CN104752346A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供晶片的加工方法，其能够将晶片分割成一个个器件而不会对器件产生不良影响。是沿着分割预定线分割晶片的加工方法，其包括下述工序：功能层切断工序，沿着在构成晶片的功能层上形成的分割预定线照射激光光线，由此对功能层进行烧蚀加工，形成沿着分割预定线将构成晶片的功能层切断的激光加工槽；保护部件粘贴工序，将保护部件粘贴于功能层的正面；切削槽形成工序，将切削刀具从构成晶片的基板的背面侧定位在与分割预定线对应的区域，并形成未到达功能层的切削槽；晶片支承工序，将切割带粘贴于构成晶片的基板的背面，利用环状的框架支承切割带的外周部，并且将保护部件剥离；以及带扩张工序，使粘贴有构成晶片的基板的背面的切割带扩张，使器件之间扩展开。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及沿着分割预定线分割晶片的晶片的加工方法，在所述晶片中，在层叠于基板的正面的功能层上，在通过形成为格子状的多个分割预定线划分出的多个区域中形成有器件。
背景技术
对于本领域技术人员来说，如公知的那样，在半导体器件制造过程中，形成这样的半导体晶片：在硅等基板的正面，利用层叠绝缘膜和功能膜而成的功能层，呈矩阵状地形成了多个IC、LSI等器件。这样形成的半导体晶片的上述器件被形成为格子状的分割预定线划分开来，通过沿着该分割预定线对半导体晶片进行分割，来制造出一个个半导体器件。
近来，为了提高IC、LSI等半导体器件的处理能力，在硅等基板的正面利用下述这样的功能层形成了半导体器件的形态的半导体晶片被实用化，所述功能层是层叠SiOF、BSG(SiOB)等无机物类的膜、或者为聚酰亚胺系、聚对亚苯基二甲基系等聚合物膜的由有机物类的膜构成的低介电常数绝缘体覆膜(Low-k膜)而形成的。
这样的半导体晶片的沿着分割预定线的分割通常利用被称作划片机的切削装置进行。该切削装置具备：卡盘工作台，其保持作为被加工物的半导体晶片；切削构件，其用于对保持于该卡盘工作台的半导体晶片进行切削；以及移动构件，其使卡盘工作台和切削构件相对移动。切削构件包括高速旋转的旋转主轴、和安装于该主轴的切削刀具。切削刀具由圆盘状的基座和安装在该基座的侧面外周部的环状的切削刃构成，切削刃是通过电铸固定例如粒径3μm左右的金刚石磨粒而形成的且形成为30μm左右的厚度。
可是，上述的Low-k膜难以利用切削刀具进行切削。即，由于Low-k膜如云母那样非常脆，因此，如果利用切削刀具沿着分割预定线进行切削，则存在这样的问题：Low-k膜剥离，并剥离至电路，从而对器件造成致命性的损伤。
为了消除上述问题，在下述专利文献1中公开了这样的晶片的分割方法：沿着在半导体晶片上形成的分割预定线照射激光光线，沿着分割预定线形成激光加工槽以分割功能层，将切削刀具定位在该激光加工槽，使切削刀具和半导体晶片相对移动，由此沿着分割预定线切断半导体晶片。
专利文献1：日本特开2005-64231号公报
然而，如上述专利文献1所记载的这样沿着在半导体晶片上形成的分割预定线照射激光光线，由此沿着分割预定线形成激光加工槽以分割功能层，将切削刀具定位于该激光加工槽，沿着分割预定线分割半导体晶片的晶片的分割方法中存在下述问题。
(1)即使激光加工槽的宽度足够宽，切削刀具也会与附着在激光加工槽的侧面的熔融物接触，而突发性地在器件的外周产生缺口。
(2)如果在形成激光加工槽时功能层的除去不够充分，则会发生切削刀具的偏移或倾倒，从而在器件的功能层上发生剥离。
(3)为了在超过切削刀具的宽度的范围内形成激光加工槽，需要使分割预定线的宽度较宽，从而在晶片上形成的器件的数量减少。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种晶片的加工方法，该晶片的加工方法能够消除上述问题并将晶片分割成一个个器件，在所述晶片中，在层叠于基板的正面的功能层上，在通过形成为格子状的多个分割预定线划分出的多个区域中形成有器件。
为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，在所述晶片中，在层叠于基板的正面的功能层上，在通过形成为格子状的多个分割预定线划分出的多个区域中形成有器件，该晶片的加工方法是沿着分割预定线分割所述晶片的方法，其特征在于，
所述晶片的加工方法包括以下工序：
功能层切断工序，在该功能层切断工序中，沿着在构成晶片的功能层上形成的分割预定线照射激光光线，由此对功能层进行烧蚀加工，形成沿着分割预定线将功能层切断的激光加工槽；
保护部件粘贴工序，在该保护部件粘贴工序中，将保护部件粘贴到构成实施了该功能层切断工序后的晶片的功能层的正面；
切削槽形成工序，在该切削槽形成工序中，将实施了该保护部件粘贴工序后的晶片的该保护部件侧保持于卡盘工作台上，将切削刀具从构成晶片的基板的背面侧定位在与分割预定线对应的区域，形成未到达功能层的切削槽；
晶片支承工序，在该晶片支承工序中，将切割带粘贴于构成实施了该切削槽形成工序后的晶片的基板的背面，利用环状的框架支承切割带的外周部，并且将该保护部件剥离；以及
带扩张工序，在该带扩张工序中，使粘贴有构成实施了该晶片支承工序后的晶片的基板的背面的切割带扩张，使器件之间扩展开。
在上述切削槽形成工序中，形成没有到达将功能层切断的激光加工槽的底部的切削槽，在上述扩张工序中，使切割带扩张而将晶片分割成一个个器件。
另外，在上述切削槽形成工序中，形成到达将功能层切断的激光加工槽的底部的切削槽，由此将晶片分割成一个个器件。
在本发明的晶片的加工方法中包括下述工序：功能层切断工序，在该功能层切断工序中，沿着在构成晶片的功能层上形成的分割预定线照射激光光线，由此对功能层进行烧蚀加工，形成沿着分割预定线将功能层切断的激光加工槽；保护部件粘贴工序，在该保护部件粘贴工序中，将保护部件粘贴到构成实施了功能层切断工序后的晶片的功能层的正面；切削槽形成工序，在该切削槽形成工序中，将实施了保护部件粘贴工序后的晶片的该保护部件侧保持于卡盘工作台上，将切削刀具从构成晶片的基板的背面侧定位在与分割预定线对应的区域，形成未到达功能层的切削槽；晶片支承工序，在该晶片支承工序中，将切割带粘贴于构成实施了切削槽形成工序后的晶片的基板的背面，利用环状的框架支承切割带的外周部，并且将保护部件剥离；以及带扩张工序，在该带扩张工序中，使粘贴有构成实施了晶片支承工序后的晶片的基板的背面的切割带扩张，使器件之间扩展开，因此，可以得到下面的作用效果。
(1)即使熔融物附着于通过激光加工工序中的烧蚀加工而在功能层上形成的激光加工槽的侧面，由于不利用切削刀具切削激光加工槽，因此能够消除由于切削刀具的接触而突发性地在器件的外周产生缺口这样的问题。
(2)即使通过激光加工工序中的烧蚀加工实现的功能层的除去不充分，只要使激光加工槽到达从基板的背面侧形成的切削槽，就能够将晶片分割成一个个器件，而不利用切削刀具切削激光加工槽，因此能够消除功能层发生剥离这样的问题。
(3)由于无需形成宽度超过切削刀具的宽度的激光加工槽，因此，能够使分割预定线的宽度变窄，从而能够增加可在晶片上形成的器件的数量。
附图说明
图1是示出通过本发明的晶片的加工方法进行分割的半导体晶片的立体图和主要部分放大剖视图。
图2是用于实施功能层切断工序的激光加工装置的主要部分立体图。
图3是功能层切断工序的说明图。
图4是实施了功能层切断工序的另一个实施方式后的晶片的主要部分放大剖视图。
图5是保护部件粘贴工序的说明图。
图6是用于实施切削槽形成工序的切削装置的主要部分立体图。
图7是切削槽形成工序的说明图。
图8是实施了切削槽形成工序的另一个实施方式后的晶片的主要部分放大剖视图。
图9是示出晶片支承工序的说明图。
图10是用于实施带扩张工序的带扩张装置的立体图。
图11是带扩张工序的说明图。
标号说明
2：半导体晶片；
20：基板；
21：功能层；
22：分割预定线；
23：器件；
210：激光加工槽；
220：切削槽；
3：激光加工装置；
31：激光加工装置的卡盘工作台；
32：激光光线照射构件；
322：聚光器；
4：保护部件；
5：切削装置；
51：切削装置的卡盘工作台；
52：切削构件；
523：切削刀具；
6：环状的框架；
60：切割带；
7：带扩张装置；
71：框架保持构件；
72：带扩张构件；
73：拾取夹头。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的晶片的加工方法更加详细地进行说明。
在图1的(a)和(b)中，示出了利用本发明的晶片的加工方法分割成一个个器件的半导体晶片的立体图和主要部分放大剖视图。图1的(a)和(b)所示的半导体晶片2在厚度为例如140μm的硅等基板20的正面20a形成有功能层21，所述功能层21是层叠绝缘膜和形成电路的功能膜而成的，在该功能层21上，在通过形成为格子状的多个分割预定线22划分出的多个区域中形成有IC、LSI等器件23。并且，在本实施方式中，形成功能层21的绝缘膜由低介电常数绝缘体覆膜(Low-k膜)构成，且厚度被设定为10μm，所述低介电常数绝缘体覆膜(Low-k膜)由SiO2膜或SiOF、BSG(SiOB)等无机物类的膜、或者聚酰亚胺系、聚对亚苯基二甲基系等作为聚合物膜的有机物类的膜构成。
对沿着分割预定线分割上述的半导体晶片2的晶片的加工方法进行说明。
首先，实施下述的功能层切断工序：沿着在构成半导体晶片2的功能层21上形成的分割预定线22照射激光光线，由此对功能层21进行烧蚀加工，形成沿着分割预定线22切断功能层21的激光加工槽。该功能层切断工序利用图2所示的激光加工装置3来实施。图2所示的激光加工装置3具备：保持被加工物的卡盘工作台31；向保持在该卡盘工作台31上的被加工物照射激光光线的激光光线照射构件32；以及对保持在卡盘工作台31上的被加工物进行摄像的摄像构件33。卡盘工作台31构成为对被加工物进行吸引保持，卡盘工作台31通过未图示的加工进给构件沿着图2中箭头X所示的加工进给方向移动，并且通过未图示的分度进给构件沿着图2中箭头Y所示的分度进给方向移动。
上述激光光线照射构件32包括实质上水平地配置的圆筒形状的壳体321。在壳体321内配置有脉冲激光光线振荡构件，该脉冲激光光线振荡构件具备未图示的脉冲激光光线振荡器和重复频率设定构件。在上述壳体321的末端部装配有聚光器322，该聚光器322用于使从脉冲激光光线振荡构件振荡出的脉冲激光光线会聚。并且，激光光线照射构件32具备聚光点位置调整构件(未图示)，所述聚光点位置调整构件用于调整通过聚光器322会聚的脉冲激光光线的聚光点位置。
摄像构件33装配在构成上述激光光线照射构件32的壳体321的末端部，该摄像构件33具备：对被加工物进行照明的照明构件；捕捉被该照明构件照亮的区域的光学系统；以及对被该光学系统捕捉到的像进行摄像的摄像元件(CCD)等，所述摄像构件33将拍摄到的画像信号发送至未图示的控制构件。
参照图2和图3对功能层切断工序进行说明，在该功能层切断工序中，使用上述的激光加工装置3，沿着在构成半导体晶片2的功能层21上形成的分割预定线22照射激光光线，由此对功能层21进行烧蚀加工，形成沿着分割预定线22切断功能层21的激光加工槽。
首先，将构成半导体晶片2的基板20的背面20b侧载置于上述的图2所示的激光加工装置3的卡盘工作台31上。然后，使未图示的吸引构件工作，由此将半导体晶片2保持在卡盘工作台31上(晶片保持工序)。因此，保持在卡盘工作台31上的半导体晶片2的功能层21的正面21a成为上侧。这样吸引保持着半导体晶片2的卡盘工作台31被未图示的加工进给构件定位在摄像构件33的正下方。
当卡盘工作台31被定位在摄像构件33的正下方时，通过摄像构件33和未图示的控制构件执行检测半导体晶片2的要进行激光加工的加工区域的校准作业。即，摄像构件33和未图示的控制构件执行图案匹配等图像处理，完成激光光线照射位置的校准(校准工序)，其中所述图案匹配等图像处理用于进行沿半导体晶片2的第1方向形成的分割预定线22、和沿该分割预定线22照射激光光线的激光光线照射构件32的聚光器322的位置对准。另外，对于在半导体晶片2上沿着与上述第1方向垂直的第2方向形成的分割预定线22，也同样完成激光光线照射位置的校准。
在实施了上述的校准工序后，如图3的(a)所示将卡盘工作台31移动至照射激光光线的激光光线照射构件32的聚光器322所在的激光光线照射区域，使规定的分割预定线22定位于聚光器322的正下方。此时，如图3的(a)所示，半导体晶片2被定位成分割预定线22的一端(在图3的(a)中为左端)位于聚光器322的正下方。接下来，一边从激光光线照射构件32的聚光器322照射脉冲激光光线LB，一边使卡盘工作台31沿图3的(a)中箭头X1所示的方向以规定的加工进给速度移动。然后，当分割预定线22的另一端(在图3的(b)中为右端)如图3的(b)所示到达聚光器322的正下方位置后，停止脉冲激光光线的照射，并使卡盘工作台31停止移动。在该激光加工槽形成工序中，使脉冲激光光线的聚光点P对准分割预定线22的表面附近。
接下来，使卡盘工作台31沿着与纸面垂直的方向(分度进给方向)以分割预定线22的间隔的量移动。然后，一边从激光光线照射构件32的聚光器322照射脉冲激光光线一边使卡盘工作台31沿着图3的(b)中箭头X2所示的方向以规定的加工进给速度移动，当卡盘工作台31到达图3的(a)所示的位置后，停止脉冲激光光线的照射并使卡盘工作台31停止移动。
通过实施上述的功能层切断工序，如图3的(c)所示，在半导体晶片2上形成将功能层21切断了的激光加工槽210。然后，沿着在半导体晶片2上形成的所有的分割预定线22实施上述的功能层切断工序。
并且，上述功能层切断工序例如在以下的加工条件下进行。
激光光线的波长：355nm
重复频率：200kHz
输出：2W
聚光光斑直径：
加工进给速度：500mm/秒
接下来，参照图4对上述功能层切断工序的另一个实施方式进行说明。
图4所示的实施方式是这样的例子：通过实施上述功能层切断工序而形成的激光加工槽210将构成半导体晶片2的功能层21断开，并且，所述激光加工槽210形成为稍微超过基板20的正面20a。
在实施了上述的功能层切断工序后，实施在构成半导体晶片2的功能层21的正面粘贴保护部件的保护部件粘贴工序。即，如图5的(a)和(b)所示，为了保护器件23而在构成半导体晶片2的功能层21的正面21a粘贴保护部件4(保护部件粘贴工序)。并且，保护部件4可以采用聚乙烯膜等树脂片或玻璃基板等具有刚性的硬板。
接下来，实施切削槽形成工序，在该切削槽形成工序中，将实施了上述保护部件粘贴工序后的半导体晶片2的保护部件4侧保持于卡盘工作台，从构成半导体晶片2的基板20的背面侧将切削刀具定位在与分割预定线22对应的区域，形成未到达功能层21的切削槽。使用图6所示的切削装置5实施该切削槽形成工序。图6所示的切削装置5具备：卡盘工作台51，其保持被加工物；切削构件52，其对保持于该卡盘工作台51上的被加工物进行切削；以及摄像构件53，其对保持于该卡盘工作台51上的被加工物进行摄像。卡盘工作台51构成为对被加工物进行吸引保持，卡盘工作台51通过未图示的加工进给构件沿着图6中箭头X所示的加工进给方向移动，并且通过未图示的分度进给构件沿着箭头Y所示的分度进给方向移动。
上述切削构件52包括：实质上配置成水平的主轴壳体521；旋转自如地支承于该主轴壳体521的旋转主轴522；以及装配在该旋转主轴522的末端部的切削刀具523，旋转主轴522通过配设在主轴壳体521内的未图示的伺服马达而向箭头523a所示的方向旋转。切削刀具523由下述部分构成：由铝形成的圆盘状的基座524；和装配在该基座524的侧面外周部的环状的切削刃525。环状的切削刃525由通过镀镍将粒径为3～4μm的金刚石磨粒固定在基座524的侧面外周部而成的电铸刀具构成，在图示的实施方式中，切削刃525形成为厚度为40μm且外径为52mm。
上述摄像构件53被装配在主轴壳体521的末端部，在图示的实施方式中，除了利用可视光线进行摄像的通常的摄像元件(CCD)外，上述摄像构件53还由向被加工物照射红外线的红外线照明构件、捕捉由该红外线照明构件照射的红外线的光学系统、以及输出与被该光学系统捕捉到的红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等构成，上述摄像构件53将拍摄到的画像信号发送至未图示的控制构件。
在利用上述的切削装置5实施切削槽形成工序时，如图6所示，将实施上述保护部件粘贴工序而粘贴于半导体晶片2的保护部件4侧载置于卡盘工作台51上。然后，使未图示的吸引构件工作，由此隔着保护部件4将半导体晶片2保持在卡盘工作台51上(晶片保持工序)。因此，保持在卡盘工作台51上的半导体晶片2的基板20的背面20b成为上侧。这样，吸引保持着半导体晶片2的卡盘工作台51被未图示的加工进给构件定位在摄像构件53的正下方。
当卡盘工作台51被定位于摄像构件53的正下方时，利用摄像构件53和未图示的控制构件执行检测半导体晶片2的要进行切削的区域的校准工序。即，摄像构件53和未图示的控制构件执行图案匹配等图像处理，从而完成切削刀具523的切削区域的校准(校准工序)，所述图案匹配等图像处理用于进行半导体晶片2的与沿着第1方向形成的分割预定线22相对应的区域、和切削刀具523的位置对准。另外，对于在半导体晶片2上与沿着垂直于上述第1方向的第2方向形成的分割预定线22相对应的区域，也同样完成切削刀具523的切削位置的校准。此时，半导体晶片2的形成有分割预定线22的功能层21的正面21a位于下侧，但由于摄像构件53如上述那样具备由红外线照明构件、捕捉红外线的光学系统、以及输出与红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等构成的摄像构件，因此，能够从构成晶片的基板20的背面20b透过来对分割预定线22进行摄像。
在如以上这样检测出保持在卡盘工作台51上的半导体晶片2的与分割预定线22相对应的区域而进行了切削区域的校准后，使保持有半导体晶片2的卡盘工作台51移动至切削区域的切削开始位置。此时，如图7的(a)所示，将半导体晶片2定位成：与要切削的分割预定线22相对应的区域的一端(在图7的(a)中为左端)位于比切削刀具523的正下方靠右侧规定的量的位置。
在像这样将卡盘工作台51即半导体晶片2定位在切削加工区域的切削开始位置后，使切削刀具523从图7的(a)中双点划线所示的待机位置如箭头Z1所示向下方进行切入进给，如图7的(a)中实线所示将切削刀具523定位在规定的切入进给位置。该切入进给位置如图7的(a)和图7的(c)所示被设定为切削刀具523的下端没有到达构成半导体晶片2的功能层21的位置(例如，从基板20的层叠有功能层21的正面20a向背面20b侧距离5～10μm的位置)。
接下来，使切削刀具523向图7的(a)中箭头523a所示的方向以规定的旋转速度旋转，并使卡盘工作台51向图7的(a)中箭头X1所示的方向以规定的切削进给速度移动。然后，当卡盘工作台51如图7的(b)所示进给至与分割预定线22对应的位置的另一端(在图7的(b)中为右端)比切削刀具523的正下方靠左侧规定的量的位置后，使卡盘工作台51停止移动。通过像这样使卡盘工作台51进行切削进给，如图7的(d)所示，在半导体晶片2的基板20上，从背面20b朝向正面20a侧残留一部分201而形成切削槽220(切削槽形成工序)。即，在该实施方式中，切削槽220没有到达将功能层21切断的激光加工槽210的底部。
接下来，使切削刀具523如图7的(b)中箭头Z2所示上升而定位在以双点划线所示的待机位置，使卡盘工作台51向图7的(b)中箭头X2所示的方向移动，返回图7的(a)所示的位置。然后，使卡盘工作台51沿着与纸面垂直的方向(分度进给方向)以与分割预定线22的间隔相当的量进行分度进给，将与接下来要切削的分割预定线22相对应的区域定位在与切削刀具523对应的位置。这样，在将与接下来要切削的分割预定线22相对应的区域定位在与切削刀具523对应的位置后，实施上述的切削槽形成工序。
并且，上述切削槽形成工序例如在以下的加工条件下进行。
切削刀具：外径52mm，厚度40μm
切削刀具的转速：30000rpm
切削进给速度：50mm/秒
对与形成于半导体晶片2的所有的分割预定线22相对应的区域实施上述的切削槽形成工序。
接下来，参照图8对上述切削槽形成工序的另一个实施方式进行说明。
图8所示的实施方式是对下述这样的半导体晶片2实施上述切削槽形成工序的例子，并且形成了到达激光加工槽210的底部的切削槽220：如上述图4所示，激光加工槽210形成为切断功能层21并且稍微超过了基板20的正面20a。因此，半导体晶片2被分割成一个个的器件23。
接下来，实施晶片支承工序，在该晶片支承工序中，在构成实施了切削槽形成工序的半导体晶片2的基板20的背面20b粘贴切割带，利用环状的框架支承切割带的外周部，并且，将保护部件4剥离。参照图9对该晶片支承工序进行说明。图9所示的晶片支承工序在实施了上述切削槽形成工序的卡盘工作台51上实施。即，如图9的(a)和(b)所示将切割带60的正面60a(设置有粘着层且形成有粘着面)粘贴于构成半导体晶片2的基板20的背面20b，所述切割带60以覆盖具备可收纳晶片的大小的开口部61的环状的框架6的开口部61的方式将外周部装配于环状的框架6的背面，所述半导体晶片2被保持在实施了切削槽形成工序的卡盘工作台51上。然后，如图9的(c)所示将在构成半导体晶片2的功能层21的正面上粘贴的保护部件4剥离。
在如上述这样实施了晶片支承工序后，实施带扩张工序，在该带扩张工序中，使粘贴有构成半导体晶片2的基板20的背面的切割带60扩张，使器件之间扩展。该带扩张工序利用图10所示的带扩张装置7来实施。图10所示的带扩张装置7具备：框架保持构件71，其保持上述环状的框架6；带扩张构件72，其使装配在环状的框架6上的切割带60扩张，所述环状的框架6被保持在该框架保持构件71上；以及拾取夹头73。框架保持构件71由环状的框架保持部件711和作为固定构件的多个夹具712构成，所述夹具712被配设在该框架保持部件711的外周。框架保持部件711的上表面形成了载置环状的框架6的载置面711a，环状的框架6被载置在该载置面711a上。并且，载置在载置面711a上的环状的框架6被夹具712固定于框架保持部件711。这样构成的框架保持构件71被带扩张构件72支承成能够沿上下方向进退。
带扩张构件72具备配置在上述环状的框架保持部件711的内侧的扩张鼓721。该扩张鼓721的内径和外径比环状的框架6的内径小且比装配于该环状的框架6的切割带60上所粘贴的半导体晶片2的外径大。另外，扩张鼓721在下端具备支承凸缘722。本实施方式中的带扩张构件72具备能够使上述环状的框架保持部件711沿上下方向进退的支承构件723。该支承构件723由配设在上述支承凸缘722上的多个气缸723a构成，其活塞杆723b与上述环状的框架保持部件711的下表面连结。像这样由多个气缸723a构成的支承构件723在基准位置与扩张位置之间沿上下方向移动，在所述基准位置，如图11的(a)所示，环状的框架保持部件711的载置面711a成为与扩张鼓721的上端大致相同的高度，在所述扩张位置，如图11的(b)所示，载置面711a比扩张鼓721的上端靠下方规定的量。
参照图11，对使用如以上这样构成的带扩张装置7实施的带扩张工序进行说明。即，将装配着粘贴有半导体晶片2的切割带60的环状的框架6如图11的(a)所示载置于构成框架保持构件71的框架保持部件711的载置面711a上，并利用夹具712将环状的框架6固定于框架保持部件711(框架保持工序)。此时，框架保持部件711被定位在如图11的(a)所示的基准位置。接下来，构成带扩张构件72的作为支承构件723的多个气缸723a进行动作，使环状的框架保持部件711下降至图11的(b)所示的扩张位置。从而，被固定在框架保持部件711的载置面711a上的环状的框架6也会下降，因此，如图11的(b)所示，装配于环状的框架6的切割带60与扩张鼓721的上端缘接触而扩张(带扩张工序)。其结果是，拉伸力呈放射状作用于在切割带60上粘贴的半导体晶片2，因此，在如图7的(d)所示在半导体晶片2的基板20上从背面20b朝向正面20a侧残留一部分201而形成切削槽220的情况下，残存的一部分201断裂，并且在器件之间形成间隔S。另外，在如图8所示激光加工槽210形成为将构成半导体晶片2的功能层21切断并且稍微超过基板20的正面20a、且形成了到达该激光加工槽210的底部的切削槽220而将半导体晶片2分割成了一个个器件23的情况下，分离为一个个器件23，并且在器件之间形成间隔S。
接下来，如图11的(c)所示使拾取夹头73动作来吸附器件23，将器件23从切割带60剥离并对其进行拾取，并搬送至未图示的托盘或结合工序中。并且，在拾取工序中，如上所述，粘贴于切割带60的一个个器件23之间的间隙S扩大，因此，能够容易地进行拾取而不会与相邻的器件23接触。
以上，基于上述的实施方式对本发明进行了说明，但是本发明并不仅限定于上述的实施方式，能够在本发明的主旨的范围内进行各种变形。在上述的实施方式中，示出了下述这样的例子：在实施了将保护部件粘贴于构成晶片的功能层的正面的保护部件粘贴工序之后，实施切削槽形成工序，在该切削槽形成工序中，将切削刀具从构成晶片的基板的背面侧定位在与分割预定线对应的区域，形成没有到达功能层的切削槽，但是也可以是，在实施了保护部件粘贴工序之后，且在实施切削槽形成工序之前实施背面磨削工序，在该背面磨削工序中，对构成晶片的基板的背面进行磨削，使晶片形成为规定的厚度。

Claims (3)

1.一种晶片的加工方法，在所述晶片中，在层叠于基板的正面的功能层上，在通过形成为格子状的多个分割预定线划分出的多个区域中形成有器件，该晶片的加工方法是沿着分割预定线分割所述晶片的方法，其特征在于，
所述晶片的加工方法包括以下工序：
功能层切断工序，在该功能层切断工序中，沿着在构成晶片的功能层上形成的分割预定线照射激光光线，由此对功能层进行烧蚀加工，形成沿着分割预定线将功能层切断的激光加工槽；
保护部件粘贴工序，在该保护部件粘贴工序中，将保护部件粘贴到构成实施了该功能层切断工序后的晶片的功能层的正面；
切削槽形成工序，在该切削槽形成工序中，将实施了该保护部件粘贴工序后的晶片的该保护部件侧保持于卡盘工作台上，将切削刀具从构成晶片的基板的背面侧定位在与分割预定线对应的区域，形成未到达功能层的切削槽；
晶片支承工序，在该晶片支承工序中，将切割带粘贴于构成实施了该切削槽形成工序后的晶片的基板的背面，利用环状的框架支承切割带的外周部，并且将该保护部件剥离；以及
带扩张工序，在该带扩张工序中，使粘贴有构成实施了该晶片支承工序后的晶片的基板的背面的切割带扩张，使器件之间扩展开。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该切削槽形成工序中，形成没有到达将功能层切断的该激光加工槽的底部的该切削槽，在该扩张工序中，使切割带扩张而将晶片分割成一个个器件。
3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该切削槽形成工序中，形成到达将功能层切断的该激光加工槽的底部的该切削槽，由此将晶片分割成一个个器件。
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