CN104637828A - 电隔离引线框架带的引线的方法 - Google Patents

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Abstract

电隔离引线框架带的引线的方法。一种引线框架带包括多个连接的单元引线框架，每一个单元引线框架具有管芯踏板和多个连接到单元引线框架的外围的引线。通过将半导体管芯附着到管芯踏板中的每一个管芯踏板并且在半导体管芯被附着到管芯踏板之后用模塑料覆盖单元引线框架来处理引线框架带。在每一个单元引线框架的外围中形成间隔开的切口，该切口将引线从每一个单元引线框架的外围割断并且在外围中引线所位于的区域中至少部分地延伸到模塑料内，使得模塑料保持在切口之间的完整。在形成切口之后处理引线框架带，并且单元引线框架稍后被分离为各个封装。

Description

电隔离引线框架带的引线的方法
技术领域
本申请涉及引线框架带，并且更具体地涉及在引线框架带处理期间对引线框架带的引线的电隔离。
背景技术
引线框架形成IC封装的基础或骨架，在组装到完成的封装期间提供对半导体管芯的机械支撑。引线框架通常包括用于附着半导体管芯的管芯踏板（paddle），以及提供用于到管芯的外部电连接的引线。管芯可通过导线（例如通过线接合或带式自动接合）连接到引线。引线框架通常例如通过模压或蚀刻由平的金属片构成。金属片通常被暴露到化学蚀刻剂，化学蚀刻剂去除未被光刻胶覆盖的区域。在蚀刻工艺之后，将蚀刻的框架分割（分离）成引线框架带。每一个引线框架带包括若干单元引线框架，每一个单元引线框架具有管芯踏板和上述引线构造。
通常在将单元引线框架从引线框架带分离（例如通过冲压）之后，对在完成引线框架带的组装工艺之后附着到管芯踏板的半导体管芯进行测试。可替代地，在管芯测试期间，单元引线框架通过系杆保持机械地连接到引线框架带。这通常被称为引线框架带测试。单元引线框架从引线框架带的分离在电测试之后发生。然而，在引线框架带测试期间，器件必须相互电隔离。常规的处理包括穿过每一个单元引线框架的整个外围切割大约一半以割断引线，留下在外围中完整的模塑料的薄部分，以在引线框架带测试期间将单元保持在适当位置。然而，这样的处理增大了对锯条的磨损，这可能引起不精确。而且引线框架带的刚性在半切割工艺后降低，尤其对于薄封装来说。此外，需要长的循环时间来执行在整个引线框架带上的半切割，增大了由引线框架带产生的各个封装的成本。
发明内容
一种引线框架带包括多个连接的单元引线框架，每一个单元引线框架具有管芯踏板和多个连接到单元引线框架的外围的引线。根据处理引线框架带的方法的实施例，该方法包括：将半导体管芯附着到管芯踏板中的每一个管芯踏板；在半导体管芯被附着到管芯踏板之后，用模塑料覆盖单元引线框架；在每一个单元引线框架的外围中形成间隔开的切口，该切口将引线从每一个单元引线框架的外围割断并且在外围中引线所位于的区域中至少部分地延伸到模塑料内，使得模塑料保持在切口之间的完整；并且在将切口形成在每一个单元引线框架的外围中之后处理引线框架带。
可将单元引线框架布置成多个行和列，而引线沿着管芯踏板的两个相对侧朝着管芯踏板延伸。根据该实施例，处理引线框架带的方法包括：将半导体管芯附着到管芯踏板中的每一个管芯踏板；在半导体管芯被附着到管芯踏板之后用模塑料覆盖单元引线框架；切割在行之间穿过单元引线框架的外围水平地延伸的单个线，以将引线从每一个单元引线框架的外围割断；在切割单元引线框架的相邻行之间的单个线之后处理引线框架带；并且在引线框架带的处理之后切割在列之间穿过单元引线框架的外围垂直地延伸的单个线，以将单元引线框架分离成个体封装。
在阅读以下详细描述之后并且在查看附图之后，本领域技术人员将认识到附加的特征和优点。
附图说明
附图的元件不一定是相对于彼此按比例的。相同的附图标记指示对应的相同部分。各种图示的实施例的特征可组合，除非它们排斥彼此。在附图中描绘了并且在接下来的描述中详述了实施例。
图1图示根据实施例的具有针对切割以割断引线框架带的引线瞄准的区域的引线框架带的平面图。
包括图2A-2D的图2图示使用加压液体流割断引线框架带的引线的方法的实施例的不同阶段。
包括图3A-3D的图3图示使用加压液体流割断引线框架带的引线的方法的另一实施例的不同阶段。
图4图示根据实施例的放置于引线框架带上的具有剪切块的掩模的平面图，该剪切块暴露了针对切割以割断引线框架带的引线瞄准的区域。
图5图示根据另一实施例的具有针对切割以割断引线框架带的引线瞄准的区域的引线框架带的平面图。
包括图6A-6D的图6图示使用激光束割断引线框架带的引线的方法的实施例的不同阶段。
包括图7A-7D的图7图示使用激光束割断引线框架带的引线的方法的另一实施例的不同阶段。
包括图8A和8B的图8图示割断具有单元引线框架的行和列的引线框架带的引线的方法的实施例的不同阶段，该单元引线框架具有沿着管芯踏板的两个相对侧朝着单元引线框架的管芯踏板延伸的引线。
具体实施方式
根据本文描述的实施例，在引线框架带的每一个单元引线框架的外围周围形成间隔开的切口，以电隔离引线，用于后续的处理（例如引线框架带测试、局部电镀、电充电等）。封装单元引线框架的模塑料保持在切口之间的至少部分完整以在后续处理期间向引线框架带提供刚性。稍后将单元引线框架从引线框架带分离成各个封装。
图1图示根据实施例的引线框架带100的部分的俯视图。引线框架带100包括多个连接的单元引线框架102，在图1中示出其中的两个单元引线框架。每一个单元引线框架102具有用于附着一个或多个半导体管芯106的管芯踏板104、将管芯踏板104连接到单元引线框架102的外围110的系杆108和从外围110朝着管芯踏板104突出的多个引线112。图1中被标为114的盒子表示稍后在从引线框架带100分离之后将产生的各个封装的最终大小。
在一个实施例中，引线框架带100例如通过模压或蚀刻由平的金属片构造成。例如，可将金属片暴露到化学蚀刻剂，化学蚀刻剂去除未被光刻胶覆盖的区。可执行其它处理（例如激光蚀刻）来将金属片图案化。在图案化工艺之后，图案化的框架被分割（分离）成引线框架带。一个这样的引线框架带100在图1中示出。
在每一个单元引线框架102的引线112和被附着到管芯踏板104的半导体管芯106的端子之间形成电连接（为了容易说明未示出）。然后用模塑料密封单元引线框架102和半导体管芯106以形成各个封装。为了容易说明，在图1中未示出模塑料。可在每一个个体封装中包括多于一个的管芯踏板104，并且稍后将各个封装物理地分离成各个单元。
在测试被附着到管芯踏板104的半导体管芯106或例如局部电镀、电充电等的其它处理之前，在引线框架带100的每一个单元引线框架102的外围110中形成间隔开的切口以电隔离每一个单元引线框架102的引线112，以用于后续处理。在图1中将待切割的区域标为116。
包括图2A-2D的图2图示在引线框架带100的每一个单元引线框架102的外围110中形成间隔开的切口的方法的实施例。图2A示出在外围110中的单元引线框架102中引线112所位于的部分的横截面视图。引线112未被模塑料120覆盖的侧面113可被电镀122有例如银、锡、钯等。引线112的其它侧面和引线框架带110的单元引线框架102（包括附着到引线框架带100的管芯踏板104的半导体管芯106）被模塑料120覆盖。
图2B示出在切割工艺期间的引线112。根据该实施例，通过以下方式来在每一个单元引线框架102的外围110中形成间隔开的切口124：将加压液体流126引导在每一个单元引线框架102的外围110中引线112所位于的区域116处以切断这些区域116中的引线112和模塑料120。
更特别地，水切割工具包括高压水入口128、诸如红宝石或钻石的宝石130、用于添加研磨料的入口132和用于产生高压水和研磨料的粘性液体混合物的混合管134。将加压液体流引导在每一个单元引线框架102的外围110中引线112所位于的区域116处以通过加压液体流126切断这些区域116中的引线112和模塑料120。通过控制器136控制水切割工具的移动。控制器136被编程为在x和y方向上移动水切割工具，并且控制移动速率。在一个实施例中，水切割工具的移动速率在每一个单元引线框架102的外围110周围是变化的，使得加压液体流126被引导在外围110中引线112所位于的区域116处比在外围110周围的其它区域中持续更长的时间段。作为结果，在外围110中引线112所位于的区域116中切断引线112和模塑料120，并且模塑料120保持在外围110周围的其它区域中的至少部分完整，以提供在引线框架带100的后续处理期间的刚性。间隔开的切口124还可充当用于减小在处置期间引线框架带100的翘曲的应力释放机构。
图2C示出这样处理的一个实施例，其中，通过探头138来接触被割断的引线112以测试被附着到单元引线框架102的管芯踏板104的半导体管芯106。因为引线112已被加压液体流126从相应的单元引线框架102的外围100割断，所以可使用任何标准引线框架带测试方法来并行地测试半导体管芯106 ，而不具有在管芯106之间的干扰。模塑料120保持在切口124之间的至少部分完整，使得引线框架带100保持固体和坚固以用于处置。
图2D示出在锯切工艺期间被割断的引线112，在所述锯切工艺中，在测试引线框架带100之后，通过锯条140切割每一个单元引线框架102的整个外围110，以将单元引线框架102分离成各个封装单元。常规的锯条通常具有至少0.3mm和更大（通常大约0.45mm）的宽度（Wsaw）。通过加压液体流126在每一个单元引线框架102的外围110中形成的间隔开的切口124具有0.25mm或更小（例如小到0.12mm的最小值）的宽度（Wcut）。因此，由加压液体流126制成的切口124的宽度（Wcut）比锯条140的宽度（Wsaw）更窄。与使用锯条割断引线112相比，用这样的更窄切口124割断引线112产出了在引线框架带测试期间用于由测试探头138接触的附加引线区。这对于受到高电流开尔文测试（其中如图2C中示出的使用每踏板两个探头）的功率器件来说是特别有利的。而且，使用水切割工具代替锯条来割断用于引线框架带测试或其它处理的引线112减小了锯条磨损和撕裂，由于仅切割所选择的区域116而不是每一个单元引线框架102的整个外围110而产出更稳定和精确的引线框架带处理和更快的处理时间。
包括图3A-3D的图3图示在引线框架带100的每一个单元引线框架102的外围110中形成间隔开的切口124的方法的另一实施例。图3A示出外围110中的单元引线框架102中引线112所位于的部分的横截面视图，图3B示出在水切割工艺期间的引线112，图3C示出在测试期间的被割断的引线112，而图3D示出在将单元引线框架102分离成各个封装单元的锯切工艺期间被割断的引线112。图3中示出的实施例类似于图2中示出的实施例，然而，对加压液体流126进行控制，使得切口124割断在每一个单元引线框架的外围110的瞄准的区域116中的引线112，并且在这些区域中仅部分延伸到模塑料120内，使得模塑料120保持在切口124之下的部分完整。在一个实施例中，水切割工具的移动速率被控制为使得模塑料120在切割区域116中不被切断。
图4图示图1中示出的引线框架带100的部分的俯视图，其中在通过加压液体流126割断引线112之前将掩模200放置在引线框架带100上。掩模200覆盖单元引线框架102并且由相对硬的材料（例如天然焦或陶瓷）制成。掩模200具有在每一个单元引线框架102的外围110中引线112所位于的区域116上的剪切块202，使得加压液体流126被阻挡切割模塑料120中被掩模200保护的区域。除了通过控制器136使水切割工具的移动速率变化之外，或者替代通过控制器136使水切割工具的移动速率变化，可使用掩模200。在不具有掩模200的情况下，如本文之前所描述的使水切割工具的移动速率变化，以确保模塑料120在不覆盖引线112的区域中不被加压液体流124完全切断。否则，每一个单元引线框架102的整个外围110将被加压液体流126完全切断并且引线框架带100的稳定性将被显著降低。在具有掩模200的情况下，能够可选地实现或相反省略水切割工具的移动的可变速率控制。在具有加压液体流124的可变速率控制和掩模200的情况下，将加压液体流126引导在掩模200中的剪切块202处比在掩模200处持续更长时间段。
图5示出根据另一实施例的引线框架带100的部分的俯视图。图5中示出的实施例类似于图1-4中示出的实施例，然而，使用激光束在引线框架带100的每一个单元引线框架102的外围110中形成间隔开的切口124，以电隔离引线112以用于后续处理。在图1中将待被激光束切割的区域标记为300。与图1相比，针对激光束切割瞄准较小的区域300，从而在引线112的割断之后留下更多的模塑料120整体。
包括图6A-6D的图6图示使用激光束302在引线框架带100的每一个单元引线框架102的外围110中形成间隔开的切口124的方法的实施例。图6A示出在外围110中的单元引线框架102中引线112所位于的部分的横截面视图。引线112中未被模塑料120覆盖的侧面113可被电镀122有例如银、锡、钯等。引线112的其它侧面和引线框架带100的单元引线框架102（包括附着到管芯踏板104的半导体管芯106）被模塑料120覆盖。
图6B示出在切割工艺期间的引线112。根据该实施例，通过将激光束302引导在每一个单元引线框架102的外围110中引线112所位于的区域300处来切断这些区域300中的引线112和模塑料120的至少部分。
更特别地，激光切割工具包括用于生成和朝着引线框架带100引导激光束302的激光器304。激光束302被引导在每一个单元引线框架102的外围110中引线112所位于的区域300处，以经由激光束302切断这些区域300中的引线112和模塑料120中的至少一些。通过控制器306控制激光器304的移动。控制器306被编程为在x和y方向上移动激光器304并且控制激光作用操作使得仅将激光束302引导在外围110中引线112所位于的区域300处。作为结果，切断引线112并且在外围110中引线112所位于的瞄准的区域300中去除模塑料120的至少一些。在切口124之间的外围周围的其它区域中，模塑料120保持完全完整，以便提供在引线框架带100的后续处理期间的刚性。
图6C示出激光作用之后的处理的一个实施例，其中由探头138接触被割断的引线112以测试被附着到单元引线框架102的管芯踏板104的半导体管芯106。因为已通过激光工具在相应单元引线框架102的外围110处割断引线112，所以可使用任何标准引线框架带测试方法来并行测试半导体管芯106，而不具有在管芯106之间的干扰。模塑料120在切口124之间保持完全完整，以便引线框架带在处置期间保持固态和坚固。可选地，在切口124之间的这些区域中的模塑料120可被部分激光作用以去除模塑料120中的一些，以便减小引线框架带100在后续处置期间的翘曲。
图6D示出在锯切工艺期间的引线112，在所述锯切工艺中，在引线框架带测试的测试之后通过锯条140切割每一个单元引线框架102的整个外围110以将单元引线框架102分离成各个封装单元。通过激光束302在每一个单元引线框架102的外围110中形成的间隔开的切口124取决于激光切割工具的类型而具有0.25mm或更小的（例如小到0.12mm或更小）的宽度（Wcut）。因此，通过激光束302在每一个单元引线框架102的外围110中制成的切口124的宽度（Wcut）比锯条140的宽度（Wsaw）更窄。这产出了在如本文之前描述的引线框架带测试期间用于由探头138接触的附加引线区。
包括图7A-7D的图7图示使用激光束302在引线框架带100的每一个单元引线框架102的外围110中形成间隔开的切口124的方法的另一实施例。图7A示出外围110中的单元引线框架102中引线112所位于的部分的横截面视图，图7B示出在激光切割工艺期间的引线112，图7C示出在测试期间的被割断的引线112，而图7D示出在将单元引线框架102分离成各个封装单元的锯切工艺期间被割断的引线。图7中示出的实施例类似于图6示出的实施例，然而根据该实施例，在外围110中激光作用所发生的区域300中，模塑料120被切断而不是被部分去除。可通过激光作用的功率水平、焦点和长度来控制在瞄准的区域300中被激光作用的模塑料120的量。控制器306可被编程为对这些参数中的一个或多个参数进行精确控制，使得期望的区域300和材料被激光作用以割断引线112，包括切断在这些区域300中的模塑料120。
本文之前描述的实施例中的每一个实施例涉及从引线框架带100的单元引线框架102的外围110割断引线112以确保例如在引线框架带测试期间对引线112的适当电隔离。在一些封装中，应当通过割断将管芯踏板104附着到外围110的系杆108来将管芯踏板104从外围110断开，以确保在引线框架带测试期间的各个封装的完全电隔离。否则，管芯踏板104在测试期间通过系杆108保持电连接到引线框架带100。这对于其中管芯踏板104用作电连接功能的应用（例如在DSO（双小轮廓）封装中，其中暴露的管芯踏板104提供到被附着到管芯踏板104的半导体管芯106的背侧的电连接）中是成问题的。
在该情况下，系杆108将管芯踏板104电短路到引线框架带100且电短路到被附着到同一引线框架带100的其它管芯踏板104，从而使电测试过程变得复杂。对于例如局部电镀和电充电工艺的其它引线框架处理，也可能要求电隔离。因此，针对如本文之前描述的例如通过加压液体流126或激光束302进行切割的瞄准的区域116/300可包括如图1和5示出的引线112和系杆108两者。根据该实施例，采用的切割工艺割断在瞄准的区域116/300中的引线112和系杆108，使封装与彼此完全电隔离。在通过附加的切割将系杆108割断之后，然后例如通过引线框架带测试、局部电镀、电充电等来随后处理引线框架带100。
包括图8A和 8B的图8图示割断引线框架带100的引线112以提供在引线框架带100的后续处理期间的电隔离的也另一实施例。根据该实施例，单元引线框架102被布置在多个行和列中，而引线112沿着管芯踏板104的两个相对侧朝着管芯踏板104延伸。在具有半导体管芯（为了容易说明，在图8中未示出）的单元引线框架102被覆盖有模塑料（为了容易说明，在图8中也未示出）之后，切割在行之间穿过每一个单元引线框架102的外围110水平地延伸的单个线400以将引线112从如图8A中所示的单元引线框架102的外围110割断。在图8A中将水平的切割区域标为400。
在一个实施例中，如本文之前所描述的，通过将加压液体流126引导在行之间水平地延伸的单个线中来切割在行之间穿过单元引线框架102的外围110水平地延伸的单个线400。如本文之前同样描述的，可使用或可不使用掩模200。在另一实施例中，通过使用锯条140沿着在行之间水平地延伸的单个线进行锯切来切割在行之间穿过单元引线框架102的外围110水平地延伸的单个线400。在任一情况下，在切割单元引线框架102的相邻行之间的单个线400之后，然后例如通过引线框架带测试、局部电镀、电充电等来随后处理引线框架带100。
在该处理之后，在列之间切割穿过单元引线框架102的外围110垂直地延伸的单个线402，以将单元引线框架102分离成各个封装单元。在图8B中将垂直切割区域标为402。在一个实施例中，使用锯条切割穿过单元引线框架102的外围110水平地延伸的单个线400和穿过单元引线框架102的外围110垂直地延伸的单个线402。在另一实施例中，使用加压液体流126来切割穿过单元引线框架102的外围110水平地延伸的单个线400，且使用具有比由加压液体流126形成的单个线400更宽的宽度的锯条140来切割在列之间穿过单元引线框架102的外围110垂直地延伸的单个线402。
例如“之下”、“下面”、“下”、“之上”“上”等的空间相对术语用于容易描述，以解释一个元件相对于第二元件的定位。这些术语意在包含器件的不同方位，除了与图中描绘的那些方位不同的方位。另外，例如“第一”、“第二”等的术语还用于描述各种元件、区域、部分等，并且还不意在作为限制。同样的术语指代遍及说明书的同样的元件。
如本文使用的，术语“具有”、“包含”、“包括”、“含有”等是开放式术语，其指示所陈述的元件或特征的存在，但是不排除附加的元件和特征。不定冠词“一个”、”一种”、“该”意在包括复数以及单数，除非上下文另有明确声明。
考虑到上述变化和应用的范围，应当理解的是，本发明不被之前的描述所限制，也不被附图所限制。相反，本发明仅被以下权利要求及其法律等效形式限制。

Claims (20)

1.一种处理包括多个连接的单元引线框架的引线框架带的方法，每一个单元引线框架具有管芯踏板和多个连接到该单元引线框架的外围的引线，所述方法包括：
将半导体管芯附着到所述管芯踏板中的每一个管芯踏板；
在所述半导体管芯被附着到所述管芯踏板之后用模塑料覆盖所述单元引线框架；
在每一个单元引线框架的外围中形成间隔开的切口，所述切口将所述引线从每一个单元引线框架的外围割断并且在所述外围中所述引线所位于的区域中至少部分地延伸到所述模塑料内，使得所述模塑料保持在所述切口之间的完整；以及
在将所述切口被形成在每一个单元引线框架的外围中之后处理所述引线框架带。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在每一个单元引线框架的外围中形成间隔开的切口包括：
将加压液体流引导在每一个单元引线框架的外围中所述引线所位于的区域来切断在这些区域中的所述引线和所述模塑料。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括：
将覆盖所述单元引线框架的掩模放置在所述引线框架带上，所述掩模具有在每一个单元引线框架的外围中所述引线所位于的区域之上的剪切块，从而阻挡所述加压液体流切割所述模塑料中由所述掩模保护的区域。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述掩模包括天然焦或陶瓷。
5.根据权利要求3所述的方法，还包括：
在每一个单元引线框架的外围周围使所述加压液体流的移动速率变化，从而将所述加压液体流引导在所述掩模中的剪切块处持续比在所述掩模处更长的时间段。
6.根据权利要求2所述的方法，还包括：
在每一个单元引线框架的外围周围使所述加压液体流的移动速率变化，从而将所述加压液体流引导在所述外围中所述引线所位于的区域处持续比在所述外围周围的其它区域中更长的时间段，以切断在所述外围中所述引线所位于的区域中的所述引线和所述模塑料并且留下在所述外围周围的所述其它区域中至少部分完整的所述模塑料。
7.根据权利要求2所述的方法，还包括在所述引线框架带的处理之后切割每一个单元引线框架的整个外围，以将所述单元引线框架分离成各个封装。
8.根据权利要求7所述的方法，其中通过锯条切割每一个单元引线框架的整个外围，并且其中通过所述加压液体流在每一个单元引线框架的所述外围中做出的切口的宽度比所述锯条的宽度更窄。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，通过所述加压液体流在每一个单元引线框架的所述外围中做出的切口的宽度是0.25mm或更小，并且所述锯条的宽度是.3mm或更大。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，在每一个单元引线框架的外围中形成间隔开的切口包括：
将激光束引导在每一个单元引线框架的所述外围中所述引线所位于的区域处，以切断这些区域中的所述引线。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述激光束还切断每一个单元引线框架的所述外围中所述引线所位于的区域中的模塑料。
12.根据权利要求10所述的方法，还包括在所述引线框架带的处理之后切割每一个单元引线框架的整个外围，以将所述单元引线框架分离成各个封装。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，通过锯条切割每一个单元引线框架的整个外围，并且其中通过所述激光束在每一个单元引线框架的所述外围中做出的切口的宽度比所述锯条的宽度更窄。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，在每一个单元引线框架的所述外围中形成所述切口之后处理所述引线框架带包括：
在每一个单元引线框架的所述外围中形成所述切口之后通过探测所述引线来测试所述半导体管芯。
15.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在每一个单元引线框架的所述外围中形成附加的间隔开的切口，所述切口将连接所述管芯踏板的相邻管芯踏板的系杆从每一个单元引线框架的所述外围割断并且至少部分地延伸到所述外围中所述系杆所位于的区域中的模塑料内，使得所述模塑料保持在所述附加切口之间的完整，
其中在形成所述附加切口之后处理所述引线框架带，所述附加切口被形成在每一个单元引线框架的外围中。
16.一种处理包括多个连接的单元引线框架的引线框架带的方法，每一个单元引线框架具有管芯踏板和多个连接到该单元引线框架的外围的引线，所述单元引线框架被布置在多个行和列中，而所述引线沿着所述管芯踏板的两个相对侧朝着所述管芯踏板延伸，所述方法包括：
将半导体管芯附着到所述管芯踏板中的每一个管芯踏板；
在所述半导体管芯被附着到所述管芯踏板之后用模塑料覆盖所述单元引线框架；
切割在所述行之间穿过所述单元引线框架的所述外围水平地延伸的单个线以将所述引线从每一个单元引线框架的所述外围割断；
在所述单元引线框架的相邻行之间切割所述单个线之后处理所述引线框架带；以及
在所述引线框架带的处理之后切割在所述列之间穿过所述单元引线框架的所述外围垂直地延伸的单个线，以将所述单元引线框架分离成各个封装。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，切割在所述行之间穿过所述单元引线框架的所述外围水平地延伸的单个线包括：
将加压液体流引导到在所述行之间水平地延伸的单个线。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，切割在所述列之间穿过所述单元引线框架的所述外围垂直地延伸的单个线包括：
使用具有比由所述加压液体流形成的单个线更宽的宽度的锯条来沿着在所述列之间垂直地延伸的单个线进行锯切。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，切割在所述行之间穿过所述单元引线框架的所述外围水平地延伸的单个线包括：
使用锯条来沿着在所述行之间水平地延伸的单个线进行锯切。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，切割在所述列之间穿过所述单元引线框架的所述外围垂直地延伸的单个线包括：
使用锯条来沿着在所述列之间垂直地延伸的单个线进行锯切。
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