或编程次数所建立的映射关系。当衰退模型建立后，进而将衰退模型保存至相应的存储阵列中以在读取、擦除或编程时使用。当使用时，通过读取这些衰退模型，调用这些映射关系，可以获取相应读取、擦除或编程次数所述对应的存储单元阈值电压，进而根据每次读取、擦除或编程时的阈值电压调整相应的参考电压、数据采用时间等，实现对阈值电压的补偿，增强NAND型FLASH的可靠性。
步骤203、在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式。
读取方式是指对存储单元存入的数据进行读取的方法，通过存储单元的读取电流和参考存储单元的读取电流相比较，进而判断出存储单元存储的数据是0还是1。因存储单元数据是0或1取决与存储单元的阈值电压的大小，在使用过程中，当读取次数增加存储单元的阈值电压发生变化时，可以根据预先保存的衰退模型中的读取次数与读取时存储单元阈值电压的映射关系调整参考电压大小，进而正确读出存储单元存入数据是0，还是存入数据是1。
擦除方式是将浮动栅极的电荷吸引到源极的过程。擦除则可以在衬底施加正电压，控制栅极CG施加负电压，进而利用浮动栅极FG与沟道之间的隧穿效应，把注入浮动栅极FG的电子吸引到沟道。以此在使用过程中，当干扰因素造成存储单元电荷转移，引起存储单元阈值电压变化时，可以通过预先保存的衰退模型调整控制栅极CG施加的负电压或/和衬底施加的正电压等控制将浮动栅极的电荷吸引到源极来；进而能够有效的进行对存储单元的擦除。
编程方式或写入方式是指在擦除后的存储单元写入数据的过程。通过施加电压在浮动栅极FG与漏极D之间产生隧道效应，使电子注入浮动栅极FG，即编程。在进行编程之前往往需要通过参考电压来确定哪些是已擦除单元，哪些是已编程的单元；但随着擦除和编程次数的增加，因干扰因素的影响使得擦除存储单元的阈值电压或编程存储单元的阈值电压发生了改变。因此，可以通过在相应编程时，根据衰退模型调整参考电压的值分辨出擦除存储单元和编程存储单元，进而可以通过衰退模型调整在存储单元施加的电压实现编程写入。
可选的，本实施例中在读取、擦除或编程时，根据衰退模型调整存储阵列所施加的参考电压。
可选的，本实施例中在读取、擦除或编程时，根据衰退模型调整数据的采样时间。
步骤204、根据调整后的读取、擦除或编程方式对NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。
调整后的读取、擦除或编程方式是指根据衰退模型中的映射关系的数据调整相应的读取、擦除或编程方式，例如参考电压、数据采样时间等，进而实现准确的读取、擦除或编程。
具体的，本实施例中，当根据衰退模型存储的每次读取、擦除或编程时的次数与相应的次数所对应存储单元的阈值电压调整相应次数的读取、擦除或编程的方式后，便根据调整后的方式进行读取、擦除或编程。例如，根据衰退模型中阈值电压的值与理想状态阈值电压的值之间的差与相应的读写次数的对应关系调整读取、擦除或编程方式后进行数据的读取，擦除或编程。
图3示出的是根据衰退模型调整后随擦除和编程次数的增加擦除存储单元的阈值电压、编程存储单元的阈值电压变化及参考电压示意图。图3中随着擦除或编程次数的增加，在擦除存储单元的阈值电压和编程存储单元的阈值电压变化的同时，根据衰退模型动态调整参考电压。以此，在进行编程时，因参考电压的调整，使得其能够识别出因干扰因素造成的擦除存储单元和编程存储单元阈值电压变化后的擦除存储单元，实现编程。
本发明实施例提供的增强NAND型FLASH可靠性的方法，根据NAND型FLASH的每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压建立相应的衰退模型，在读取、擦除或编程时根据衰退模型调整读取、擦除或编程的读取方式、编程方式或擦除方式。以此，本发明技术方案根据衰退模型调整读取方式、编程方式或擦除方式，以补偿因干扰因素，例如工艺波动、浮置栅极的交叉耦合效应等因素对NAND型FLASH可靠性的影响；进而，在使用过程中因利用衰退模型对NAND型FLASH的补偿效应增强NAND型FLASH在使用过程中的可靠性，提高了NAND型FLASH数据保持的完整性、耐久力及抗干扰性。
图4示出的是本发明实施例二中增强NAND型FLASH可靠性的方法流程示意图。参照图4，本实施例中增强NAND型FLASH可靠性的方法包括：
步骤401、预先获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数。
步骤402、预先根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，获取存储阵列每次读取、擦除或编程时各页（page）的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数。
NAND型FLASH存储阵列由存储块组成，存储块由页组成，页由存储单元组成。页是NAND型FLASH数据编程和读取的最小单位。以此，以页为单位建立衰退模型在保证衰退模型对NAND型FLASH可靠性进行增强的同时，减少了衰退模型中数据的存储，提升了补偿、调整的速度。具体的，本实施例中根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，获取存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数。
可选的，本实施例中通过以下方式获取存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数：
获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的阈值电压。根据存储阵列中划分的各个页，获取各页中存储单元每次读取、擦除或编程时的阈值电压。
根据各页中各存储单元的阈值电压，获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的平均阈值电压。通过一定运算方式获取各页中的平均阈值电压，例如通过相加获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的阈值电压的和，然后通过将阈值电压的和除以各页中存储单元的个数，进而获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的平均阈值电压。
将各页中各存储单元的平均阈值电压作为各页的阈值电压。
进而将上述获取的各页中存储单元的平均阈值电压作为该页的阈值电压。
步骤403、根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
可选的，本实施例中通过以下方式建立衰退模型：
根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压，获取每次读取、擦除或编程时的所述各页的阈值电压与理想状态下相应页的阈值电压的差值。根据预先设定的理想阈值电压获取理想状态阈值电压与读取、擦除或编程时的存储单元阈值电压的差值。
建立每次读取、擦除或编程时的所述各页的阈值电压与理想状态下相应页的阈值电压的差值和每次读取、擦除或编程次数的第一映射关系。也即是，读取次数与相应的差值建立相互的映射关系，当确定读取次数后能够获取相应的差值。
将所述第一映射关系存入衰退模型，建立衰退模型；建立衰退模型后将衰退模型保存至相应NAND型FLASH中，例如保存至FLASH的存储阵列中。
因此，利用理想状态阈值电压和读取、擦除或编程时的存储单元的阈值电压的差值建立衰退模型，准确的反应了因各种干扰因素的影响，阈值电压的变化情况，进而对这种变化情况进行补偿，更能准确的实现对存储单元阈值电压的补充，增强NAND型FLASH的可靠性。
可选的，本实施例中通过以下方式建立衰退模型：
建立每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压与每次读取次数的第二映射关系；将第二映射关系存入衰退模型，建立衰退模型，建立衰退模型后将衰退模型保存至相应NAND型FLASH中，例如保存至FLASH的存储阵列中。
步骤404、在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式。
具体的，本实施例中，在适用过程中，根据预先保存的衰退模型中每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及读取、擦除或编程时次数的映射关系调整相应的读取、擦除或编程时的方式。
步骤405、根据调整后的读取、擦除或编程方式对NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。
本发明实施例提供的增强NAND型FLASH可靠性的方法，根据NAND型FLASH的每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压建立相应的衰退模型，在读取、擦除或编程时根据衰退模型调整读取、擦除或编程的读取方式、编程方式或擦除方式。以此，本发明技术方案根据衰退模型调整读取方式、编程方式或擦除方式，以补偿因干扰因素，例如工艺波动、浮置栅极的交叉耦合效应等因素对NAND型FLASH可靠性的影响；进而，在使用过程中因利用衰退模型对NAND型FLASH的补偿效应增强NAND型FLASH在使用过程中的可靠性，提高了NAND型FLASH数据保持的完整性、耐久力及抗干扰性。
图5示出的是本发明实施里三中增强NAND型FLASH可靠性的方法流程示意图。参照图5，本实施例中增强NAND型FLASH可靠性的方法包括：
步骤501、预先获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数。
步骤502、将存储阵列的读取、擦除或编程次数划分成至少一个范围。
对于NAND型FLASH的阈值电压，在相应的读写次数范围内阈值电压的变化往往很小。以此，在建立衰退模型时就可以无需针对每次读取、擦除或编程都建立相应的对应关系。本步骤实现的即是将读取、擦除或编程次数及其相应的读取、擦除或编程次数时的阈值电压划分多个范围。
步骤503、获取各范围内次数的平均阈值电压。
在步骤502中将读取、擦除或编程次数与对应的读取、擦除或编程建立的对应关系划分成一定范围后，则通过将各个范围内的所有读取、擦除或编程次数所对应衰退模型相加求和，进一步将相加求和的值与范围的次数指相除也即是获取在这个范围内相应次数每次读取、擦除或编程时的平均阈值电压。
步骤504、将各范围内次数的平均阈值电压作为各范围中各次数所对应的阈值电压。
通过步骤503获取各范围的平均阈值电压，则此步骤是将各个范围的平均阈值电压作为各范围中所包括次数的阈值电压。
步骤505、根据各范围中的次数及各范围中次数所对应的阈值电压，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
具体的，本实施例中也即是将各范围内的次数和各范围的平均阈值电压建立相互映射关系，集合各范围的相互映射关系建立衰退模型，并将衰退模型保存至NAND型FLASH中，例如保存至NAND型FLASH的存储阵列中。
步骤506、在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式。
步骤507、根据调整后的读取、擦除或编程方式对NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。
本实施例中在具体读取、擦除或编程时相应范围内的所有次数选择相同的调整后的算法进行读取、擦除或编程。因一定范围次数内的阈值电压往往变化不是很大，将各个次数划分成一定范围进而建立衰退模型，进行对每次读取、擦除或编程进行补偿，相对于每次读取、擦除或编程都建立衰退模型进行数据的补充，在增强NAND型FLASH可靠性的同时，进一步减少数据处理流程，提升了处理速度。
本发明实施例提供的增强NAND型FLASH可靠性的方法，根据NAND型FLASH的每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压建立相应的衰退模型，在读取、擦除或编程时根据衰退模型调整读取、擦除或编程的读取方式、编程方式或擦除方式。以此，本发明技术方案根据衰退模型调整读取方式、编程方式或擦除方式，以补偿因干扰因素，例如工艺波动、浮置栅极的交叉耦合效应等因素对NAND型FLASH可靠性的影响；进而，在使用过程中因利用衰退模型对NAND型FLASH的补偿效应增强NAND型FLASH在使用过程中的可靠性，提高了NAND型FLASH数据保持的完整性、耐久力及抗干扰性。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域技术人员而言，本发明可以有各种改动和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，包括：
预先通过测试过程获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；
预先根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；
在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；
根据调整后的读取、擦除或编程方式对所述NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。
2.如权利要求1所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，预先根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；包括：
预先根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，获取所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；
根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
3.如权利要求2所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述获取所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压，包括：
获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的阈值电压；
根据各页中各存储单元的阈值电压，获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的平均阈值电压；
将所述各页中各存储单元的平均阈值电压作为各页的阈值电压。
4.如权利要求2所述的NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；包括：
根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压，获取每次读取、擦除或编程时的所述各页的阈值电压与理想状态下相应页的阈值电压的差值；
建立每次读取、擦除或编程时的所述各页的阈值电压与理想状态下相应页的阈值电压的差值和每次读取、擦除或编程次数的第一映射关系；
将所述第一映射关系存入衰退模型，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
5.如权利要求2所述的NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；包括：
建立每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压与每次读取、擦除或编程次数的第二映射关系；
将所述第二映射关系存入衰退模型，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
6.如权利要求1所述的NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中，包括：
将存储阵列的读取、擦除或编程次数划分成至少一个范围；
获取各范围内次数的平均阈值电压；
将所述各范围内次数的平均阈值电压作为各范围中各次数所对应的阈值电压；
根据各范围中的次数及所述各范围中次数所对应的阈值电压，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
7.如权利要求1所述一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；包括：
在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整存储阵列所施加的参考电压。
8.如权利要求1所述一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的所述衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；包括：
在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整数据的采样时间。
9.如权利要求1所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述预先通过测试过程获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程各存储单元时的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；包括：
预先通过测试过程在第一次读取、擦除或编程时起，获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数。
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