CN104752300A - 静电卡盘及反应腔室 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的静电卡盘及反应腔室，其包括静电卡盘组件、冷却件、支撑隔热件和密封隔热件，其中：静电卡盘组件位于冷却件的上方，支撑隔热件设置于静电卡盘组件和冷却件之间，用以支撑静电卡盘组件；密封隔热件采用波纹状的环形薄壁结构，且设置在静电卡盘组件和冷却件之间，并环绕在支撑隔热件的外侧；密封隔热件分别与静电卡盘组件和冷却件密封连接，密封隔热件和支撑隔热件之间形成有间隔空间，该间隔空间用于引出静电卡盘组件内部的引线。本发明提供的静电卡盘，其能够有效解决静电卡盘在高温阶段的热膨胀和隔热问题，同时降低电卡盘的加工难度，便于卡盘内部引线的引出。

Description

静电卡盘及反应腔室
技术领域
本发明涉及微电子加工技术领域，具体地，涉及一种静电卡盘及反应腔室。
背景技术
在半导体加工领域，一般在真空反应腔室中，通过刻蚀（Etch）工艺或化学气相沉积（CVD）工艺将反应材料形成在晶片表面。在此过程中，可通过机械夹持装置或静电卡盘（ESC）将晶片固定在真空反应腔室内特定的工位上，工艺气体通过管路输送到真空反应腔室之中，同时真空反应腔室中射频电场（RF）将工艺气体增能为等离子状态。在半导体生产工艺中，卡盘可用于固定和支撑晶片，避免晶片在处理过程中出现移动或者错位现象。卡盘可包括机械卡盘、真空卡盘或静电卡盘等。静电卡盘采用静电引力来固定晶片，因此相对于机械卡盘和真空卡盘，其具有很多优势。静电卡盘减少了在使用机械卡盘时由于压力、碰撞等原因造成的晶片破损的问题，增大了晶片的有效加工面积，减少了晶片表面腐蚀物颗粒的沉积，并且该静电卡盘可以在真空工艺环境下工作。传统的静电卡盘的工作温度一般在100℃以内，随着半导体工艺进入32-22纳米技术带后，高K栅介质和金属栅电极MOS器件被引入IC生产工艺。为实现上述生产工艺，通常要求下电极的温度在200℃以上，这对传统的静电卡盘来说是难以达到的，因此需要可以在高温下工作的静电卡盘来实现上述工艺。
专利TW201027661A1公开了一种高温静电卡盘，图1为专利TW201027661A1中一种高温静电卡盘的结构示意图，图2为图1中凸起部分的结构示意图，如图1和图2所示，卡盘上部550A与卡盘下部550B相互叠置，且在二者之间形成有间隙G，该间隙G的尺寸范围在20～1000微米，并且，在卡盘上部550A与卡盘下部550B之间的靠近中心的位置处设置有凸起部分503，其通过扩散连接方式与卡盘上部550A和卡盘下部550B连接，用以对二者之间的间隙进行密封，以及阻隔自卡盘上部550A产生的热量传递到卡盘下部550B。
上述高温静电卡盘在实际应用中至少存在如下技术问题：
其一，由于卡盘上部550A和卡盘下部550B之间的间隙G比较小，在将凸起部分503通过扩散连接方式分别与卡盘上部550A和卡盘下部550B连接时，加工非常困难。
其二，为了避免加热时卡盘上部550A与卡盘下部550B由于热膨胀系数不同而引起的机械应力，凸起部分503的位置会尽量靠近卡盘中心，这会导致凸起部分503的中心孔较小，不利于卡盘上部550A内加热线和静电引力线等引线的引出。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种静电卡盘及反应腔室，其能够有效解决静电卡盘在高温阶段的热膨胀和隔热问题，同时降低电卡盘的加工难度，便于卡盘内部引线的引出。
为实现本发明的目的而提供一种静电卡盘，包括静电卡盘组件、冷却件、支撑隔热件和密封隔热件，其中：所述静电卡盘组件位于所述冷却件的上方，所述支撑隔热件设置于所述静电卡盘组件和所述冷却件之间，用以支撑所述静电卡盘组件；所述密封隔热件采用波纹状的环形薄壁结构，且设置在所述静电卡盘组件和所述冷却件之间，并环绕在所述支撑隔热件的外侧；所述密封隔热件分别与所述静电卡盘组件和所述冷却件密封连接，所述密封隔热件和所述支撑隔热件之间形成有间隔空间，所述间隔空间用于引出所述静电卡盘组件内部的引线。
其中，所述密封隔热件与所述静电卡盘组件之间通过扩散连接方式连接，所述密封隔热件与所述冷却件之间通过扩散方式连接。
优选的，所述密封隔热件的上、下两端采用平面结构。
优选的，所述支撑隔热件位于所述静电卡盘组件的中间位置，所述密封隔热件位于所述静电卡盘组件的边缘位置。
优选的，所述密封隔热件采用合金材料制作。
优选的，所述支撑隔热件通过螺纹连接方式与所述冷却件连接。
优选的，所述支撑隔热件采用环形结构。
其中，所述冷却件上设置有通孔，所述通孔用于将所述静电卡盘组件内部的引线自所述间隔空间引出。
其中，在所述冷却件内设置有冷却通道，通过向所述冷却通道内通入冷却液体或冷却气体来冷却所述冷却件。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种反应腔室，在所述反应腔室内设置有静电卡盘，用以采用静电引力的方式承载被加工工件，所述静电卡盘采用了本发明提供的上述静电卡盘。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的静电卡盘，其在静电卡盘组件和冷却件之间设置用于支撑静电卡盘组件的支撑隔热件，以及环绕在该支撑隔热件的外侧，且分别与静电卡盘组件和冷却件密封连接的密封隔热件，其中，由于密封隔热件采用波纹状的环形薄壁结构，这使得其很容易发生形变，且对静电卡盘组件的阻力较小，从而即使静电卡盘组件的变形量较大，密封隔热件也可以保证对静电卡盘组件和冷却件的密封，进而可以有效解决静电卡盘在高温阶段的热膨胀和隔热问题。而且，由于支撑隔热件只要能够支撑静电卡盘组件即可，而无需密封，这大大降低了加工的难度，从而可以降低加工成本。此外，借助在密封隔热件和支撑隔热件之间形成的间隔空间，可以增大静电卡盘内部真空的空间，从而很容易将静电卡盘组件内部的引线引出。
本发明提供的反应腔室，其通过采用本发明提供的上述静电卡盘，不仅可以有效解决静电卡盘在高温阶段的热膨胀和隔热问题，而且可以降低加工难度，从而可以降低加工成本。
附图说明
图1为专利TW201027661A1中一种高温静电卡盘的结构示意图；
图2为图1中凸起部分的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的静电卡盘的剖视图；
图4为图3中支撑隔热件的结构示意图；
图5为图3中密封隔热件的结构示意图；以及
图6为图3中密封隔热件的立体图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的进行详细描述。
图3为本发明实施例提供的静电卡盘的剖视图。请参阅图3，该静电卡盘包括：静电卡盘组件、冷却件14、支撑隔热件13和密封隔热件12。其中，静电卡盘组件位于冷却件14的上方，本实施例中，静电卡盘组件包括：主体结构11、位于主体结构11内部的电极9和加热部件10。主体结构11的材料为陶瓷，优选为氧化铝陶瓷或者氮化铝陶瓷。电极9和加热部件10是通过印刷方式制成的。优选地，电极9的材料为Mo或者W，加热部件10的材料为Mo。电极9用于在通电时产生静电引力，该静电引力可使被加工工件（图中未示出）被吸附于主体结构11上，从而实现对被加工工件的固定。加热部件10用于对主体结构11进行加热，加热温度可以为200℃至450℃。由于主体结构11具有良好的导热率，因此热量可以通过主体结构11传递至被加工工件，从而达到对被加工工件加热的目的。进一步地，静电卡盘组件内还设置有气体通道8，气体通道8用于向被加工工件的下表面与主体结构11的上表面之间的间隙通入导热气体，该导热气体可以与被加工工件的各个位置之间进行热交换，从而可以补偿在被加工工件的各个位置之间存在的温度差，进而可以提高被加工工件的温度的均匀性，其中，导热气体采用惰性气体，例如：氦气或者氩气。
支撑隔热件13设置于静电卡盘组件和冷却件14之间，其通常采用热导率低的材料制成，例如：不锈钢材料，用以阻隔由静电卡盘组件产生的热量传递至冷却件14。在本实施例中，优选地，支撑隔热件13采用环形结构，这可以在保证能够实现对静电卡盘组件支撑的基础上，减小支撑隔热件13的侧壁厚度，从而进一步提高其隔热的作用。而且，支撑隔热件13支撑静电卡盘组件，换言之，支撑隔热件13与静电卡盘组件之间无连接关系，静电卡盘组件仅需放置于支撑隔热件13上，支撑隔热件13对静电卡盘组件起到支撑作用。支撑隔热件13与冷却件14连接。优选地，支撑隔热件13可通过螺纹连接方式与冷却件14连接。如图4所示，支撑隔热件13上设置有外螺纹结构16，相应地，冷却件14上设置有与外螺纹结构16相匹配的内螺纹结构（螺纹孔）。则支撑隔热件13通过外螺纹结构16和内螺纹结构相配合而安装于冷却件14上，从而实现了支撑隔热件13与冷却件14的连接，该连接方式便于支撑隔热件13与冷却件14之间的安装与拆卸。可选地，在实际应用中，支撑隔热件13与冷却件14之间还可以采用扩散连接等的其他连接方式连接，此处不再一一列举。
图5为图3中密封隔热件的结构示意图。图6为图3中密封隔热件的立体图。请一并参阅图5和图6，密封隔热件12采用波纹状的环形薄壁结构，且设置在静电卡盘组件和冷却件14之间，并环绕在支撑隔热件13的外侧。密封隔热件12与静电卡盘组件之间通过扩散连接方式连接，密封隔热件12与冷却件14之间通过扩散方式连接，这可以保证密封隔热件14的内部保持真空状态，从而可以实现对静电卡盘的密封。优选地，密封隔热件12的上、下两端采用平面结构，以便于密封隔热件12分别与静电卡盘组件和冷却件14连接。在实际应用中，可选地，密封隔热件12与静电卡盘组件之间还可以采用螺钉加C型密封圈的连接方式连接，密封隔热件12与冷却件14之间还可以采用螺钉加C型密封圈的连接方式连接，这同样可以实现对静电卡盘的密封。此外，优选地，密封隔热件12可以采用合金材料制作。
由于密封隔热件12采用波纹状的环形薄壁结构，这使得其很容易发生形变，且对静电卡盘组件的阻力较小，从而即使静电卡盘组件的变形量较大，密封隔热件12也可以保证对静电卡盘组件和冷却件14的密封，进而可以有效解决静电卡盘在高温阶段的热膨胀和隔热问题。而且，由于借助密封隔热件12对静电卡盘进行密封，支撑隔热件13只要能够支撑静电卡盘组件即可，而无需密封，这大大降低了加工的难度，从而可以降低加工成本。
本实施例中，优选地，支撑隔热件13位于静电卡盘组件的中间位置，密封隔热件12位于静电卡盘组件的边缘位置，这不仅可以降低加工难度，而且可以在支撑隔热件13和密封隔热件12之间形成较大的间隔空间，从而可以增大静电卡盘内部真空的空间，因此，引线无需从支撑隔热件13的中心孔中引出，而是从该间隔空间中引出，从而便于静电卡盘内部引线的引出。例如：引线可包括：加热线和/或静电引力线。
冷却件14用于阻隔由静电卡盘组件产生的热量向下传递，并且，优选地，在冷却件14上设置有冷却通道15，通过向冷却通道15内通入冷却液体或冷却气体来冷却该冷却件14，从而可以进一步提高冷却件14的隔热作用。此外，在冷却件14上设置有用于将静电卡盘组件内部的引线自间隔空间引出的通孔，该通孔的数量和形状可根据需要进行设定。
可选地，在主体结构11上，且位于静电卡盘组件的外侧设置有聚焦环7，用以将等离子体聚集于置于主体结构11上的被加工工件上方。
可选地，在冷却件14的下方设置有支撑组件4，用以支撑位于其上的静电卡盘组件和冷却件14，并且，在支撑组件4与冷却件14之间设置有绝缘部件5，用以将冷却件14与支撑组件16电绝缘。另外，可选地，在绝缘部件5与聚焦环7之间，且位于冷却件14和主体结构11的外围还设置有基环6，用以支撑聚焦环7。
作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种反应腔室，在该反应腔室内设置有静电卡盘，用以采用静电引力的方式承载被加工工件，该静电卡盘采用了本发明上述实施例提供的静电卡盘。
本发明实施例提供的反应腔室，其通过采用本发明实施例提供的上述静电卡盘，不仅可以有效解决静电卡盘在高温阶段的热膨胀和隔热问题，而且可以降低加工难度，从而可以降低加工成本。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种静电卡盘，其特征在于，包括静电卡盘组件、冷却件、支撑隔热件和密封隔热件，其中：
所述静电卡盘组件位于所述冷却件的上方，所述支撑隔热件设置于所述静电卡盘组件和所述冷却件之间，用以支撑所述静电卡盘组件；
所述密封隔热件采用波纹状的环形薄壁结构，且设置在所述静电卡盘组件和所述冷却件之间，并环绕在所述支撑隔热件的外侧；所述密封隔热件分别与所述静电卡盘组件和所述冷却件密封连接，所述密封隔热件和所述支撑隔热件之间形成有间隔空间，所述间隔空间用于引出所述静电卡盘组件内部的引线。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述密封隔热件与所述静电卡盘组件之间通过扩散连接方式连接，所述密封隔热件与所述冷却件之间通过扩散方式连接。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述密封隔热件的上、下两端采用平面结构。
4.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述支撑隔热件位于所述静电卡盘组件的中间位置，所述密封隔热件位于所述静电卡盘组件的边缘位置。
5.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述密封隔热件采用合金材料制作。
6.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述支撑隔热件通过螺纹连接方式与所述冷却件连接。
7.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述支撑隔热件采用环形结构。
8.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述冷却件上设置有通孔，所述通孔用于将所述静电卡盘组件内部的引线自所述间隔空间引出。
9.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，在所述冷却件内设置有冷却通道，通过向所述冷却通道内通入冷却液体或冷却气体来冷却所述冷却件。
10.一种反应腔室，在所述反应腔室内设置有静电卡盘，用以采用静电引力的方式承载被加工工件，其特征在于，所述静电卡盘采用权利要求1-9任意一项所述的静电卡盘。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111212931A (zh) * 2017-10-27 2020-05-29 应用材料公司 具有空间分离的单个晶片处理环境

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040076411A1 (en) * 2002-03-05 2004-04-22 Seiichiro Kanno Wafer processing method
TW201032287A (en) * 2009-02-23 2010-09-01 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Substrate support table of plasma processing device
CN102341902A (zh) * 2009-03-03 2012-02-01 东京毅力科创株式会社 载置台结构、成膜装置和原料回收方法
CN102468208A (zh) * 2010-11-16 2012-05-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 卡盘和半导体处理装置
CN103074603A (zh) * 2011-10-26 2013-05-01 绿种子材料科技股份有限公司 薄膜沉积系统及薄膜沉积方法
US20130286533A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Ngk Insulators, Ltd. Member for semiconductor manufacturing apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040076411A1 (en) * 2002-03-05 2004-04-22 Seiichiro Kanno Wafer processing method
TW201032287A (en) * 2009-02-23 2010-09-01 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Substrate support table of plasma processing device
CN102341902A (zh) * 2009-03-03 2012-02-01 东京毅力科创株式会社 载置台结构、成膜装置和原料回收方法
CN102468208A (zh) * 2010-11-16 2012-05-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 卡盘和半导体处理装置
CN103074603A (zh) * 2011-10-26 2013-05-01 绿种子材料科技股份有限公司 薄膜沉积系统及薄膜沉积方法
US20130286533A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Ngk Insulators, Ltd. Member for semiconductor manufacturing apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111212931A (zh) * 2017-10-27 2020-05-29 应用材料公司 具有空间分离的单个晶片处理环境

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Address after: 100176 No. 8, Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone

Applicant after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd

Address before: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, Wenchang Road, No. 8, No.

Applicant before: Beifang Microelectronic Base Equipment Proces Research Center Co., Ltd., Beijing

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GR01 Patent grant
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