CN104708212A - 电阻式触摸屏ito胶片基材的激光切割方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电阻式触摸屏ITO胶片基材的激光切割方法,包括以下步骤:①切割完成丝印后的TP胶片,②将TP玻璃与切割后的TP胶片贴合成ITO胶片基材,③切割TP玻璃,④将切割后的ITO胶片基材分成单粒状;所述的TP胶片与TP玻璃的切割均是按镭射图档进行切割,该镭射图档的每粒TP胶片的每条边两端分别缩短0.1mm。采用本发明的电阻式触摸屏ITO胶片基材的激光切割方法,避免了TP加工过程中的误差所带来的“料长”不良问题,有利于节省人工和材料成本。
Description
技术领域
本发明属于电阻式触摸屏生产中的切割工艺,尤其是涉及一种避免“料长”不良及激光束划伤TP玻璃的ITO胶片基材的激光切割方法。
背景技术
在电阻式触摸屏生产过程中,要将大尺寸的ITO胶片基材切割成所需尺寸的单粒产品,传统的工艺流程是:大张TP胶片与大张TP玻璃进行贴合→切割TP玻璃→切割TP胶片→分成单粒状。
切割TP胶片的工艺方法是:按如说明书附图1所示的镭射图档采用激光镭射方法。按照该镭射图档进行激光镭射时,TP玻璃与TP胶片的切割是分开进行的,虽然共用了同一对位基准,但两次切割均使TP产生一定的误差,这一误差会引起TP玻璃层与TP胶片层的轻微错位,造成单粒TP的尺寸偏长约0.1mm(俗称“料长”),需要通过削去偏出部分的TP胶片来保证TP的尺寸精度,这样做会带来大量不必要的人工操作,而若不削去“料长”则会会产生大量废品。
发明内容
为了克服现有电阻式触摸屏ITO胶片基材切割工艺的缺陷,本发明提供一种避免“料长”不良并提高作业效率的ITO胶片基材的激光切割方法。
本发明的电阻式触摸屏ITO胶片基材的激光切割方法:包括以下具体步骤:
切割完成丝印后的TP胶片,
将TP玻璃与切割后的TP胶片贴合成ITO胶片基材,
切割TP玻璃,
将切割后的ITO胶片基材分成单粒状;
上述的TP胶片的切割是按镭射图档进行切割,该镭射图档的每粒TP胶片的每条边两端分别向内缩短0.1mm。
按照上述步骤对电阻式触摸屏ITO胶片基材进行激光切割,与原有工艺流程相比,将TP胶片切割提前到TP贴合之前进行,避免了按旧的工艺流程切割TP胶片时激光束划伤TP玻璃。
而按照新的镭射图档进行切割,与原镭射图相比,只是将原图档中每粒TP胶片的每条切割线向内缩小了0.1mm,即每粒TP胶片的每条边的尺寸均缩短了0.2mm,以避免TP加工过程中的误差带来的“料长”不良。
附图说明
图1为现有的激光切割工艺造成的0.1mm“料长”不良的示意图;
图2为现有TP胶片切割的镭射图档的示意图;
图3为本发明采用的镭射图档的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的电阻式触摸屏ITO胶片基材的激光切割方法实施例的技术方案进行进一步说明。
现有激光切割的工艺流程是:大张TP胶片与大张TP玻璃进行贴合→切割TP玻璃→切割TP胶片→分成单粒状。
如图1所示,TP玻璃11与TP胶片13先由双面胶12进行贴合,然后再分别对TP玻璃11与TP胶片13进行切割,其中TP胶片13的切割是按照如图2所示的镭射图档,按照激光切割线12对TP胶片进行切割,会造成单粒TP胶片14的尺寸偏长约0.1mm(俗称“料长”),而TP玻璃11的切割虽然与TP胶片13的切割共用了同一对位基准,但两次切割会使TP产生一定的误差,这一误差会引起TP玻璃层与TP胶片层的轻微错位。而且对已经贴合的TP玻璃11与TP胶片13分别进行切割,两次操作会互相影响,激光束容易划伤TP玻璃11或TP胶片13。
本发明的电阻式触摸屏ITO胶片基材的激光切割方法,其TP胶片切割是按照如图3所示的镭射图档对TP胶片23按照激光切割线22进行切割,因为单粒TP胶片21的每条边两端分别向内缩短了0.1mm,因此,避免了单粒TP胶片尺寸偏长0.1mm的“料长”不良。
而本发明的电阻式触摸屏ITO胶片基材的激光切割方法是:对完成丝印后的大张TP胶片切割→将TP玻璃与切割后的TP胶片贴合→切割TP玻璃→分成单粒状;将胶片切割提前到TP贴合之前进行,避免了按旧的工艺流程切割TP胶片时激光束划伤TP玻璃。
Claims (1)
1. 电阻式触摸屏ITO胶片基材的激光切割方法,其特征在于:包括以下具体步骤:
切割完成丝印后的TP胶片,
将TP玻璃与切割后的TP胶片贴合成ITO胶片基材,
切割TP玻璃,
将切割后的ITO胶片基材分成单粒状;
上述的TP胶片的切割是按镭射图档进行切割,该镭射图档的每粒TP胶片的每条边两端分别缩短0.1mm。
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