CN104689833A - 金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米光催化材料、其制备方法及其降解污染物的应用 - Google Patents

金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米光催化材料、其制备方法及其降解污染物的应用 Download PDF

Info

Publication number
CN104689833A
CN104689833A CN201510080686.4A CN201510080686A CN104689833A CN 104689833 A CN104689833 A CN 104689833A CN 201510080686 A CN201510080686 A CN 201510080686A CN 104689833 A CN104689833 A CN 104689833A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nano
containing solution
gold
gold nano
bismuth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510080686.4A
Other languages
English (en)
Inventor
李轶
熊维
李林泽
牛丽华
张文龙
王晴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hohai University HHU
Original Assignee
Hohai University HHU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hohai University HHU filed Critical Hohai University HHU
Priority to CN201510080686.4A priority Critical patent/CN104689833A/zh
Publication of CN104689833A publication Critical patent/CN104689833A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02WCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
    • Y02W10/00Technologies for wastewater treatment
    • Y02W10/30Wastewater or sewage treatment systems using renewable energies
    • Y02W10/37Wastewater or sewage treatment systems using renewable energies using solar energy

Landscapes

  • Catalysts (AREA)

Abstract

本发明提供金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米光催化材料、其制备方法及其降解污染物的应用,制备方法是:(1)制备含硫溶液:将1-十八烯在氩气氛围下脱气,与六甲基二硅硫烷均匀;(2)制备含金溶液:将油胺与HAuCl4混合、脱气后在搅拌条件下加热反应直至呈酒红色;(3)制备含铋溶液:将Bi(OAc)3、油酸和1-十八烯混合且使Bi(OAc)3溶解;(4)将含硫溶液、含金溶液混合后加入含铋溶液中,加热退火;(5)加入过量的丙酮溶液、纯化后得到纳米金粒子链接在三硫化二铋一维纳米棒中间部位的复合材料,光催化降解及光敏性好,对细菌有灭活作用,可应用于环境领域改善水质。

Description

金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米光催化材料、其制备方法及其降解污染物的应用
技术领域
本发明涉及一种异质结可见光光催化材料,尤其是涉及一种对染料有高效催化还原能力的异质结纳米棒光催化材料及其制备方法。
背景技术
近年来,新型光催化材料的开发与应用逐渐成为国内外的研究热点,光催化材料在缓解能源危机和环境污染问题上表现出了优异的性能和巨大的潜力。其中异质结纳米材料通过半导体与半导体,半导体与金属材料之间的连接,实现不同材料之间的光致电子和空穴在不同导体之间的转移,在促进光吸收及抑制光生电子-空穴复合等方面表现优异,因而受到了广泛关注。但目前大多限于镉(Cd)或铅(Pb)与半导体材料的连接,这些材料有较大的毒性。
为了将异质结材料高效地运用于环境及其他领域,需要开发能在可见光条件下实现高效光生电荷分离且低毒或无毒的新型异质结纳米材料。为使载流子在异质结中有较高的迁移率,要求在金属和半导体的表面建立外延连接,研究表明,两种材料的晶格参数之间的差异是限制该外延连接形成的主要原因。有效解决该问题是成功制备异质结光催化材料以提升材料性能的前提。近年来,众多科学家也将目光聚焦于此。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米棒光催化材料,将纳米金颗粒连接在Bi2S3一维纳米棒的中部,所得异质结纳米棒在可见光条件下对染料具有较高的催化降解效率,且对细菌具有灭活作用。
本发明的另一个目的在于提供一种金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米棒的制备方法。
金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米棒,纳米金离子链接在三硫化二铋一维纳米棒中间部位,粒径在20nm左右。
金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米棒的制备方法,步骤如下:
(1)制备含硫溶液:将1-十八烯在氩气氛围下脱气后,与六甲基二硅硫烷按照15~25:1的体积比混合均匀;
(2)制备含金溶液:按照每毫升油胺中添加0.1~0.15mmol的比例投加纯度为99.9%的HAuCl4,所得混合物脱气后在搅拌条件下加热至55~65℃反应直至溶液变为酒红色;
(3)制备含铋溶液:将0.15~0.25mmol Bi(OAc)3,1.0~2.0mmol油酸和4~6mL 1-十八烯混合后,常温下通入氩气脱气,加热至100~120℃继续脱气后,混合物退火,使Bi(OAc)3溶解,形成淡黄色溶液;混合物退火温度为140~160℃,时间为30min;
(4)将步骤(1)的含硫溶液、步骤(2)的含金溶液混合后加入步骤(3)的含铋溶液中,迅速加热到170~180℃退火10min,初步得到纳米材料;三种溶液的体积比是2:1:5。
(5)向初步制得的纳米材料中加入过量的丙酮溶液,析出纳米晶体,进一步用氯仿进行纯化,得到新型Au-Bi2S3异质结纳米棒。
半导体材料Bi2S3具有较高的光吸收率且带隙较窄(1.3eV),可高效的吸收太阳能,Au和Bi2S3仅有2~3%的晶格失配,此两种材料可很好的连接形成异质结结构。本发明将含硫、金的混合液加入含铋溶液中,制成了金粒子位于Bi2S3一维纳米棒中间部位的异质结光催化材料,提高了光生电子从Bi2S3向Au的转移率,使制成的异质结纳米棒较纳米Au粒子和纳米Bi2S3的简单混合物光敏性增强,在可见光条件下对染料催化降解效率明显增强。但溶液的混合顺序对结果有较大影响。
本发明得到的新型Au-Bi2S3异质结纳米棒具有以下优点:
1、对染料有着高效的催化降解能力:以亚甲基蓝为例,可在40min内催化降解80%的亚甲基蓝,有着出色的催化能力。
2、对细菌有灭活能力:以大肠杆菌为例,可在45min内使超过80%的大肠杆菌灭活。
3、Au-Bi2S3异质结纳米棒依赖可见光,能耗低,对染料催化降解效果好,对处理工业污水,改善水体水质有重大应用前景。
附图说明
图1为实施例1所得Au-Bi2S3异质结纳米棒的扫描电镜示意图,放大倍数为20万倍;1-金纳米颗粒,2-Bi2S3一维纳米棒。说明粒径在20nm左右,金纳米颗粒连接在Bi2S3纳米棒的中间部位。
图2为对照例2顺序3所得材料的扫描电镜示意图,放大倍数为20万倍。其中,a:金纳米颗粒连接在Bi2S3的端部;b:金纳米颗粒与Bi2S3未形成连接;c:金纳米颗粒连接在Bi2S3的中部;说明制得的符合材料,金纳米颗粒与Bi2S3纳米棒连接位置随机性大,连接位置不均匀或无法形成异质结(a、b)。
图3为对实施例1所得Au-Bi2S3异质结纳米棒的催化降解效果分析,图3显示按照本发明提供方法制得的材料对亚甲基蓝的光催化降解效果最好。
具体实施方式
本申请中所采用化学组份的中文名称如下:HAuCl4-无水氯金酸、Bi(OAc)3-乙酸铋、Bi2S3-三硫化二铋。
实施例1
一种Au-Bi2S3异质结纳米棒的制备方法,步骤如下:
(1)制备含硫溶液:取2mL 1-十八烯于小烧瓶中,通入氩气脱气3min后,加入0.1mL六甲基二硅硫烷,混合均匀;
(2)制备含金溶液:将0.1mmol HAuCl4加入1mL油胺中,混合物脱气后在60℃条件下加热搅拌,直至溶液变为酒红色;
(3)制备含铋溶液:取0.2mmol(0.068g)Bi(OAc)3,1.5mmol(0.43g)油酸和5mL 1-十八烯于三颈烧瓶中,常温下通入氩气脱气5min后,加热至100℃继续脱气10min;将混合物加热至150℃,退火30min,使Bi(OAc)3溶解,形成淡黄色溶液;
(4)将步骤(1)和(2)制备所得含硫、含金溶液混合后加入步骤(3)的盛有含铋溶液的三颈烧瓶中,迅速加热至170℃,退火10min;
(5)向初步制得的纳米材料中加入过量的丙酮溶液,析出纳米晶体,进一步用氯仿进行纯化,得到纳米粒子Au位于Bi2S3纳米棒中间部位的新型Au-Bi2S3异质结纳米棒。
催化降解亚甲基蓝的实验:将2mg纯化后的Au-Bi2S3异质结纳米材料溶于1mL甲苯中并与2mL亚甲基蓝混合,在磁力搅拌条件下通入氩气脱气10min后,避光反应5min。在强度为100mW/cm2的500nm单色光灯照射下,经过40min 80%的亚甲基蓝得到催化降解。对照组是纳米Au与Bi2S3的简单混合物。实验证明,本发明制备的Au-Bi2S3异质结纳米棒大大提高了Bi2S3对染料在可见光条件下的降解效率。
灭菌能力:以大肠杆菌为例,配制浓度为3.0×107CFU/mL的大肠杆菌溶液,将制备好的材料均匀的分散于溶液中,在2盏10W荧光灯照射下,经过45min,灭活大肠杆菌超过80%。
实施例2-4所采用的工艺条件如表2所示,未列出的内容同实施例1。
表1
对照例1:
为考核材料制备过程中工艺参数对结果的影响,通过改变实施例1中特定操作步骤的工艺参数及组分用量,制备另外4个样品(样品1~4)与实施例1中所制得材料进行对比。具体见表2:
表2
对照例1的各样品中,每一样品通过控制改变步骤1~4中某一步骤的特定参数得到,表中未列出参数视作与实施例1一致。得到的4个样品与实施例1所得材料进行比较,Au与Bi2S3纳米棒连接位置随机性大或无法形成异质结。样品1~4在与实施例1中相同光照条件,相同时间内对亚甲基蓝的降解效率最大仅为60%。
对照例2:
按照实施例1的工艺条件考核步骤(4)中不同的溶液混合顺序对复合材料性能的影响,具体见表3:
表3

Claims (6)

1.金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米光催化材料,其特征在于,纳米金粒子链接在三硫化二铋一维纳米棒中间部位,粒径约20nm。
2.权利要求1所述的金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米光催化材料的制备方法,其特征在于,步骤如下:
(1)制备含硫溶液:将1-十八烯在氩气氛围下脱气,与六甲基二硅硫烷均匀,备用;
(2)制备含金溶液:将油胺与HAuCl4混合、脱气后在搅拌条件下加热至55~65℃反应直至溶液变为酒红色;
(3)制备含铋溶液:将 Bi(OAc)3、油酸和 1-十八烯混合后,常温下通入氩气脱气,加热至100~120℃继续脱气后,混合物退火,使Bi(OAc)3溶解,形成淡黄色溶液;
(4)将步骤(1)的含硫溶液、步骤(2)的含金溶液混合后加入步骤(3)的含铋溶液中,迅速加热到170~180℃退火10min,初步得到纳米材料;三种溶液的体积比是2:1:5;
(5)向初步制得的纳米材料中加入过量的丙酮溶液,析出纳米晶体,用氯仿纯化,得到金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米棒。
3.根据权利要求1所述的金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米光催化材料的制备方法,其特征在于步骤(1)中1-十八烯与六甲基二硅硫烷的体积比是15~25:1。
4.根据权利要求1所述的金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米光催化材料的制备方法,其特征在于步骤(2)中按照每毫升油胺中添加0.1~0.15 mmol的比例投加HAuCl4
5.根据权利要求1所述的金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米光催化材料的制备方法,其特征在于步骤(3)中反应物的用量是:0.15~0.25 mmol Bi(OAc)3、1.0~2.0 mmol 油酸和4~6mL 1-十八烯;混合物退火温度为140~160℃,时间为30 min。
6.金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米光催化材料在可见光下对染料催化降解的应用。
CN201510080686.4A 2015-02-15 2015-02-15 金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米光催化材料、其制备方法及其降解污染物的应用 Pending CN104689833A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510080686.4A CN104689833A (zh) 2015-02-15 2015-02-15 金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米光催化材料、其制备方法及其降解污染物的应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510080686.4A CN104689833A (zh) 2015-02-15 2015-02-15 金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米光催化材料、其制备方法及其降解污染物的应用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104689833A true CN104689833A (zh) 2015-06-10

Family

ID=53337604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510080686.4A Pending CN104689833A (zh) 2015-02-15 2015-02-15 金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米光催化材料、其制备方法及其降解污染物的应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104689833A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111203235A (zh) * 2020-02-28 2020-05-29 南京理工大学 Au/NCDs/Bi2S3复合光催化剂及其制备方法和应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103170353A (zh) * 2013-04-17 2013-06-26 东华大学 一种异质型可见光催化剂的制备方法
US20140262806A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Sunpower Technologies Llc Method for Increasing Efficiency of Semiconductor Photocatalysts

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140262806A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Sunpower Technologies Llc Method for Increasing Efficiency of Semiconductor Photocatalysts
CN103170353A (zh) * 2013-04-17 2013-06-26 东华大学 一种异质型可见光催化剂的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GOUTAM MANNA: ""Photocatalytic Au–Bi2S3 Heteronanostructures"", 《ANGEW. CHEM. INT. ED.》 *
WEIWEI HE ET AL: ""Photogenerated Charge Carriers and Reactive Oxygen Species in ZnO/Au Hybrid Nanostructures with Enhanced Photocatalytic and Antibacterial Activity"", 《J. AM. CHEM. SOC.》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111203235A (zh) * 2020-02-28 2020-05-29 南京理工大学 Au/NCDs/Bi2S3复合光催化剂及其制备方法和应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Xiao et al. Synthesis of EDTA-bridged CdS/g-C3N4 heterostructure photocatalyst with enhanced performance for photoredox reactions
Munawar et al. Novel direct dual-Z-scheme ZnO-Er2O3-Nd2O3@ reduced graphene oxide heterostructured nanocomposite: synthesis, characterization and superior antibacterial and photocatalytic activity
CN101913600B (zh) 制备石墨烯/半导体量子点复合材料的方法
CN104353469B (zh) 一种纳米复合材料光催化剂的制备方法及应用
CN104353482B (zh) 一种g-C3N4/活性炭复合光催化剂及其制备方法和应用
CN103801284B (zh) 一种钒酸铋-石墨烯复合光催化剂的制备方法
CN104475140A (zh) 一种银改性氮化碳复合光催化材料及其制备方法
Kalisamy et al. ZnO coupled F-doped g-C3N4: Z-scheme heterojunction for visible-light driven photocatalytic degradation reaction
CN111068715B (zh) Ag/Bi2O3/CuBi2O4纳米纤维复合光催化剂的制备方法
CN106669744B (zh) 一种Ag2Mo2O7@AgBr复合光催化剂及其制备方法
CN105642329A (zh) 一种负载型石墨相碳化氮复合材料,制备方法及其应用
CN104984755B (zh) 一种NaBH4在提高Ag/g‑C3N4纳米复合材料可见光催化活性上的应用
CN105498820A (zh) 高可见光电子转移Au/g-C3N4负载型光催化材料的制备方法
CN104312588A (zh) 一种硒掺杂碳量子点的制备方法
CN111054403B (zh) 一种钨酸铋/溴化铅铯量子点复合光催化剂及其制备方法和应用
CN115920895B (zh) 光芬顿过渡金属单原子催化剂及其制备方法和应用
CN110787825A (zh) 一种碳纳米管负载CdSe-g-C3N4光催化材料及其制法
CN108543542A (zh) 一种三维多孔复合光催化剂的制备方法及应用
CN111036272B (zh) 一种C3N4/LaVO4复合光催化剂及其制备方法
CN103182307A (zh) 一种Cu掺杂ZnO/石墨烯复合光催化剂及其制备方法
CN103613119B (zh) 铜锌锡硫的制备方法以及用途
CN104689833A (zh) 金纳米颗粒-三硫化二铋异质结纳米光催化材料、其制备方法及其降解污染物的应用
CN106955699A (zh) 一种高效太阳能固氮光催化材料及其制备方法
CN115814829B (zh) 一种Co与Mo2C共掺杂的生物炭基复合材料及其制备方法与应用
CN106076354B (zh) 一种溶胶凝胶制备钼酸铋共掺杂样品的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150610

RJ01 Rejection of invention patent application after publication