CN104630885A - 一种多晶硅铸锭的生产方法 - Google Patents
一种多晶硅铸锭的生产方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104630885A CN104630885A CN201510117058.9A CN201510117058A CN104630885A CN 104630885 A CN104630885 A CN 104630885A CN 201510117058 A CN201510117058 A CN 201510117058A CN 104630885 A CN104630885 A CN 104630885A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thermal field
- crucible
- ingot casting
- production method
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明提供了一种多晶硅铸锭的生产方法，包括以下步骤：a)将纳米级硅粉与无水乙醇混合后，涂覆在坩埚内部底面；b)在上述坩埚内加入硅料，进行铸锭生产，得到多晶硅铸锭。与现有技术相比，本发明提供的多晶硅铸锭的生产方法采用纳米级硅粉作为成核剂，由于纳米级硅粉的体表面积大，诱发成核点更多、更均匀，减少晶体因自发紊乱生长而形成的晶界、错位等晶体宏观缺陷，从而进一步减少晶体中少子负荷中心的数量，大大提高多晶硅的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及多晶硅技术领域，更具体地说，是涉及一种多晶硅铸锭的生产方法。
背景技术
多晶硅铸锭技术因其投料量大、操作简单、成本低，在很大程度上已超越直拉法生产的单晶硅，成为光伏行业中生产太阳能电池材料的主要技术。多晶硅铸锭的工艺流程主要包括四个环节：坩埚喷涂、坩埚烘烤、坩埚装料以及铸锭生产；在铸锭生产过程中，需要经过加热、熔化、长晶、退火和冷却五个阶段。通过对传统多晶硅铸锭工艺的优化，生产出低缺陷、高品质的多晶硅铸锭，是提升行业竞争水平的重要手段。
目前，各大硅片厂商所使用的多晶硅铸锭工艺在坩埚装料环节进行改进，采用在坩埚底部铺洒碎硅片的方法，以碎硅片为成核剂，结合铸锭炉工艺，使得底部成核剂不熔，从而使熔化的硅液由成核剂从下至上生长为晶粒均匀的多晶体，这种工艺生产的多晶硅铸锭光电转换效率一般在17.4﹪至17.5﹪左右。
虽然这种改进的多晶硅铸锭工艺与传统工艺相比，能够改善多晶体位错等晶体宏观缺陷，使得光电转换效率较传统工艺生产的多晶硅铸锭提高0.4﹪左右，但是，其17.4﹪至17.5﹪的光电转换效率市场竞争力不高。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种多晶硅铸锭的生产方法，本发明提供的生产方法得到的多晶硅铸锭具有较高的光电转换效率。
本发明提供了一种多晶硅铸锭的生产方法，包括以下步骤：
a)将纳米级硅粉与无水乙醇混合后，涂覆在坩埚内部底面；
b)在上述坩埚内加入硅料，进行铸锭生产，得到多晶硅铸锭。
优选的，所述纳米级硅粉的中值粒径为50nm～250nm。
优选的，所述纳米级硅粉与无水乙醇的用量比为5g：(4～6)mL。
优选的，所述纳米级硅粉的用量与坩埚涂覆面积比为(600～650)g：1m2。
优选的，所述步骤a)之前还包括：
在所述坩埚内部底面和内壁设置氮化硅涂层。
优选的，步骤b)中所述铸锭生产的过程具体包括以下步骤：
b1)将装有硅料的坩埚置于上下热场中进行加热；
b2)提高上下热场温度使坩埚中的硅料进行熔化，得到硅液；
b3)降低上下热场温度使硅液进行长晶，得到多晶硅；
b4)继续降低上热场温度同时提高下热场温度，对得到的多晶硅进行退火；
b5)将退火后的多晶硅进行冷却，得到多晶硅铸锭。
优选的，步骤b2)中所述熔化过程的上热场温度为1450℃～1550℃，下热场温度为1350℃～1400℃。
优选的，步骤b3)中所述长晶过程的上热场温度为1400℃～1450℃，下热场温度为1000℃～1200℃。
优选的，步骤b4)中所述退火过程的上热场温度为1300℃～1400℃，下热场温度为1000℃～1200℃。
优选的，步骤b4)中所述退火过程的时间为3h～5h。
本发明提供了一种多晶硅铸锭的生产方法，包括以下步骤：a)将纳米级硅粉与无水乙醇混合后，涂覆在坩埚内部底面；b)在上述坩埚内加入硅料，进行铸锭生产，得到多晶硅铸锭。与现有技术相比，本发明提供的多晶硅铸锭的生产方法采用纳米级硅粉作为成核剂，由于纳米级硅粉的体表面积大，诱发成核点更多、更均匀，减少晶体因自发紊乱生长而形成的晶界、错位等晶体宏观缺陷，从而进一步减少晶体中少子负荷中心的数量，大大提高多晶硅的光电转换效率。实验结果表明，采用本发明提供的多晶硅铸锭的生产方法制备得到的多晶硅硅块的平均少子寿命为6.5us～7.0us，所述多晶硅铸锭制备得到的硅片的光电转换效率稳定在18％以上。
此外，本发明提供的多晶硅铸锭的生产方法将纳米级硅粉与无水乙醇混合后均匀涂覆，既能避免破坏坩埚内部底面的氮化硅涂层，又能使硅粉牢牢粘附在坩埚内部底面。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种多晶硅铸锭的生产方法，包括以下步骤：
a)将纳米级硅粉与无水乙醇混合后，涂覆在坩埚内部底面；
b)在上述坩埚内加入硅料，进行铸锭生产，得到多晶硅铸锭。
在本发明中，将纳米级硅粉与无水乙醇混合。本发明对所述纳米级硅粉和无水乙醇的来源没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的市售商品即可。在本发明中，所述纳米级硅粉的中值粒径优选为50nm～250nm，更优选为100nm～200nm，最优选为150nm。在本发明中，所述纳米级硅粉与无水乙醇的用量比优选为5g：(4～6)mL，更优选为5g：5mL。
在本发明中，将纳米级硅粉与无水乙醇混合后，涂覆在坩埚内部底面。本发明对所述坩埚的来源没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的市售普通坩埚即可。在本发明优选的实施例中，所述坩埚选自G5型号普通坩埚或G6型号普通坩埚；其中，所述G5型号普通坩埚的底面尺寸为890mm×890mm，所述G6型号普通坩埚的底面尺寸为1040mm×1040mm。在本发明中，所述纳米级硅粉的用量与坩埚涂覆面积比优选为(600～650)g：1m2，更优选为(630～640)g：1m2。
在本发明中，将所述纳米级硅粉与无水乙醇混合后，涂覆在坩埚内部底面之前，优选还包括：
在所述坩埚内部底面和内壁设置氮化硅涂层。在本发明中，所述氮化硅涂层能够防止在铸锭生产过程中，熔化的硅料和坩埚发生反应，造成多晶硅铸锭无法正常脱模。在本发明中，在所述坩埚内部底面和内壁设置氮化硅涂层的过程优选具体为：
首先对坩埚内部底面和内壁依次进行清洗、擦拭和吹扫；其次，将上述坩埚进行加热，得到热坩埚；再次，将氮化硅水溶液均匀喷涂在所述热坩埚内部底面和内壁；最后，将上述经过喷涂后的坩埚进行烘烤，得到内部底面和内壁设置有氮化硅涂层的坩埚。
在本发明中，对坩埚内部底面和内壁依次进行清洗、擦拭和吹扫。本发明对所述清洗、擦拭和吹扫的方法没有特殊限制，目的是使所述坩埚内部底面和内壁洁净。
完成对坩埚内部底面和内壁依次进行清洗、擦拭和吹扫过程后，本发明将上述坩埚进行加热，得到热坩埚。在本发明中，所述加热的温度优选为70℃～100℃，更优选为80℃～90℃。本发明对所述加热的方法没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的加热的技术方案即可。
得到热坩埚后，本发明将氮化硅水溶液均匀喷涂在所述热坩埚内部底面和内壁。本发明对所述氮化硅的来源没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的市售商品即可。在本发明中，所述氮化硅水溶液中氮化硅与水的量比优选为1g：(1～6)mL，更优选为1g：(2～4)mL。在本发明中，所述氮化硅的用量与坩埚喷涂面积比优选为(500～700)g：1m2，更优选为(600～650)g：1m2。本发明对所述均匀喷涂的方法没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的均匀喷涂的技术方案即可。
完成所述均匀喷涂后，本发明将上述经过喷涂后的坩埚进行烘烤，得到内部底面和内壁设置有氮化硅涂层的坩埚。在本发明中，所述烘烤的温度优选为150℃～300℃，更优选为200℃～250℃；所述烘烤的时间优选为1h～4h，更优选为2h～3h。
在本发明中，将纳米级硅粉与无水乙醇混合后，涂覆在坩埚内部底面。所述坩埚优选为上述技术方案得到的内部底面和内壁设置有氮化硅涂层的坩埚。在本发明中，所述将纳米级硅粉与无水乙醇进行混合的过程优选为：
在搅拌的条件下将所述纳米级硅粉加入到无水乙醇中。本发明对所述搅拌的方法没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的人工搅拌或机械搅拌的技术方案均可。在本发明中，所述搅拌的目的是将纳米级硅粉均匀分散在无水乙醇中。在本发明中，所述涂覆优选为均匀涂覆，目的是使纳米级硅粉均匀分布在坩埚内部底面。本发明对所述涂覆的方法没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的均匀涂覆的技术方案即可。
在本发明中，所述纳米级硅粉作为制备多晶硅铸锭的成核剂，其自身具有体表面积大的特点，能够诱发更多成核点，并且所述纳米级硅粉均匀分布在坩埚内部底面，减少晶体因自发紊乱生长而形成的晶界、错位等晶体宏观缺陷，从而进一步减少晶体中少子负荷中心的数量，大大提高多晶硅铸锭的光电转换效率。此外，本发明将纳米级硅粉与无水乙醇混合后均匀涂覆，既能避免破坏坩埚内部底面的氮化硅涂层，又能使硅粉牢牢粘附在坩埚内部底面。
将纳米级硅粉与无水乙醇的混合溶液涂覆在坩埚内部底面后，本发明在上述坩埚内加入硅料，进行铸锭生产，得到多晶硅铸锭。本发明对所述硅料的来源没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的用于生产多晶硅铸锭的硅料即可。在本发明中，所述铸锭生产的过程优选具体包括以下步骤：
b1)将装有硅料的坩埚置于上下热场中进行加热；
b2)提高上下热场温度使坩埚中的硅料进行熔化，得到硅液；
b3)降低上下热场温度使硅液进行长晶，得到多晶硅；
b4)继续降低上热场温度同时提高下热场温度，对得到的多晶硅进行退火；
b5)将退火后的多晶硅进行冷却，得到多晶硅铸锭。
在本发明中，将装有硅料的坩埚置于上下热场中进行加热。所述上下热场由多晶硅铸锭设备提供，本发明对此没有特殊限制，如可采用本领域技术人员熟知的多晶硅铸锭炉。在本发明中，所述多晶硅铸锭设备优选通过隔热设备使上下热场产生温度差；所述隔热设备优选为隔热笼，本发明通过隔热笼的开启与关闭，控制上下热场的温度差，所述隔热笼开启程度越大，上下热场的温度差越大。在本发明中，所述加热的目的是除去附着在硅料中的水分，本发明对所述加热的方法没有特殊限制，优选采用真空加热。在本发明中，所述加热的温度优选为1000℃～1450℃，更优选为1175℃；所述加热的时间优选为3h～6h，更优选为4h～5h。
完成所述加热后，本发明提高上下热场温度使坩埚中的硅料进行熔化，得到硅液。在本发明中，所述熔化过程的上热场温度优选为1450℃～1550℃；所述熔化过程的下热场温度优选为1350℃～1400℃。在本发明中，所述熔化过程的时间优选为12h～17h，更优选为14h～16h。在本发明中，所述熔化过程中上下热场的温度差优选通过隔热笼的开启而实现；在熔化过程中，下热场温度低于上热场温度，使坩埚中的硅料全部熔化，得到硅液，而坩埚内部底面涂覆的纳米级硅粉形成均匀分布的细小晶粒层。
完成所述熔化后，本发明降低上下热场温度使硅液进行长晶，得到多晶硅。在本发明中，所述长晶过程的上热场温度优选为1400℃～1450℃；所述长晶过程的下热场温度为1000℃～1200℃。在本发明中，所述长晶过程的时间优选为25h～35h，更优选为30h。本发明优选通过控制开启隔热笼的程度，减少上下热场的温度差，使长晶速率减慢，减少晶体缺陷；所述长晶过程的温度差优选为250℃～400℃。在本发明中，所述长晶过程的上下热场温度降低，其中，下热场温度降低的程度大于上热场温度，形成温度梯度，以坩埚内部底面的细小晶粒层为晶核，自下而上开始长晶，得到多晶硅。
完成所述长晶后，本发明继续降低上热场温度同时提高下热场温度，对得到的多晶硅进行退火。在本发明中，所述退火过程的上热场温度为1300℃～1400℃；所述退火过程的下热场温度为1000℃～1200℃。在本发明中，所述退火过程的时间优选为3h～5h，更优选为3.5h～4.5h。本发明优选通过控制开启隔热笼的程度，减少上下热场的温度差，并提高退火温度和时间，充分减少晶体内应力；所述退火过程的温度差优选为100℃～400℃。在本发明中，所述退火过程的上热场温度降低，下热场温度提高，上下热场的温度差随之减小，完成退火过程。
完成所述退火后，本发明将退火后的多晶硅进行冷却，得到多晶硅铸锭。本发明对所述冷却的方法没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的冷却方法即可。在本发明中，所述冷却的温度优选为400℃～500℃，更优选为450℃；所述冷却的时间优选为8h～15h，更优选为9h～11h。
本发明采用semilab-wt2000设备对制备得到的多晶硅硅块的平均少子寿命进行测试，结果表明，采用本发明提供的生产方法制备得到的多晶硅硅块的平均少子寿命为6.5us～7.0us。对上述多晶硅铸锭制备得到的硅片的光电转换效率进行测试，结果表明，上述多晶硅铸锭制备得到的硅片的光电转换效率稳定在18％以上。
本发明提供了一种多晶硅铸锭的生产方法，包括以下步骤：a)将纳米级硅粉与无水乙醇混合后，涂覆在坩埚内部底面；b)在上述坩埚内加入硅料，进行铸锭生产，得到多晶硅铸锭。与现有技术相比，本发明提供的多晶硅铸锭的生产方法采用纳米级硅粉作为成核剂，由于纳米级硅粉的体表面积大，诱发成核点更多、更均匀，减少晶体因自发紊乱生长而形成的晶界、错位等晶体宏观缺陷，从而进一步减少晶体中少子负荷中心的数量，大大提高多晶硅铸锭的光电转换效率。实验结果表明，采用本发明提供的多晶硅铸锭的生产方法制备得到的多晶硅硅块的平均少子寿命为6.5us～7.0us，所述多晶硅铸锭制备得到的硅片的光电转换效率稳定在18％以上。
此外，本发明提供的多晶硅铸锭的生产方法将纳米级硅粉与无水乙醇混合后均匀涂覆，既能避免破坏坩埚内部底面的氮化硅涂层，又能使硅粉牢牢粘附在坩埚内部底面。
为了进一步说明本发明，下面通过以下实施例进行详细说明。本发明以下实施例所用的纳米级硅粉由美国MEMC电子材料股份有限公司提供。
实施例1
(1)取底面尺寸为890mm×890mm的G5型号普通坩埚，首先，对上述坩埚内部底面和内壁依次进行清洗、擦拭和吹扫；其次，将上述坩埚在85℃条件下进行加热，得到热坩埚；再次，将500g氮化硅与1000mL水混合得到的氮化硅水溶液均匀喷涂在上述热坩埚内部底面和内壁；最后，将上述经过喷涂后的坩埚在200℃条件下烘烤2.5h，得到内部底面和内壁设置有氮化硅涂层的坩埚。
(2)将500g中值粒径为150nm的纳米级硅粉与500mL无水乙醇在搅拌的条件下混合均匀后，均匀涂覆在上述设置有氮化硅涂层的坩埚内部底面。
(3)在上述坩埚内加入碎硅片，置于多晶硅铸锭炉中进行铸锭生产，首先，关闭隔热笼，在1175℃条件下，将装有硅料的坩埚置于上下热场中进行真空加热4h；其次，提高上下热场温度至1550℃使坩埚中的硅料进行熔化，得到硅液，再开启隔热笼，使上热场温度至1460℃，下热场温度至1350℃，熔化过程的时间为16h；再次，降低上热场的温度至1400℃，降低下热场的温度至1000℃，控制开启隔热笼的程度，使上下热场温度差由250℃逐渐增至400℃，硅液自下而上开始进行长晶30h，得到多晶硅；然后，降低上热场温度至1300℃，提高下热场温度至1200℃，控制开启隔热笼的程度，使上下热场温度差由400℃逐渐降至100℃，对得到的多晶硅进行退火4h；最后，在450℃条件下进行冷却10h，得到多晶硅铸锭。
采用semilab-wt2000设备对实施例1制备得到的多晶硅硅块的平均少子寿命进行测试，结果表明，实施例1制备得到的多晶硅硅块的平均少子寿命为7.0us。对实施例1提供的多晶硅铸锭制备得到的硅片的光电转换效率进行测试，结果表明，实施例1提供的多晶硅铸锭制备得到的硅片的光电转换效率为18.2％。
实施例2
(1)取底面尺寸为1040mm×1040mm的G6型号普通坩埚，首先，对上述坩埚内部底面和内壁依次进行清洗、擦拭和吹扫；其次，将上述坩埚在90℃条件下进行加热，得到热坩埚；再次，将650g氮化硅与1500mL水混合得到的氮化硅水溶液均匀喷涂在上述热坩埚内部底面和内壁；最后，将上述经过喷涂后的坩埚在250℃条件下烘烤3h，得到内部底面和内壁设置有氮化硅涂层的坩埚。
(2)将690g中值粒径为100nm的纳米级硅粉与690mL无水乙醇在搅拌的条件下混合均匀后，均匀涂覆在上述设置有氮化硅涂层的坩埚内部底面。
(3)在上述坩埚内加入碎硅片，置于多晶硅铸锭炉中进行铸锭生产，首先，关闭隔热笼，在1175℃条件下，将装有硅料的坩埚置于上下热场中进行真空加热4h；其次，提高上下热场温度至1550℃使坩埚中的硅料进行熔化，得到硅液，再开启隔热笼，使上热场温度至1510℃，下热场温度至1350℃，熔化过程的时间为16h；再次，降低上热场的温度至1400℃，降低下热场的温度至1000℃，控制开启隔热笼的程度，使上下热场温度差由250℃逐渐增至400℃，硅液自下而上开始进行长晶30h，得到多晶硅；然后，降低上热场温度至1300℃，提高下热场温度至1200℃，控制开启隔热笼的程度，使上下热场温度差由400℃逐渐降至100℃，对得到的多晶硅进行退火4h；最后，在450℃条件下进行冷却10h，得到多晶硅铸锭。
采用semilab-wt2000设备对实施例2制备得到的多晶硅硅块的平均少子寿命进行测试，结果表明，实施例2制备得到的多晶硅硅块的平均少子寿命为6.5us。对实施例3提供的多晶硅铸锭制备得到的硅片的光电转换效率进行测试，结果表明，实施例2提供的多晶硅铸锭制备得到的硅片的光电转换效率为18％。
实施例3
(1)取底面尺寸为890mm×890mm的G5型号普通坩埚，首先，对上述坩埚内部底面和内壁依次进行清洗、擦拭和吹扫；其次，将上述坩埚在85℃条件下进行加热，得到热坩埚；再次，将500g氮化硅与1000mL水混合得到的氮化硅水溶液均匀喷涂在上述热坩埚内部底面和内壁；最后，将上述经过喷涂后的坩埚在200℃条件下烘烤2.5h，得到内部底面和内壁设置有氮化硅涂层的坩埚。
(2)将500g中值粒径为200nm的纳米级硅粉与500mL无水乙醇在搅拌的条件下混合均匀后，均匀涂覆在上述设置有氮化硅涂层的坩埚内部底面。
(3)在上述坩埚内加入碎硅片，置于多晶硅铸锭炉中进行铸锭生产，首先，关闭隔热笼，在1175℃条件下，将装有硅料的坩埚置于上下热场中进行真空加热4h；其次，提高上下热场温度至1550℃使坩埚中的硅料进行熔化，得到硅液，再开启隔热笼，使上热场温度至1530℃，下热场温度至1400℃，熔化过程的时间为16h；再次，降低上热场的温度至1400℃，降低下热场的温度至1000℃，控制开启隔热笼的程度，使上下热场温度差由250℃逐渐增至400℃，硅液自下而上开始进行长晶30h，得到多晶硅；然后，降低上热场温度至1300℃，提高下热场温度至1200℃，控制开启隔热笼的程度，使上下热场温度差由400℃逐渐降至100℃，对得到的多晶硅进行退火4h；最后，在450℃条件下进行冷却10h，得到多晶硅铸锭。
采用semilab-wt2000设备对实施例3制备得到的多晶硅硅块的平均少子寿命进行测试，结果表明，实施例3制备得到的多晶硅硅块的平均少子寿命为6.8us。对实施例3提供的多晶硅铸锭制备得到的硅片的光电转换效率进行测试，结果表明，实施例3提供的多晶硅铸锭制备得到的硅片的光电转换效率为18.1％。
所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种多晶硅铸锭的生产方法，其特征在于，包括以下步骤：
a)将纳米级硅粉与无水乙醇混合后，涂覆在坩埚内部底面；
b)在上述坩埚内加入硅料，进行铸锭生产，得到多晶硅铸锭。
2.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述纳米级硅粉的中值粒径为50nm～250nm。
3.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述纳米级硅粉与无水乙醇的用量比为5g：(4～6)mL。
4.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述纳米级硅粉的用量与坩埚涂覆面积比为(600～650)g：1m2。
5.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述步骤a)之前还包括：
在所述坩埚内部底面和内壁设置氮化硅涂层。
6.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，步骤b)中所述铸锭生产的过程具体包括以下步骤：
b1)将装有硅料的坩埚置于上下热场中进行加热；
b2)提高上下热场温度使坩埚中的硅料进行熔化，得到硅液；
b3)降低上下热场温度使硅液进行长晶，得到多晶硅；
b4)继续降低上热场温度同时提高下热场温度，对得到的多晶硅进行退火；
b5)将退火后的多晶硅进行冷却，得到多晶硅铸锭。
7.根据权利要求6所述的生产方法，其特征在于，步骤b2)中所述熔化过程的上热场温度为1450℃～1550℃，下热场温度为1350℃～1400℃。
8.根据权利要求6所述的生产方法，其特征在于，步骤b3)中所述长晶过程的上热场温度为1400℃～1450℃，下热场温度为1000℃～1200℃。
9.根据权利要求6所述的生产方法，其特征在于，步骤b4)中所述退火过程的上热场温度为1300℃～1400℃，下热场温度为1000℃～1200℃。
10.根据权利要求6所述的生产方法，其特征在于，步骤b4)中所述退火过程的时间为3h～5h。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510117058.9A CN104630885A (zh) | 2015-03-17 | 2015-03-17 | 一种多晶硅铸锭的生产方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510117058.9A CN104630885A (zh) | 2015-03-17 | 2015-03-17 | 一种多晶硅铸锭的生产方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104630885A true CN104630885A (zh) | 2015-05-20 |
Family
ID=53210117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510117058.9A Pending CN104630885A (zh) | 2015-03-17 | 2015-03-17 | 一种多晶硅铸锭的生产方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104630885A (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103014834A (zh) * | 2013-01-10 | 2013-04-03 | 韩华新能源科技有限公司 | 一种提高铸造多晶硅锭质量的方法 |
| CN103014852A (zh) * | 2013-01-10 | 2013-04-03 | 韩华新能源科技有限公司 | 一种用于铸造高效多晶硅锭的方法 |
| US20130095027A1 (en) * | 2011-10-14 | 2013-04-18 | Sino-American Silicon Products Inc. | Crystalline silicon ingot and method of fabricating the same |
| CN103469293A (zh) * | 2013-09-02 | 2013-12-25 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种多晶硅的制备方法 |
| CN103882517A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-06-25 | 阿特斯(中国)投资有限公司 | 多晶硅锭的制备方法 |
| CN104032368A (zh) * | 2014-05-05 | 2014-09-10 | 镇江环太硅科技有限公司 | 一种高效多晶硅锭的制备方法 |
-
2015
- 2015-03-17 CN CN201510117058.9A patent/CN104630885A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130095027A1 (en) * | 2011-10-14 | 2013-04-18 | Sino-American Silicon Products Inc. | Crystalline silicon ingot and method of fabricating the same |
| CN103014834A (zh) * | 2013-01-10 | 2013-04-03 | 韩华新能源科技有限公司 | 一种提高铸造多晶硅锭质量的方法 |
| CN103014852A (zh) * | 2013-01-10 | 2013-04-03 | 韩华新能源科技有限公司 | 一种用于铸造高效多晶硅锭的方法 |
| CN103469293A (zh) * | 2013-09-02 | 2013-12-25 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种多晶硅的制备方法 |
| CN103882517A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-06-25 | 阿特斯(中国)投资有限公司 | 多晶硅锭的制备方法 |
| CN104032368A (zh) * | 2014-05-05 | 2014-09-10 | 镇江环太硅科技有限公司 | 一种高效多晶硅锭的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103469293B (zh) | 一种多晶硅的制备方法 | |
| CN103436959B (zh) | 多晶硅铸锭的制备方法 | |
| CN102268724A (zh) | 多晶硅锭及其制造方法、太阳能电池 | |
| CN104047048A (zh) | 一种新型铸锭坩埚及其制备方法 | |
| CN103255475A (zh) | 包含成核促进颗粒的硅晶铸锭及其制造方法 | |
| CN102877129A (zh) | 一种晶体硅及其制备方法 | |
| CN103510157A (zh) | 一种高效铸锭的诱导长晶工艺 | |
| CN104451870A (zh) | 一种多晶硅锭的铸造方法 | |
| CN202989351U (zh) | 基于多加热器的铸锭炉热场结构 | |
| CN103132142B (zh) | 多晶硅锭及其制造方法 | |
| CN102776556B (zh) | 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 | |
| CN103422165A (zh) | 一种多晶硅及其制备方法 | |
| CN104562193A (zh) | 一种多晶硅锭的铸造方法 | |
| CN103343388A (zh) | 多晶硅铸锭的制备方法 | |
| CN203403171U (zh) | 一种多晶硅锭铸造用坩埚 | |
| CN104911709A (zh) | 一种80kg以上大尺寸蓝宝石单晶的生长方法 | |
| CN102965727A (zh) | 多晶硅锭及其铸造方法 | |
| CN110205672A (zh) | 一种类单晶硅晶体生长方法和热场结构 | |
| CN104294355A (zh) | 一种多晶硅制备工艺 | |
| CN102732943A (zh) | 单晶硅铸锭的生产方法 | |
| KR101271649B1 (ko) | 단결정 실리콘 시드를 이용한 고품질 다결정 실리콘 잉곳의 제조방법 | |
| CN104294358B (zh) | 一种多晶硅锭的制备方法及多晶硅锭 | |
| CN104630885A (zh) | 一种多晶硅铸锭的生产方法 | |
| CN103590102A (zh) | 提高多晶硅片转换效率的多晶铸锭工艺 | |
| CN103014834A (zh) | 一种提高铸造多晶硅锭质量的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150520 |