CN104707760B - 带树脂层的支撑基板的制造方法、玻璃层叠体的制造方法及电子器件的制造方法 - Google Patents

带树脂层的支撑基板的制造方法、玻璃层叠体的制造方法及电子器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及带树脂层的支撑基板的制造方法、玻璃层叠体的制造方法及电子器件的制造方法，所述带树脂层的支撑基板具有支撑基板和设置在支撑基板的单面的有机硅树脂层，其在前述有机硅树脂层上层叠玻璃基板而用于制造玻璃层叠体，该方法依次包括下述工序：涂布工序、搬入工序、第1加热工序、移动工序、搬出工序和第2加热工序。

Description

带树脂层的支撑基板的制造方法、玻璃层叠体的制造方法及 电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及带树脂层的支撑基板的制造方法、玻璃层叠体的制造方法及电子器件的制造方法。
背景技术
近年来，太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)等器件(电子设备)正在进行薄型化、轻量化，这些器件中使用的玻璃基板在进行薄板化。如果由于薄板化导致玻璃基板的强度不足，则在器件的制造工序中，玻璃基板的处理性会降低。
最近，为了应对上述问题，提出了下述方法：准备层叠有玻璃基板和增强板的玻璃层叠体，在玻璃层叠体的玻璃基板上形成显示装置等电子器件用构件后，自玻璃基板分离增强板(例如参见专利文献1)。增强板具有支撑基板和固定在该支撑基板上的有机硅树脂层，有机硅树脂层与玻璃基板以可剥离的方式密合。增强板在玻璃层叠体的有机硅树脂层与玻璃基板的界面处被剥离，自玻璃基板分离的增强板可以与新的玻璃基板层叠，作为玻璃层叠体进行再利用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2007/018028号
发明内容
发明要解决的问题
而迄今已知有将其表面配置有涂膜的支撑基板载置于多个支撑销的顶部进行加热干燥的方法。此外，作为进行加热干燥的方法，已知有使用设置有加热板的加热处理装置的方法。
本发明人等在按照专利文献1中记载的方法制作增强板时，将表面配置有通过加热而形成有机硅树脂层的涂膜的支撑基板载置于设置在加热处理装置内的多个支撑销的顶部，在涂膜上配置加热板进行预烘焙处理，然后在实施后烘焙处理形成有机硅树脂层之后，在有机硅树脂层上层叠玻璃基板来制作玻璃层叠体。接着，对所得玻璃层叠体实施加热处理，评价玻璃基板的剥离性，结果发现一部分有机硅树脂层发生内聚破坏而附着在玻璃基板表面上。
有机硅树脂附着在玻璃基板上时，所得电子器件不适宜作为产品使用，因此存在电子器件的成品率降低、生产率降低之虞。
本发明是鉴于上述问题而做出的，其目的在于提供带树脂层的支撑基板的制造方法，所述带树脂层的支撑基板具有支撑基板和有机硅树脂层，用于制造在剥离玻璃基板时有机硅树脂层的内聚破坏得到进一步抑制的玻璃层叠体。
此外，本发明的目的还在于提供玻璃层叠体的制造方法，以及使用该玻璃层叠体的电子器件的制造方法，所述玻璃层叠体使用了通过该带树脂层的支撑基板的制造方法制造的带树脂层的支撑基板。
用于解决问题的方案
本发明人等为了解决上述问题而进行了深入研究，从而完成了本发明。
即，本发明的第1发明是一种带树脂层的支撑基板的制造方法，所述带树脂层的支撑基板具有支撑基板和设置在支撑基板的单面的有机硅树脂层，用于在有机硅树脂层上层叠玻璃基板而制造玻璃层叠体，该方法依次包括下述工序：涂布工序，其中，将含有固化性有机硅和溶剂的固化性有机硅组合物涂布在支撑基板上，在支撑基板上形成固化性有机硅组合物层，得到具备支撑基板和固化性有机硅组合物层的带固化性层的支撑基板；搬入工序，其中，将带固化性层的支撑基板搬入加热处理装置内，在加热处理装置内的支撑销上载置带固化性层的支撑基板；第1加热工序，其中，在带固化性层的支撑基板的固化性有机硅组合物层上部配置加热板，边进行排气边在第1温度以下对带固化性层的支撑基板进行加热处理，去除残留在固化性有机硅组合物层中的溶剂；移动工序，其中，在第1加热工序后，使实施了加热处理的固化性有机硅组合物层与加热板之间远离；搬出工序，其中，从加热处理装置搬出带固化性层的支撑基板；第2加热工序，其中，在比第1温度高的第2温度下对带固化性层的支撑基板进行加热处理，得到有机硅树脂层。
在第1发明中，优选的是，固化性有机硅含有具有链烯基的有机链烯基聚硅氧烷以及具有与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷。
在第1发明中，优选的是，第1温度满足溶剂的初馏点-30℃≤第1温度≤溶剂的初馏点+30℃。
本发明的第2发明是一种玻璃层叠体的制造方法，该方法具有如下的层叠工序：其中，在通过第1发明制造的带树脂层的支撑基板中的有机硅树脂层上层叠玻璃基板，得到依次具有支撑基板、有机硅树脂层和玻璃基板的玻璃层叠体。
本发明的第3发明是一种电子器件的制造方法，该方法具备下述工序：构件形成工序，其中，在通过第2实施方式制造的玻璃层叠体的玻璃基板的表面上形成电子器件用构件，得到带电子器件用构件的层叠体；分离工序，其中，从带电子器件用构件的层叠体去除带树脂层的支撑基板，得到具有玻璃基板和电子器件用构件的电子器件。
发明的效果
根据本发明，能够提供带树脂层的支撑基板的制造方法，所述带树脂层的支撑基板具有支撑基板和有机硅树脂层，用于制造在剥离玻璃基板时有机硅树脂层的内聚破坏得到进一步抑制的玻璃层叠体。
此外，根据本发明，还能够提供玻璃层叠体的制造方法，以及使用该玻璃层叠体的电子器件的制造方法，所述玻璃层叠体使用了通过该带树脂层的支撑基板的制造方法制造的带树脂层的支撑基板。
附图说明
图1是示出本发明的带树脂层的支撑基板的制造方法的制造工序的流程图。
图2的(A)和(B)是按工序顺序示出本发明的带树脂层的支撑基板的制造方法的一个实施方式的截面示意图。
图3是示出加热处理装置的构成的截面示意图。
图4是本发明的玻璃层叠体的截面示意图。
图5的(A)和(B)是按工序顺序示出本发明的电子器件的制造方法的一个实施方式的截面示意图。
附图标记说明
10 支撑基板
12 固化性有机硅组合物层
14 带固化性层的支撑基板
16 有机硅树脂层
16a 有机硅树脂层中的与支撑基板侧相反一侧的表面
18 带树脂层的支撑基板
20 玻璃基板
20a 玻璃基板的第一主面
20b 玻璃基板的第二主面
22 电子器件用构件
24 带电子器件用构件的层叠体
26 电子器件
30 加热处理装置
32 加热室
34 支撑销
36 支撑台
38 加热板
40 排气管
42 搬入搬出口
100 玻璃层叠体
具体实施方式
以下参照附图来对本发明的优选实施方式进行说明，但本发明并不受以下实施方式的限制，可以在不脱离本发明的范围的情况下对以下实施方式施以各种变形和置换。
本发明人等针对上述问题进行了研究，结果发现原因之一是在使用配置在固化性有机硅组合物层的上部的加热板对固化性有机硅组合物层进行干燥时，残留在固化性有机硅组合物层中的溶剂挥发，滞留在加热板与固化性有机硅组合物层之间。推测这种滞留的挥发溶剂大量存在时，残留溶剂不容易从固化性有机硅组合物层挥发，并且在从加热处理装置中搬出带固化性层的支撑基板时，溶剂会再次回到固化性有机硅组合物层上，固化性有机硅组合物层的固化性降低，结果内聚破坏容易进行。
因此，推测在加热结束后使加热板与固化性有机硅组合物层之间远离，增大两者之间的空间，从而促进溶剂的排气，滞留的溶剂浓度降低，降低对有机硅树脂层的影响，由此可获得所期望的效果。
图1是示出本发明的带树脂层的支撑基板的制造方法中的制造工序的流程图。如图1所示，带树脂层的支撑基板的制造方法具备涂布工序S102、搬入工序S104、第1加热工序S106、移动工序S108、搬出工序S110和第2加热工序S112。
以下对各工序中使用的材料及其步骤进行详细说明。首先，对涂布工序S102进行详细说明。
<涂布工序>
涂布工序S102是如下的工序：将含有固化性有机硅和溶剂的固化性有机硅组合物涂布在支撑基板上，在支撑基板上形成固化性有机硅组合物层，得到具备支撑基板和固化性有机硅组合物层的带固化性层的支撑基板。通过实施该工序S102，如图2的(A)所示，在支撑基板10上形成固化性有机硅组合物层12，得到带固化性层的支撑基板14。
以下首先详细说明本工序S102中使用的材料(支撑基板、固化性有机硅组合物)，然后对该工序S102的步骤进行详细说明。
(支撑基板)
支撑基板10具有表面和背面这2个主面，与后述的有机硅树脂层16共同作用，支撑并增强后述的玻璃基板20，并在后述的构件形成工序(电子器件用构件的制造工序)中制造电子器件用构件时防止玻璃基板20变形、刮伤、破损等。此外，使用支撑基板10的目的之一还在于，使用厚度比以往更薄的玻璃基板时，通过制成与以往的玻璃基板厚度相同的玻璃层叠体，在构件形成工序中，也可使用适合于以往厚度的玻璃基板的制造技术、制造设备。
作为支撑基板10，可以使用例如玻璃板、塑料板、SUS板等金属板、陶瓷板等。在构件形成工序伴有热处理时，支撑基板10优选由与玻璃基板20的线膨胀系数之差小的材料形成，更优选由与玻璃基板20相同的材料形成。即，支撑基板10优选为玻璃板。支撑基板10特别优选为由与玻璃基板20相同的玻璃材料形成的玻璃板。
支撑基板10的厚度可以比玻璃基板20厚，也可以比其薄。优选的是，根据玻璃基板20的厚度、树脂层16的厚度以及玻璃层叠体的厚度来选择支撑基板10的厚度。例如，目前的构件形成工序是以对厚度0.5mm的基板进行处理的方式设计的，玻璃基板20的厚度与树脂层16的厚度之和为0.1mm时，将支撑基板10的厚度设定为0.4mm。支撑基板10的厚度在通常的情况下优选为0.2～5.0mm。
支撑基板10为玻璃板时，从易操作、不易碎裂等理由出发，玻璃板的厚度优选为0.08mm以上。此外，出于在电子器件用构件形成之后剥离时可期待具有适度挠曲而不会碎裂这样的刚性的理由，玻璃板的厚度优选为1.0mm以下。
支撑基板10与玻璃基板20在25～300℃下的平均线膨胀系数(以下简称为“平均线膨胀系数”)之差优选为500×10-7/℃以下，更优选为300×10-7/℃以下，进一步优选为200×10-7/℃以下。差值过大时，在构件形成工序中的加热冷却时，有可能玻璃层叠体剧烈翘曲、或玻璃基板20与后述的带树脂层的支撑基板18发生剥离。玻璃基板20的材料与支撑基板10的材料相同时，能够抑制这种问题的产生。
(固化性有机硅组合物)
固化性有机硅组合物至少含有固化性有机硅和溶剂。如后所述，通过将该固化性有机硅组合物涂布在支撑基板10上，可得到含有固化性有机硅的固化性有机硅组合物层。
以下对该组合物中含有的材料进行详细说明。
固化性有机硅是指固化而形成有机硅树脂的化合物或组合物。这种固化性有机硅根据其固化机理可分为缩合反应型有机硅、加成反应型有机硅、紫外线固化型有机硅以及电子射线固化型有机硅，这些均可使用。它们当中优选加成反应型有机硅。这是由于固化反应容易进行、形成了有机硅树脂层时的易剥离性的程度良好、耐热性也高。
加成反应型有机硅是含有主剂和交联剂、在铂系催化剂等催化剂的存在下固化的固化性的组合物。加成反应型有机硅的固化会因加热处理而被促进。加成反应型有机硅中的主剂优选为具有与硅原子键合的链烯基(乙烯基等)的有机聚硅氧烷(即有机链烯基聚硅氧烷。其中优选直链)，链烯基等成为交联点。加成反应型有机硅中的交联剂优选为具有与硅原子键合的氢原子(氢化甲硅烷基)的有机聚硅氧烷(即有机氢聚硅氧烷。其中优选直链)，氢化甲硅烷基等成为交联点。
加成反应型有机硅通过主剂与交联剂的交联点进行加成反应而固化。另外，从由交联结构带来的耐热性更优异的方面来看，优选有机氢聚硅氧烷的与硅原子键合的氢原子相对于有机链烯基聚硅氧烷的链烯基的摩尔比为0.5～2。
固化性有机硅组合物中含有溶剂。溶剂优选为能够容易地溶解各种成分且能够容易地挥发去除的溶剂。具体而言，例如可例示出醋酸丁酯、庚烷、2-庚酮、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、甲苯、二甲苯、THF、氯仿等。其中，优选饱和烃，可使用实质上由各种饱和烃(直链饱和烃、支链饱和烃、脂环式饱和烃)中的1种或2种以上形成的各种饱和烃溶剂。例如可列举出：Isopar G(Exxon Mobil Corporation制造)、Isopar L(Exxon Mobil Corporation制造)、Isopar H(Exxon Mobil Corporation制造)、Isopar M(Exxon Mobil Corporation制造)、Norpar 13(Exxon Mobil Corporation制造)、Norpar 15(Exxon Mobil Corporation制造)、Exxsol D40(Exxon Mobil Corporation制造)、Exxsol D60(Exxon MobilCorporation制造)、Exxsol D80(Exxon Mobil Corporation制造)、Neochiozol(中央化成株式会社制造)、IP Solvent 2028(出光兴产株式会社制造)。
其中，如后所述，从在第1加热工序中溶剂容易挥发的方面来看，优选使用初馏点(大气压下)为210℃以下的溶剂。
固化性有机硅组合物中含有的固化性有机硅为加成反应型有机硅时，固化性有机硅组合物中还可以含有催化剂(尤其是铂族金属系催化剂)、反应抑制剂。
铂族金属系催化剂(氢化硅烷化用铂族金属催化剂)是用于使上述有机链烯基聚硅氧烷中的链烯基与上述有机氢聚硅氧烷中的氢原子的氢化硅烷化反应进行、得到促进的催化剂。作为铂族金属系催化剂，可列举出铂系、钯系、铑系等的催化剂，从经济性、反应性方面来看，特别优选使用铂系催化剂。
反应抑制剂(氢化硅烷化用反应抑制剂)是抑制上述催化剂(尤其是铂族金属系催化剂)在常温下的催化剂活性、延长固化性有机硅组合物的可用时间的所谓的适用期延长剂(也称为延迟剂)。作为反应抑制剂，例如可列举出各种有机氮化合物、有机磷化合物、乙炔类化合物、肟化合物、有机氯化合物等。尤其，适宜为乙炔类化合物(例如乙炔醇类和乙炔醇的硅烷化物)。
(工序的步骤)
对在支撑基板上涂布上述固化性有机硅组合物的方法没有特别限制，可以采用公知的方法。例如，作为涂布方法，可列举出：喷涂法、模涂法、旋涂法、浸涂法、辊涂法、棒涂法、丝网印刷法、凹版涂布法等。可以根据固化性有机硅组合物的种类从这样的方法中适当选择。
另外，对固化性有机硅组合物层的厚度没有特别限制，可适当调整以得到具有后述的适宜厚度的有机硅树脂层。
<搬入工序>
搬入工序S104是如下的工序：将带固化性层的支撑基板搬入加热处理装置内，在加热处理装置内的支撑销上载置带固化性层的支撑基板。通过实施本工序，如图3所示，带固化性层的支撑基板14被载置在加热处理装置30内的支撑销34的前端(顶部)上。另外，支撑销34支撑带固化性层的支撑基板14中的支撑基板10的背面(与存在固化性有机硅组合物层侧相反一侧的面)。
以下首先对本工序中使用的加热处理装置30进行详细说明。
图3是示出本发明的加热处理装置30的一个例子的概况的截面图。加热处理装置30是用于实施后述的第1加热工序S106中的加热处理的装置，是所谓的预烘焙装置。
加热处理装置30在加热室32内具备支撑带固化性层的支撑基板14的支撑销34、支撑支撑销34的支撑台36以及配置在带固化性层的支撑基板14的上部的板状的加热板38。
在图3中，支撑销34仅示出了2根，但对其根数没有特别限制。此外，加热处理装置30具有未图示的、使加热板38升降的升降机构，加热板38在图3中可上下移动。
此外，在加热处理装置30的上部设置有与排气手段(未图示)连接的排气管40，从未图示的气体供给口供给到加热处理装置30内的空气、从固化性有机硅组合物层12挥发出的溶剂等自排气管40排出。进而，在加热处理装置30的侧面设置有用于搬入搬出带固化性层的支撑基板14的搬入搬出口42。
作为本工序S104的步骤，通过搬入搬出口42将带固化性层的支撑基板14搬入加热处理装置30内，在支撑销34上载置带固化性层的支撑基板14。
<第1加热工序>
第1加热工序S106是如下的工序：在带固化性层的支撑基板的固化性有机硅组合物层上部配置加热板，边进行排气边在第1温度以下对带固化性层的支撑基板进行加热处理，去除残留在固化性有机硅组合物层中的溶剂。本工序S106即所谓的预烘焙工序，通过实施本工序S106，能够去除残留在固化性有机硅组合物层中的溶剂，并且通过在合适的温度下加热而使固化性有机硅组合物表面平滑化。如此实施预烘焙处理之后，通过在后述的第2加热工序S112中实施后烘焙处理，进一步去除残留在所形成的有机硅树脂层中的溶剂，从而使表面面状变得更平坦、与玻璃基板的密合性进一步提高。
本工序S106中，如图3所示，加热板38被配置在带固化性层的支撑基板14的上部，实施加热处理。另外，如图3所示，加热板38与固化性有机硅组合物层12相向。
对加热板38与固化性有机硅组合物层12的距离没有特别限制，从有效地进行溶剂从固化性有机硅组合物层12的去除并且可抑制固化性有机硅分解的方面来看，优选为30～120mm，更优选为60～90mm。
另外，在本工序S106中，可以一边阶段性地改变加热板38与固化性有机硅组合物层12之间的距离一边进行加热处理。例如，可以一边阶段性地使加热板38与固化性有机硅组合物层12之间的距离变远一边实施加热处理。更具体而言，可以在加热板38与固化性有机硅组合物层12之间为距离X的条件下进行加热处理，接着，在使加热板38与固化性有机硅组合物层12之间比距离X更远离的条件(加热板38与固化性有机硅组合物层12的距离Y>距离X)下再次实施加热处理。
作为本工序S106中的加热处理的条件，可根据所使用的溶剂、固化性有机硅的种类来适当选择最佳条件，从溶剂的去除性更优异、固化性有机硅组合物层的表面变平坦、并且可进一步抑制固化性有机硅分解的方面来看，第1温度优选为溶剂的初馏点-30℃～溶剂的初馏点+30℃的范围内。换言之，第1温度优选满足以下关系式。
溶剂的初馏点-30℃≤第1温度≤溶剂的初馏点+30℃
其中，溶剂的初馏点是指按照JIS K0066(1992)测得的值。JIS K0066(1992)的内容作为参照而并入此处。
进而，作为第1加热工序中的第1温度，从固化性有机硅组合物层的表面变平坦并且可进一步抑制固化性有机硅分解的方面来看，优选为210℃以下。其中，从能够进一步抑制有机硅树脂层的内聚破坏的方面来看，优选为150～210℃，更优选为180～205℃。
对加热时间没有特别限制，可根据所使用的溶剂、固化性有机硅的种类来适当选择最佳条件，从残留溶剂的去除性和生产率的方面来看，优选为1～5分钟，更优选为2～3分钟。
本工序S106中，边实施排气边进行加热处理。如图3所示，加热处理装置30上设置有排气管40，在加热处理时，通过该排气管40进行排气。对排气量没有特别限制，从更有效地进行溶剂的去除的方面来看，优选为100L/min以上，更优选为900L/min以上。对上限没有特别限制，从装置的性能和经济性的方面来看，优选为2000L/min以下。
另外，将从排气管40的排气全开时设为100％时，上述排气量优选为50％以上，更优选为75％以上，进一步优选为100％。
在实施本工序S106时，也可以从未图示的气体供给口供给气体。通过供给气体，能够有效地去除加热室32内的挥发溶剂。对所供给的气体的种类没有特别限制，可列举出空气、氮气等非活性气体等。
对气体的供给量没有特别限制，从更有效地进行溶剂的去除的方面来看，优选为100L/min以上，更优选为900L/min以上。对上限没有特别限制，从装置的性能和经济性的方面来看，优选为2000L/min以下。
此外，作为所供给的气体，从固化性有机硅组合物层中的残留溶剂的去除性更优异的方面来看，优选加热空气。对加热空气的温度没有特别限制，从溶剂的去除性和固化性有机硅组合物层的表面平滑性的方面来看，优选为100～150℃。
<移动工序>
移动工序S108是如下的工序：在上述第1加热工序S106之后，使实施了加热处理的固化性有机硅组合物层与加热板之间远离。更具体而言，在图3中，通过使加热板38沿箭头方向移动，使固化性有机硅组合物层12与加热板38之间远离，拉开两者之间的距离，扩大两者之间的空间。通过实施本工序S108，能够降低滞留在固化性有机硅组合物层12与加热板38之间的溶剂的浓度，提高溶剂的去除性，并且能够抑制溶剂再次附着在固化性有机硅组合物层12上。
如上所述，加热处理装置30具备未图示的、使加热板38升降的升降机构，通过该升降机构使加热板38移动以从固化性有机硅组合物层12远离。
作为固化性有机硅组合物层12与加热板38之间远离的距离，优选在上述第1加热工序S106时两者的距离的基础上进一步远离20mm以上，更优选远离40mm以上。对上限没有特别限制，出于装置上的大小的问题，通常多为100mm以下。
对加热板38的移动时间没有特别限制，从生产率的方面来看，优选为5秒以内，更优选为3秒以内。
另外，在图3的方式中，加热板38移动，固化性有机硅组合物层12与加热板38之间的距离扩大，但本工序S108的步骤并不限定于该方式，也可以使包括固化性有机硅组合物层12的带固化性层的支撑基板14移动来使两者远离。例如，支撑销为所谓的顶针(liftpin)时，也可以在第1加热工序S106之后使支撑带固化性层的支撑基板的顶针下降来使固化性有机硅组合物层与加热板远离。
<搬出工序>
搬出工序S110是从加热处理装置搬出带固化性层的支撑基板的工序。
在本工序S110中，通过加热处理装置30的搬入搬出口42将带固化性层的支撑基板14从加热处理装置30内搬出。即，打开搬入搬出口42，从加热处理装置30内回收带固化性层的支撑基板14。
<第2加热工序>
第2加热工序S112是如下的工序：在比上述第1温度高的第2温度下对上述搬出工序S110中回收的带固化性层的支撑基板进行加热处理，得到有机硅树脂层。本工序S112即所谓的后烘焙处理，通过实施本工序S112，进一步去除固化性有机硅组合物层中的溶剂，从而进行固化性有机硅的固化，得到有机硅树脂层。通过实施本工序，如图2的(B)所示，可得到具备支撑基板10和有机硅树脂层16的带树脂层的支撑基板18。
对本工序S112中的加热处理的方法没有特别限制，可以使用烘箱等公知的加热装置。
本工序S112的加热处理的温度条件是在比上述第1加热工序S106的第1温度高的温度下实施。对第1温度与第2温度之差没有特别限制，可根据所使用的固化性有机硅、溶剂的种类来适当选择最佳条件，从有机硅树脂层的内聚破坏进一步受到抑制的方面来看，优选为10～100℃，更优选为30～70℃。
其中，作为第2温度，优选为超过210℃。从自固化性有机硅组合物层12中去除溶剂和固化反应更优异的方面来看，优选超过210℃且为250℃以下。加热时间可根据所使用的材料来适当选择最佳条件，从生产率和溶剂的去除性的方面来看，优选为10～120分钟，更优选为20～60分钟。
(带树脂层的支撑基板)
通过经过上述工序，可得到具备支撑基板10和固定在支撑基板10上的有机硅树脂层16的带树脂层的支撑基板18。
该带树脂层的支撑基板18如图4所示，用于在有机硅树脂层16上层叠玻璃基板20而制造玻璃层叠体100。
带树脂层的支撑基板18中的有机硅树脂层16通过在支撑基板10上实施固化性有机硅组合物层12的固化反应而固定在支撑基板10的单面上，并且以可剥离的方式与后述的玻璃基板20密合。有机硅树脂层16防止玻璃基板20的位置偏离直到进行将玻璃基板20与支撑基板10分离的操作为止，并且通过分离操作而容易地从玻璃基板20剥离，防止玻璃基板20等因分离操作而破损。此外，有机硅树脂层16固定于支撑基板10，在分离操作中有机硅树脂层16与支撑基板10不剥离，通过分离操作可得到带树脂层的支撑基板18。
有机硅树脂层16的与玻璃基板20接触的表面以可剥离的方式与玻璃基板20的第一主面密合。本发明中，将该有机硅树脂层16表面的能够容易地剥离的性质称为易剥离性(剥离性)。
在本发明中，上述固定与可剥离的密合在剥离强度(即剥离所需的应力)上存在差异，固定是指与密合相比剥离强度较大。此外，可剥离的密合是指可剥离，同时还意味着可以以不发生被固定的面的剥离的方式剥离。具体而言，在本发明的玻璃层叠体中，进行将玻璃基板20与支撑基板10分离的操作时，是指在密合的面剥离、在固定的面不剥离。因此，在玻璃层叠体中，进行将玻璃基板20与支撑基板10分离的操作时，玻璃层叠体分离成玻璃基板20和带树脂层的支撑基板18这两者。
即，有机硅树脂层16对支撑基板10的表面的结合力与有机硅树脂层16对玻璃基板20的第一主面的结合力相比是较高的。
对有机硅树脂层16的厚度没有特别限定，优选为2～100μm，更优选为3～50μm，进一步优选为7～20μm。有机硅树脂层16的厚度为这种范围时，即使在有机硅树脂层16与玻璃基板20之间夹有气泡、异物，也能够抑制玻璃基板20的变形缺陷的产生。此外，有机硅树脂层16的厚度过厚时，其形成需要耗费时间和材料，因此不经济，有时耐热性会降低。此外，有机硅树脂层16的厚度过薄时，有时有机硅树脂层16与玻璃基板20的密合性会降低。
<玻璃层叠体的制造方法>
如上所述，经过上述工序得到的带树脂层的支撑基板用于在有机硅树脂层上层叠玻璃基板而制造玻璃层叠体。
对制造该玻璃层叠体的方法没有特别限制，优选实施如下的层叠工序：在带树脂层的支撑基板中的有机硅树脂层上层叠玻璃基板，得到依次具有支撑基板、有机硅树脂层和玻璃基板的玻璃层叠体。
以下对层叠工序的步骤进行详细说明。
(层叠工序)
层叠工序是如下的工序：在带树脂层的支撑基板18中的有机硅树脂层16的表面上层叠玻璃基板20，得到依次具备支撑基板10、有机硅树脂层16和玻璃基板20的玻璃层叠体100。更具体而言，如图4所示，以有机硅树脂层16的与支撑基板10侧相反一侧的表面16a以及具有第一主面20a和第二主面20b的玻璃基板20的第一主面20a作为层叠面，将有机硅树脂层16和玻璃基板20层叠，得到玻璃层叠体100。
对于所使用的玻璃基板20，在后面进行详细说明。
对将玻璃基板20层叠在有机硅树脂层16上的方法没有特别限制，可以采用公知的方法。
例如可列举出在常压环境下在有机硅树脂层16的表面上重叠玻璃基板20的方法。另外，也可以根据需要而在有机硅树脂层16的表面上重叠玻璃基板20之后，使用辊、压制将玻璃基板20与有机硅树脂层16压接。通过基于辊或压制的压接，可较容易地去除混入到有机硅树脂层16与玻璃基板20之间的气泡，故优选。
通过真空层压法、真空压制法将有机硅树脂层16与玻璃基板20压接时，可抑制气泡的混入、确保良好的密合，故更优选。通过在真空下进行压接，还具有如下优点：即使在残留有微小气泡的情况下，也不会因加热而导致气泡生长，不容易造成玻璃基板20的变形缺陷。
在层叠玻璃基板20时，优选充分清洗与有机硅树脂层16接触的玻璃基板20的表面，在洁净度高的环境下进行层叠。洁净度越高，玻璃基板20的平坦性越良好，故优选。
另外，层叠玻璃基板20之后，可以根据需要而进行预退火处理(加热处理)。通过进行该预退火处理，所层叠的玻璃基板20对有机硅树脂层16的密合性提高，能够成为合适的剥离强度，在后述的构件形成工序时不容易发生电子器件用构件的位置偏离等，电子器件的生产率提高。
预退火处理的条件可根据所使用的有机硅树脂层16的种类来适当选择最佳条件，从使玻璃基板20与有机硅树脂层16之间的剥离强度更合适的方面来看，优选在300℃以上(优选为300～400℃)的温度下进行5分钟以上(优选为5～30分钟)加热处理。
(玻璃基板)
玻璃基板20的第一主面20a与有机硅树脂层16接触，在与有机硅树脂层16侧相反一侧的第二主面20b上设置电子器件用构件。
玻璃基板20的种类可以是常规的，例如可列举出LCD、OLED这样的显示装置用的玻璃基板等。玻璃基板20的耐化学药品性、耐透湿性优异，并且热收缩率低。作为热收缩率的指标，可使用JIS R 3102(1995年修改)中规定的线膨胀系数。JIS R 3102(1995年修改)的内容作为参考并入此处。
玻璃基板20的线膨胀系数大时，由于后述的构件形成工序多伴有加热处理，因此容易产生各种不利情况。例如，在玻璃基板20上形成薄膜晶体管(TFT)时，如果将在加热下形成了TFT的玻璃基板20冷却，则存在由于玻璃基板20的热收缩而使TFT的位置偏移变得过大之虞。
玻璃基板20可以通过将玻璃原料熔融并将熔融玻璃成型为板状而得到。这种成型方法可以是常规的，例如可使用浮法、熔融法、流孔下引法(slot down draw process)、弗克法(fourcault process)、鲁伯法(Lubbers process)等。此外，尤其是对于厚度薄的玻璃基板20，可利用将暂时成型为板状的玻璃加热至可成型的温度并通过拉伸等手段进行延伸而变薄的方法(平拉法)成型而得到。
对玻璃基板20的玻璃的种类没有特别限定，优选无碱硼硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、钠钙玻璃、高硅氧玻璃、其他以氧化硅为主要成分的氧化物系玻璃。作为氧化物系玻璃，优选基于氧化物换算的氧化硅的含量为40～90质量％的玻璃。
作为玻璃基板20的玻璃，可采用适合电子器件用构件的种类、其制造工序的玻璃。例如，液晶面板用的玻璃基板由于碱金属成分的溶出容易对液晶产生影响，因此由实质上不含碱金属成分的玻璃(无碱玻璃)形成(其中，通常含有碱土金属成分)。如此，玻璃基板20的玻璃可根据所应用的器件的种类及其制造工序来适当选择。
从玻璃基板20的薄型化和/或轻量化的角度来看，玻璃基板20的厚度优选为0.3mm以下，更优选为0.15mm以下，进一步优选为0.10mm以下。厚度为0.3mm以下时，可以赋予玻璃基板20良好的挠性。厚度为0.15mm以下时，可将玻璃基板20卷取成卷筒状。
此外，出于玻璃基板20的制造容易、玻璃基板20的处理容易等理由，玻璃基板20的厚度优选为0.03mm以上。
另外，玻璃基板20可以由2层以上形成，该情况下，形成各个层的材料可以是同种材料，也可以是不同种材料。此外，该情况下，“玻璃基板20的厚度”是指所有层的总厚度。
(玻璃层叠体)
玻璃层叠体100是具有支撑基板10、玻璃基板20和存在于它们之间的有机硅树脂层16的层叠体。有机硅树脂层16的一侧的面与支撑基板10接触，并且另一侧的面与玻璃基板20的第一主面20a接触。
该玻璃层叠体100使用到后述的构件形成工序为止。即，该玻璃层叠体100使用到在其玻璃基板20的第二主面20b表面上形成液晶显示装置等电子器件用构件为止。然后，形成有电子器件用构件的玻璃层叠体被分离为带树脂层的支撑基板18和电子器件，带树脂层的支撑基板18不会成为电子器件的构成部分。可以在带树脂层的支撑基板18上层叠新的玻璃基板20、作为新的玻璃层叠体100进行再利用。
支撑基板10与有机硅树脂层16的界面具有剥离强度(x)，对支撑基板10与有机硅树脂层16的界面施加超过剥离强度(x)的剥离方向的应力时，在支撑基板10与有机硅树脂层16的界面发生剥离。有机硅树脂层16与玻璃基板20的界面具有剥离强度(y)，对有机硅树脂层16与玻璃基板20的界面施加超过剥离强度(y)的剥离方向的应力时，在有机硅树脂层16与玻璃基板20的界面发生剥离。
如上所述，在玻璃层叠体100(也指后述的带电子器件用构件的层叠体)中，上述剥离强度(x)大于(高于)上述剥离强度(y)。因此，对玻璃层叠体100施加将支撑基板10与玻璃基板20剥离的方向的应力时，玻璃层叠体100在有机硅树脂层16与玻璃基板20的界面剥离，分离为玻璃基板20和带树脂层的支撑基板18。
即，有机硅树脂层16固定在支撑基板10上形成带树脂层的支撑基板18，玻璃基板20以可剥离的方式密合在有机硅树脂层16上。
剥离强度(x)优选充分高于剥离强度(y)。提高剥离强度(x)是指，提高有机硅树脂层16对支撑基板10的的附着力，且在加热处理后能够维持与对玻璃基板20的附着力相比相对较高的附着力。
有机硅树脂层16对支撑基板10的附着力的提高如上所述，通过使固化性有机硅组合物层12在支撑基板10上交联固化形成有机硅树脂层16而实现。通过交联固化时的粘接力，能够形成以高结合力与支撑基板10结合的有机硅树脂层16。
另一方面，固化性有机硅组合物层12对固化物的玻璃基板20的结合力通常低于上述交联固化时产生的结合力。
玻璃层叠体100能够用于各种用途，例如可列举出制造后述的显示装置用面板、PV、薄膜二次电池、表面形成有电路的半导体晶圆等电子部件的用途等。需要说明的是，该用途中玻璃层叠体100多曝露于(例如1小时以上)高温条件下(例如360℃以上)。
此处，显示装置用面板包括LCD、OLED、电子纸、等离子显示面板、场致发射面板、量子点LED面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微电子机械系统)快门面板等。
<电子器件(带构件的玻璃基板)及其制造方法>
在本发明中，使用上述玻璃层叠体制造包括玻璃基板和电子器件用构件的电子器件(带构件的玻璃基板)。
对该电子器件的制造方法没有特别限定，从电子器件的生产率优异的方面来看，优选如下方法：在上述玻璃层叠体中的玻璃基板上形成电子器件用构件来制造带电子器件用构件的层叠体，以有机硅树脂层的玻璃基板侧界面作为剥离面从所得带电子器件用构件的层叠体分离出电子器件和带树脂层的支撑基板。
以下，将在上述玻璃层叠体中的玻璃基板上形成电子器件用构件来制造带电子器件用构件的层叠体的工序称为构件形成工序，将以有机硅树脂层的玻璃基板侧界面作为剥离面从带电子器件用构件的层叠体分离出电子器件和带树脂层的支撑基板的工序称为分离工序。
以下对各工序中使用的材料和步骤进行详细说明。
(构件形成工序)
构件形成工序是在上述层叠工序中得到的玻璃层叠体100中的玻璃基板20上形成电子器件用构件的工序。更具体而言，如图5的(A)所示，在玻璃基板20的第二主面20b(露出表面)上形成电子器件用构件22，得到带电子器件用构件的层叠体24。
首先对本工序中使用的电子器件用构件22进行详细说明，然后对工序的步骤进行详细说明。
(电子器件用构件(功能性元件))
电子器件用构件22形成在玻璃层叠体100中的玻璃基板20上，是构成电子器件的至少一部分的构件。更具体而言，作为电子器件用构件22，可列举出用于显示装置用面板、太阳能电池、薄膜二次电池、或者在表面形成有电路的半导体晶圆等电子部件等的构件(例如显示装置用构件、太阳能电池用构件、薄膜二次电池用构件、电子部件用电路)。
例如，作为太阳能电池用构件，对于硅型，可列举出正极的氧化锡等透明电极、以p层/i层/n层表示的硅层、以及负极的金属等，此外可列举出与化合物型、染料敏化型、量子点型等对应的各种构件等。
此外，作为薄膜二次电池用构件，对于锂离子型，可列举出正极和负极的金属或金属氧化物等透明电极、电解质层的锂化合物、集电层的金属、作为封装层的树脂等，此外可列举出与镍氢型、聚合物型、陶瓷电解质型等对应的各种构件等。
此外，作为电子部件用电路，对于CCD、CMOS，可列举出导电部的金属、绝缘部的氧化硅、氮化硅等，此外可列举出与压力传感器、加速传感器等各种传感器、刚性印刷电路板、柔性印刷电路板、刚柔性印刷电路板等对应的各种构件等。
(工序的步骤)
对上述带电子器件用构件的层叠体24的制造方法没有特别限定，根据电子器件用构件的构成构件的种类而使用以往公知的方法在玻璃层叠体100的玻璃基板20的第二主面20b上形成电子器件用构件22。
需要说明的是，电子器件用构件22可以不是最终在玻璃基板20的第二主面20b上形成的构件的全部(以下称为“全部构件”)，而是全部构件的一部分(以下称为“部分构件”)。也可以在后续工序中将自有机硅树脂层16剥离的带部分构件的玻璃基板制成带全部构件的玻璃基板(相当于后述的电子器件)。
此外，对于自有机硅树脂层16剥离的带全部构件的玻璃基板，可以在其剥离面(第一主面20a)上形成有其他电子器件用构件。此外，也可以组装带全部构件的层叠体，然后自带全部构件的层叠体剥离带树脂层的支撑基板18来制造电子器件。进而，也可以使用2张带全部构件的层叠体组装电子器件，然后自带全部构件的层叠体剥离2张带树脂层的支撑基板18来制造具有2张玻璃基板的电子器件。
例如，以制造OLED的情况为例时，为了在玻璃层叠体100的玻璃基板20的与有机硅树脂层16侧相反一侧的表面上(相当于玻璃基板20的第二主面20b)形成有机EL结构体而进行下述的各种层形成、处理：形成透明电极，进而在形成了透明电极的面上蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等，形成背面电极，使用封装板封装等。作为这些层形成、处理，具体而言，例如可列举出成膜处理、蒸镀处理、封装板的粘接处理等。
此外，例如制造TFT-LCD时，其制造方法具有下述的各种工序等：TFT形成工序，其中，在玻璃层叠体100的玻璃基板20的第二主面20b上，使用抗蚀液对通过CVD法和溅射法等常规成膜法所形成的金属膜和金属氧化膜等进行图案形成，来形成薄膜晶体管(TFT)；CF形成工序，其中，在另一玻璃层叠体100的玻璃基板20的第二主面20b上，将抗蚀液用于图案形成，来形成滤色器(CF)；以及，贴合工序，其中，将TFT形成工序中得到的带TFT的层叠体和CF形成工序中得到的带CF的层叠体层叠。
TFT形成工序、CF形成工序中，使用众所周知的光刻技术、蚀刻技术等在玻璃基板20的第二主面20b上形成TFT、CF。此时，作为图案形成用的涂布液，可使用抗蚀液。
需要说明的是，在形成TFT、CF前，可以根据需要而对玻璃基板20的第二主面20b进行清洗。作为清洗方法，可以使用众所周知的干式清洗、湿式清洗。
贴合工序中，使带TFT的层叠体的薄膜晶体管形成面与带CF的层叠体的滤色器形成面相向，使用密封剂(例如单元形成用紫外线固化型密封剂)进行贴合。然后，向由带TFT的层叠体和带CF的层叠体所形成的单元内注入液晶材料。作为注入液晶材料的方法，例如有减压注入法、滴加注入法。
(分离工序)
分离工序如图5的(B)所示，是如下的工序：以有机硅树脂层16与玻璃基板20的界面作为剥离面，从上述构件形成工序中得到的带电子器件用构件的层叠体24分离出层叠有电子器件用构件22的玻璃基板20(电子器件)和带树脂层的支撑基板18，得到包括电子器件用构件22和玻璃基板20的电子器件26。
剥离时的玻璃基板20上的电子器件用构件22为形成所需全部构成构件的一部分时，也可以在分离后在玻璃基板20上形成其余构成构件。
对将玻璃基板20与带树脂层的支撑基板18剥离的方法没有特别限定。具体而言，例如可以在玻璃基板20与有机硅树脂层16的界面插入锋利的刀具状的物体，形成剥离的起点，然后吹送水与压缩空气的混合流体等来进行剥离。优选的是：以带电子器件用构件的层叠体24的支撑基板10为上侧、电子器件用构件22侧为下侧的方式设置在平台上，将电子器件用构件22侧真空吸附在平台上(两面层叠有支撑基板的情况下依次进行)，在该状态下首先使刀具侵入玻璃基板20-有机硅树脂层16界面。然后，接着用多个真空吸盘吸附支撑基板10侧，从插入了刀具的部位附近起依次使真空吸盘上升。如此，在有机硅树脂层16与玻璃基板20的界面、有机硅树脂层16的内聚破坏面形成空气层，该空气层向界面、内聚破坏面整面扩展，能够容易地将支撑基板10剥离。
此外，支撑基板10可以与新的玻璃基板层叠来制造本发明的玻璃层叠体100。
另外，在从带电子器件用构件的层叠体24分离电子器件26时，通过利用离子发生器进行吹送、控制湿度，能够进一步抑制有机硅树脂层16的碎片静电吸附于电子器件26。
上述电子器件26的制造方法适于制造手机、PDA之类的移动终端所使用的小型显示装置。显示装置主要有LCD或OLED；作为LCD，包括TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等。基本上在无源驱动型、有源驱动型的任一显示装置的情况下均可以应用。
作为用上述方法制造的电子器件26，可列举出：具有玻璃基板和显示装置用构件的显示装置用面板，具有玻璃基板和太阳能电池用构件的太阳能电池，具有玻璃基板和薄膜二次电池用构件的薄膜二次电池，具有玻璃基板和电子器件用构件的电子部件等。作为显示装置用面板，包括液晶面板、有机EL面板、等离子显示面板、场发射面板等。
实施例
以下通过实施例等来更具体地说明本发明，但本发明并不限定于这些例子。
以下的实施例和比较例中，作为玻璃基板，使用由无碱硼硅酸玻璃形成的玻璃板(长880mm、宽680mm、板厚0.2mm、线膨胀系数38×10-7/℃、旭硝子株式会社制造、商品名“AN100”)。此外，作为支撑基板，使用同样由无碱硼硅酸玻璃形成的玻璃板(长920mm、宽730mm、板厚0.5mm、线膨胀系数38×10-7/℃、旭硝子株式会社制造、商品名“AN100”)。
<实施例1>
一开始，将支撑基板的表面用碱水溶液清洗之后，用纯水清洗，从而洁净化。
接着，将后述的溶液S用模涂机(涂布速度：40mm/s、排出量：8ml)涂布在支撑基板的第一主面上，将含有未固化的交联性有机聚硅氧烷的层(固化性有机硅组合物层)设置在支撑基板上，得到带固化性层的支撑基板(涂覆量20g/m2)。
(溶液S)
将作为成分(A)的直链乙烯基甲基聚硅氧烷(AZmax公司制造、商品名“VDT-127”、25℃下的粘度：700-800cP(厘泊)、有机聚硅氧烷1mol中的乙烯基的mol％：0.325)和作为成分(B)的直链甲基氢聚硅氧烷(AZmax公司制造、商品名“HMS-301”、25℃下的粘度：25-35cP(厘泊)、1分子内键合于硅原子的氢原子的数量：8个)混合，使得全部乙烯基与键合于硅原子的全部氢原子的摩尔比(氢原子/乙烯基)为0.9，相对于该硅氧烷混合物100重量份，混合作为成分(C)的下述式(1)所示的具有乙炔类不饱和基团的硅化合物(沸点：120℃)1质量份。
HC≡C-C(CH3)2-O-Si(CH3)3 式(1)
接着，相对于成分(A)、成分(B)和成分(C)的总量，以按铂换算的铂金属浓度为100ppm的方式加入铂系催化剂(信越有机硅株式会社制造、商品名“CAT-PL-56”)，得到有机聚硅氧烷组合物的混合液。进而，相对于所得混合液100重量份，加入IP Solvent2028(初馏点：200℃、出光兴产株式会社制造)150重量份，得到混合溶液。
接着，通过图3所示的加热处理装置内的搬入搬出口将带固化性层的支撑基板搬入加热室内，在设置于加热室的底部的多个支撑销的前端载置上述带固化性层的支撑基板，关闭搬入搬出口。另外，支撑销的前端与带固化性层的支撑基板中的支撑基板的背面侧(与存在固化性有机硅组合物层侧相反一侧)的表面相接触。
在加热处理装置内，如图3所示，在带固化性层的支撑基板的固化性有机硅组合物层的上部配置加热板，固化性有机硅组合物层与加热板之间的距离为70mm。
首先，利用该加热板在200℃下将带固化性层的支撑基板加热60秒钟，接着，将固化性有机硅组合物与加热板之间的距离变更为80mm，进一步进行90秒钟加热。
需要说明的是，在加热处理时，以960L/min的条件进行排气(自排气管的排气量相当于全开时)，并且以1000L/min的条件供给加热空气(温度120℃)。
在加热处理结束后，以使加热板从固化性有机硅组合物层远离的方式移动50mm。然后，打开加热处理装置的搬入搬出口，将实施了加热处理的带固化性层的支撑基板从加热处理装置内搬出。
然后，将上述加热处理后的带固化性层的支撑基板放入另一加热处理装置，进一步在250℃下实施1450秒钟的加热处理(后烘焙处理)，在支撑基板的第一主面形成厚度8μm的有机硅树脂层。
接着，在室温下通过大气压压制将玻璃基板与支撑基板上的有机硅树脂层面贴合，得到玻璃层叠体S1。
在所得玻璃层叠体S1中，支撑基板和玻璃基板与有机硅树脂层之间不产生气泡地密合，也不存在变形缺陷，平滑性也良好。另外，在玻璃层叠体S1中，有机硅树脂层与支撑基板的层的界面的剥离强度要大于玻璃基板的层与有机硅树脂层的界面的剥离强度。
<实施例2>
将加热处理时的排气量从960L/min变更为500L/min、将加热空气的供给量从1000L/min变更为600L/min，除此之外按照与实施例1同样的步骤制得玻璃层叠体S2。另外，在玻璃层叠体S2中，有机硅树脂层与支撑基板的层的界面的剥离强度要大于玻璃基板的层与有机硅树脂层的界面的剥离强度。
<比较例1>
在加热处理结束后，不使加热板移动，将加热处理后的带固化性层的支撑基板从加热处理装置搬出，除此之外按照与实施例1同样的步骤制得玻璃层叠体C。
<内聚破坏评价>
将上述实施例和比较例中得到的玻璃层叠体切断成100mm×75mm，在氮气气氛下以350℃进行60分钟加热处理。
接着，将加热处理后的玻璃层叠体切断成25mm×75mm，在4个部位的角部中的1个部位处的玻璃基板和有机硅树脂层的界面，将厚度0.1mm的不锈钢制刀具插入10mm，形成剥离的切口部，沿使玻璃基板和支撑基板相互分离的方向施加外力，将玻璃基板和支撑基板分离。
通过目视观察所剥离的玻璃基板的与有机硅树脂层接触过的评价对象表面(25mm×65mm)，求出有机硅树脂层的附着率(％){(在所剥离的玻璃基板上的有机硅树脂层侧的表面上附着的有机硅树脂层的面积/观察面积)×100}，按照以下标准进行评价。附着率越大则越意味着有机硅树脂层的一部分发生了内聚破坏。
“○”：附着率小于5％的情况
“△”：附着率为5％以上且小于10％的情况
“×”：附着率为10％以上的的情况
进行上述内聚破坏评价时，得到实施例1中为“○”、实施例2中为“△”、比较例1中为“×”的评价结果。
根据该结果确认到，在未实施使加热板与固化性有机硅组合物层之间的距离变远的处理的比较例1中，有机硅树脂层的内聚破坏容易进行。
另外，根据实施例1与实施例2的结果确认到，排气量较多时可进一步抑制内聚破坏。
<实施例3>
本例中使用实施例1中得到的玻璃层叠体S1制造OLED。
首先，在玻璃层叠体S1中的玻璃基板的第二主面上通过等离子体CVD法依次使氮化硅、氧化硅、非晶硅成膜。接着，通过离子掺杂装置向非晶硅层中注入低浓度的硼，在氮气气氛下进行加热处理，并进行脱氢处理。接着，通过激光退火装置进行非晶硅层的结晶化处理。接着，通过使用光刻法的蚀刻和离子掺杂装置向非晶硅层中注入低浓度的磷，形成N型和P型的TFT区域。接着，通过等离子体CVD法在玻璃基板的第二主面侧使氧化硅膜成膜、形成栅极绝缘膜之后，通过溅射法使钼成膜，通过使用光刻法的蚀刻形成栅极电极。接着，通过光刻法和离子掺杂装置向N型、P型各自的所期望的区域注入高浓度的硼和磷，形成源区域和漏区域。接着，在玻璃基板的第二主面侧，通过利用等离子体CVD法的氧化硅的成膜而形成层间绝缘膜，通过利用溅射法的铝的成膜和使用光刻法的蚀刻形成TFT电极。接着，在氢气气氛下，进行加热处理并进行氢化处理之后，通过利用等离子体CVD法的氮化硅的成膜而形成钝化层。接着，在玻璃基板的第二主面侧涂布紫外线固化性树脂，通过光刻法形成平坦化层和接触孔。接着，通过溅射法使氧化铟锡成膜，通过使用光刻法的蚀刻形成象素电极。
接着，通过蒸镀法在玻璃基板的第二主面侧依次使如下物质成膜：作为正孔注入层的4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺、作为正孔传输层的双[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺、作为发光层的在8-羟基喹啉铝络合物(Alq3)中混合了40体积％2,6-双[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1,5-二腈(BSN-BCN)而成的混合物、作为电子传输层的Alq3。接着，通过溅射法使铝成膜，通过使用光刻法的蚀刻形成对电极。接着，在玻璃基板的第二主面侧借助紫外线固化型的粘接层贴合另一张玻璃基板来进行封装。按照上述步骤在玻璃基板上形成有机EL结构体。在玻璃基板上具有有机EL结构体的玻璃层叠体S1(以下称为面板A)即为本发明的带电子器件用构件的层叠体。
接着，使面板A的封装体侧真空吸附于平台，然后在面板A的角部的玻璃基板与树脂层的界面插入厚度0.1mm的不锈钢制刀具，在玻璃基板和树脂层的界面形成剥离的起点。接着，用真空吸盘吸附面板A的支撑基板表面，然后使吸盘上升。此处，一边自离子发生器(基恩士公司制造)向该界面吹送除电性流体一边进行刀具的插入。接着，继续自离子发生器朝所形成的空隙吹送除电性流体，且一边向剥离前线注水一边提升真空吸盘。结果，在平台上仅留下形成了有机EL结构体的玻璃基板，能够将带树脂层的支撑基板剥离。
接着，对所分离的玻璃基板使用激光切割器或划线折断法进行切断，分割成多个单元之后，将形成了有机EL结构体的玻璃基板和相向的基板进行组装，实施模块形成工序来制作OLED。如此得到的OLED在特性上没有产生问题。
参照特定的实施方式对本发明进行了详细说明，但本领域技术人员清楚，可以不脱离本发明的精神和范围地对本发明进行各种变更、修正。
本申请基于2013年12月17日提交的日本特许出愿2013-260253，其内容在此作为参考而并入。

Claims (5)

1.一种带树脂层的支撑基板的制造方法，所述带树脂层的支撑基板在支撑基板的单面设置有有机硅树脂层，用于在所述有机硅树脂层上层叠玻璃基板而制造玻璃层叠体，该方法依次包括下述工序：
涂布工序，其中，将含有固化性有机硅和溶剂的固化性有机硅组合物涂布在支撑基板上，在支撑基板上形成固化性有机硅组合物层，得到具备支撑基板和所述固化性有机硅组合物层的带固化性层的支撑基板；
搬入工序，其中，将所述带固化性层的支撑基板搬入加热处理装置内，在所述加热处理装置内的支撑销上载置所述带固化性层的支撑基板；
第1加热工序，其中，在所述带固化性层的支撑基板的所述固化性有机硅组合物层上部配置加热板，边进行排气边在第1温度以下对所述带固化性层的支撑基板进行加热处理，去除残留在所述固化性有机硅组合物层中的所述溶剂；
移动工序，其中，在所述第1加热工序后，使实施了所述加热处理的所述固化性有机硅组合物层与所述加热板之间远离；
搬出工序，其中，从所述加热处理装置搬出所述带固化性层的支撑基板；
第2加热工序，其中，在比所述第1温度高的第2温度对所述带固化性层的支撑基板进行加热处理，得到带有机硅树脂层的支撑基板。
2.根据权利要求1所述的带树脂层的支撑基板的制造方法，其中，所述固化性有机硅含有具有链烯基的有机链烯基聚硅氧烷以及具有与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷。
3.根据权利要求1或2所述的带树脂层的支撑基板的制造方法，其中，所述第1温度满足：所述溶剂的初馏点-30℃≤第1温度≤所述溶剂的初馏点+30℃。
4.一种玻璃层叠体的制造方法，该方法具有如下的层叠工序：其中，在通过权利要求1～3中任一项所述的制造方法制造的带树脂层的支撑基板中的所述有机硅树脂层上层叠玻璃基板，得到依次具有支撑基板、有机硅树脂层和玻璃基板的玻璃层叠体。
5.一种电子器件的制造方法，该方法具备下述工序：
构件形成工序，其中，在通过权利要求4所述的制造方法制造的玻璃层叠体的所述玻璃基板的表面上形成电子器件用构件，得到带电子器件用构件的层叠体；
分离工序，其中，从所述带电子器件用构件的层叠体去除所述带树脂层的支撑基板，得到具有所述玻璃基板和所述电子器件用构件的电子器件。
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