CN104636263A - 异质存储器存取 - Google Patents

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Abstract

存储器控制器，其可操作地用于对展示出不同的属性的存储器区域的选择性存储器存取，利用不同的存储器能力，存储器能力在存取速度、存留时间和功率消耗以及其它之上变化。存储器的不同区域具有不同的属性，尽管对应用而言保持可以用作单个连续范围可寻址存储器。存储器控制器使用操作模式，该操作模式识别用于计算设备的操作优先级，诸如速度、功率节省或效率。存储器控制器基于存储在区域中的数据的预期使用，例如指示将来检索的存取频率来识别存储器的区域。因此，存储器控制器根据启发式方法，基于操作模式以及将在区域中存储的数据的预期使用来选择存储器的区域，启发式方法基于展示出具有与数据的预期使用高度对应的属性的那些来偏好存储器的区域。

Description

异质存储器存取
背景技术
计算机系统使用主存储器或RAM（随机存取存储器）（主存储器或RAM用于在程序（应用）执行期间进行存取）以及盘存储器（大容量存储设备），盘存储器典型地用于保存/检索整个程序以及对在当前的执行之外的需要存储的数据文件进行写入。通常，这些类型被称为易失性和非易失性存储设备，指的是需要恒定功率以在主存储器中保留存储的值，而盘存储器用于程序和数据的持久存储。这些类型中的每个类型的存取方法也是根本上不同的，因为易失性存储器由程序指令来存取，而盘存储器依赖于计算机的输入/输出（I/O）子系统。虽然易失性存储器一般而言更快，但是此类存储器被称为同质存储位置的单块，使得存储器控制器以基本上类似的操作性能从任意的可以使用的位置来进行存储和检索。
附图说明
如附图中图示说明的，根据本发明的特定实施例的以下描述，本发明的上述目的和其它对象、特征和优点将是明显的，在附图中，贯穿于不同的视图，相同的标记字符指相同部分。附图不一定按比例绘制，而是将重点放在示出本发明的原则上。
图1是适合与本文中的配置一起使用的计算机存储器环境的情景图；
图2是图1的计算机存储器环境中的存储器存取的流程图；
图3a-3d是描绘图1的环境的存储器存取的启发式方法的计算和数据流；以及
图4示出了图1的环境中的存储区域的堆叠实现方式。
具体实施方式
存储器控制器（其可操作地用于对易失性和非易失性存储器的区域的选择性存储器存取，每个区域展现出不同的属性）利用不同的存储器能力，存储器能力在存取速度、存留时间和功率消耗等上变化。存储器的不同区域具有不同的属性，尽管对应用而言保持可以用作单个连续范围可寻址存储器。存储器控制器使用操作模式，操作模式识别用于计算设备的操作优先级，诸如速度、功率节省或效率（即，最小化热量/功耗）。存储器控制器基于所存储的数据的预期使用来识别存储器区域，例如指示何时数据将被检索的存取频率。还可以使用其它因素，诸如传感器或计数器以识别存储器的频繁使用的区域，频繁使用的区域可能导致温度问题。以这种方式，对于应用而言，存储器表现为单个连续的库，使得应用不需要识别该区域（与常规的易失性/非易失性存取指令形成对比）。存储器控制器基于操作模式以及根据启发式方法的预期使用来选择存储器的区域，启发式方法基于展示出具有与数据的预期使用高度对应的属性的那些来偏好存储器的区域。
有可能的是，DRAM将被字节可寻址的非易失性存储器（NVM）替代，NVM包含但不限于铁电的随机存取存储器（FeTRAM）、基于纳米线的非易失性存储器、三维（3D）交叉点存储器（诸如相变存储器（PCM））、包含忆阻器技术的存储器、磁阻随机存取存储器（MRAM）和自旋转移转矩（STT）-MRAM。这些NVM以及易失性存储器（诸如动态随机存取存储器（DRAM））能够被调整以及制造用于宽范围的存留时间（从微妙到多年的信息存留）。类似地，揭示了用于这些存储器技术的性能和功率操作点的宽范围，从深度内嵌的低性能使用到高性能部署的范围，其中例如，能够对于更好的性能来折衷存留时间和热负担（例如，热量）。本文中的配置利用了不同的性能、存留以及热优化存储器区域，以便动态地适应于系统的操作点，诸如使用电池时的最长的待机时间、在活动阶段期间的高响应性以及最佳峰值性能。
能够以任何合适的方式来布置存储器区域（易失性和/或非易失性），例如在单个裸晶内、堆叠（在封装中）或在分开的封装中。此外，响应于属性识别和基于该属性的选择性调用，所公开的方法可以与任何合适的存储器技术一起使用。存储器控制器（MC）在策划对存储器区域的选择进行存取以存储数据中发挥了中心作用，因为该区域可以被静态地优化（例如，在制造时间）或通过例如配置电压轨来动态地优化。MC的新功能可以包含：基于传感器输入、统计计数器和定时器，在存储器区域之间自主地移动数据，使得根据当前操作模式（诸如最佳性能或最低功率）使存储器存取提供为最佳。此类解决方案提供了在存储器子系统的功率/热量、性能和存留时间上的细粒度控制。
常规的MC将存储器视为对于性能和效率而言具有预定的、静态性质的一个同质的区域。热事件导致节制对这个存储器区域的存取数量，在性能上具有负面影响，因为存取不能被卸载到其它存储器区域。在常规方法中，存留时间当前不被认为是设计目标，因为整个存储器子系统被认为是易失性的。对于存储器的常规性能状态是粗粒度的，仅在整个同质的存储器区域上进行操作以及仅有很少的重新配置（即使有也很少）。
具有异质能力的存储器子系统正扩展以涵盖诸如DRAM的技术，DRAM和NVM同时地作为易失性RAM。持久性存储器的当前演进向程序员暴露载入/存储字节可寻址NVM，作为在平台架构中的持久层。然而，将常规数据放置在易失性或持久存储器/非易失性存储器中以处理不同的操作点增加了程序员的负担。另外，常规的持久存储器仅定义一个等级的存留时间（无限的），以及不允许对用于性能的存留时间和热性质之间的折衷进行调整。
本文中的配置至少部分地基于以下观察：对于可寻址存储器，常规方法定义了整块的连续地址。常规存储器控制器将存储器作为同质存储区域进行存取，其不对于性能或有效性属性来区分存储器或对存储器进行分区。不幸的是，对于基于存储器控制器的存取，常规方法遭受的缺点是，仅提供了非易失性存储设备的单个层或种类，以及应用必须从易失性或非易失性（例如，盘）存储设备进行选择。
因此，本文中的配置通过提供存储器的不同区域或部分的异质布置（存储器的每个不同区域或部分具有对于特征（诸如存取速度（性能）、存留时间和功率消耗）的不同的属性），基本上克服了对于存储器存取的上述缺点。对于数据的存储而言，可以基于数据的预期使用以及对于特定属性的感知的需求来选择存储器。例如，频繁使用的或快速响应情景的一部分的数据可以被存储在快速检索存储器区域，而被预期为在一段时间内不需要的数据能够被存储在高存留时间区域，因为可以容许较慢的存取。
在本中的配置中，存储器控制器（MC）控制和选择存储器区域，该存储器区域能够通过属性进行区分，属性包含性能、存留时间和能量效率。取决于对于这些属性的平台级策略以及基于传感器输入（诸如热效应）、统计计数器（例如，存取频率和地址分布）以及进一步的因素（诸如超时计数器），MC能够根据性能、效率和存留时间来调整存储器区域的操作点。MC的存取启发式方法能够利用这些不同的操作模式。另外，根据平台级的策略，通过以上传感的和统计的/测量的输入的触发，MC可以将内容/数据从一个存储器区域移动到另一个存储器区域，以改进存储器子系统的整体行为。启发式方法逻辑实现了存取技术，该存取技术利用了反馈的迭代评价，以改进性能以及属性与适当的或最匹配存储器区域的相关。
可以在生产期间由电路体系结构，或在运行时间期间动态地（如果由电路体系结构暴露了足够的灵活性以修改不同区域的属性）将存储器分成性能和功率区域或具有较高存留时间的区域。
所公开的存储器控制器不同于高速缓存存储器控制器，因为高速缓存存储器控制器不是基于预期的使用来选择高速缓存存储器中的不同区域；基于相同的标准，所有数据都是用于缓存的候补，典型地是最近使用的数据或最频繁使用的数据。此外，所公开的存储器控制器不同于仅具有易失性和非易失性存储设备的体系结构，因为对易失性和非易失性存储设备的存取是明确指定的，即由变量赋值或文件操作来指定。虽然在常规易失性和非易失性存储设备之间的选择通常是应用取决于数据使用来定义的，但是应用不具有控制对非易失性存储设备的控制，以及常规存储器控制器仅将存储器作为单块的同质易失性存储器进行分配。还应当注意的是，本文中概述的操作和方法可以同等地应用于在等级体系的或并行的布置中展示出多个存储器控制器的体系结构。因此，存储器区域的选择由存储设备操作来调用。没有基于预期使用来映射到一个区域或另外的区域。
图1是适用于与本文中的配置一起使用的计算机存储器环境的情景图。参照图1，在计算机存储器环境100中，存储器控制器110控制对存储器120的存取。存储器控制器110响应于一个或多个CPU 130的请求132，以及提供响应134，以存储和检索数据项（数据）。CPU 130还响应于用户显示器和GUI（图形用户接口）140，GUI（图形用户接口）140用于接收用户输入以及再现对于执行的应用的输出。取决于存储器环境的大小和可携带性，还可以包含盘142或其它长期/非易失性存储介质，以下进一步论述。
存储器120包含多个区域150-1…150-N（一般称为150），以及可以由存储器控制器（MC）110经由存取介质122来存取。任何合适的存取介质（诸如使用电或光传递的并行总线或串行总线并备选地如在堆叠的实现方式中耦合到硅通孔（TSV））在以下进一步论述。MC 110选择存储器的区域150，在该区域150中根据请求132来存储数据，以及从同一位置来进行检索以满足响应134。控制器逻辑112存储和应用用于计算适用的区域150（在该区域150中存储数据）的启发式方法，以及关于区域150-N的属性的统计。存储器区域150还可以包含传感器121-1…121-N（一般称为121），传感器用于诸如温度和存取计数的方面。在启发式方法逻辑中的传感器集线器113汇集传感器121输入以及来自各种适当的源（诸如由前置相机确定的用户的注意力、位置、温度、湿度以及其它）的其它相关因素。
所公开的异质存储器方法和对应的启发式方法可以与高速缓存和/或页面映射进行互操作，在现代操作系统中高速缓存和/或页面映射是典型的。因此，存储器控制器110还可以包含高速缓存114和/或地址映射116，它们结合本文中的配置进行操作。例如，高速缓存控制器和阵列可以将存储器中的区域中的一个或多个区域用作高速缓存阵列，因此避免另外的存储设备或库以用于专用的高速缓存存储器。
高速缓存114，如在本领域中是已知的，存储最近从存储器120读取的数据，以及可选地存储最近写到存储器120的数据，以便便于对于相同数据的随后操作。如本文中公开的存储器区域150的选择是不同的，因为高速缓存114仅关注I/O操作的即时性，以及不意在基于启发式方法的使用或使用模式。然而，存储器区域的选择的部分可以包含具有高速属性的区域，以及可以包含使用的频率或新近性，作为选择逻辑的部分。类似地，分页机制仅收集存储器的区段（例如，页面，诸如4K）作为读/写倍数，以及因此当数据出现在特定页面上时，可适用于本公开的启发式方法。例如，可选的页面属性能够反映由程序员在对于相关联的页面的性能和存留方面指定的需求。存储器控制器110可以使用这个信息作为指导，以将数据映射到具有相等或更好属性的区域。除了如本文中公开的自主MC 110之外，此类机制允许与程序员交互。
地址映射116可以采用使用软件支持或更基于硬件方法的映射的形式。在使用软件支持的实现方式中，配置可以依赖于操作系统（OS）页表搜索（page table walk）。在另一个方面，MC 110可以独立地（自主地）使用各自的表以跟踪地址映射（因为，控制器具有移动内容的能力）。实际上，在硬件中用于映射/翻译地址的这个基础架构能够与用于NVM的损耗平衡机制共享，因为损耗平衡常常明确地跟踪每个地址（例如，页面）的写存取，以及基于有限的耐久性来移动内容。
应当强调的是，分区的存储器120的每个区域150以相同的方式保持为从存储器控制器110可寻址（即，字或字节可寻址），而不用考虑数据存储在的存储器区域150。做出请求132的应用（以及因此建立该应用的程序员/开发者）不需要区分存储器的不同范围，或以其他方式指示区域选择。用户和应用存储器120的整个范围保持为可寻址。因此，在没有明确指示执行检索的区域的情况下，可以从多个区域150中的任何区域对数据进行存储和检索。还应当注意的是，如本文中使用的“分区”指将存储器120细分成同时的可寻址区域150，以及不是指安装在单个机器上的分开的操作系统，分开的操作系统典型地加于在由盘分区支持的相互排斥的环境中。
计算机存储器环境100可以是任何合适的计算平台，诸如手持型智能电话和便携式计算设备、平板、膝上型计算机以及台式机形状因子。物理约束可以影响不同设备的操作参数，例如较小的设备可能倾向于生成更多的热量（由于紧凑性），或可以对节省电力具有更大的需求（由于电池约束）。较小的设备可能没有物理盘驱动器142，尽管所有设备可能具有至少用于开机/引导的持久的（非易失性的）组件，尽管网络启动也是可能的。
图2是图1的计算机存储器环境的存储器存取的流程图。参照图1和图2，在以下进一步论述的特定配置中，用于存取存储器的方法包含：将存储器分区成多个区域150，使得每个区域150由属性来定义，如在步骤200公开的。每个区域可以是存储器120的任何合适的区域150，以及可以具有从设计固定的属性或可以具有动态的属性，可以在用于向该存储器区域发布命令以修改属性（诸如用于降低功率消耗或增加存取速度的电压）的执行期间来修改动态的属性，如由箭头118-1…118-2（一般称为118）示出的。在示例实施例中，属性包含：性能（速度）、存留和效率（功率消耗）。取决于存储器120的设计和支持，可以使用其它属性。
如在步骤201处示出的，启发式方法逻辑112根据数据的预期使用来表征数据，以及如在步骤202处描绘的，基于预期的使用和/或结合区域的属性的相关，将该数据映射到多个区域150-N中的区域150。在示出的示例中，执行属性和预期使用之间的映射或相关，使得性能属性标识速度（使用该速度从存储器的区域来再调用数据），以及性能属性用于在定时敏感计算中频繁存取的数据。当用户响应是最重要的以及功率和温度弹性是富足的时，偏好这个属性。存留属性标识持续时间（在该持续时间内，数据将保留在存储器的区域中而不需要电力刷新），以及存留属性用于在容许等待时间计算中很少存取的数据，诸如用于计算结果（该计算结果不是即时需要的），或统计上很少存取的那些数据，以下进一步论述。效率属性指示用于将数据维持在存储器的区域中的功率消耗，以及效率属性在热量或电池考虑限制存储器存取时被使用。因此，效率是双歧的特征，该双歧的特征指具有有限的功耗和热量生成的可接受速度。在便携式设备中，效率是重要的，在便携式设备中，空间容许度能够加重热堆积以及电池功耗是一个问题。
属性的集合可以根据指示通用情景的操作模式来捆绑，以及可以设置“通路（corridor）”或被视为对于操作模式可接受的属性的范围。因此，操作模式基于属性将区域区分优先次序，其中操作模式包含性能模式（偏好具有快速检索的存储器区域）、效率模式（偏好具有可接受的检索时间的低功率消耗的区域）以及弹性模式（偏好具有对于用最小的功率和热压力来维持操作同时维持响应性的高存留时间的区域）。还可以调用其它操作模式，该其它操作模式收集其它属性，和/或指定属性范围内的不同通路。
在特定配置中，存储器区域被配置为响应于计算的或预期的使用，在运行时间期间来修改属性。因此，控制器110可以响应于启发式方法逻辑112以用于响应于预期的使用来动态地修改区域150的属性。例如，很少需要的存储器可以受益于：识别存储器的区域的存取周期和存留周期，以及修改该区域的电压属性，使得在用于维持数据的存留周期期间，该电压较低，以及在用于数据的快速检索的存取周期期间，该电压较高。因此，在数据的延长等待时间期间，需要相对低的功率，以及使热量生成最小化，然而当需要该数据时，增加电压以允许在存取周期期间快速存取。
类似地，可以在具有期望的属性的区域150之间移动数据。启发式方法逻辑112识别对于存储在存储器的区域150中的数据的将来的存取周期，以及在该存取周期之前，将该数据移动到存储器的交替区域150，其中响应于具有很少使用但是在使用期间需要快速存取的数据，交替区域具有对应于快速存取的属性。
在另一个示例中，可以确定的是，存储器的区域经历了高操作温度（由于存取的频率或密度）。作为响应，启发式方法逻辑112识别存储器的区域150的高温，以及响应于所识别的高温来修改该区域150的属性以用于降低功率消耗和热量生成，因此允许相同的区域150继续使用，但是该区域150具有导致较低功率和温度的属性。
图3a-3d是描绘图1的环境的存储器存取的启发式方法的计算和数据流。一般地，启发式方法逻辑112（逻辑）监测属性的值或状态，以及执行矫正测量以向另一个区域150重新分布存储器使用，以将属性恢复到操作模式的操作通路内。参照图1和图3a-3d，在步骤300，逻辑112监测数据存取或存储器区域存取的周期以识别很少使用的区域或数据。在步骤303，执行检查以确定监测的属性是否展示出位于当前配置文件（profile）中的操作通路外的延时。如果是，则存储器控制器110（或从属的管理功能，诸如DMA或地址映射器处理）根据操作配置文件将数据移动到具有不同存留的存储器120的区域150（部分），以便更近地匹配存取之间的时间，如在步骤302处描绘的。因此，如果在延长的周期内不存取数据项，则该数据可以被容许存储在具有较长存留时间的区域150中，以获得来自降低功率的益处。在步骤300，根据监测或轮询周期，控制重复进行。因此，基于预期使用的映射还可以包含调用启发式方法以用于接收关于频繁存取区域150的温度的传感器反馈，以及基于所接收的传感器反馈，将存储器使用重新定向到较低频地使用的区域150。
在图3b中，在步骤310，逻辑112监测存取密度（指存取频率）、读/写比率、平均到达间隔的周期、总容量或使用中的存储器区域（一般被称为使用或利用率）。此类属性一般指整体功耗以及对应的热量生成，在较小的便携式设备中，这可能是特别关注的。在步骤311，执行检查以确定存取密度是否在操作通路（范围）外。如果是，则执行进一步检查以通过改变操作状态（即，通过降低电压以降低整体的热量/功率需求）来识别能否满足新的操作通路，如在步骤312处描绘的。如果满足，则逻辑112设置新的操作通路以通过斜升（ramp up）或斜降性能来改变控制，如在步骤313处示出的。如果不能满足新的操作通路（在没有大幅度的中断使用的情况下），则存储器控制器根据配置文件，将数据移动到具有不同的功率/性能（即，效率）状态的存储器的区域150，如在步骤314处描述的。通过修改电压而不是移动存储器的区域改变状态一般而言开销较少，因此首先考虑改变电压。因此，启发式方法112可以维持用于对区域存取的计数器，以及将存储器使用从具有高存取的区域重新定向到具有较低存取计数的区域。
对于寻求区域移动（步骤302，314）的两种情况，可以使用从存储器传感器和/或计数器收集的统计使用数据。基于存储器类型的存留时间的存储器的地址/数据分割的信息被发送给逻辑，诸如由消息350示出的。类似地，通过消息352接收基于存储器的功率/性能状态的存储器的地址/区域分割的信息。因此，数据的预期使用基于以下中的至少一个：数据的存取的频率、数据的检索中的便利性（expediency）以及数据的寿命。区域150选择还包含识别操作模式，其中操作模式指示属性的优先级，使得偏好展示出较高优先级的属性的区域。响应于逻辑112，MC 110基于属性的优先级来映射数据，其中偏好展示出对应于高优先级的属性的区域150以及较低频地使用展示出对应于较低优先级的属性的区域，或在区域之间整体地进行移动。
因此，逻辑112实现了启发式方法，该启发式方法可以包含接收来自多个存储器区域150的操作统计，其中属性基于所接收的操作统计。在示例布置中，操作统计可以包含诸如来自存储器库/模块中的板载传感器的温度（即，热效应）、统计计数器（即，存取频率和地址分布）以及超时计数器的参数。
在步骤320，逻辑112监测存储器区域150的存取密度。存取密度影响例如DRAM内的多个属性（参数），以及随着处理缩放(scaling)变得更重要。逻辑还监测NVM存储器的耗损均衡，如在步骤323处描绘的。耗损均衡试图跨越存储器使存取周期适中，使得某些位置不会出现不成比例的存取份额，不成比例的存取份额能够导致某些位置过早地耗尽它们的读/写生命期。对于两种属性，执行检查以确定是否能够将数据转移到具有较低存取密度的区域150，如在步骤321处描绘的。如果能够，则MC 110将数据移动到对存取周期具有更多容许度（更多的可以使用的读写寿命）的另一个存储器区域150。因此，映射可以进一步调用启发式方法以用于接收对应于数据存留时间的定时器输入，以及识别接近用于区域150的存留时间的极限的数据（该数据位于该区域150中）。基于所接收的定时器输入，MC 110将存储器使用重新定向到具有较高存留时间的区域。
图4示出了图1的环境中的存储器区域的堆叠实现方式。参照图1和图4，不同的体系结构可以处置具有不同存取介质（诸如TSV（硅通孔）122’）的存储器区域。在可替代配置中，区域150包含：从堆叠的裸晶存储器装置120’可以存取的TSV区域150-11…150-14，以及总线可以存取的库，如上所述。此外，不同区域对应于不同的功率域，进一步增强对功率消耗和热量生成的控制。
本领域的技术人员应当容易地意识到的是，本文中定义的程序和方法可以以许多形式递送到用户处理和再现设备，许多形式包含但不限于a）永久地存储在不可写的存储介质（诸如ROM设备）上的信息，b）可改动地存储在可写的非短暂性的存储介质（诸如软盘、磁带、CD、RAM设备或其它磁介质以及光介质）上的信息，或c）可以通过通信介质（如在诸如互联网或电话调制解调器线路的电子网络中）运送到计算机的信息。该操作和方法可以在软件可执行对象中实现或实现成一组编码的指令（用于由响应于该指令的处理器来执行）。备选地，可以使用诸如专用集成电路（ASIC），现场可编程门阵列（FPGA），状态机，控制器的硬件组件或其它硬件组件或设备或硬件、软件和固件组件的组合来整体地或部分地体现本文中公开的操作和方法。
虽然已经具体地示出了并且参照系统和方法的实施例描述了本文中定义的系统和方法，但是本领域的技术人员将理解的是，在不背离由所附权利要求书涵盖的本发明的范围的情况下，对其中的系统和方法而言，可以在形式和细节上做出各种改变。

Claims (25)

1.一种用于存取存储器的方法，包括：
将存储器分区成多个区域，每个区域由属性定义以及响应于处理器；
根据数据的预期使用来表征所述数据；以及
基于所述数据的所述预期使用来选择所述多个区域中的区域，在所述区域中存储所述数据。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述数据的所述预期使用基于以下中的至少一个：所述数据的存取频率、所述数据的检索中的便利性以及所述数据的寿命。
3.根据权利要求1-2中的任何一项所述的方法，其中在没有明确指示执行所述检索的所述区域的情况下，所述数据可以从所述多个区域中的任何区域进行存储和检索。
4.根据权利要求1-3中的任何一项所述的方法，还包括：响应于所述预期的使用，动态地修改所述区域的所述属性。
5.根据权利要求1-4中的任何一项所述的方法，还包括：
识别存储器的区域的存取周期和存留周期；以及
修改所述区域的电压属性，使得根据所述预期使用，基于功率消耗和速度的需求来修改所述电压电平。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括：修改所述区域的电压属性，使得在用于维持所述数据的所述存留周期期间，所述电压较低，以及在用于所述数据的快速检索的所述存取周期期间，所述电压较高。
7.根据权利要求1-6中的任何一项所述的方法，还包括：
识别对于存储在存储器的所述区域中的数据的将来的存取周期；以及
在所述存取周期之前，将所述数据移动到存储器的交替区域，响应于具有很少使用但是在使用期间需要快速存取的数据，所述交替区域具有对应于快速存取的属性。
8.根据权利要求1-7中的任何一项所述的方法，还包括：
基于存储器传感器输入，识别展示出对功率矫正有需求的存储器的区域；以及
响应于识别的高温，修改所述区域的所述属性以用于降低功率消耗和热量生成。
9.根据权利要求1-8中的任何一项所述的方法，还包括：识别操作模式，所述操作模式指示所述属性的优先级，使得偏好展示出较高优先级的属性的区域；以及
基于属性的所述优先级来映射所述数据，使得偏好展示出对应于所述高优先级的属性的区域，以及较低频地使用展示出对应于较低优先级的属性的区域。
10.根据权利要求1-8中的任何一项所述的方法，其中操作模式基于所述属性将所述区域区分优先次序，所述操作模式包含：
性能模式，所述性能模式偏好具有快速检索的存储器区域；
效率模式，所述效率模式偏好具有可接受的检索时间的低功率消耗的区域；以及
弹性模式，所述弹性模式偏好具有对于用最小的功率和热压力来维持操作同时维持响应性的高存留时间的区域。
11.根据权利要求1-10中的任何一项所述的方法，其中选择包含在所述属性和所述预期使用之间进行映射，其中：
性能属性标识速度，使用所述速度从存储器的区域来再调用所述数据，以及所述性能属性用于在定时敏感计算中频繁存取的数据；
存留属性标识持续时间，在所述持续时间所述数据将保留在存储器的所述区域中而不需要电力刷新，以及所述存留属性用于在容许等待时间计算中很少存取的数据；以及
效率属性指示用于将所述数据维持在存储器的所述区域中的功率消耗，以及所述效率属性在热量或电池考虑限制存储器存取时被使用。
12.根据权利要求1-11中的任何一项所述的方法，还包括：接收来自所述多个存储器区域的操作统计，其中所述属性基于所接收的操作统计。
13.根据权利要求1-12中的任何一项所述的方法，其中所述操作统计包含：温度、统计计数器和超时计数器。
14.根据权利要求1-13中的任何一项所述的方法，其中所述映射还包括调用启发式方法以用于：
接收关于频繁存取区域的温度的传感器反馈，以及
基于所接收的传感器反馈，将存储器使用重新定向到较低频地使用的区域。
15.根据权利要求1-13中的任何一项所述的方法，其中所述映射还包括调用启发式方法以用于：
维持用于对区域存取的计数器；以及
将存储器使用从具有高存取计数的区域重新定向到具有较低存取计数的区域。
16.根据权利要求1-13中的任何一项所述的方法，其中所述映射还包括调用启发式方法以用于：
接收对应于数据存留时间的定时器输入；
识别接近用于所述区域的存留时间的极限的数据，所述数据位于所述区域中；以及
基于所接收的定时器输入，将存储器使用重新定向到具有较高存留时间的区域。
17.根据权利要求1-16中的任何一项所述的方法，其中所述区域包含：从堆叠的裸晶布置可以存取的TSV（硅通孔）区域，以及总线可以存取的库。
18.一种控制器，包括：
存储器，其被细分成多个存储器区域，每个区域由属性定义；
启发式方法逻辑，其可操作以根据数据的预期使用来表征数据；以及
存储器存取介质，其用于基于所述预期使用与所述区域的所述属性的相关，将所述数据映射到所述多个区域中的区域；以及
显示器，其用于再现所映射的数据。
19.根据权利要求18所述的控制器，其中所述数据的所述预期使用基于以下中的至少一个：所述数据的存取频率、所述数据的检索中的便利性以及所述数据的寿命。
20.根据权利要求18-19中的任何一项所述的控制器，其中所分区的存储器的每个区域以相同的方式保持从存储器控制器可寻址，而不用考虑所述数据存储在其中的所述存储器区域。
21.根据权利要求18-20中的任何一项所述的控制器，其中所述存储器区域被配置为响应于所述预期的使用，动态地修改所述属性。
22.根据权利要求18-21中的任何一项所述的控制器，其中所述启发式方法逻辑定义操作模式，所述操作模式指示所述属性的优先级，使得偏好展示出较高优先级的属性的区域；以及
所述存储器存取介质响应于所述启发式方法逻辑以用于基于属性的所述优先级来映射所述数据，使得偏好展示出对应于所述高优先级的属性的区域，以及较低频地使用展示出对应于较低优先级的属性的区域。
23.根据权利要求18-22中的任何一项所述的控制器，其中所述启发式方法逻辑包含用于基于所述属性将所述区域区分优先次序的操作模式，所述操作模式包含：
性能模式，所述性能模式偏好具有快速检索的存储器区域；
效率模式，所述效率模式偏好具有可接受的检索时间的低功率消耗的区域；以及
弹性模式，所述弹性模式偏好具有对于用最小的功率和热压力来维持操作同时维持响应性的高存留时间的区域。
24.根据权利要求18-23中的任何一项所述的控制器，其中所述启发式方法被配置为在所述属性和所述预期使用之间执行映射，其中：
性能属性标识速度，使用所述速度从存储器的区域来再调用所述数据，以及所述性能属性用于在定时敏感计算中频繁存取的数据；
存留属性标识持续时间，在所述持续时间内，所述数据将保留在存储器的所述区域中而不需要电力刷新，以及所述存留属性用于在容许等待时间计算中很少存取的数据；以及
效率属性指示用于将所述数据维持在存储器的所述区域中的功率消耗，以及所述效率属性在热量或电池考虑限制存储器存取时被使用。
25.一种包含代码的机器可读介质，当执行所述代码时，所述代码使得所述机器执行根据权利要求1-17中的任何一项的用于存取存储器的方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104978303A (zh) * 2015-06-19 2015-10-14 上海兆芯集成电路有限公司 传感器集线器、和移动装置及其多传感器管理方法
CN106557428A (zh) * 2015-09-30 2017-04-05 西部数据技术公司 数据存储设备的映射系统选择
CN108292262A (zh) * 2015-12-03 2018-07-17 华为技术有限公司 计算机存储器管理方法和系统
CN112882646A (zh) * 2019-11-29 2021-06-01 北京金山云网络技术有限公司 一种资源缓存方法、装置、电子设备及存储介质
CN113885781A (zh) * 2020-07-02 2022-01-04 爱思开海力士有限公司 存储装置及其操作方法

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014044527A (ja) * 2012-08-24 2014-03-13 Canon Inc 情報処理装置及びその制御方法、並びに、そのプログラムと記憶媒体
JP2016177689A (ja) * 2015-03-20 2016-10-06 株式会社東芝 メモリシステム
US9575671B1 (en) * 2015-08-11 2017-02-21 International Business Machines Corporation Read distribution in a three-dimensional stacked memory based on thermal profiles
US11625181B1 (en) 2015-08-24 2023-04-11 Pure Storage, Inc. Data tiering using snapshots
US11294588B1 (en) * 2015-08-24 2022-04-05 Pure Storage, Inc. Placing data within a storage device
JP6690829B2 (ja) * 2015-08-28 2020-04-28 国立大学法人 東京大学 計算機システム、省電力化方法及び計算機
KR20170030307A (ko) * 2015-09-09 2017-03-17 삼성전자주식회사 분리 배치된 커패시터를 갖는 메모리 장치
US20170131947A1 (en) * 2015-11-06 2017-05-11 Pho Hoang Data and collection methods to analyze life acceleration of SSD with real usages
US20170162235A1 (en) * 2015-12-02 2017-06-08 Qualcomm Incorporated System and method for memory management using dynamic partial channel interleaving
US10079650B2 (en) * 2015-12-04 2018-09-18 Infineon Technologies Ag Robust high speed sensor interface for remote sensors
US10896138B2 (en) * 2016-05-27 2021-01-19 Apple Inc. Dynamically controlling random access memory retention in a wireless device
US10534545B2 (en) * 2017-12-20 2020-01-14 International Business Machines Corporation Three-dimensional stacked memory optimizations for latency and power
US10782908B2 (en) 2018-02-05 2020-09-22 Micron Technology, Inc. Predictive data orchestration in multi-tier memory systems
US11416395B2 (en) * 2018-02-05 2022-08-16 Micron Technology, Inc. Memory virtualization for accessing heterogeneous memory components
US11099789B2 (en) 2018-02-05 2021-08-24 Micron Technology, Inc. Remote direct memory access in multi-tier memory systems
US10880401B2 (en) 2018-02-12 2020-12-29 Micron Technology, Inc. Optimization of data access and communication in memory systems
KR102091409B1 (ko) * 2018-03-09 2020-03-20 삼성전자 주식회사 전자장치 및 그 제어방법
WO2019172622A1 (ko) * 2018-03-09 2019-09-12 삼성전자(주) 전자장치 및 그 제어방법
US10877892B2 (en) 2018-07-11 2020-12-29 Micron Technology, Inc. Predictive paging to accelerate memory access
US10720217B1 (en) * 2019-01-29 2020-07-21 Silicon Storage Technology, Inc. Memory device and method for varying program state separation based upon frequency of use
US10852949B2 (en) 2019-04-15 2020-12-01 Micron Technology, Inc. Predictive data pre-fetching in a data storage device
US11144467B2 (en) * 2019-05-17 2021-10-12 Intel Corporation Bypassing cache memory in a write transaction in a system with multi-level memory
JP2021043654A (ja) * 2019-09-10 2021-03-18 富士通株式会社 情報処理装置及びプロセス配置決定プログラム
US11561907B2 (en) * 2020-08-18 2023-01-24 Micron Technology, Inc. Access to data stored in quarantined memory media
KR20220030348A (ko) 2020-08-27 2022-03-11 삼성전자주식회사 메모리 장치
US11928509B2 (en) * 2021-01-07 2024-03-12 Micron Technology, Inc. Memory system workload allocation

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080034234A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-07 Hitachi, Ltd. Method and computer for reducing power consumption of a memory
CN101221464A (zh) * 2006-10-30 2008-07-16 英特尔公司 存储器模块的热管理
TW200903255A (en) * 2007-05-04 2009-01-16 Atmel Corp Configurable memory protection
CN101369451A (zh) * 2007-08-14 2009-02-18 三星电子株式会社 固态存储器、包含其的计算机系统和操作其的方法
US20090254702A1 (en) * 2007-12-26 2009-10-08 Fujitsu Limited Recording medium storing data allocation control program, data allocation control device, data allocation control method, and multi-node storage-system
CN101617372A (zh) * 2007-02-16 2009-12-30 莫塞德技术公司 具有动态多模式操作的非易失性存储器
US7653826B1 (en) * 2009-01-20 2010-01-26 International Business Machines Corporation Method and apparatus for query optimization and management of sleepy drives
TW201022927A (en) * 2008-12-01 2010-06-16 Ibm Optimization of data distribution and power consumption in a data center
CN101911074A (zh) * 2008-01-10 2010-12-08 帝斯科匹尔公司 基于存储寿命和速度选择存储位置用于文件存储
US20110047316A1 (en) * 2009-08-19 2011-02-24 Dell Products L.P. Solid state memory device power optimization
US20110283071A1 (en) * 2010-05-17 2011-11-17 Satoshi Yokoya Dynamically Configurable Memory System
TW201301040A (zh) * 2011-06-20 2013-01-01 Microsoft Corp 用於制式資料儲存的儲存媒體抽象化
WO2013048518A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Intel Corporation Dynamic operations for 3d stacked memory using thermal data

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005216053A (ja) 2004-01-30 2005-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 最適メモリ配置演算装置及び最適メモリ配置方法
JP2009064112A (ja) 2007-09-04 2009-03-26 Fujitsu Microelectronics Ltd メモリへのコード転送方法
JP2011022933A (ja) 2009-07-17 2011-02-03 Toshiba Corp メモリ管理装置を含む情報処理装置及びメモリ管理方法
JP4660621B1 (ja) 2009-10-29 2011-03-30 株式会社東芝 情報処理装置およびメモリ制御方法
US8472274B2 (en) 2011-03-02 2013-06-25 Apple Inc. Using temperature sensors with a memory device
US9703500B2 (en) * 2012-04-25 2017-07-11 International Business Machines Corporation Reducing power consumption by migration of data within a tiered storage system
US9626126B2 (en) * 2013-04-24 2017-04-18 Microsoft Technology Licensing, Llc Power saving mode hybrid drive access management

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080034234A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-07 Hitachi, Ltd. Method and computer for reducing power consumption of a memory
CN101221464A (zh) * 2006-10-30 2008-07-16 英特尔公司 存储器模块的热管理
CN101617372A (zh) * 2007-02-16 2009-12-30 莫塞德技术公司 具有动态多模式操作的非易失性存储器
TW200903255A (en) * 2007-05-04 2009-01-16 Atmel Corp Configurable memory protection
CN101369451A (zh) * 2007-08-14 2009-02-18 三星电子株式会社 固态存储器、包含其的计算机系统和操作其的方法
US20090254702A1 (en) * 2007-12-26 2009-10-08 Fujitsu Limited Recording medium storing data allocation control program, data allocation control device, data allocation control method, and multi-node storage-system
CN101911074A (zh) * 2008-01-10 2010-12-08 帝斯科匹尔公司 基于存储寿命和速度选择存储位置用于文件存储
TW201022927A (en) * 2008-12-01 2010-06-16 Ibm Optimization of data distribution and power consumption in a data center
US7653826B1 (en) * 2009-01-20 2010-01-26 International Business Machines Corporation Method and apparatus for query optimization and management of sleepy drives
US20110047316A1 (en) * 2009-08-19 2011-02-24 Dell Products L.P. Solid state memory device power optimization
US20110283071A1 (en) * 2010-05-17 2011-11-17 Satoshi Yokoya Dynamically Configurable Memory System
TW201301040A (zh) * 2011-06-20 2013-01-01 Microsoft Corp 用於制式資料儲存的儲存媒體抽象化
WO2013048518A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Intel Corporation Dynamic operations for 3d stacked memory using thermal data

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104978303A (zh) * 2015-06-19 2015-10-14 上海兆芯集成电路有限公司 传感器集线器、和移动装置及其多传感器管理方法
CN104978303B (zh) * 2015-06-19 2019-06-04 上海兆芯集成电路有限公司 单芯片整合的传感器集线器和多传感器管理方法
CN106557428A (zh) * 2015-09-30 2017-04-05 西部数据技术公司 数据存储设备的映射系统选择
CN106557428B (zh) * 2015-09-30 2020-10-23 西部数据技术公司 数据存储设备的映射系统选择
CN108292262A (zh) * 2015-12-03 2018-07-17 华为技术有限公司 计算机存储器管理方法和系统
CN112882646A (zh) * 2019-11-29 2021-06-01 北京金山云网络技术有限公司 一种资源缓存方法、装置、电子设备及存储介质
CN113885781A (zh) * 2020-07-02 2022-01-04 爱思开海力士有限公司 存储装置及其操作方法
CN113885781B (zh) * 2020-07-02 2023-10-10 爱思开海力士有限公司 存储装置及其操作方法

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