CN104685658A - 用于oled装置的散射导电载体和包括它的oled装置 - Google Patents

用于oled装置的散射导电载体和包括它的oled装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104685658A
CN104685658A CN201380052567.7A CN201380052567A CN104685658A CN 104685658 A CN104685658 A CN 104685658A CN 201380052567 A CN201380052567 A CN 201380052567A CN 104685658 A CN104685658 A CN 104685658A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
oxide
scattering
thickness
equal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201380052567.7A
Other languages
English (en)
Inventor
D.吉马尔
S.马祖瓦耶
G.勒康
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Saint Gobain Glass France SAS
Compagnie de Saint Gobain SA
Original Assignee
Saint Gobain Glass France SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Saint Gobain Glass France SAS filed Critical Saint Gobain Glass France SAS
Publication of CN104685658A publication Critical patent/CN104685658A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/06—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being coupling devices, e.g. connectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
    • G02B5/0242—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of dispersed particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/30—Manufacture of bases
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • F21Y2115/15—Organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及用于被称为“OLED”的有机电致发光二极管装置的散射导电载体，其在基材上以下面的顺序包含：散射层，高指数层，具有电介质下层的下电极，该电介质下层具有折光指数n1和大于或等于0nm的厚度e1，电介质结晶层，具有导电功能的单一金属层，其基于银，具有低于8.5nm的厚度，和上层，其中该下电极另外具有在曲线图e1(n1)中表达的厚度(e1)乘折光指数(n1)的乘积因子，其定义“光效率”区域(EFF1至EFF3)。

Description

用于OLED装置的散射导电载体和包括它的OLED装置
本发明的主题是用于有机电致发光二极管装置的散射导电载体和包括它的有机电致发光二极管装置。
已知的有机电致发光系统或者OLED(有机发光二极管)包含一种或多种有机电致发光材料，该材料通过通常呈两个围绕这种(这些)材料的导电层形式的电极进行电流供给。
通过电致发光发射的光使用从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子的复合能(énergie de recombinaison)。
存在不同的OLED构型：
- 底部发射装置(“bottom emission”)，即具有下(半)透明电极和上反射电极；
- 顶部发射装置(“top emission”)，即具有上(半)透明电极和下反射电极；
- 顶部和底部发射装置，即具有下(半)透明电极和上(半)透明电极。
本发明涉及底部发射OLED装置。
对于下透明电极(阳极)，通常使用基于氧化铟，通常用锡掺杂的氧化铟(以缩写ITO熟知的)的层，或者使用薄金属层代替ITO的新型电极结构，以制备发射用于照明的基本上白色光的OLED装置。
此外，OLED显示出低的光提取效率：实际上从玻璃基材排出的光与由电致发光材料发射的光的比率是相对低的，大约0.25。
这种现象特别通过以下事实进行解释：一定量光子仍然被俘获在在电极之间的导模中。
因此期望用于改善OLED效率的解决方案，即用于提高光提取的增益的解决方案。
申请WO2012007575A在表V中的第一系列实施例V.1至V.3中提供OLED装置，其中每个具有由1.6mm的明亮玻璃制成的基材，依次包含：
- 具有50微米厚度的用于提取光的散射层，其包括由包含由氧化锆制成的散射元件的玻璃(从熔化玻璃料获得的釉瓷)制成的基质，
- 呈含银薄层的堆叠体形式的电极，其包含：
　　- “改善”光透射的下层，以这种顺序包含：
　　　- 具有65nm厚度的由TiO2制成的第一层，其通过在反应性Ar/O2气氛下从Ti靶开始的溅射进行沉积，
　　　- 由ZnxSnyOz制成的结晶层，其中x+y≥3和z≤6(相对于所有存在的金属的重量%计，优选具有95%重量的锌)，其通过在反应性Ar/O2气氛下从SnZn合金靶开始的溅射进行沉积，厚度为5nm或者10nm，
　　　- 含银的单一导电层，具有12.5nm的厚度，通过在氩气氛下的溅射进行沉积，
　　- 上层，其包含：
　　　- 2.5nm的由钛制成的牺牲层，其通过在氩气氛下从Ti靶开始的溅射进行沉积；
　　　- 具有7nm厚度的“插入”层，其由氧化钛TiO2或者铝掺杂的氧化锌(AZO)或者由ZnxSnyOz制成，其中x+y≥3和z≤6(相对于所有存在的金属的重量%计，优选具有95%重量的锌)，其通过在反应性Ar/O2气氛下从SnZn合金靶开始的溅射进行沉积；
　　　- 1.5nm的由TiN制成的用于表面电性质均匀化的层。其通过在反应性Ar/N2气氛下从Ti靶开始的溅射进行沉积。
这种电极的平方电阻为约4欧姆/平方。
在表VI中的另一个实施例VI.3中，OLED包括1.6mm的由明亮玻璃制成的基材，其包含：
- 50微米厚度的散射层，其包含由玻璃制成的基质(从熔化玻璃料获得的釉瓷)，该基质包含由氧化锆制成的散射元件，
- 呈包含银的薄层堆叠体形式的电极，其包含：
　　- 用于“改善”光透射的下层，其以这种顺序包含：
　　　- 20nm厚度的由TiO2制成的第一层，通过在反应性Ar/O2气氛下从Ti靶开始的溅射进行沉积，
　　　- 5nm的由ZnxSnyOz制成的结晶层，其中x+y≥3和z≤6(相对于所有存在的金属的重量%，优选地具有95%重量的锌)，通过在反应性Ar/O2气氛下从SnZn合金靶开始的溅射进行沉积，
　　　- 单一的含银导电层，具有23nm的厚度，通过溅射在氩气氛下进行沉积，
　　- 上层，其包含：
　　　- 2.5nm厚度的由钛制成的牺牲层，通过在氩气氛下从Ti靶开始的溅射进行沉积(随后由于下邻层的反应性Ar/O2气氛而部分地氧化)；
　　　- 7nm厚度的由ZnxSnyOz制成的插入层，其中x+y≥3和z≤6(相对于所有存在的金属的重量%，优选地具有95%重量的锌)，通过在反应性Ar/O2气氛下从SnZn合金靶开始的溅射进行沉积，
　　　- 1.5nm厚度的由TiN制成的用于使表面电性质"均匀化"的薄层。通过在反应性Ar/N2气氛下从Ti靶开始的溅射进行沉积。
这种电极的平方电阻为约1.8Ω/平方。
由本发明设定的目标是提供具有电极的散射载体，其允许更好提取在白色范围中发射的OLED的光，因此适合于照明应用。
为此，本发明的第一主题是用于OLED的散射导电载体，包含(以这种顺序)：
- 透明基材，优选由无机玻璃制成，特别是具有小于或等于1.6的折光指数n2的基材(玻璃)，
- 散射层，其为被添加到(直接地)在基材上的(高指数)层，特别地被沉积(直接地)在基材上的层，和/或由该基材的散射表面(被提供散射)形成，该层特别地具有微米的厚度并且优选是无机的(釉瓷等等)，
- 高指数层，(直接地)在散射层上方，具有大于或等于1.8，优选大于或等于1.9，优选小于或等于2.2的折光指数n0，特别地具有至少0.2微米、0.4微米，甚至至少1微米的厚度，优选是无机的(釉瓷等等)，该高指数层优选地与散射层不同，
其中该散射层和高指数层的整体优选具有至少微米的厚度，该高指数层特别地参与或者用于使该散射层光滑/平滑化中，例如以避免短路，
- 第一(任选地结构化的)透明电极，称为下电极，(直接地)在高指数层上，并且其以如下顺序包含以下的层堆叠体(从该基材开始)：
- 单层或者叠层电介质下层，优选薄层，特别地由金属氧化物和/或金属氮化物制成，具有折光指数n1和具有大于或等于0nm的厚度e1；该下层优选与高指数层不同，
- 优选地电介质结晶层，特别地由金属氧化物和/或金属氮化物制成，称为“接触层”，被(直接地)沉积在任选的下层上或者(直接地)沉积在高指数层上，并且具有至少3nm，优选低于15nm，甚至优选低于10nm的厚度，该结晶层任选地与下层不同，
- 具有导电(主要)功能的单一金属层，其基于银，具有低于8.5nm并任选地大于或等于8nm的给定厚度e2，该层优选被(直接地)沉积在接触层上，甚至在下层上，甚至在所谓“下阻挡体”的薄金属层上，该“下阻挡体”是比银更低导电的并且具有低于3nm的厚度，特别地由部分氧化的金属制成(下阻挡体在接触层上或者在下层上)；
- 单层或者叠层上层，例如薄的上层，其(直接地)沉积在单一金属层上，甚至在所谓“上阻挡体”的薄金属层上，该"上阻挡体"是比银更低导电的并且具有小于或等于3nm的厚度，特别地由部分氧化的金属制成，该上层是介电的和/或导电的，特别地由金属氧化物和/或金属氮化物制成，特别地包含功函数匹配层(couche d’adaptation du travail de sortie)，其优选是最终电极层以与有机电致发光体系接触；
其中该下电极另外具有在曲线图e1(n1)中表达的厚度(e1)乘折光指数(n1)的乘积因子，其定义“光效率”区域，该区域包含以下(甚至由以下组成)：
- 第一区域，其包括两条依次连接以下三个点的第一直线段并且在它们的下方：A1(1.5;23)，B1(1.75;38)和C1(1.85;70)，或者优选地以下点：A2(1.5;17)，B2(1.8;27)和C2(1.9;70)；
- 第二区域，其包括三条依次连接以下四个点的其它直线段并且在它们的下方：D1(2.15;70)，E1(2.3;39)，F1(2.6;27)和G1(3;22)，优选地以下点：D2(2.05;70)，E2(2.2;15)，F2(2.5;10)和G2(3;9)，
- 和“中间”区域，包括连接C1和D1或者连接C2和D2的直线段并且在它们的下方。
因此，光效率区域通过以下直线段进行界定(从这些点的两个开始的其它线段没有一个是可接受的，例如排除A1G1)：
A1B1，B1C1，C1D1，D1E1，E1F1，F1G1
更好地A2B2，B2C2，C2D2，D2E2，E2F2，F2G2，
包括由这些线段穿过的点。
光效率区域可以朝更低的指数延伸，例如通过具有等于1.45(甚至1.4)的横坐标和具有接近于，甚至等于A1或者A2的厚度的纵座标的点A0。
希望的是，使通过电致发光发射的白色光最大值达到用于光提取的散射元件(颗粒和/或纹理化表面)。事实上，Plasmon导模及其它与银层的存在相关的导模同时存在并且这些导模可以俘获显著比例的白色光，使得光提取是相对低效率的。
本发明，经由基于单银层的堆叠体的匹配，使这些导模的重要性最小化并且优化经由该散射层的白色光的提取。
令人惊讶地，在导模中俘获的光的量是在阳极中存在的总银量的增函数。因此，为了优化该提取，需要首先使银的这种厚度尽可能地最小化。实际上，银的这种厚度必须至少低于或等于8.5nm，更优选地低于6nm。
此外，为了具有令人满意的提取效率，甚至高于现有技术的提取效率，特别地当Ag层的厚度高于6nm时，还需要降低的厚度e1，其可容许的最大值取决于它的折光指数n1。
专利WO2012007575A1还仅仅提供在法向入射的光提取的增加，而这仅仅是相对小的优点，因为OLED的生产商关心在所有角度的回收光。这些OLED的亮度在法线上并且通过光谱学进行测量。而且，该专利非常特别地致力于单色光，即中心在一个波长上的光(绿光等等)。
因此，本申请人公司已经建立了用于评估光学性能的相关标准，这种标准是随后描述的累积提取(extraction intégrée)。
在本发明中，所有的折光指数在550nm进行定义。
当下层是叠层，例如双层，甚至三层(优选全部是电介质)时，n1是通过所述层的指数ni与厚度ei乘积的总和除以各自厚度ei的总和进行定义的平均指数，根据经验式n1=∑niei/∑ei。自然地，e1这时是所有厚度的总和。
在本发明中，层是与金属层相反地是电介质的，典型地由金属氧化物和/或金属氮化物制成，通过扩展包括硅甚至有机层。
在本发明中，该措辞“基于”指示该层主要(至少50%重量)包含该指出的组分。
在本发明中，该单一的金属导电层或者任何电介质层可以是掺杂的。掺杂通常理解为显示该组分在该层中以低于金属组分的10%重量的量的存在。金属氧化物或者氮化物可以进行掺杂，特别地为0.5%至5%。根据本发明的任何金属氧化物层可以是简单的氧化物或者混合氧化物，它们是或者不是掺杂的。
根据本发明，薄层理解为表示具有最多等于100nm的厚度(在缺乏精确度的情况下)的层，优选在真空下进行沉积，特别地通过PVD，特别地通过(磁控管增强的)溅射，甚至通过CVD进行沉积。
根据本发明，该银基层是主要导电层，即最导电性层。
在本发明的意义内，当规定层或者涂层(包含一个或多个层)的沉积直接地在另一个沉积层下方或者直接地在另一个沉积层上方进行实施时，这表示在这两个沉积层之间不能有任何层的插入。
无定形层被理解为表示其不是结晶的层。
散射层被理解为表示能够使通过电致发光发射的在可见光中的光散射的层。
在本发明的意义内，ITO理解为表示混合氧化物或者从铟(III)氧化物(In2O3)和锡(IV)氧化物(SnO2)获得的混合物，优选地第一种氧化物重量比为70%至95%和第二种氧化物为5%至20%。典型的重量比为大约90%重量的In2O3与大约10%重量的SnO2。
根据本发明，高指数层(在缺乏精确度的情况下)具有大于或等于1.8，甚至大于或等于1.9，甚至低于2.1的折光指数。
在对于大于或等于7nm并且小于8nm的e2的更优化的实施方案中，改变点A1至G2，这时：
- 第一区域由A1(1.5;29)，B1(1.65;41)和C1(1.8;70)，或者优选地由A2(1.5;19)，B2(1.8;40)和C2(1.85;70)定义，
- 第二区域由D1(2.25;70)，E1(2.45;42)，F1(2.7;32)和G1(3;26)，或者优选地由D2(2.1;70)，E2(2.35;30)，F2(2.7;19)和G2(3;17)定义，
- 和“中间”区域包括连接C1和D1，优选地连接C2和D2的直线段并且在它们的下方。
在对于大于或等于6nm并且小于7nm的e2更优化的实施方案中，改变点A1至G2，这时：
- 第一区域由A1(1.5;32)，B1(1.65;45)和C1(1.7;70)，或者优选地由A2(1.5;24)，B2(1.7;41)和C2(1.8;70)，或者更好地由A3(1.5;10)，B3(1.8;28)和C3(1.9;70)定义，
- 第二区域由D1(2.3;70)，E1(2.5;46)，F1(2.7;36)和G1(3;29)，或者优选地由D2(2.2;70)，E2(2.4;37)，F2(2.7;26)和G2(3;21)，或者更好地由D3(2.05;70)，E3(2.25;27)，F3(2.6;16)和G3(3;13)定义，
- 和“中间”区域，其包括连接C1和D1，或者连接C2和D2，更好地连接C3和D3的直线段并且在它们的下方。
通过以下直线段界定的光效率区域：A3B3，B3C3，C3D3，D3E3，E3F3和F3G3，包括由这些线段通过的点，是最佳区域。
在对于低于6nm并优选地大于或等于2nm，甚至3nm，甚至4nm的e2更优化的实施方案中，改变点A1至G2，这时：
- 第一区域由A1(1.5;32)，B1(1.65;50)和C1(1.7;70)，或者优选地由A2(1.5;24)，B2(1.75;50)和C2(1.8;70)，或者更好地由A3(1.5;14)，B3(1.75;30)和C3(1.85;70)定义，
- 第二区域由D1(2.35;70)，E1(2.5;52)，F1(2.7;40)和G1(3;29)，或者优选地由D2(2.25;70)，E2(2.4;45)，F2(2.6;33)和G2(3;24)，或者更好地由D3(2.15;70)，E3(2.3;38)，F3(2.5;25)和G3(3;17)定义，
- 和“中间”区域，其包括连接C1和D1，或者连接C2和D2，更好地连接C3和D3的直线段并且在它们的下方。
e2越大，中间区域(允许比第一区域或者第二区域更宽的厚度范围)变得越窄，即关于折光指数n1的选择非常限制性的。
为了更大的可靠性，特别地为了高于8nm，甚至高于7nm的e2，优选地降低厚度e1至第一区域的最大值厚度(B1的最大值厚度，甚至B2的最大值厚度)或者第二区域的最大值厚度(E1的最大值厚度，甚至E2的最大值厚度)。
在一种优选实施方案中，在曲线图e1(n1)中，下电极另外具有厚度(e1)乘折光指数(n1)的第二乘积因子，其定义通过七个由连续的直线段连接的点界定的”色度稳定性”区，下电极(经由e1和n1)这时通过在光效率区域和色度稳定区之间的交叉区进行定义，
- 对于8至8.5nm(排除8.5nm)的e2，这时七个点是：H4(3;8)，I4(2.7;11)，J4(2.5;19)，K4(2.4;25)，L4(2.4;25)，M4(2.7;22)和N4(3;20)，
- 对于7至8nm(排除8nm)的e2，这时七个点是：H3(3;7)，I3(2.5;12)，J3(2.25;20)，K3(2.15;35)，L3(2.3;35)，M3(2.7;25)和N3(3;21)，
- 对于6至7nm(排除7nm)的e2，这时七个点是：H2(3;6)，I2(2.5;10)，J2(2.15;21)，K2(2.05;50)，L2(2.2;50)，M2(2.55;31)和N2(3;21)，
- 对于小于6nm的e2，这时七个点是：H1(3;5)，I1(2.5;9)，J1(2.15;17)，K1(2;50)，L1(2.25;50)，M1(2.6;32)和N1(3;22)。
因此，光效率区域通过以下直线段进行界定(出于简单性的考虑，除去下标)：HI，IJ，JK，KL，LM，MN和NH，包括由这些线段通过的点。
为了使光效率和颜色角偏移的降低相结合，下层的厚度e1的选择是更限制性的(并且是n1的函数)。
令人惊讶地，对于低的然而非零的下层厚度e1，已经观察到颜色角偏移的显著降低。
优选，该下层可以显示出至少一个以下特征：
- 该下层为单层、双层或者三层，
- 至少第一层或者基底层为金属氧化物，甚至该上层的所有层用金属氧化物制成(排除下阻挡体)，
- 该下层不含有铟，或者至少不包含由IZO、ITO制成的层，
- n1大于或等于1.9，优选低于2.7，
- 该下层用金属氧化物和/或金属氮化物制成，特别地不包含金属层。
特别地优选地，n1大于或等于2.2，甚至大于或等于2.3或者2.4，例如低于2.8。
该下层任选地是掺杂的，特别地为了增大它的指数。
该下层可以改善接触层的连接性质而不显著提高电极的粗糙度。
它特别地可以涉及：
- 氮化硅SixNy(特别地Si3N4)层，单独的或者在堆叠体中，
- 单独的氧化锡SnO2或者SixNy/SnO2类型堆叠体，
- 甚至氧化钛TiO2，单独的或者在SixNy/TiO2类型堆叠体中。
该高指数层(甚至在该基材上的散射层)优选覆盖该基材的主面；因此，它不是结构化的或者可结构化的，甚至当该电极是结构化(全部或者部分地)时。
该下层的第一层或者基底层，即最靠近高指数层的层，优选也覆盖该基材的主面，例如形成碱金属阻挡层(必要时)和/或蚀刻(干燥和/或潮湿的)终止层。
作为基底层的例子，可以提到氧化钛层或者氧化锡层。
形成碱金属阻挡层(必要时)的基底层和/或蚀刻终止层可以基于氧碳化硅(通式SiOC)、基于氮化硅(通式SixNy)，非常特别基于Si3N4，基于氮氧化硅(通式SixOyNz)，基于氧碳氮化硅(通式SixOyNzCw)，甚至基于氧化硅(通式SixOy)，对于低于10nm的厚度。
还可以选择其它氧化物和/或氮化物，特别地氧化铌(Nb2O5)、氧化锆(ZrO2)、氧化钛(TiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)、氧化钇或者氮化铝、氮化镓或者氮化硅和它们的混合物，任选地用Zr掺杂。
该基底层的氮化可以是轻微亚化学计量的。
该下层(基底层，等等)因此可以是与该电极下邻的碱金属阻挡层。它保护任选的一个或多个上邻层不受任何污染，特别是在金属导电层下方的接触层(可以引起机械缺陷，如脱层，的污染物)；而且，它保存该金属导电层的导电性。它还防止OLED装置的有机结构不受碱金属的污染，碱金属可以显著地降低OLED的寿命。
碱金属的迁移可以在制备该装置期间发生，引起可靠性的缺失，和/或随后降低它的寿命。
下层可以优选包含蚀刻终止层，基本上覆盖该高指数层，特别地是基底层，特别是基于氧化锡、基于氧化钛、基于氧化锆的层，甚至基于二氧化硅或者氮化硅的层。
非常特别地，出于对简单性的考虑，该蚀刻终止层可以形成为该基底层的一部分或者是该基底层并且可以是：
-基于氮化硅，基于氧化硅或者基于氮氧化硅或者基于氧碳化硅，或者还基于氧碳氮化硅并且具有锡以增强抗蚀刻性质，具有通式SnSiOCN的层，
-或者较高的指数，基于氧化钛(简单氧化物或者混合氧化物)，基于氧化锆(简单或者混合氧化物)、钛和锆的混合氧化物。
蚀刻终止层用来保护基底层和/或高指数层，特别地在化学蚀刻或者反应性等离子腐蚀的情况下；例如具有至少2nm，甚至3nm，甚至5nm的厚度。
由于该蚀刻终止层，该基底层和/或该高指数层在通过液体途径或者干燥途径的蚀刻步骤期间得到保持。
在一种优选实施方案中，该下层包含基于氧化钛，特别地具有10-30nm的厚度、基于氧化锆或基于钛和锆的混合氧化物的层(任选地掺杂)，优选基底层，甚至由其组成。
在不使用结晶接触层的情况下，金属导电层可以(直接地)被沉积在例如下层上(作为最后层)，该下层为无定形层，例如基于氮化硅的层，任选地具有下阻挡体，或者基于氧化钛或者由无定形SnZnO制成，典型地非常富集Sn(接近于SnO2)或者由Zn制成(接近于ZnO)，任选地在顶部上具有下阻挡体。
在不使用下层的情况下，该结晶接触(单)层直接地在高指数层上。结晶接触层促进沉积在上面的银基层的适当结晶取向。
可以选择ITO作为接触层。然而，优选无铟的并且对于银的生长尽可能有效的接触层。
结晶接触层可以优选基于氧化锌，并且可以优选进行掺杂，特别地用至少一种以下掺杂剂进行掺杂：Al(AZO)，Ga(GZO)，甚至用B，Sc或者Sb，以获得更好的沉积方法稳定性。而且，优选氧化锌层ZnOx，优选地x低于1，更优选地0.88至0.98，特别地0.90至0.95。
还可以选择由SnxZnyOz制成的结晶接触层，优选具有以下重量比Zn/(Zn+Sn)≥80%，甚至85%或者90%。
该结晶接触层的厚度优选大于或等于3nm，甚至大于或等于5nm，而且可以小于或等于15nm，甚至低于或者等于10nm。
在一种构型中，使用结晶下层，例如SnZnO或者SnO2，特别地为单层的下层，如已经描述的结晶接触层(ZnO、SnZnO等等)
- 与下层区分
- 或该下层包括结晶接触层，其中e1典型地大于15nm或者20nm。
优选，金属导电层可以为纯的或者与至少一种其它材料形成合金或者用该至少一种其它材料进行掺杂，该至少一种其它材料优选选自：Au、Pd、Al、Pt、Cu、Zn、Cd、In、Si、Zr、Mo、Ni、Cr、Mg、Mn、Co或者Sn，特别地基于银和钯和/或金和/或铜的合金，以改善银的湿气稳定性。
用下电极涂覆的根据本发明的基材优选地具有低粗糙度，使得在该上层上从最凹进地点至最高地点的差值(英文为“peak to valley”)小于或等于10nm。
用下电极涂覆的根据本发明的基材优选在上层上具有小于或等于10nm，甚至小于或等于5nm或者3nm，甚至优选低于或者等于2nm，低于或者等于1.5nm，甚至低于或者等于1nm的RMS粗糙度，以避免剧烈地降低寿命和可靠性，特别地OLED的寿命和可靠性的尖峰效应(英文为“spike effects”)。
RMS粗糙度表示“均方根”粗糙度。它是其在于测量该粗糙度的均方差的值的一种测量。这种RMS粗糙度，实际上，因此以平均值形式定量粗糙度顶点和凹谷的高度(相对于平均高度)。因此，2nm的RMS粗糙度表示双峰平均振幅(amplitude moyenne de pic double)。
它可以以不同方式进行测量：例如通过原子力显微镜，通过针式机械系统(système mécanique à pointe)(例如使用由Veeco公司以Dektak名称销售的测量装置)或者通过光学干涉量度法。该测量通常在平方微米上通过原子力显微镜进行实施和对于针式机械系统在更大的表面积(大约50平方微米至2平方毫米)上进行实施。
这种低的粗糙度特别地当该下层包含光滑层，特别地非结晶光滑层时实现，所述光滑层被设置在结晶接触层下方并且用不同于接触层的材料制成。
光滑层优选为基于一种或多种以下金属的氧化物的简单或者混合氧化物层，其是或者不是掺杂的：Sn，Si，Ti，Zr，Hf，Zn，Ga或In；特别地它是基于锌和锡的混合氧化物层，其任选地进行掺杂，或者铟和锡的混合氧化物层(ITO)或者铟和锌的混合氧化物层(IZO)。
该光滑层特别地可以基于为无定形相的锌和锡的混合氧化物SnxZnyOz，特别地是非化学计量的，其任选地进行掺杂，特别地用锑掺杂。
这种光滑层可以优选在基底层上甚至直接地在该高指数层上。
例如在银层下方(优选直接地在高指数层上方)提供：
- Si3N4/无定形SnxZnyOz/基于ZnO的结晶层，例如AZO或者SnZnO，
- SnO2/无定形SnxZnyOz/基于ZnO的结晶层，例如AZO或者SnZnO，
- TiO2或Zr(Ti)O2/无定形SnxZnyOz/基于ZnO的结晶层，例如AZO或者SnZnO，
- SiNx/无定形SnxZnyOz/基于ZnO的结晶层，例如AZO或者SnZnO，
- 无定形SnxZnyOz/基于ZnO的结晶层，例如AZO或者SnZnO。
因此，该下层可以包含以下层之一，甚至由以下层之一组成：
-氧化钛，氧化锆，或者钛和锆的混合氧化物，或者
-氮化硅/氧化钛，氧化锆，钛和锆的混合氧化物，或者
-氧化钛，氧化锆，钛和锆的混合氧化物/基于锌和锡的无定形混合氧化物，或者
-氮化硅或者氧化锡/基于锌和锡的无定形混合氧化物，
该下层优选在上面有基于ZnO的结晶层。
当电极(下层和/或上层)包含任选掺杂的氧化物层，该氧化物层选自ITO、IZO、简单氧化物ZnO时，这时氧化物层具有低于100nm，甚至小于或等于50nm，甚至小于或等于30nm的厚度，以最大地减少吸收。
优选，该上层可以具有至少一种以下特征：
-为单层、双层或者三层，
-至少第一层(排除上阻挡体)为金属氧化物，甚至该上层的所有层用金属氧化物制成，
-上层的所有层具有小于或等于120nm，甚至小于或等于80nm的厚度，
-具有比基材更大的(平均)指数，例如大于或等于1.8。
此外，为了促进电流的注入和/或限制工作电压的值，可以提供，优选地，该上层由一个或多个具有小于或等于107Ω.cm，优选小于或等于106Ω.cm，甚至小于或等于104Ω.cm的电阻率(以体积状态，如在文献中已知的)层组成(排除随后描述的薄阻挡层)。
还可以避免任何由于它的物类(TiO2，SnO2)甚至它的厚度而形成蚀刻终止的层。
该上层优选基于一个或多个薄层，特别地无机层。
根据本发明的上层优选基于简单或者混合氧化物，基于至少一种以下金属氧化物，任选地是掺杂的：氧化锡、氧化铟、氧化锌(任选地为亚化学计量的)、氧化钼、氧化钨或者氧化钒。
这种上层特别地可以由氧化锡(其任选地用F、Sb掺杂)制成或者由氧化锌(任选地用铝掺杂)制成，或者可以任选地基于混合氧化物，特别地铟和锡的混合氧化物(ITO)，铟和锌的混合氧化物(IZO)或者锌和锡的混合氧化物SnxZnyOz。
这种上层，特别对于ITO、IZO(通常最后层)或者基于ZnO，可以优选具有小于或等于50nm，或者40nm，甚至30nm，例如10nm或者15nm至30nm的厚度e3。
该上层可以包含基于ZnO的层，其是结晶的(AZO、SnZnO)或者无定形的(SnZnO)，其不是最后层，并例如是与下层相同的层。
通常，该银基层用具有较高的功函的附加薄层(典型地ITO层)覆盖。功函匹配层可以例如具有从4.5eV开始的，优选大于或等于5eV的功函Ws。
该上层优选包含最后层，特别地功函匹配层，其是基于简单或者混合氧化物，基于至少一种以下金属氧化物(其任选地进行掺杂)的层：氧化铟，氧化锌(任选地亚化学计量的)，氧化钼MoO3，氧化钨WO3，氧化钒V2O5，ITO，IZO或者SnxZnyOz，和该上层优选具有小于或等于50nm，甚至40nm甚至30nm的厚度。
该上层可以包含最后层，特别地功函匹配层，其基于薄金属层(比银更低导电的)，特别地基于镍、铂或者钯，例如具有小于或等于5nm，特别地1至2nm的厚度，和优选通过由简单或者混合金属氧化物制成的下邻层与金属导电层(或者上阻挡体)分离。
该上层可以包含(作为最后电介质层)具有低于5nm，甚至2.5nm，并且至少0.5nm，甚至1nm的厚度的层，其选自氮化物、氧化物、碳化物、氧氮化物或者碳氧化物，特别地Ti、Zr、Ni或者NiCr的氮化物、氧化物、碳化物、氧氮化物或者碳氧化物。
ITO优选地是超化学计量氧的以减少它的吸收(典型地至低于1%)。
根据本发明的下电极易于制备，特别地对于堆叠体的材料，通过选择可以在环境温度进行沉积的材料进行。仍然更优选地，该堆叠体的层的大部分甚至全部在真空下进行沉积(优选依次地)，优选通过阴极溅射，任选地磁控管增强的阴极溅射进行，其允许显著的生产率增高。
为了进一步地降低下电极的成本，可以优选，这种电极的包含铟(优选主要包含，即具有大于或等于50%的重量百分比的铟)的材料的总厚度小于或等于60nm，甚至低于或等于50nm、40nm，甚至低于或者等于30nm。例如可以提到ITO或者IZO作为层(一个或多个)，其厚度优选地被限制。
还可以提供一个，甚至两个非常薄的被称为“阻挡涂层”的涂层，其被直接地设置在银金属层的每侧的下方或者上方。
与银金属层下邻的下阻挡涂层(在基材的方向)，或者下阻挡体是连接涂层、成核涂层和/或保护涂层。
它用作为保护涂层或者“牺牲”涂层以避免银层的变坏，该变坏是由于来自在其上方的层的氧的侵蚀和/或迁移所引起，甚至还由于氧的迁移所引起(如果在其上方的层在氧存在时通过阴极溅射进行沉积)。
银金属层因此能直接地被沉积在至少一个下邻阻挡涂层上。
或者该银金属层还可以直接地在至少一个上邻阻挡涂层或者在上阻挡体的下方，每个涂层具有优选为0.5至5nm的厚度。
至少一个阻挡涂层(优选上阻挡体)优选包含基于至少一种以下金属的金属层、金属氮化物和/或金属氧化物层：Ti、V、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Hf、Al、Nb、Ni、Cr、Mo、Ta或者W，或者基于至少一种所述材料的合金，优选基于Ni或者Ti，基于Ni合金或者基于NiCr合金。
例如，阻挡涂层(优选上阻挡体)可以由基于铌、钽、钛、铬或者镍的层或者基于由所述金属的至少两种形成的合金(如镍-铬合金)组成。
薄阻挡层(优选上阻挡体)形成保护层，甚至“牺牲”层，其允许避免该银金属层的金属的变坏，特别地在以下构造的任一种中：
-如果在金属导电层上方的层通过使用反应性等离子体(氧、氮等等)进行沉积，例如如果在它上方的氧化物层通过阴极溅射进行沉积，
-如果在导电金属层上方的层的组成可以在工业制备期间改变(在靶消耗类型的沉积条件方面的改变，等等)，特别地如果氧化物和/或氮化物类型层的化学计量改变，因此改变银金属层的品质并因此电极的性质(薄层电阻、光透射、等等)，
-如果电极在沉积之后经受热处理。
特别优选基于金属的薄阻挡层(优选上阻挡体)，该金属选自铌Nb，钽Ta，钛Ti，铬Cr或者镍Ni，或者基于由这些金属的至少两种产生的合金，特别地基于铌和钽的合金(Nb/Ta)，铌和铬的合金(Nb/Cr)，钽和铬(Ta/Cr)的合金或者镍和铬(Ni/Cr)的合金。这种类型的基于至少一种金属的层显示出特别高的俘获效果(effect“getter”)。
薄金属阻挡层(优选上阻挡体)可以容易地进行制备而不有害地影响金属导电层。这种金属层可以优选在由稀有气体(He、Ne、Xe、Ar或Kr)组成的惰性气氛中进行沉积(即，不主动地引入氧或者氮)。不被排除也不是有害的是，在表面上，这种金属层在基于金属氧化物的层的随后沉积期间被氧化。
该薄金属阻挡层(优选上阻挡体)而且允许获得优异的机械强度(耐磨性，特别地耐刮痕性)。
然而，对于金属阻挡层(优选上阻挡体)的使用，需要限制它的厚度并因此光吸收以保持对于透明的电极来说足够的光透射。
薄阻挡层(优选上阻挡体)可以部分地氧化为MOx类型，其中M表示材料和x是低于该材料的氧化物的化学计量的数字，或者MNOx类型，对于两种(或更多种)材料M和N的氧化物来说。例如，可以提到TiOx或者NiCrOx。
x优选为该氧化物的标准化学计量的0.75倍至0.99倍。对于一氧化物，x特别地可以在0.5至0.98之间进行选择，对于二氧化物，x特别地可以在1.5至1.98之间进行选择。
在特定的替代形式中，薄阻挡层(优选上阻挡体)基于TiOx并且x可以特别地使得1.5≤x≤1.98或1.5<x<1.7，甚至1.7≤x≤1.95.
薄阻挡层(优选上阻挡体)可以是部分地氮化的。因此它不以化学计量形式而是以MNy类型的亚化学计量形式进行沉积，其中M表示该材料和y是低于该材料的氮化物的化学计量的数字。y优选为该氮化物的标准化学计量的0.75倍至0.99倍。
同样地，薄阻挡层(优选上阻挡体)还可以是部分地氧氮化的。
这种氧化和/或氮化的薄阻挡层(优选上阻挡体)可以容易地进行制备而不有害地影响功能层。它优选从陶瓷靶开始在非氧化性气氛中进行沉积，该气氛优选由希有气体(He，Ne，Xe，Ar或Kr)组成。
该薄阻挡层(优选上阻挡体)可以优选用亚化学计量的氮化物和/或氧化物制成，为了该电极的电性质和光学性质的更大的再现性。
该选择的亚化学计量的氧化物和/或氮化物的薄阻挡层(优选上阻挡体)可以是，优选基于选自至少一种以下金属的金属：Ti、V、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Hf、Al、Nb、Ni、Cr、Mo、Ta或W，或者基于这些材料至少一种的亚化学计量合金氧化物。
特别优选基于金属的氧化物或者氧氮化物的层(优选上阻挡体)，该金属选自铌Nb、钽Ta、钛Ti、铬Cr或者镍Ni，或者基于从这些金属的至少两种产生的合金，特别地基于铌和钽的合金(Nb/Ta)，铌和铬的合金(Nb/Cr)，钽和铬(Ta/Cr)的合金或者镍和铬(Ni/Cr)的合金。
作为亚化学计量的金属氮化物，还可以选择这样的层，该层由氮化硅SiNx或者氮化铝AlNx或者氮化铬CrNx或者氮化钛TiNx或者数种金属的氮化物，如NiCrNx制成。
该薄阻挡层(优选上阻挡体)可以显示出氧化梯度，例如M(N)Oxi，其中xi是可变的；通过使用特定的沉积气氛，该阻挡层的与该金属层接触的部分是比这种层的最远离该金属层的部分更少氧化的。
该电极的所有层优选通过真空沉积技术进行沉积，然而不排除的是，该堆叠体的一个或多个层可以通过另一种技术，例如通过热解类型的热分解技术进行沉积。
在第一实施方案中，该散射层是被加到(例如被沉积在)该基材上的层，该基材优选是非纹理化的，具有高指数基质(大于1.8，甚至大于或等于1.9的n3)和具有折光指数nd td的散射元件，特别地无机物类型的散射元件，在nd和n3之间的差异(绝对值形式)典型地大于0.1。
在这种实施方案中，该高指数层可以是：
- 这种散射层(例如单层，例如至少1微米，甚至5微米的散射层)的上部区域，例如具有大于0.2微米，0.5微米甚至大于1微米的厚度e0，该区域不含有散射元件(例如无散射粒子)或者至少以比下邻区域更低量，
- 和/附加层，其被沉积在散射层上，例如具有大于0.2微米，甚至大于1微米，甚至更大的厚度e0，其不含散射元件(例如不加入散射粒子)或者至少具有比散射层更低量。
这并不阻止散射层本身是具有散射元件梯度的单层，甚至具有散射元件梯度和/或不同的(种类和/或浓度)散射元件的叠层(双层等)。
呈包含散射粒子的聚合物基质形式的散射层，例如描述在EP1406474中，是可能的。
在该第一实施方案的优选实施中，该散射层是在基材上的无机层，特别地玻璃层，具有高指数无机基质(指数n3)，例如由一种或多种氧化物，特别地釉瓷制成，和折光指数nd td的散射元件，特别地无机类型的散射元件(孔隙，沉淀晶体，实心或者空心颗粒，例如氧化物或者非氧化物陶瓷)，在nd和n3之间的差异(绝对值)大于0.1。
优选地，该高指数层是无机的，例如由氧化物(一种或多种)制成，特别地玻璃层，尤其釉瓷。
该高指数层优选地具有与散射层相同的基质。当基质是相同的时候，在散射层和高指数层之间的界面不被“注意到”/不可观察到的，即使沉积相继地进行。
这种釉瓷层在本领域中是已知的并且被描述，例如，在EP2178343和WO2011/089343中或者在已经描述的现有技术的专利申请中。
虽然该散射粒子的化学种类不受特别地限制，它们优选地选自TiO2和SiO2颗粒。为了最佳提取效率，它们以104至107颗粒/mm2浓度存在。该颗粒的尺寸越大，它们的最佳浓度位于更朝向该范围的下限。
散射釉瓷层通常具有1微米至100微米，特别地2微米至30微米的厚度。分散在釉瓷中的散射粒子优选地具有0.05微米至5微米，特别地0.1微米至3微米的平均直径，通过DLS(动态光散射)进行测定。
在散射层下方，可以加入为碱金属阻挡层，其被沉积在由无机玻璃制成的基材上，或者为在塑料基材上的湿气阻挡层，该层基于氮化硅、氧碳化硅、氮氧化硅、氧碳氮化硅或者二氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氮化铝或者一氮化钛，例如具有小于或等于10nm，优选地大于或等于3nm，甚至5nm的厚度。它可以为叠层，特别地对于为湿气阻挡层。
在第二实施方案(替代的或者累加的)中，该散射层由表面纹理化形成，该纹理优选地为非周期性的，特别地无规的，对于白色光应用。使由无机或者有机玻璃形成的基材纹理化或者将纹理化层加入到(沉积在)无机或者有机玻璃上(这时形成复合基材)。该高指数层在上方。
用于提取由OLED的有机层发射的光的粗糙界面也是已知的并且描述例如在申请WO2010/112786，WO02/37568和WO2011/089343中。该基材的表面粗糙度可以通过任何已知的适当手段获得，例如通过酸蚀刻(氢氟酸)/喷砂或者研磨获得。高指数层优选地是无机的，基于氧化物(一种或多种)，特别是釉瓷。它优选地是至少1微米，甚至5微米，甚至10微米。
用于提取光的装置还可以位于该基材的外表面上，即将与朝向下电极的面相反的面上。它可以是微透镜或者微锥体网络，如描述在Japanese Journal of Applied Physics，Vol.46，No.7A，第4125-4137页(2007)的文章中，或轧光处理，例如通过使用氢氟酸的粗糙化的轧光处理。
该基材可以是平面或者弯曲的，而且是刚性的、柔性的或者半柔性的。
它的主面可以是长方形、正方形甚至任何其它形状(圆形、椭圆形、多边形等等)。这种基材可以是大尺寸的，例如具有大于0.02m2、甚至0.5m2或者1m2的表面积，并且具有基本上占据表面(除了结构化区域和/或边缘带以外)的下电极(任选地分成数个称为“电极表面”的区域)。
该基材是基本透明的。可以具有大于或等于70%，优选地大于或等于80%，甚至大于或等于90%的光透射TL。
该基材可以是无机的或者由塑料制成，如聚碳酸酯PC或者聚甲基丙烯酸甲酯PMMA或者聚萘二甲酸亚乙酯PEN，聚酯，聚酰亚胺，聚酯砜PES，PET，聚四氟乙烯PTFE，热塑性材料片材，例如聚乙烯醇缩丁醛PVB，聚氨酯PU，由乙烯-醋酸乙烯酯EVA制成或者由多或者单组分树脂制成，该树脂可以是热交联的(环氧树脂，PU)或者其可以是使用紫外辐射交联的(环氧、丙烯酸树脂)，等等。
该基材优选地可以是玻璃制品，由无机玻璃制成，由硅玻璃制成，特别地由钠-钙或者钠-钙-硅玻璃制成，明亮玻璃，极明亮玻璃或者浮法玻璃。它可以是高指数玻璃(特别地具有大于1.6的指数)。
该基材可以有利地是在OLED的辐射波长具有低于2.5m-1，优选地的低于0.7m-1的吸收系数的玻璃。
例如，选择具有低于0.05%的铁(III)或者Fe2O3的钠-钙-硅玻璃，特别地来自Saint-Gobain Glass的Diamant玻璃，来自Pilkington的Optiwhite玻璃或者来自Schott的B270玻璃。可以选择所有的在文件WO04/025334中描述的极明亮玻璃组合物。
由于OLED系统穿过该透明基材的厚度的发射，发出的辐射的一部分在基材中被引导。因此，在本发明的有利设计中，选择的玻璃基材的厚度可以例如是至少1mm，优选地至少5mm。这允许降低内部反射的数目并因此提取更多在玻璃中引导的辐射，因此增强光区域的亮度。
OLED装置可以是背面发射并且任选地也可以是正面发射，取决于该上电极是否是反射性或者半反射性，甚至透明的(特别地具有可与阳极相当的TL，典型地从60%开始，优选地大于或等于80%)。
为了产生基本上白色的光，数种方法是可行的：化合物(红色，绿色，蓝色发射)在单一层中混合，在该电极的面上堆叠三种有机结构(红色、绿色、蓝色发射)或者两种有机结构(黄色和蓝色)。
该OLED装置可以进行调节以产生，在出口，(基本上)白色光，尽可能靠近(0.33，0.33)坐标或者(0.45，0.41)坐标，特别地在0°时。
白色光可以在CIE XYZ色度图中通过在取名为“Specifications for the chromaticity of solid state lighting products”手册，第11-12页中的ANSI C78.377-2008标准进行定义。
为了描述由OLED发射的颜色，使用由Commission Internationale sur Eclairage(CIE)在1931年建立的CIE 1931 XYZ色度表示法。观察OLED的每个角度 对应于坐标对。将长方形的对角线定义为定量该色度变化的量值，在该长方形中记录了所有点的曲线，对于在0°和90°之间变化的。
以数学术语形式，这种量值VarC通过以下式进行表示：。对于令人满意的色度变化，需要VarC<0.03。
根据使用的有机材料，该OLED通常分成两个主要种类。
如果电致发光层是小分子，提到SM-OLED (英文为“Small Molecule Organic Light Emitting Diodes”)。
通常，SM-OLED的结构由空穴注入层(或“HIL”)、孔穴传输层(或“HTL”)、发射层和电子传输层(或“ETL”)的叠层组成。
有机电致发光堆叠体的实例例如描述在C.H. Jeong等在Organics Electronics，8(2007)，第683-689页发表的取名为“Four wavelength white organic light emitting diodes using 4，4’-bis[carbazoyl-(9)] stilbene as a deep blue emissive layer”的文件中。
如果该有机电致发光层是聚合物，提到PLED(聚合物发光二极管)。
OLED的一种或多种有机层通常具有从1.8开始，实际上甚至超过(1.9甚至更大)的指数。
本发明的最后主题是包括如上面所定义的散射导电载体和在下电极上面的并且发射多色辐射，优选地白色光的OLED系统的OLED装置。
优选地，该OLED装置可以包含OLED系统，其是或多或少厚的，例如为50nm至350nm或者300nm，特别90nm至130nm，甚至100nm至120nm。
存在包含如在US7274141中描述的高度掺杂的“HTL”层(孔穴传输层)的OLED装置。
存在具有100至500nm，典型地350nm厚度的OLEDS系统，或者更厚的OLED系统，例如具有800nm的厚度，如描述在与Lighting Korea 2009会议有关的Philip Wellmann的取名“Novaled PIN OLED® Technology for High Performance OLED Lighting”的论文中。
而且，本发明的主题是用于制备根据本发明的散射导电载体和根据本发明的OLED的方法。
当然，该方法包含沉积该散射层，优选地无机散射层，特别地以形成釉瓷(熔化玻璃料)，和沉积该高指数层(优选地与该散射层区分)，优选地无机高指数层，特别地用于形成釉瓷(熔化玻璃料)，例如使用丝网印刷进行沉积。
该方法当然也包括沉积构成下电极的连续层。这些层的大部分，甚至全部的沉积优选通过磁控管阴极溅射进行实施。
根据本发明的方法，而且，优选地包括在优选地5分钟至120分钟，特别地15分钟至90分钟的时间段期间，在高于180℃，优选地高于200℃，特别地230℃至450℃，理想地300℃至350℃的温度下加热该下电极的步骤。
在这种加热(退火)步骤期间，本发明的电极得到显著的电性质和光学性质的改善。
本发明现在将借助于非限制性实施例和附图进行更详细地描述。
- 对于低于6nm并且大于或等于2nm的e2，附图1在左边表示定义三个光效率区域的曲线图e1(n1)和在右方表示定义色度稳定性区域的曲线图e1(n1)，
- 对于大于或等于6nm并且低于7nm的e2，附图2在左边表示定义三个光效率区域的曲线图e1(n1)和在右方表示定义色度稳定性区域的曲线图e1(n1)，
- 对于大于或等于7nm并且低于8nm的e2，附图3在左边表示定义两个光效率区域的曲线图e1(n1)和在右方表示定义色度稳定性区域的曲线图e1(n1)，
- 对于低于8.5nm并且大于或等于8nm的e2，附图4在左边表示定义两个光效率区域的曲线图e1(n1)和在右方表示定义色度稳定性区域的曲线图e1(n1)，
- 附图5显示用于评估色度稳定性的方法。
实施例
OLED装置包括无机玻璃(在λ=550nm的折光指数n2=1.5)或塑料，在同一个主面上以如下这种顺序具有：
- 具有15微米的厚度的由高指数釉瓷(在λ=550nm，n3=1.95)制成的散射层，例如由富含铋的基质组成，并且包含TiO2颗粒(平均直径400nm)或者，SiO2颗粒(平均直径300nm)；粒子密度对于TiO2为约5×108颗粒/mm3和对于SiO2，粒子密度为2×106颗粒/mm3，
- 具有微米厚度的高指数层(在λ=550nm，n0=1.95)，例如由相同的富含铋的基质组成，不加入散射粒子，其被沉积在散射层上。
下电极例如通过阴极溅射沉积在这种高指数层上，该下电极形成透明阳极，其包含：
-电介质下层，具有折光指数n1和具有大于或等于0nm的厚度e1，
-(优选地)电介质结晶层，称为接触层，具有至少3nm并且低于20nm，甚至优选地低于15nm的厚度，
-具有导电功能的单一金属层，其基于银，具有低于8.5nm的给定厚度e2，该层被沉积在接触层上，
-(优选地)上阻挡体，优选Ti，甚至NiCr，
-上层。
有机层(HTL/EBL(电子阻挡层)/EL/HBL(空穴阻挡层)/ETL)通过真空蒸发进行沉积以便制备发射白色光的OLED。最后，由银和/或铝制成的金属阴极通过真空蒸发被直接地沉积在有机层的堆叠体上。
-更优选地，结晶层用3至10nm，甚至3至6nm的AZO制成，上阻挡体是具有低于3nm厚度的氧化钛层，和上层是具有低于50nm，甚至小于或等于35nm，甚至20nm的厚度的ITO。
在没有结晶接触层并且使用具有无定形最后层的下层的情况下，可以优选的是加入0.5至3nm的下阻挡体，如Ti，甚至NiCr。
作为替代的或者累加的上层，可以提到：
- IZO(优选地作为最后层，因此代替ITO)，具有低于50nm，甚至小于或等于35nm的厚度，
- 无定形SnZnO或者基于氧化锌的结晶层，例如在ITO下方或者代替ITO，具有低于50nm，甚至小于或等于35nm的厚度，
- MoO3、WO3、V2O5(优选地作为最后层，因此代替ITO)，
- ZnxSnyOz其中x+y≥3和z≤6，例如在上面有1至2nm厚的TiN。
替换地或者累加地，选择纹理化玻璃，例如其粗糙度例如使用氢氟酸获得的玻璃。高指数层使该纹理化玻璃平滑化。
对于低于6nm并且优选地大于或等于2nm的e2，附图1在左边表示定义光效率区域的第一曲线图e1(n1)和在右方表示定义色度稳定性区域的第二曲线图e1(n1)，
“光效率”区域包含：
- 第一区域，在两条依次连接以下三个点的第一直线段的下方：A1(1.5，23)，B1(1.75，38)和C1(1.85，70)，或者优选地A2(1.5，17)，B2(1.8，27)和C2(1.9，70)，或者更优选地A3(1.5，17)，B3(1.8，27)和C3(1.9，70)，
- 第二区域，在三条依次连接以下四个点的其它直线段的下方：D1(2.35，70)，E1(2.5，52)，F1(2.7，40)和G1(3，29)，或者优选地D2(2.25，70)，E2(2.4，45)，F2(2.6，33)和G2(3，24)，或者更优选地D3(2.15，70)，E3(2.3，38)，F3(2.5，25)和G3(3，17)，
- 和“中间”区域，对应于连接C1和D1，或者连接C2和D2，更好地连接C3和P3的直线段。
实际上存在三个效率区域EFF1、EFF2，和更好地EFF3。
第一光效率区域EFF1通过以下直线段进行界定(从这些点中两个开始的其它线段没有一个是可接受的，例如排除A1G1)：A1B1，B1C1，C1D1，D1E1，E1F1和F1G1，包括由这些线段穿过的点。
第二光效率区域EFF2通过以下直线段进行界定(从这些点中的两个开始的其它线段没有一个是可接受的，例如排除A2G2)：A2B2，B2C2，C2D2，D2E2，E2F2和F2G2，包括由这些线段穿过的点。
第三光效率区域EFF3通过以下直线段进行界定(从这些点中的两个开始的其它线段没有一个是可接受的，例如排除A3G3)：A3B3，B3C3，C3D3，D3E3，E3F3和F3G3，包括由这些线段穿过的点。
用于评估光学性能的相关标准是积累提取并且不在法线上。为此，首先通过以下式定义，在OLED的基材(在这里是玻璃)中的光效率：
其中 是每单位的立体角dΩ和的在OLED的基材(在这里是玻璃)中存在的单位波长的光强度。角度θ和φ是径向角(在发射点和该OLED的基材的法线之间的角度)和方位角(在该OLED的基材的平面中的角度)。
最后，将提取效率定义为在与由电致发光的发射体发射的光的总量的比率。
在点A1至G1上方和下方(包括线段A1B1…F1G1的效率区域EFF1)，提取效率高于72%，与如在现有技术WO2012007575A1中描述的12.5nm银层和65nmTiO2下层的65%进行对比。
在点A2至G2上方和下方(包括线段A2B2…F2G2的效率区域EFF2)，提取效率高于74%。
在点A3至G3的上方和下方(包括线段A3B3...F3G3的效率区域EFF3)，光效率高于76%。
在第二曲线图中显示的”色度稳定性”区域通过七个由连续直线段连接的点进行界定；该七个点是H1(3，5)，I1(2.5，9)，J1(2.15，17)，K1(2，50)，L1(2.25，50)，M1(2.6，32)和N1(3，22)。
为了描述由OLED发射的颜色，使用由Commission Internationale sur Eclairage(CIE)在1931年中建立的CIE 1931 XYZ色度表示法。观察OLED的每个角度对应于坐标对。将长方形的对角线定义为定量该色度变化的量值，在该长方形中记录了所有点的曲线，其中在0°至90°之间变化)。附图5显示了在所述长方形中的这种对角线。
以数学术语，这种量值VarC通过以下式子进行表示：。
在色度稳定性区域中，VarC低于0.03，与如在现有技术WO2012007575A1中描述的12.5nm银层和65nmTiO2下层的约0.16的完全不可接受的值形成对比。
下电极(经由e1和n1)这时通过它的在光效率区域EFF1，甚至EFF2或者EFF3，和色度稳定性区域之间的交叉进行定义。
作为光提取的优选实施例，作为下层(其参与EFF1、EFF2或者EFF3中)，选择：
- 具有大约n1=1.5指数的SiO2，具有从2至32nm，甚至至24nm或者至14nm的e1，
- 具有大约2.0指数的SnO2或者SiNx或者SnZnO(无定形的或者结晶的)，例如具有2至30nm的e1，
- 具有大约2.0指数的SnO2或者SiNx/具有大约2.0指数的无定形SnZnO，例如具有2至30nm的e1，特别是低于10nm的SnZnO，
- 具有大约n1=2.2指数的ZrO2，例如具有2至50nm，甚至2至15nm的e1，或者(Ti)ZrOx(具有根据它的折光指数进行调节的厚度e1)，
- 具有大约n1=2.5指数的TiO2，例如2至50nm，甚至2至25nm，
- 具有2.5指数的TiO2，例如2至50nm，甚至2至25nm/优选无定形的，优选地低于10nm的SnZnO，
还可以不将下层放置在AZO结晶层下方。
如果下层(至少通过它的最后层)是晶体(特别地由AZO或者SnZnO等等制成)，具有高于15nm，甚至高于20nm的厚度，可以合意的是它包括接触层。
作为对于光提取和色度稳定性优选的实施例，作为下层选择：
- 具有大约n1=2.0指数的SnZnO(或SiNx或SiNx/SnZnO)，大约为40至50nm，作为它的折光指数的函数，
- 15至50nm，甚至40nm的具有n1=2.2的ZrO2，或者TiZrOx，
- 10至35nm，甚至30nm的具有指数n1=2.5的TiO2。
当然，如果ZrO2或者TiO2层(或者其它一个高指数层)在上面有具有更低指数的层，例如SnZnO(其优选地是无定形的并且优选地低于10nm)，可以提高它的厚度。
对于大于或等于6nm并且低于7nm的e2，附图2表示，在左边，定义光效率区域的第一曲线图e1(n1)，和在右方，定义色度稳定性区域的第二曲线图e1(n1)。
“光效率”区域包含：
- 第一区域通过A1(1.5，32)，B1(1.65，45)和C1(1.7，70)；或A2(1.5，24)，B2(1.7，41)和C2(1.8，70)；或者更好地A3(1.5，10)，B3(1.8，28)和C3(1.9，70)进行定义，
- 第二区域通过D1(2.3，70)，E1(2.5，46)，F1(2.7，36)和G1(3，29)；或者优选地D2(2.2，70)，E2(2.4，37)，F2(2.7，26)和G2(3，21)；或者更好地D3(2.05，70)，E3(2.25，27)，F3(2.6，16)和G3(3，13)进行定义，
- 对应于连接C1和D1或者连接C2和D2或者连接C3和D3的直线段的“中间”区域。
在点A1至G1上方和下方，光效率高于72%。在点A2至G2的下方，光效率高于74%，和在点A3至G3下方，光效率高于76%。
在第二曲线图中显示的”色度稳定性”区域通过七个由连续直线段连接的点进行界定；该七个点是H2(3，6)，I2(2.5，10)，J2(2.15，21)，K2(2.05，50)，L2(2.2，50)，M2(2.55，31)和N2(3，21)。
下电极(经由e1和n1)这时通过它的在光效率区域和色度稳定性区域之间的交叉进行定义。在色度稳定性区域中，VarC低于0.03。
作为对于光提取优选的实施例，作为下层(其参与EFF1、EFF2或者EFF3中)，选择：
- SiO2，具有例如从2至32nm，甚至至24nm，甚至至10nm的e1，
- 具有大约2.0的指数的SnO2或者SiNx或者SnZnO(无定形的或者结晶的)，例如具有例如2至30nm的e1，
- SiNx或者SnZnO下层，例如2至30nm，
- 具有大约n1=2.2指数的ZrO2，例如具有2至50nm，甚至2至25nm的e1，或者(Ti)ZrOx(具有作为它的折光指数的函数进行调节的厚度e1)，
- 具有大约n1=2.5指数的TiO2，例如2至45nm，甚至2至15nm，
- 具有2.5的指数的TiO2，甚至2至45nm，甚至2至15nm/优选地无定形的SnZnO，并优选地低于10nm。
还可以不将下层置在AZO结晶层下方。
如果下层(至少通过它的最后层)是晶体(特别地由AZO或者SnZnO等等制成)，具有高于15nm，甚至高于20nm的厚度，可以合意的是，它包括接触层。
作为对于光提取和色度稳定性优选的实施例，作为下层选择：
- 具有n1=2.2指数的ZrO2，20至50nm，作为它的折光指数的函数，或者TiZrOx
- 12至30nm的具有指数n1=2.5的TiO2。
当然，如果ZrO2或者TiO2层(或者其它一个高指数层)在上面有具有更低指数的层，例如SnZnO(其优选地是无定形的并且优选地低于10nm)，可以提高它的厚度。
对于大于或等于7nm并且低于8nm的e2，附图3表示，在左边，定义光效率区域的第一曲线图e1(n1)，和在右方，定义色度稳定性区域的曲线图e1(n1)。
“光效率”区域包含：
- 第一区域通过A1(1.5，29)，B1(1.65，41)和C1(1.8，70)，或者更好地A2(1.5，19)，B2(1.8，40)和C2(1.85，70)进行定义，
- 第二区域通过D1(2.25，70)，E1(2.45，42)，F1(2.7，32)和G1(3，26)，或者优选地D2(2.1，70)，E2(2.35，30)，F2(2.7，19)和G2(3，17)进行定义，
- 和“中间”区域，包括连接C1和D1或者连接C2和D2的直线段并且在它们的下方。
在点A1至G1上方和下方，光效率高于72%。在点A2至G2上方和下方，光效率高于74%。
在第二曲线图中显示的“色度稳定性”区域通过七个由连续直线段连接的点进行界定，该七个点是H3(3，7)，I3(2.5，12)，J3(2.25，20)，K3(2.15，35)，L3(2.3，35)，M3(2.7，25)和N3(3，21)。在色度稳定性区域中，VarC低于0.03。
下电极(经由e1和n1)这时通过在光效率区域A1至G1，甚至A2至G2，和色度稳定性区域之间的交叉进行定义。
作为对于光提取优选的实施例，作为下层(其参与EFF1、EFF2中)，选择：
- 具有大约n1=1.5指数的SiO2，具有2至29nm，甚至至19nm的e1，
- 具有大约2.0的指数的SnO2或者SiNx或者SnZnO(无定形的或者结晶的)，例如具有2至30nm的e1，
- 具有大约2.0的指数的SnO2或者SiNx/具有大约2.0的指数的无定形SnZnO，例如具有2至30nm的e1，特别地低于10nm的SnZnO，
- 具有大约n1=2.2指数的ZrO2，例如具有2至50nm，甚至2至30nm的e1，或者(Ti)ZrOx(具有作为它的折光指数的函数进行调节的厚度e1)，
- 具有大约n1=2.5指数的TiO2，例如2至40nm，甚至2至20nm，
- 具有2.5的指数的TiO2，例如2至40nm，甚至2至20nm/优选地无定形的SnZnO，优选地低于10nm，
还可以不将下层放置在AZO结晶层下方。
如果下层(至少通过它的最后层)是晶体(特别地由AZO或者SnZnO等等制成)，具有高于15nm，甚至高于20nm的厚度，可以合意的是它包括接触层。
作为对于光提取和色度稳定性优选的实施例，对于该下电极，选择：
-20至35nm的具有n1=2.2指数的ZrO2，或者TiZrOx，
-12至25nm的具有n1=2.5指数的TiO2。
当然，如果ZrO2或者TiO2层(或者其它一个高指数层)在上面有具有更低指数的层，例如SnZnO(其优选地是无定形的并且优选地低于10nm)，可以提高它的厚度。
对于低于8.5nm并且大于或等于8nm的e2，附图4表示，在左边，定义光效率区域的曲线图e1(n1)，和在右方，定义色度稳定性区域的曲线图e1(n1)。
“光效率”区域包含：
- 第一区域，在两条依次连接以下三个点的第一直线段的下方：A1(1.5，23)，B1(1.75，38)和C1(1.85，70)，或者优选地A2(1.5，17)，B2(1.8，27)和C2(1.9，70)，
- 第二区域，在三个其它依次连接以下四个点的直线段的下方：D1(2.15，70)，E1(2.3，39)，F1(2.6，27)和G1(3，22)，或者优选地D2(2.05，70)，E2(2.2，15)，F2(2.5，10)和G2(3，9)，
- 和“中间”区域，包括连接C1和D1或者连接C2和D2的直线段并且在它们的下方。
在点A1至G1上方和下方，光效率高于72%。在点A2至G2上方和下方，光效率高于74%。
在第二曲线图中显示的”色度稳定性”区域通过七个由连续直线段连接的点进行界定；该七个点是H4(3，8)，I4(2.7，11)，J4(2.5，19)，K4(2.4，25)，L4(2.4，25)，M4(2.7，22)和N4(3，20)。
下电极(经由e1和n1)这时通过在光效率区域A1至G1，甚至A2至G2，和色度稳定性区域之间的交叉进行定义。在色度稳定性区域中，VarC低于0.03。
作为对于光提取和色度稳定性优选的实施例，作为下层，选择：
- 具有大约n1=1.5指数的SiO2，具有2至23nm，甚至至17nm的e1，
- 具有大约2.0的指数的SnO2或者SiNx或者SnZnO(无定形的或者结晶的)，例如具有2至30nm的e1，
- 具有大约2.0的指数的SnO2或者SiNx/具有大约2.0的指数的无定形SnZnO，例如具有2至30nm的e1，特别地低于10nm的SnZnO，
- 具有大约n1=2.2指数的ZrO2，例如具有2至25nm，甚至2至15nm的e1，或者(Ti)ZrOx(具有作为它的折光指数的函数进行调节的厚度e1)，
- 具有大约n1=2.5指数的TiO2，例如2至25nm，甚至2至10nm，
- 具有2.5的指数的TiO2，例如2至25nm，甚至2至10nm/优选地无定形的SnZnO，优选地低于10nm。
还可以不将下层放置在AZO结晶层下方。
如果下层(至少通过它的最后层)是晶体(特别地由AZO或者SnZnO等等制成)，具有高于15nm，甚至高于20nm的厚度，可以合意的是它包括接触层。
作为对于光提取和色度稳定性优选的实施例，作为下层，选择：
-具有n1=2.5指数与e1=20至25nm的TiO2。
当然，如果TiO2层(或者另一个高指数层)在上面有具有更低指数的层，例如SnZnO(其优选地是无定形的并且优选地低于10nm)，可以提高它的厚度。
当然，在前述实施例中，上述材料的折光指数值可以改变(沉积条件，掺杂，等等)。指数以指示方式给出。
Si3N4用铝掺杂，正如氧化锌。SnZnO是无定形的并且用Sb掺杂。
用于所述层中每个的沉积条件为如下：
• 基于Si3N4:Al的层通过借助于用铝掺杂的硅靶在0.25Pa压力下在氩/氮气氛中的反应溅射进行沉积，
• 基于SnZnOx:Sbx的层借助于用铝掺杂的锌和锡靶在0.2Pa的压力下和在氩/氧气氛中通过反应溅射进行沉积，按重量计该靶包含例如65%的Sn，34%的Zn和1%的Sb，或者按重量计包含50%的Sn，49%的Zn和1%的Sb，
• ZnO:Al层通过借助于用铝掺杂的锌靶在0.2Pa的压力下并且在氩/氧气氛中或者使用陶瓷靶的反应溅射进行沉积，
• 该银层使用银靶，在0.8Pa的压力下在纯氩气氛中进行沉积，
• 该Ti层使用钛靶，在0.8Pa的压力下在纯氩气氛中进行沉积，
• ITO上层使用包含90%重量的氧化铟和10%重量的氧化锡的陶瓷靶在氩/氧气氛中在0.2Pa压力下并且在氩/氧气氛中进行沉积，ITO优选地是超化学计量的。
• 该TiO2下层通过在Ar/O2反应性气氛下从Ti靶开始的溅射进行沉积，
• 1.5nm的TiN层通过在Ar/N2反应性气氛下从Ti靶开始的溅射进行沉积，
• 结晶层SnxZnyOz其中x+y≥3和z≤6(相对于所有存在的金属的重量%，优选地95%重量的锌)在Ar/O2反应性气氛下从SnZn合金靶开始，通过溅射进行沉积。
Ti上阻挡层，在其上面沉积金属氧化物之后，可以部分地被氧化。作为变型，下电极可以包含下邻阻挡涂层，其特别地包含，如同上邻阻挡涂层，金属层(优选地通过金属靶使用中性等离子体获得)，或者由一种或多种金属(如Ti、Ni或者Cr)的氮化物和/或氧化物制成的层，优选地通过陶瓷靶使用中性等离子体获得。
在沉积有机电致发光堆叠体之前，例如紧接在沉积该下电极之后，该散射导电载体有利地在230℃，甚至在300℃进行退火，以进一步地改善电性质和光学性质。该退火的持续时间典型地至少10min，例如低于1h30。
作为厚度的函数的薄层电阻Rsq示于下面表1中：
Ag(nm) Rsq(Ω/sq)
5 9.6
6 7.2
7 6.2
8 5.3
表1。
虽然这些Rsq值高于现有技术WO2012/007575的Rsq值，而仍然是与传统的ITO电极的Rsq值可相比较，甚至更低，因此好于传统的ITO电极的Rsq值。

Claims (19)

1.用于称为“OLED”的有机电致发光二极管装置的散射导电载体，其以下面的顺序包含：
- 透明基材，
- 散射层，其为在基材上的层和/或由该基材的散射表面形成，
- 高指数层，具有大于或等于1.8的折光指数n0，
- 第一透明电极，称为“下电极”，其以如下顺序包含以下层的堆叠体：
　　- 电介质下层，具有折光指数n1和大于或等于0nm的厚度e1；
　　- 优选地电介质结晶层，称为“接触层”，
　　- 具有导电功能的单一金属层，其基于银，具有低于8.5nm的给定厚度e2，
　　- 上层，
其中该下电极另外具有在曲线图e1(n1)中表达的厚度(e1)乘折光指数(n1)的乘积因子，其定义“光效率”区域(EFF1至EFF3)，该区域包含以下：
- 第一区域，其包括两条依次连接以下三个点：A1(1.5;23)，B1(1.75;38)和C1(1.85;70)，或者优选地以下三个点：A2(1.5;17)，B2(1.8;27)和C2(1.9;70)的第一直线段并且在所述直线段的下方；
- 第二区域，其包括三条依次连接以下四个点：D1(2.15;70)，E1(2.3;39)，F1(2.6;27)和G1(3;22)，或优选地以下四个点：D2(2.05;70)，E2(2.2;15)，F2(2.5;10)和G2(3;9)的其它直线段并且在所述直线段的下方，
- 和“中间”区域，包括连接C1和D1或者优选地连接C2和D2的直线段并且在所述直线段的下方。
2.根据权利要求1的散射导电载体，特征在于对于大于或等于7nm并且小于8nm的e2，这时：
- 第一区域由A1(1.5;29)，B1(1.65;41)和C1(1.8;70)，或优选地由A2(1.5;19)，B2(1.8;40)和C2(1.85;70)定义，
- 第二区域由D1(2.25;70)，E1(2.45;42)，F1(2.7;32)和G1(3;26)，或优选地由D2(2.1;70)，E2(2.35;30)，F2(2.7;19)和G2(3;17)定义。
3.根据权利要求1的散射导电载体，特征在于对于大于或等于6nm并且小于7nm的e2，这时：
- 第一区域由A1(1.5;32)，B1(1.65;45)和C1(1.7;70)，或优选地由A2(1.5;24)，B2(1.7;41)和C2(1.8;70)，或甚至由A3(1.5;10)，B3(1.8;28)和C3(1.9;70)定义，
- 第二区域由D1(2.3;70)，E1(2.5;46)，F1(2.7;36)和G1(3;29)，或优选地由D2(2.2;70)，E2(2.4;37)，F2(2.7;26)和G2(3;21)，或甚至由D3(2.05;70)，E3(2.25;27)，F3(2.6;16)和G3(3;13)定义。
4.根据权利要求1的散射导电载体，特征在于对于低于6nm的e2，这时：
- 第一区域由A1(1.5;32)，B1(1.65;50)和C1(1.7;70)，或者优选地由A2(1.5;24)，B2(1.75;50)和C2(1.8;70)，或甚至由A3(1.5;14)，B3(1.75;30)和C3(1.85;70)定义，
- 第二区域由D1(2.35;70)，E1(2.5;52)，F1(2.7;40)和G1(3;29)或优选地由D2(2.25;70)，E2(2.4;45)，F2(2.6;33)和G2(3;24)，或甚至由D3(2.15;70)，E3(2.3;38)，F3(2.5;25)和G3(3;17)定义。
5.根据前述权利要求任一项的散射导电载体，特征在于在曲线图e1(n1)中，下电极另外具有厚度(e1)与折光指数(n1)的第二乘积因子，其定义通过七个由连续的直线段连接的点界定的”色度稳定性”区域，并特征在于：
- 对于8至8.5nm的e2，排除8.5nm，这时七个点是：H4(3;8)，I4(2.7;11)，J4(2.5;19)，K4(2.4;25)，L4(2.4;25)，M4(2.7;22)和N4(3;20)，
- 对于7至8nm的e2，排除8nm，这时七个点是：H3(3;7)，I3(2.5;12)，J3(2.25;20)，K3(2.15;35)，L3(2.3;35)，M3(2.7;25)和N3(3;21)，
- 对于6至7nm的e2，排除7nm，这时七个点是：H2(3;6)，I2(2.5;10)，J2(2.15;21)，K2(2.05;50)，L2(2.2;50)，M2(2.55;31)和N2(3;21)，
- 对于小于6nm的e2，这时七个点是：H1(3;5)，I1(2.5;9)，J1(2.15;17)，K1(2;50)，L1(2.25;50)，M1(2.6;32)和N1(3;22)，
和下电极(经由e1和n1)这时通过它的在光效率区域和色度稳定性区域之间的交叉进行定义。
6.根据前述权利要求任一项的散射导电载体，特征在于e1是非零的，n1大于或等于2.2。
7.根据前述权利要求任一项的散射导电载体，特征在于e1是非零的，并且下层包含基于氧化钛的层，特别地具有10-30nm厚度，基于氧化锆的层、基于钛和锆的混合氧化物的层。
8.根据前述权利要求任一项的散射导电载体，特征在于该下层包含基于锌和锡的混合氧化物的层，其尤其是无定形的，和/或氮化硅层。
9.根据前述权利要求任一项的散射导电载体，特征在于该下层包含以下，甚至由以下组成：
-氧化钛，氧化锆，或者钛和锆的混合氧化物，
-氮化硅/氧化钛，氧化锆，钛和锆的混合氧化物，
-氧化钛，氧化锆，钛和锆的混合氧化物/基于锌和锡的无定形混合氧化物，
-氮化硅或者氧化锡/基于锌和锡的无定形混合氧化物，
该下层优选在上面有基于ZnO的结晶层。
10.根据前述权利要求任一项的散射导电载体，特征在于在单一银层下方，没有层包含铟，优选地在下电极中包含铟的材料的总厚度小于或等于60nm，甚至低于或等于50nm。
11.根据前述权利要求任一项的散射导电载体，特征在于该接触层基于任选掺杂的氧化锌，特别地用铝掺杂的氧化锌层或者锌和锡的混合氧化物层，该接触层优选地具有低于或等于10nm，甚至低于或等于8nm的厚度。
12.根据前述权利要求任一项的散射导电载体，特征在于当电极包含任选掺杂的选自ITO、IZO、简单氧化物ZnO的氧化物层时，这时氧化物层具有低于100nm，甚至小于或等于50nm，甚至小于或等于30nm的厚度。
13.根据前述权利要求任一项的散射导电载体，特征在于该金属层直接地在至少一个上邻的第一上阻挡涂层的下方，该上阻挡涂层包含金属、金属氮化物层和/或氧化物层，其基于至少一种以下金属：Ti、V、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Hf、Al、Nb、Ni、Cr、Mo、Ta或W，或者基于所述材料至少一种的合金，优选基于Ti或TiOx。
14.根据前述权利要求任一项的散射导电载体，特征在于该上层包含，优选作为最后层，基于任选地掺杂的至少一种以下金属氧化物的层：氧化铟，任选地亚化学计量的氧化锌，氧化钼MoO3、氧化钨WO3、氧化钒V2O5、ITO、IZO、SnxZnyOz，和/或特征在于该上层包含最后层，其基于薄金属层，特别地基于镍、铂或者钯。
15.根据前述权利要求任一项的散射导电载体，特征在于该上层包含，作为最后电介质层，具有低于5nm，甚至2.5nm，并至少0.5nm，甚至1nm的厚度、选自氮化物、氧化物、碳化物、氧氮化物或者碳氧化物，特别地Ti、Zr或者NiCr的氮化物、氧化物、碳化物、氧氮化物或者碳氧化物的层。
16.根据前述权利要求任一项的散射导电载体，特征在于该散射层是在基材上的层，具有高指数基质，优选无机基质，尤其是釉瓷，具有大于或等于1.8的折光指数n3，和散射元件，和该高指数层优选是无机的，尤其该散射层是釉瓷和该高指数层是釉瓷。
17.根据前述权利要求任一项的散射导电载体，特征在于该散射层是该基材的非周期性的纹理化表面。
18.包括根据前述权利要求任一项的载体和OLED系统的OLED装置，该OLED系统在下电极的上方并且发射多色辐射。
19.用于制备根据权利要求1-17任一项的散射导电载体或根据前一权利要求的OLED装置的方法，特征在于它包括在优选地5分钟至120分钟，特别地15分钟至90分钟的时间段期间，在高于180℃，优选地230℃至450℃，特别地300℃至350℃的温度下加热该下电极的步骤。
CN201380052567.7A 2012-08-08 2013-07-18 用于oled装置的散射导电载体和包括它的oled装置 Pending CN104685658A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1257712 2012-08-08
FR1257712A FR2994508A1 (fr) 2012-08-08 2012-08-08 Support conducteur diffusant pour dispositif oled, ainsi que dispositif oled l'incorporant
PCT/FR2013/051737 WO2014023885A1 (fr) 2012-08-08 2013-07-18 Support conducteur diffusant pour dispositif oled, ainsi que dispositif oled l'incorporant

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104685658A true CN104685658A (zh) 2015-06-03

Family

ID=46826855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380052567.7A Pending CN104685658A (zh) 2012-08-08 2013-07-18 用于oled装置的散射导电载体和包括它的oled装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20150211722A1 (zh)
EP (1) EP2883257A1 (zh)
JP (1) JP2015528627A (zh)
KR (1) KR20150041031A (zh)
CN (1) CN104685658A (zh)
FR (1) FR2994508A1 (zh)
WO (1) WO2014023885A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107403724A (zh) * 2016-05-20 2017-11-28 稳懋半导体股份有限公司 化合物半导体集成电路的抗湿气结构
CN112086574A (zh) * 2019-06-13 2020-12-15 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 阳极结构及其制备方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2994509A1 (fr) * 2012-08-08 2014-02-14 Saint Gobain Support conducteur diffusant pour dispositif oled, ainsi que dispositif oled l'incorporant
KR101615525B1 (ko) * 2013-05-08 2016-04-26 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060250084A1 (en) * 2005-05-04 2006-11-09 Eastman Kodak Company OLED device with improved light output
US20070257608A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Eastman Kodak Company Electroluminescent device having improved light output
US20090015757A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 3M Innovative Properties Company Light extraction film for organic light emitting diode lighting devices
CN101548582A (zh) * 2006-11-17 2009-09-30 法国圣-戈班玻璃公司 用于有机发光装置的电极、其酸蚀刻以及包括它的有机发光装置
WO2012007575A1 (en) * 2010-07-16 2012-01-19 Agc Glass Europe Transluscent conductive substrate for organic light emitting devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060250084A1 (en) * 2005-05-04 2006-11-09 Eastman Kodak Company OLED device with improved light output
US20070257608A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Eastman Kodak Company Electroluminescent device having improved light output
CN101548582A (zh) * 2006-11-17 2009-09-30 法国圣-戈班玻璃公司 用于有机发光装置的电极、其酸蚀刻以及包括它的有机发光装置
US20090015757A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 3M Innovative Properties Company Light extraction film for organic light emitting diode lighting devices
WO2012007575A1 (en) * 2010-07-16 2012-01-19 Agc Glass Europe Transluscent conductive substrate for organic light emitting devices

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107403724A (zh) * 2016-05-20 2017-11-28 稳懋半导体股份有限公司 化合物半导体集成电路的抗湿气结构
CN112086574A (zh) * 2019-06-13 2020-12-15 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 阳极结构及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015528627A (ja) 2015-09-28
FR2994508A1 (fr) 2014-02-14
EP2883257A1 (fr) 2015-06-17
WO2014023885A1 (fr) 2014-02-13
KR20150041031A (ko) 2015-04-15
US20150211722A1 (en) 2015-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8786176B2 (en) Substrate for organic light-emitting device, and also organic light-emitting device incorporating it
CN101617418B (zh) 载有不连续电极的基板、包括它的有机发光器件、及其制备
US9222641B2 (en) Translucent conductive substrate for organic light emitting devices
CN101536608B (zh) 用于有机发光装置的基板、其用途和制备方法，以及有机发光装置
KR20070057075A (ko) 투명도전막과 그 제조방법 및 투명도전성 기재, 발광디바이스
JP5606458B2 (ja) フォトニックデバイスのための透明基板
CN104969376A (zh) 用于oled装置的导电载体和包括该导电载体的oled装置
WO2008029060A2 (fr) Substrat pour dispositif electroluminescent organique, utilisation et procede de fabrication de ce substrat, ainsi que dispositif electroluminescent organique.
CN104145349A (zh) 用于oled的透明阳极
WO2012057043A1 (ja) 有機ｅｌ素子、透光性基板、および有機ｅｌ素子の製造方法
CN104685658A (zh) 用于oled装置的散射导电载体和包括它的oled装置
CN104685657A (zh) 用于oled装置的散射导电载体和包括它的oled装置
TWI663761B (zh) 用於ｏｌｅｄ的透明支撐電極與其製造方法
US20150155521A1 (en) Transparent supported electrode for oled
EP3120397A1 (en) Transparent substrate for photonic devices
KR20110139693A (ko) 광소자용 투명 기판

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150603