TW201539791A - 發光二極體封裝方法 - Google Patents

Abstract

一種發光二極體封裝方法，包括步驟：提供一具有粘性及彈性的薄膜層並將多個發光二極體晶粒設置在薄膜層上；形成一封裝層在薄膜層上並使封裝層覆蓋所述多個發光二極體晶粒；在每兩個相鄰的發光二極體晶粒之間切割封裝層以形成切割道，多個切割道貫穿封裝層並止於薄膜層；拉伸薄膜層；在拉伸後的薄膜層上形成多個相連的光學透鏡，每個光學透鏡對應一個發光二極體單元並包覆該發光二極體單元；移除薄膜層；切割所述多個相連的光學透鏡，以獲得多個分離的發光二極體封裝體。

Description

發光二極體封裝方法

本發明涉及一種半導體發光裝置封裝方法，尤其涉及一種發光二極體封裝方法。

相比於習知的發光源，發光二極體（Light Emitting Diode，LED）具有重量輕、體積小、污染低、壽命長等優點，其作為一種新型的發光源，已經被越來越多地應用到各領域當中，如路燈、交通燈、信號燈、射燈及裝飾燈等。

習知的發光二極體封裝結構，通常包括具有金屬導電線路以及反射杯結構的引線框架、設置在引線框架的反射杯結構內並電連接至金屬導電線路的發光二極體晶片、以及填充在反射杯結構內並覆蓋發光二極體晶片的封裝體。製作該種發光二極體封裝結構時，通常事先製備導電銅板，然後通過嵌入成型(Insert Molding)工藝注塑聚對苯二醯對苯二胺（PPA）塑膠，使得導電銅板嵌入PPA塑膠而形成具有反射杯結構的引線框架，繼而將發光二極體晶粒置入反射杯結構內並電連接至導電銅板，最後向反射杯結構內填充封裝材料並固化封裝材料形成封裝體。

該種製造方法中“向反射杯結構內置入發光二極體晶粒”的步驟需要將發光二極體晶粒與導電銅板進行對位，由於對位元機械設備的精度具有局限性，使得尺寸較小的發光二極體晶粒在反射杯結構內的封裝位置精確度難以確保，從而影響整個封裝元件的精度。

有鑑於此，有必要提供一種高精度的發光二極體封裝方法。

一種發光二極體封裝方法，包括步驟：第一步，提供一具有粘性及彈性的薄膜層並將多個發光二極體晶粒設置在薄膜層上，各發光二極體晶粒的兩個電極均貼設在薄膜層上；第二步，形成一封裝層在薄膜層上並使封裝層覆蓋所述多個發光二極體晶粒；第三步，在每兩個相鄰的發光二極體晶粒之間切割封裝層以形成切割道，多個切割道貫穿封裝層並止於薄膜層，從而每兩個相鄰的切割道之間形成一個發光二極體單元，每個發光二極體單元包括一個發光二極體晶粒和覆蓋該發光二極體晶粒的封裝層；第四步，拉伸薄膜層以增大各相鄰發光二極體單元之間的間距；第五步，在拉伸後的薄膜層上形成多個相連的光學透鏡，每個光學透鏡對應一個發光二極體單元並包覆該發光二極體單元；第六步，移除薄膜層；以及第七步，切割所述多個相連的光學透鏡，以獲得多個分離的發光二極體封裝體，每個發光二極體封裝體包括一個發光二極體單元以及一個包覆該發光二極體單元的光學透鏡。

與習知技術相比，上述封裝方法採用薄膜層支撐發光二極體晶粒，然後進行封裝層以及光學透鏡的設置，無需採用習知技術中的引線框架，能夠避免習知封裝技術中將發光二極體與引線框架的電路結構進行對位元所產生的時間耗費以及精確度誤差、還能簡化發光二極體的封裝結構、降低成本。

下面參照附圖，結合具體實施方式對本發明作進一步的描述。

圖1至圖9為本發明實施方式提供的發光二極體封裝方法示意圖。

本發明實施例提供的發光二極體封裝方法包括以下步驟。

第一步，參見圖1及圖2，提供一具有粘性及彈性的薄膜層20並將多個發光二極體晶粒12設置在薄膜層20上，各發光二極體晶粒12的兩個電極120、122均貼設在薄膜層20上。

本實施例中，該薄膜層20為UV薄膜或聚醯亞胺(Polyimide)薄膜，所述多個發光二極體晶粒12通過覆晶方式設置在薄膜層20上。

第二步，參見圖3，形成一封裝層11在薄膜層20上並使封裝層11覆蓋所述多個發光二極體晶粒12。

該封裝層11中可混有螢光粉，以在發光二極體晶粒12的光激發下發出與發光二極體晶粒12發光波長不同的光線，從而混光得到預期顏色的光線。本實施例中，可通過塗布(spreading)、印刷(printing)、壓膜(compression molding)或轉模(transfer molding)的方法使封裝層11覆蓋所述薄膜層20設有發光二極體晶粒12的表面上。

第三步，參見圖4及圖5，在每兩個相鄰的發光二極體晶粒12之間切割封裝層11以形成切割道13，多個切割道13貫穿封裝層11並止於薄膜層20，從而每兩個相鄰的切割道13之間形成一個發光二極體單元10，每個發光二極體單元10包括一個發光二極體晶粒12和覆蓋該發光二極體晶粒12的封裝層11。

本實施例中，沿著圖4虛線所示的位置對封裝層11進行切除，直至薄膜層20的上表面200，從而在上表面200上方形成切割道13而不切到薄膜層20，如圖5所示。

第四步，參見圖6，拉伸薄膜層20以增大各相鄰發光二極體單元10之間的間距。

第五步，參見圖7，在拉伸後的薄膜層20上形成多個相連的光學透鏡14，每個光學透鏡14對應一個發光二極體單元10並包覆該發光二極體單元10。

本實施例中，採用模造方法在薄膜層20上形成多個相連的光學透鏡14。

第六步，參見圖8，移除薄膜層20。

當薄膜層20為UV薄膜時，可以先用UV光照射UV薄膜以使其粘性降低，然後將薄膜層20撕除。

第七步，參見圖9，切割所述多個相連的光學透鏡14，以獲得多個分離的發光二極體封裝體，每個發光二極體封裝體包括一個發光二極體單元10以及一個包覆該發光二極體單元10的光學透鏡14。

本實施例中，可沿圖9所示的虛線位置對多個相連的光學透鏡14進行切割，以獲得多個發光二極體封裝體。

與習知技術相比，採用薄膜層20支撐發光二極體晶粒，然後進行封裝層11以及光學透鏡14的設置，無需採用習知技術中的引線框架，能夠避免習知封裝技術中將發光二極體與引線框架的電路結構進行對位元所產生的時間耗費以及精確度誤差、還能簡化發光二極體的封裝結構、降低成本。

可以理解的是，對於本領域的普通技術人員來說，可以根據本發明的技術構思做出其它各種相應的改變與變形，而所有這些改變與變形都應屬於本發明權利要求的保護範圍。

應該指出，上述實施方式僅為本發明的較佳實施方式，本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化。這些依據本發明精神所做的變化，都應包含在本發明所要求保護的範圍之內。

10‧‧‧發光二極體單元

11‧‧‧封裝層

12‧‧‧發光二極體晶粒

120、122‧‧‧電極

13‧‧‧切割道

14‧‧‧光學透鏡

20‧‧‧薄膜層

200‧‧‧上表面

無

10‧‧‧發光二極體單元

11‧‧‧封裝層

12‧‧‧發光二極體晶粒

14‧‧‧光學透鏡

20‧‧‧薄膜層

Claims (5)

1. 一種發光二極體封裝方法，包括以下步驟：
   第一步，提供一具有粘性及彈性的薄膜層並將多個發光二極體晶粒設置在薄膜層上，各發光二極體晶粒的兩個電極均貼設在薄膜層上；
   第二步，形成一封裝層在薄膜層上並使封裝層覆蓋所述多個發光二極體晶粒；
   第三步，在每兩個相鄰的發光二極體晶粒之間切割封裝層以形成切割道，多個切割道貫穿封裝層並止於薄膜層，從而每兩個相鄰的切割道之間形成一個發光二極體單元，每個發光二極體單元包括一個發光二極體晶粒和覆蓋該發光二極體晶粒的封裝層；
   第四步，拉伸薄膜層以增大各相鄰發光二極體單元之間的間距；
   第五步，在拉伸後的薄膜層上形成多個相連的光學透鏡，每個光學透鏡對應一個發光二極體單元並包覆該發光二極體單元；
   第六步，移除薄膜層；以及
   第七步，切割所述多個相連的光學透鏡，以獲得多個分離的發光二極體封裝體，每個發光二極體封裝體包括一個發光二極體單元以及一個包覆該發光二極體單元的光學透鏡。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝方法，其中，所述薄膜層為UV薄膜或聚醯亞胺薄膜。
3. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝方法，其中，所述第一步將多個發光二極體晶粒通過覆晶方式設置在薄膜層上。
4. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝方法，其中，所述第二步通過塗布、印刷、壓膜或轉模的方法使封裝層覆蓋所述薄膜層設有發光二極體晶粒的表面上。
5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝方法，其中，所述第五步採用模造方法在薄膜層上形成多個相連的光學透鏡。