CN104752582A - 发光二极管封装方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 31
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 18
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- STTCDNLESVYWPH-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diamine;terephthalic acid Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1.OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 STTCDNLESVYWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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Abstract
一种发光二极管封装方法，包括步骤：第一步，提供一具有粘性及弹性的薄膜层并将多个发光二极管晶粒设置在薄膜层上；第二步，形成一封装层在薄膜层上并使封装层覆盖所述多个发光二极管晶粒；第三步，在每两个相邻的发光二极管晶粒之间切割封装层以形成切割道，多个切割道贯穿封装层并止于薄膜层，从而每两个相邻的切割道之间形成一个发光二极管单元；第四步，拉伸薄膜层；第五步，在拉伸后的薄膜层上形成多个相连的光学透镜，每个光学透镜对应一个发光二极管单元并包覆该发光二极管单元；第六步，移除薄膜层；第七步，切割所述多个相连的光学透镜，以获得多个分离的发光二极管封装体。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体发光装置封装方法，尤其涉及一种发光二极管封装方法。
背景技术
相比于传统的发光源，发光二极管（Light Emitting Diode，LED）具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越多地应用到各领域当中，如路灯、交通灯、信号灯、射灯及装饰灯等。
现有的发光二极管封装结构，通常包括具有金属导电线路以及反射杯结构的引线框架、设置在引线框架的反射杯结构内并电连接至金属导电线路的发光二极管芯片、以及填充在反射杯结构内并覆盖发光二极管芯片的封装体。制作该种发光二极管封装结构时，通常事先制备导电铜板，然后通过嵌入成型(Insert Molding)工艺注塑聚对苯二酰对苯二胺（PPA）塑料，使得导电铜板嵌入PPA塑料而形成具有反射杯结构的引线框架，继而将发光二极管晶粒置入反射杯结构内并电连接至导电铜板，最后向反射杯结构内填充封装材料并固化封装材料形成封装体。
该种制造方法中“向反射杯结构内置入发光二极管晶粒”的步骤需要将发光二极管晶粒与导电铜板进行对位，由于对位机械设备的精度具有局限性，使得尺寸较小的发光二极管晶粒在反射杯结构内的封装位置精确度难以确保，从而影响整个封装元件的精度。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种高精度的发光二极管封装方法。
一种发光二极管封装方法，包括步骤：第一步，提供一具有粘性及弹性的薄膜层并将多个发光二极管晶粒设置在薄膜层上，各发光二极管晶粒的两个电极均贴设在薄膜层上；第二步，形成一封装层在薄膜层上并使封装层覆盖所述多个发光二极管晶粒；第三步，在每两个相邻的发光二极管晶粒之间切割封装层以形成切割道，多个切割道贯穿封装层并止于薄膜层，从而每两个相邻的切割道之间形成一个发光二极管单元，每个发光二极管单元包括一个发光二极管晶粒和覆盖该发光二极管晶粒的封装层；第四步，拉伸薄膜层以增大各相邻发光二极管单元之间的间距；第五步，在拉伸后的薄膜层上形成多个相连的光学透镜，每个光学透镜对应一个发光二极管单元并包覆该发光二极管单元；第六步，移除薄膜层；以及第七步，切割所述多个相连的光学透镜，以获得多个分离的发光二极管封装体，每个发光二极管封装体包括一个发光二极管单元以及一个包覆该发光二极管单元的光学透镜。
与现有技术相比，上述封装方法采用薄膜层支撑发光二极管晶粒，然后进行封装层以及光学透镜的设置，无需采用传统技术中的引线框架，能够避免传统封装技术中将发光二极管与引线框架的电路结构进行对位所产生的时间耗费以及精确度误差、还能简化发光二极管的封装结构、降低成本。
下面参照附图，结合具体实施方式对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1至图9为本发明实施方式提供的发光二极管封装方法示意图。
主要元件符号说明
| 发光二极管单元 | 10 |
| 封装层 | 11 |
| 发光二极管晶粒 | 12 |
| 电极 | 120、122 |
| 切割道 | 13 |
| 光学透镜 | 14 |
| 薄膜层 | 20 |
| 上表面 | 200 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
本发明实施例提供的发光二极管封装方法包括以下步骤。
第一步，参见图1及图2，提供一具有粘性及弹性的薄膜层20并将多个发光二极管晶粒12设置在薄膜层20上，各发光二极管晶粒12的两个电极120、122均贴设在薄膜层20上。
本实施例中，该薄膜层20为UV薄膜或聚酰亚胺(Polyimide)薄膜，所述多个发光二极管晶粒12通过覆晶方式设置在薄膜层20上。
第二步，参见图3，形成一封装层11在薄膜层20上并使封装层11覆盖所述多个发光二极管晶粒12。
该封装层11中可混有荧光粉，以在发光二极管晶粒12的光激发下发出与发光二极管晶粒12发光波长不同的光线，从而混光得到预期颜色的光线。本实施例中，可通过涂布(spreading)、印刷(printing)、压膜(compression molding)或转模(transfer molding)的方法使封装层11覆盖所述薄膜层20设有发光二极管晶粒12的表面上。
第三步，参见图4及图5，在每两个相邻的发光二极管晶粒12之间切割封装层11以形成切割道13，多个切割道13贯穿封装层11并止于薄膜层20，从而每两个相邻的切割道13之间形成一个发光二极管单元10，每个发光二极管单元10包括一个发光二极管晶粒12和覆盖该发光二极管晶粒12的封装层11。
本实施例中，沿着图4虚线所示的位置对封装层11进行切除，直至薄膜层20的上表面200，从而在上表面200上方形成切割道13而不切到薄膜层20，如图5所示。
第四步，参见图6，拉伸薄膜层20以增大各相邻发光二极管单元10之间的间距。
第五步，参见图7，在拉伸后的薄膜层20上形成多个相连的光学透镜14，每个光学透镜14对应一个发光二极管单元10并包覆该发光二极管单元10。
本实施例中，采用模造方法在薄膜层20上形成多个相连的光学透镜14。
第六步，参见图8，移除薄膜层20。
当薄膜层20为UV薄膜时，可以先用UV光照射UV薄膜以使其粘性降低，然后将薄膜层20撕除。
第七步，参见图9，切割所述多个相连的光学透镜14，以获得多个分离的发光二极管封装体，每个发光二极管封装体包括一个发光二极管单元10以及一个包覆该发光二极管单元10的光学透镜14。
本实施例中，可沿图9所示的虚线位置对多个相连的光学透镜14进行切割，以获得多个发光二极管封装体。
与现有技术相比，采用薄膜层20支撑发光二极管晶粒，然后进行封装层11以及光学透镜14的设置，无需采用传统技术中的引线框架，能够避免传统封装技术中将发光二极管与引线框架的电路结构进行对位所产生的时间耗费以及精确度误差、还能简化发光二极管的封装结构、降低成本。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (5)
1.一种发光二极管封装方法，包括以下步骤：
第一步，提供一具有粘性及弹性的薄膜层并将多个发光二极管晶粒设置在薄膜层上，各发光二极管晶粒的两个电极均贴设在薄膜层上；
第二步，形成一封装层在薄膜层上并使封装层覆盖所述多个发光二极管晶粒；
第三步，在每两个相邻的发光二极管晶粒之间切割封装层以形成切割道，多个切割道贯穿封装层并止于薄膜层，从而每两个相邻的切割道之间形成一个发光二极管单元，每个发光二极管单元包括一个发光二极管晶粒和覆盖该发光二极管晶粒的封装层；
第四步，拉伸薄膜层以增大各相邻发光二极管单元之间的间距；
第五步，在拉伸后的薄膜层上形成多个相连的光学透镜，每个光学透镜对应一个发光二极管单元并包覆该发光二极管单元；
第六步，移除薄膜层；以及
第七步，切割所述多个相连的光学透镜，以获得多个分离的发光二极管封装体，每个发光二极管封装体包括一个发光二极管单元以及一个包覆该发光二极管单元的光学透镜。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述薄膜层为UV薄膜或聚酰亚胺薄膜。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述第一步将多个发光二极管晶粒通过覆晶方式设置在薄膜层上。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述第二步通过涂布、印刷、压膜或转模的方法使封装层覆盖所述薄膜层设有发光二极管晶粒的表面上。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述第五步采用模造方法在薄膜层上形成多个相连的光学透镜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310747517.2A CN104752582A (zh) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | 发光二极管封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310747517.2A CN104752582A (zh) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | 发光二极管封装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104752582A true CN104752582A (zh) | 2015-07-01 |
Family
ID=53591965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310747517.2A Pending CN104752582A (zh) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | 发光二极管封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104752582A (zh) |
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