CN104658846A - 衬底处理装置及方法 - Google Patents

衬底处理装置及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104658846A
CN104658846A CN201410653462.3A CN201410653462A CN104658846A CN 104658846 A CN104658846 A CN 104658846A CN 201410653462 A CN201410653462 A CN 201410653462A CN 104658846 A CN104658846 A CN 104658846A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
substrate
lower house
lining
source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410653462.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104658846B (zh
Inventor
蔡熙善
赵政熙
李鍾植
李韩生
金贤峻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PSK Inc
Original Assignee
PSK Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by PSK Inc filed Critical PSK Inc
Publication of CN104658846A publication Critical patent/CN104658846A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104658846B publication Critical patent/CN104658846B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明提供一种衬底处理装置及方法，该衬底处理装置包括第一供给单元、第二供给单元、第一源、第二源、气体分离元件等衬底。由第一气体产生的等离子体被用于处理衬底的中心区域，该第一气体由所述第一源从第一供给单元供给。由第二气体产生的等离子体用于处理衬底的边缘区域，该第二气体由所述第二源从第二供给单元供给。气体分离元件防止分别从第一和第二气体产生的等离子体混合。本发明提供的衬底处理装置和衬底处理方法，能够在使用等离子体的衬底处理工艺过程中调整等离子体的密度。

Description

衬底处理装置及方法
技术领域
本发明涉及一种衬底处理装置和方法，尤其涉及一种使用等离子体的衬底处理装置和方法。
背景技术
衬底衬底制造半导体元件需要诸如淀积、光刻、蚀刻、灰化、清洗和抛光等的多个处理工序。诸如沉积、蚀刻和灰化等的许多工艺均利用等离子体来处理诸如晶片等的半导体衬底。
一般地，使用等离子体的衬底处理装置允许通过气体供给构件注入到等离子体发生器中的气体在整个发生器中散开以产生等离子体。从等离子体发生器产生的等离子体被提供给在其中执行衬底处理工艺的处理腔室。提供给处理腔室的等离子体穿过处理腔室中的挡板(baffle)被提供到衬底表面。这导致在衬底的中央和边缘区域之间等离子体被不均匀地提供。因此，这导致诸如灰化和蚀刻等的衬底处理工艺的不均匀性。
发明内容
本发明提供一种衬底处理装置和衬底处理方法，其能够在使用等离子体的衬底处理工艺过程中调整等离子体的密度。
本发明的目标并不限于如上所述，通过以下描述本领域技术人员可以清楚地理解在此没有描述的其他目标。
本发明实施例提供的衬底处理装置包括：腔室，包括一个下壳体和设置在下壳体上的上壳体；气体供给单元，其向腔室供应气体；等离子体源，其从气体产生等离子体；以及衬底支撑部，设置在下壳体中以支撑衬底，其中开口形成在上壳体和下壳体之间，使得下壳体的内部空间和上壳体的内部空间相互连通，其中所述气体供给单元包括将气体提供到上壳体的第一供给单元，以及直接将气体提供到下壳体的第二供给单元，且其中所述等离子体源包括从提供到上壳体的气体生成等离子体的第一源，以及从提供到下壳体中的气体生成等离子体的第二源。
在一些实施例中，所述开口被设置为面对位于衬底支撑单元上的衬底的中心区域。
在其它实施例中，第二供给单元可以设置在开口周围，并设置为向面对下壳体内部空间中衬底的边缘区域的区域提供气体。
在其它实施例中，该第一源可以缠绕上壳体的侧表面。
在另外的实施例中，该第二源可以缠绕下壳体的侧表面。
在其它的实施例中，该第二源可以被布置在下壳体上方。
在进一步的实施例中，所述下壳体可以具有在其内侧上的涡流形成表面。
在更进一步的实施例中，衬底处理装置还可以包括将第一空间和第二空间分离的气体分离构件，该第一空间面对位于下壳体内部空间中衬底的中心区域，该第二空间面对衬底的边缘区域，其中该气体分离构件可以设置在第一和第二空间之间，并具有内部空间，该内部空间具备开放的上部端和下部端。
在另外的实施例中，该气体分离构件可以具有涡流形成面。
在本发明的其它实施例中，所述衬底处理方法包括：利用由第一源从第一气体产生的等离子体处理衬底的中心区域，该第一气体由第一供给单元提供；以及利用由第二源从第二气体产生的等离子体处理衬底的边缘区域，该第二气体由第二供给单元提供。
根据本发明实施例的衬底处理装置可以在大尺寸区域处理中对衬底的整个表面提供均匀的等离子体密度。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解，附图并入说明书并构成本说明书的一部分。附图示出了本发明示例性的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是根据本发明实施例的衬底处理装置的剖视图；
图2是示出图1中第二气体分配(distribution)板的一部分的剖切透视图；
图3是包括挡板的图1中的衬底处理装置的剖视图；
图4是示出衬底处理装置的剖视图，其中图1中的第二源设置于下壳体的上方衬底；
图5是示出涡流形成面的剖面图，该涡流形成面设置在图1中气体分离构件的内表面和外表面上；
图6是示出涡流形成面的剖面图，该涡流形成面设置在图1中气体分离构件的外表面上；
图7是示出涡流形成面的剖面图，该涡流形成面设置在图1中气体分离构件的内表面上；
图8是示出涡流形成面的剖面图，该涡流形成面设置在图1中下壳体的内表面上；
图9是示出衬底处理装置的截面图，其中图1中的气体分离构件设置为具有直径从顶部到底部逐渐增加的截头圆锥体(truncated cone)形状衬底；以及
图10是示出衬底处理装置的截面图，其中图1中的气体分离构件设置为具有直径从顶部到底部逐渐减小的截头圆锥体形状衬底。
具体实施方式
以下，对本发明的优选实施例将参照附图在下文中更详细地描述。本发明的实施例可以体现为不同的形式，但不应当被解释为仅限于本文所阐述的实施例。提供这些实施例的目的是使本公开彻底和完整，并向本领域技术人员充分地传达本发明的构思。因此，为了清楚起见夸大了图中所示的元件的形状。
本发明的实施例的衬底10可以是半导体晶片，但不限于此。因此，衬底10可以是诸如玻璃衬底等的不同种类的衬底。
而且，在本发明的一个实施例中，衬底处理装置可以是使用等离子体执行诸如灰化、沉积或蚀刻等工艺的装置。
根据本发明实施例的衬底处理装置可以在衬底处理工艺过程中调节用于处理衬底的中心和边缘区域中的每个的等离子体生成率。因此，根据本发明实施例的衬底处理装置衬底可以在大尺寸区域处理中在衬底10的整个区域的上方提供均匀的等离子体密度。
在下文中，将描述根据本发明的实施例的衬底处理装置1。
图1是根据本发明的实施例的衬底处理装置1的剖视图。参考图1，该衬底处理装置1包括腔室100、气体供给单元200、等离子体源300、衬底支撑单元400以及气体分离构件500。
该腔室100包括上壳体120和下壳体140。气体供给单元200包括第一供给单元220和第二供给单元240。等离子体源300包括第一源320和第二源340。
在下文中，从第一供给单元220提供的气体被称为第一气体，从第二供给单元240供给的气体被称为第二气体。
由第一气体产生的等离子体用于处理衬底10的中心区域。由第二气体产生的等离子体用于处理衬底10的边缘区域。该第一和第二气体可以是单一气体。在这种情况下，该第一和第二气体可为相同种类或不同种类。该第一和第二气体可以是气体混合物。在这种情况下，该第一和第二气体可具有相同种类的气体，但可以具有不同的组成比例。所述第一和第二气体可具有不同的供给量。该第一和第二气体可以包括氮气(N2)和氧气(O2)。可选地，所述第一和第二气体还可以进一步包括其他种类的气体。
该腔室100提供了空间，用于从由气体供给单元200提供的气体产生等离子体。此外，腔室100还提供了用于采用等离子体处理衬底10的空间。
上壳体120具有空间，在该空间中具备开放的上部和下部。上壳体120可具有大致圆柱形的形状。上壳体120设置在下壳体140上并且耦接到下壳体140。上壳体120提供了空间用于从第一气体产生等离子体。第一供给部220与上壳体120的上部连接。
下壳体140具有面向衬底10的中心区域的第一空间141和面向衬底10的边缘区域的第二空间142。下壳体140可具有大致圆柱形的形状。在上壳体120和下壳体140之间限定开口160以在上壳体120的内部空间和下部壳体140的内部空间之间连通。在上壳体120和下壳体140之间提供密封构件(未示出)，用于从外部密封。衬底装载孔(未示出)限定于下壳体140的侧壁中。衬底通过该衬底装载孔(未示出)装入腔室100或从腔室100卸载。该衬底装载孔(未示出)可由开启/关闭诸如门(未示出)等的构件来开启和关闭。排出孔143限定在下壳体140的底表面中。排出线路144与排出孔143连接。泵145安装在排出线路144上。泵145将腔室100的内部压力调节到处理压力。腔室100中的残留气体和副产物通过排出线路144排出到腔室100的外部。下壳体140提供空间用以从第二气体产生等离子体。下壳体140提供空间用以采用等离子体处理衬底10。第二供给单元240与下壳体140的上部耦接。
上壳体120中的第一气体产生的等离子体通过第一空间141供给到衬底10的中心区域。
在第二空间142中第二气体被激发成等离子体。从第二气体产生的等离子体通过第二空间142供给到衬底10的边缘区域。
第一供给单元220设置在上壳体120上方。该第一供给单元220包括：第一气体供给线路222、第一气体储存器224、第一气体分配板226和第一气体端口228。该第一供给单元220可以单独设置或设置为多个。
第一气体供给线路222连接到第一气体端口228。通过第一气体端口228提供的第一气体流入到上壳体120中，并在该上壳体120中被激发成等离子体。
第一气体分配板226设置于第一气体端口228的下方。当第一气体提供到上壳体120时，该第一气体分配板226在上壳体120的全部区域上方保持该第一气体的密度和流量均匀。第一气体分配板226为板形。该第一气体分配板226具有从上端延伸到下端的注射孔226a。在该第一气体分配板226的每个区域中，该喷射孔226a以接近相同的密度和直径形成。
第二供给单元240设置在开口160周围。该第二供给单元240包括第二气体供给线路242、第二气体储存器244、第二气体分配板246以及第二气体端口248。该第二供给单元240可以单独设置或设置为多个。
第二气体供给线路242连接到第二气体端口248。通过第二气体端口228提供的第二气体流入到第二空间142中，并在该第二空间142中被激发成等离子体。
第二气体分配板246设置在第二空间142的第二气体端口248的下方。在第二气体提供到第二空间142时，该第二气体分配板246在第二空间142的整个区域上方保持该第二气体的密度和流量均匀。设置第二气体分配板246以围绕开口160。参考图2，从顶部看时，该第二气体分配板246具有环形形状。第二气体分配板246具有纵向部分，该纵向部分为具有平坦底部的U形。该第二气体分配板246具有设置在其上部上且突出于侧表面外部的部分，因而可以容易地与该第二气体端口248的下端耦接。第二气体分配板246具有从其上端延伸到下端的注射孔246a。该喷射孔246a在整个底表面以接近相同的密度和直径形成。
再次参见图1，第一源320在上壳体120中从第一气体产生等离子体。该第一源320可以是电感耦合等离子源。第一源320包括第一天线322和第一电源324。该第一天线322设置于上壳体120的外部，以便多次缠绕上壳体120的侧表面。第一天线322具有耦合到第一电源324的一端和耦合接地的另一端。该第一电源324施加电力到第一天线322。该第一电源324可施加高频电力到第一天线322。
第二源340在第二空间142中从第二气体产生等离子体。该第二源340可以是电感耦合等离子源。第二源340包括第二天线342和第二电源344。该第二天线342设置于下壳体140的外部。该第二天线可以设为多次缠绕下壳体140的侧表面。第二天线342具有耦合到第二电源344的一端和耦合接地的另一端。该第二电源344施加电力到第二天线342。该第二电源344可施加高频电力到第二天线342。
衬底支撑单元400支撑衬底10。该衬底支撑单元400包括支撑板420和支撑轴440。支撑板420设置在下壳体140中，并且具有圆盘形状。支撑板420由支撑轴440支撑。衬底10放置在支撑板420上。支撑板420中可设置电极(未示出)，并且衬底10可通过静电力由该支撑板420支撑。
气体分离构件500设置在第一和第二空间141和142之间。该气体分离构件500使该第一空间141和第二空间142分离以防止从上壳体120和第二空间142分别产生的等离子体互相混合。由于第一和第二空间141和142的等离子体较少混合，可以更容易地根据其工艺条件保持用于处理衬底10的中心及边缘区域中的每一个的等离子体的密度、混合比、分配程度。气体分离件500允许第二气体密闭地流到第二源340，以便通过第二源340提高等离子体生成速率。气体分离件500具有内部空间，该内部空间具备开放的上端和下端。气体分离件500可以是竖直方向上具有相同直径的圆柱形。气体分离构件500具有上表面，该上表面的内径等于开口160内径。气体分离件500与下壳体140上部的下表面耦接，以使该气体分离构件500的上表面中心对应于开口160的中心。该气体分离构件500可以是包括导电或非导电材料的材料。非导电材料相比导电材料具有较低的生成自由基(generated radical)吸收率，使得等离子体的损失较低。非导电材料可以包括石英，陶瓷和蓝宝石。可选的，也可以不设置气体分离构件500。
参见图3，衬底处理装置1可以进一步包括位于开口160下端上的挡板600。该挡板600具有圆盘形状。挡板600的直径大于开口160的直径。该挡板600接地。根据实施例，挡板600与腔室100接触，并通过该腔室100接地。可选的，挡板600可以直接连接到附加的接地线。挡板600具有从其上端延伸到下端的注射孔620。在挡板600的每个区域中注射孔620以接近相同的密度和直径形成。可选的，在挡板600的每个区域中注射孔620也可以以不同的密度形成。而且，在挡板600的每个区域中该注射孔620可以以不同的直径形成。等离子体通过注射孔620从上壳体120被提供到第一空间141。
根据本发明的另一实施例，第二源340可以与前述实施例中所描述的不同。例如，参考图4，第二源340具有与前一实施例相同的配置。然而，第二天线342可以被布置在下壳体140上方以多次缠绕开口160的外周。
根据本发明的另一实施例，衬底处理装置1可以具有涡流形成表面700。涡流形成表面700可以具有波纹(bellows)形状或其他形状。
参见图5，涡流形成表面700可设置在气体分离构件500的内表面和外表面上。在这种情况下，设置在气体分离构件500外表面的涡流形成表面700在第二空间142中第二气体流中生成涡流，从而增加在第二空间142中第二气体的滞留时间。因此，供给到衬底10的边缘区域的等离子体密度增大。而且，设置在气体分离构件500内表面的涡流形成表面700在上壳体120中生成的等离子体流中生成涡流，从而延迟所述第一气体的流动，并增加了上壳体120中第一气体的滞留时间。因此，供给到衬底10的中心区域的等离子体密度增大。
参见图6，涡流形成表面700可以仅设置在气体分离构件500的外表面上。在这种情况下，涡流形成表面700可以具有与图5中的设置在气体分离构件500外表面上的涡流形成表面700相同的功能。
参见图7，涡流形成表面700可以仅设置在气体分离构件500的内表面上。在这种情况下，涡流形成表面700可具有与图5中的设置在气体分离构件500内表面上的涡流形成表面700相同的功能。
参见图8，涡流形成表面700可以被设置在下壳体140的内表面上。在这种情况下，涡流形成表面700可具有与图5中的设置在气体分离构件500外表面上的涡流形成表面700相同的功能。
根据本发明的另一实施例，气体分离构件500可以具有与前述衬底处理装置不同的形状。例如，参见图9和图10，气体分离构件500可以具有从顶部到底部直径逐渐增加或减少的圆柱形状。该圆柱形可为截头圆锥形状。
根据本发明实施例的衬底处理装置和方法，其可以在衬底处理过程中调节处理衬底中心和边缘区域中的每个的等离子体生成速率。
另外，根据本发明的衬底处理装置和方法，其可以具有不同种类和混合比率的气体，所述气体分别注入到与衬底的中心和边缘区域相对的空间。
上面的详细描述举例说明了本发明的实施例。此外，上述内容只是举例说明和描述了本发明的优选实施例，本发明的实施例可以在各种组合，变化和环境下使用。即，对于本领域技术人员来说，在不脱离原理和总的发明构思下，可以对这些实施例进行修改和改变，本发明的范围以所附的权利要求和它们的等同物限定。上述的实施例用来描述实施本发明的概念的最佳方式。本发明的一个实施例可以根据本发明的具体应用领域所需的其他发明或变形以本领域公知以外的方式实施。因此，本发明实施例的详细描述并不将本发明限制于所公开的实施例。此外，所附的权利要求应被理解为包括甚至另一实施例的步骤。

Claims (24)

1.一种衬底处理装置，包括：
腔室，包括下壳体和设置在所述下壳体上的上壳体；
气体供给单元，将气体供应到所述腔室；
等离子体源，从所述气体生成等离子体；以及
衬底支撑单元，设置在所述下壳体中以支撑衬底，
其中在所述上壳体和所述下壳体之间形成开口，使得所述下壳体的内部空间和所述上壳体的内部空间相互连通，
其中所述气体供给单元包括向所述上壳体供应气体的第一供给单元和向所述下壳体直接供应气体的第二供给单元，以及
其中所述等离子体源包括从供应到所述上壳体的所述气体生成等离子体的第一源和从供应到所述下壳体的所述气体生成等离子体的第二源。
2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中所述开口被布置成面对所述衬底的中心区域，所述衬底位于所述衬底支撑单元上。
3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中所述第二供给单元设置在所述开口周围，并被设置为将气体供应到在所述下壳体的内部空间中，面对所述衬底边缘区域的区域衬底。
4.如权利要求2的衬底处理装置，其中所述第一源缠绕所述上壳体的侧表面。
5.如权利要求2的衬底处理装置，其中所述第二源缠绕所述下壳体的侧表面。
6.如权利要求2的衬底处理装置，其中所述第二源布置在所述下壳体的上方。
7.如权利要求1的衬底处理装置，其中所述下壳体具有在其内侧上的涡流形成表面。
8.如权利要求7的衬底处理装置，其中所述涡流形成表面具有波纹形状。
9.如权利要求1至8中任一项所述的衬底处理装置，还包括分离第一空间和第二空间的气体分离构件，所述第一空间面对所述下壳体内部空间中所述衬底的中心区域，所述第二空间面对所述衬底的边缘区域，
其中，所述气体分离构件设置在所述第一空间和第二空间之间，并且具有内部空间，所述内部空间具备开放的上端和下端。
10.如权利要求9的衬底处理装置，其中所述第二源设置为缠绕所述下壳体的侧表面并且面对所述气体分离构件。
11.如权利要求9的衬底处理装置，其中所述气体分离构件设置有包括非导电材料的材料。
12.如权利要求11所述的衬底处理装置，其中非导电材料包括选自石英、陶瓷和蓝宝石的一种材料。
13.如权利要求9所述的衬底处理装置，其中所述气体分离构件为竖直方向上具有相同直径的圆柱形。
14.如权利要求9所述的衬底处理装置，其中所述气体分离构件具有直径从顶部到底部逐渐增加的圆柱形。
15.如权利要求9所述的衬底处理装置，其中所述气体分离构件具有直径从顶部到底部逐渐减小的圆柱形。
16.如权利要求14所述的衬底处理装置，其中所述气体分离构件具有截头圆锥形状。
17.如权利要求9所述的衬底处理装置，其中所述气体分离构件具有涡流形成表面。
18.如权利要求17所述的衬底处理装置，其中所述涡流形成表面设置在所述气体分离构件的内表面上。
19.如权利要求17所述的衬底处理装置，其中所述涡流形成表面设置在所述气体分离构件的外表面上。
20.如权利要求17所述的衬底处理装置，其中所述涡流形成表面具有波纹形状。
21.一种衬底衬底处理方法，所述衬底处理方法使用权利要求9所述的衬底处理装置，所述衬底处理方法包括：
利用由所述第一源从第一气体产生的等离子体处理所述衬底的中心区域，所述第一气体由所述第一供给单元提供；以及
利用由所述第二源从所述第二气体产生的等离子体处理所述衬底的边缘区域，所述第二气体由所述第二供给单元提供。
22.如权利要求21所述的衬底处理方法，其中所述第一气体和第二气体具有不同种类。
23.如权利要求21所述的衬底处理方法，其中所述第一气体和第二气体具有相同种类的气体，但具有不同的组成比例。
24.如权利要求21所述的衬底处理方法，其中所述第一气体和第二气体具有不同的气体供应量。
CN201410653462.3A 2013-11-15 2014-11-17 衬底处理装置及方法 Expired - Fee Related CN104658846B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130139201A KR101526507B1 (ko) 2013-11-15 2013-11-15 기판 처리 장치 및 방법
KR10-2013-0139201 2013-11-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104658846A true CN104658846A (zh) 2015-05-27
CN104658846B CN104658846B (zh) 2017-04-12

Family

ID=53172244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410653462.3A Expired - Fee Related CN104658846B (zh) 2013-11-15 2014-11-17 衬底处理装置及方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20150136734A1 (zh)
KR (1) KR101526507B1 (zh)
CN (1) CN104658846B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014216195A1 (de) * 2014-08-14 2016-02-18 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrats und Verfahren zum Betreiben einer Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrats
US11615946B2 (en) * 2018-07-31 2023-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Baffle plate for controlling wafer uniformity and methods for making the same
US11120973B2 (en) * 2019-05-10 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus and techniques
JP7285152B2 (ja) * 2019-07-08 2023-06-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2022049494A (ja) * 2020-09-16 2022-03-29 キオクシア株式会社 半導体製造装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3311212A1 (de) * 1983-03-28 1984-10-04 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Waermeaustauscher fuer einen elektronikschrank
DE3942964A1 (de) * 1989-12-23 1991-06-27 Leybold Ag Einrichtung fuer die erzeugung eines plasmas
KR910016054A (ko) * 1990-02-23 1991-09-30 미다 가쓰시게 마이크로 전자 장치용 표면 처리 장치 및 그 방법
US5505780A (en) * 1992-03-18 1996-04-09 International Business Machines Corporation High-density plasma-processing tool with toroidal magnetic field
US5683548A (en) * 1996-02-22 1997-11-04 Motorola, Inc. Inductively coupled plasma reactor and process
US5824602A (en) * 1996-10-21 1998-10-20 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Helicon wave excitation to produce energetic electrons for manufacturing semiconductors
KR100408405B1 (ko) * 2001-05-03 2003-12-06 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 장치
KR100433006B1 (ko) * 2001-10-08 2004-05-28 주식회사 플라즈마트 다기능 플라즈마 발생장치
US6887341B2 (en) * 2001-11-13 2005-05-03 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus for spatial control of dissociation and ionization
CN1278393C (zh) * 2003-04-14 2006-10-04 华邦电子股份有限公司 半导体机台气体反应室的气体配送系统及方法
CN100541732C (zh) * 2006-11-10 2009-09-16 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 气体分布控制系统及多晶硅栅极刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
JP2009224388A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Sumitomo Precision Prod Co Ltd プラズマエッチング装置
KR20110124630A (ko) * 2010-05-11 2011-11-17 크린시스템스코리아(주) 하이브리드 플라즈마 스크러버 시스템
US8920599B2 (en) * 2010-10-19 2014-12-30 Applied Materials, Inc. High efficiency gas dissociation in inductively coupled plasma reactor with improved uniformity
US20140248444A1 (en) * 2011-11-09 2014-09-04 Centre National De La Recherche Scientifique Plasma Treatment Of Substrates
KR101276262B1 (ko) * 2011-11-21 2013-06-20 피에스케이 주식회사 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN104658846B (zh) 2017-04-12
KR20150056321A (ko) 2015-05-26
KR101526507B1 (ko) 2015-06-09
US20150136734A1 (en) 2015-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11069510B2 (en) Substrate processing apparatus
TWI697951B (zh) 透過邊緣局部的離子軌跡控制與電漿操作之極限邊緣鞘及晶圓輪廓調整
US20170213753A1 (en) Controlling the rf amplitude of an edge ring of a capacitively coupled plasma process device
CN104658846A (zh) 衬底处理装置及方法
KR100736218B1 (ko) 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마소스
TWI645443B (zh) Plasma processing device and plasma processing method
TWI397100B (zh) 電漿反應器及其使用方法
JP2015522938A (ja) 基板の均一性を制御するための方法及び装置
CN107452590A (zh) 用于在下游反应器中边缘蚀刻速率控制的可调侧气室
US20030155079A1 (en) Plasma processing system with dynamic gas distribution control
US11756807B2 (en) Power feeding mechanism and method for controlling temperature of a stage
TW201703134A (zh) 用於晶圓副產物分佈及蝕刻特徵部輪廓均勻性之透過可調式電漿解離的氣體反應軌跡控制
JP2006203210A (ja) 半導体プラズマ処理装置及び方法
US20140083615A1 (en) Antenna assembly and a plasma processing chamber having the same
KR101496841B1 (ko) 혼합형 플라즈마 반응기
CN106463446A (zh) 载置台及等离子体处理装置
KR102414852B1 (ko) 에너지 중성자를 생성하기 위한 시스템들 및 방법들
JP2021168392A (ja) 改良されたフロー均一性／ガスコンダクタンスを備えた可変処理容積に対処するための対称チャンバ本体設計アーキテクチャ
KR20090008932A (ko) 멀티 코어 플라즈마 발생 플레이트를 구비한 플라즈마반응기
KR20110104438A (ko) 전극 및 플라즈마 처리 장치
CN109659214A (zh) 批次型等离子体衬底处理装置
US9472379B2 (en) Method of multiple zone symmetric gas injection for inductively coupled plasma
KR101197023B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
CN105695957B (zh) 进气装置及半导体加工设备
CN112585726B (zh) 等离子处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170412

Termination date: 20171117

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee