发明内容:
本发明的目的在于克服上述缺点,提供一种利用废釉浆制造的纯黑色釉面砖及其制备方法,在不对现有釉面砖的生产工艺做出重大改变的基础上,通过优化底釉、面釉熔块的组成、底釉的配方组成、面釉的配方组成、底釉和面釉加工工艺的调整与优化、特别是重点对素坯体种类的优选,从而使烧制的纯黑色釉面砖发色纯正,利用WSD-3C型白度色差计对未印花产品的釉面色度(L*、a*、b*)值进行测量,其中L*(明度)值为6.25~6.43,与标准碳黑的L*(明度)值为5.0接近、a*(红度)值为-0.03~1.60、b*(黄度)值为0.15~0.18,呈现如碳黑般的纯黑色,且釉面质量好、润泽光亮、无针孔、釉泡等缺陷,装饰效果及艺术美感强;同时该技术具备较强的普适性,易于在行业内推广。
为解决上述问题,本发明通过以下技术方案实现:
本发明的利用废釉浆制造的纯黑色釉面砖,其包括:
底釉:按以下重量份组分配制:
熔块a28~32份,石英粉4~6份,长石粉4~6份,氧化铝粉6~8份,硅酸锆6~10份,烧滑石18~22份,高岭土9~13份,煅烧高岭土5~9份,外加废釉浆6~10份,羧甲基纤维素0.04~0.06份,三聚磷酸钠0.6~0.8份,水37~40份;
面釉:按以下重量份组分配制:
熔块b68~72份,熔块a15~19份,高岭土11~15份,外加黑色色料4~6份,羧甲基纤维素0.02~0.04份,三聚磷酸钠0.6~0.8份,水37~40份;
其中熔块a按以下重量百分比组分配制:
SiO261.2~61.8%,Al2O34.6~5.2%,CaO7.6~8.2%,MgO1.6~2.2%,K2O2.6~3.2%,Na2O0.2~0.6%,TiO22.2~2.8%,ZnO6.8~7.4%,SrO0.8~1.2%,ZrO25.8~6.4%,B2O33.2~3.8%,P2O50.6~0.8%,所有的组分之和为100%;
其中熔块b按以下重量百分比组分配制:
SiO264.2~64.8%,Al2O38.2~8.8%,CaO9.8~10.4%,MgO0.8~1.2%,K2O4.8~5.4%,Na2O0.4~0.8%,ZnO4.6~5.2%,SrO1.6~2.2%,B2O31.6~2.2%,PbO0.8~1.2%,所有的组分之和为100%。
其中废釉浆为釉料在过筛时残留下来的釉渣、球釉车间清洗球磨机和除铁槽及振筛废水经沉积的废水沟釉、釉线车间清洗钟罩、釉缸及洗边废水经沉积的废水沟釉、施完釉及印花后表面有缺陷的半成品砖面上铲下的废釉粉一起混合,经搅拌或球磨加工而成。
本发明还涉及一种利用废釉浆制造纯黑色釉面砖的方法,其包括以下步骤:
A、底釉的制备,按重量份制备:
将熔块a28~32份,石英粉4~6份,长石粉4~6份,氧化铝粉6~8份,硅酸锆6~10份,烧滑石18~22份,高岭土9~13份,煅烧高岭土5~9份,外加羧甲基纤维素0.04~0.06份,三聚磷酸钠0.6~0.8份,水37~40份混合磨成细度为325目筛的筛余为质量百分比0.2%~0.4%的釉浆,再加入剩下的6~10份废釉浆,混合均匀,经过筛除铁储存即得底釉;
B、面釉的制备,按重量份制备:
将熔块b68~72份,熔块a15~19份,高岭土11~15份,外加羧甲基纤维素0.02~0.04份,三聚磷酸钠0.6~0.8份,水37~40份混合磨成细度为325目筛的筛余为质量百分比0.6%~0.8%的釉浆,再加入剩下的4~6份黑色色料混磨25分钟,经过筛储存即得面釉;
其中熔块a按以下重量百分比组分配制:
SiO261.2~61.8%,Al2O34.6~5.2%,CaO7.6~8.2%,MgO1.6~2.2%,K2O2.6~3.2%,Na2O0.2~0.6%,TiO22.2~2.8%,ZnO6.8~7.4%,SrO0.8~1.2%,ZrO25.8~6.4%,B2O33.2~3.8%,P2O50.6~0.8%,所有的组分之和为100%;
将含上述组分的粒度均小于150目的石英、钾钠长石、滑石、碳酸钙、钛白粉、氧化锌、碳酸钾、碳酸锶、锆英粉、硼砂、硼酸、磷灰石原料,按照上述组分范围配料、经混合机混合、熔块池窑熔制,熔制的温度范围1500℃~1520℃,然后水淬成熔块颗粒,烘干即得熔块a;
其中熔块b按以下重量百分比组分配制:
SiO264.2~64.8%,Al2O38.2~8.8%,CaO9.8~10.4%,MgO0.8~1.2%,K2O4.8~5.4%,Na2O0.4~0.8%,ZnO4.6~5.2%,SrO1.6~2.2%,B2O31.6~2.2%,PbO0.8~1.2%,所有的组分之和为100%;
将含上述组分的粒度均小于150目的石英、钾钠长石、滑石、碳酸钙、氧化锌、碳酸锶、硼砂、硼酸、碳酸钾、氧化铝粉、红丹粉原料,按照上述组分范围配料、经混合机混合、熔块池窑熔制,熔制的温度范围1500℃~1520℃,然后水淬成熔块颗粒,烘干即得熔块b;
C、产品的制备及烧成:
将素砖坯先施上述步骤A制备得到的底釉,施釉量为0.7kg/㎡,所述的施釉量为含水釉浆重,待底釉初干时再施上述步骤B制备得到的面釉,施釉量为1.1kg/㎡,所述的施釉量为含水釉浆重,然后经过洗边、印花或不印花,进入辊道窑釉烧,烧成温度为1080℃~1130℃,烧成时间为45~65分钟,经过磨边、烘干即制得成品。
其中废釉浆为釉料在过筛时残留下来的釉渣、球釉车间清洗球磨机和除铁槽及振筛废水经沉积的废水沟釉、釉线车间清洗钟罩、釉缸及洗边废水经沉积的废水沟釉、施完釉及印花后表面有缺陷的半成品砖面上铲下的废釉粉一起混合,经搅拌或球磨加工而成。
其中所述素砖坯为用陶瓷抛光废渣制造的素坯体,用陶瓷抛光废渣制造的素坯体的制造方法,在申请人的专利申请号为201210050321.3,专利名称为“利用抛光废渣制造瓷砖坯体和釉面砖的配方及方法”的发明专利申请中进行了披露。
本发明的利用废釉浆制造纯黑色釉面砖及其制备方法,利用WSD-3C型白度色差计对未印花产品的釉面色度(L*、a*、b*)值进行测量,其中L*(明度)值为6.25~6.43,与标准碳黑的L*(明度)值为5.0接近、a*(红度)值为-0.03~1.60、b*(黄度)值为0.15~0.18,呈现如碳黑般的纯黑色,且釉面质量好、润泽光亮、无针孔、釉泡等缺陷,装饰效果及艺术美感强;同时该技术具备较强的普适性,易于在行业内推广。
本发明的利用废釉浆制造纯黑色釉面砖及其制备方法,通过对底釉熔块的组成、底釉配方组成的优化,一方面确保底釉在高温中透气性良好,使坯体中的陶瓷废渣在高温中释放的气体能够及时排出,另一方面又能够与坯体及面釉形成稳固的中间层来平衡坯、釉的膨胀系数、保证产品的平整度、又提高了产品的抗热震性,同时在底釉中添加了适量的废釉浆,一方面减少了浪费,变废为宝,节约成本;另一方面废釉浆中的Fe2O3含量较高,而Fe2O3对黑色料的发色有促进作用。
此外,本发明的利用废釉浆制造纯黑色釉面砖及其制备方法,通过对面釉熔块组成、面釉的配方组成及加工工艺的优化,可保证产品在高温煅烧后呈现纯黑色,因为要使黑色料在高温中发出纯黑并不易,其首要条件是黑色色料不被其基釉所溶解,否则会出现蓝色、褐色或灰色。因此本发明的面釉熔块组成中,高温熔融能力强的碱金属氧化物K2O、Na2O含量比较适宜,同时添加了对黑色发色有促进作用的CaO、ZnO、SrO、TiO2氧化物,经发明人研究发现,适量的PbO、P2O5对黑色色料在高温中发色纯正有促进作用,在面釉配方组成中,高岭土含量较高,高岭土的耐火度一方面可以保证面釉的熔融温度及熔融能力,使本发明中的面釉中黑色色料不会在高温中被基釉所熔融,使黑色发色纯正,另一方面又保证了面釉的高温透气性,不会因黑色料中Fe2O3及废釉浆的Fe2O3及坯体中废渣在高温中反应产生的大量气体,而造成针孔、釉泡等缺陷,同时高岭土对黑色料的发色也有促进作用。
最后,本发明的利用废釉浆制造纯黑色釉面砖及其制备方法,特别通过对素砖坯种类的优选,选用了陶瓷抛光废渣制造的素坯体,因为这种素坯体它在高温煅烧过程中由于废渣中大量气体的排放,在坯体表面形成大量的开口气孔,这些开口气孔是素坯体吸水率、表面透气性及疏水性均匀优良的保证。因此这种素坯体在淋完底釉、面釉后,底釉、面釉中的水分能够在短时间内通过这些开口气孔迅速渗透到素坯体中,从而不会因淋完面釉后因面釉干透时间过长,釉中的色料与基釉因长时间停留产生分相,易出现烧后的产品颜色不均匀,甚至出现泛白现象。
综合而言,本发明的利用废釉浆制造纯黑色釉面砖及其制备方法有如下优点:
1、由于优化了底釉、面釉的熔块的化学组成、底釉、面釉的配方组成及加工工艺,特别是对素砖坯(素坯体)种类的优选,从而使黑色色料在高温中(1080℃~1130℃)发色纯正如碳黑,产品釉面润泽光亮,无针孔、釉泡等缺陷,使产品的装饰效果及艺术美感大为提高。
2、该产品表面平整度、断裂模数、抗折强度、吸水率、摩擦系数、耐酸碱性、抗热震性、放射性、铅镉溶出量均达到GB/T4100-2006、GB6566-2011及HJ/T297-2006标准要求。
3、坯体配方和底釉配方中使用了大量的陶瓷固体废渣,使得在降低生产成本的同时又达到了节能减排的目的。
4、采用现有的釉面砖生产工艺,使黑色料在高温中发出如碳黑的纯黑色,易于实现产业化规模。
具体实施方式:
下面结合实施例对本发明作进一步详细说明。
实例1:
利用废釉浆制造纯黑色釉面砖的方法,其包括以下步骤:
A、制备底釉:
制备熔块a,熔块的化学组成成分见表1:
表1、熔块a的化学组成成分表(重量百分比,%)
组分 |
SiO2 |
Al2O3 |
CaO |
MgO |
K2O |
Na2O |
TiO2 |
ZnO |
SrO |
ZrO2 |
B2O3 |
P2O5 |
1# |
61.5 |
4.7 |
7.9 |
1.7 |
2.6 |
0.5 |
2.5 |
6.8 |
1.0 |
6.4 |
3.8 |
0.6 |
2# |
61.4 |
4.6 |
7.6 |
2.2 |
2.6 |
0.5 |
2.8 |
7.1 |
1.1 |
6.1 |
3.2 |
0.8 |
3# |
61.2 |
4.6 |
7.8 |
1.6 |
3.2 |
0.2 |
2.6 |
7.4 |
1.2 |
6.4 |
3.2 |
0.6 |
4# |
61.2 |
5.0 |
8.2 |
1.7 |
2.9 |
0.6 |
2.2 |
7.4 |
0.8 |
6.2 |
3.2 |
0.6 |
5# |
61.5 |
5.1 |
7.7 |
1.9 |
3.0 |
0.4 |
2.2 |
7.2 |
0.9 |
5.8 |
3.5 |
0.8 |
6# |
61.8 |
5.0 |
7.6 |
2.2 |
2.8 |
0.2 |
2.6 |
6.8 |
0.8 |
5.8 |
3.7 |
0.7 |
7# |
61.3 |
5.2 |
8.0 |
1.6 |
2.6 |
0.5 |
2.2 |
7.2 |
1.0 |
6.4 |
3.2 |
0.8 |
8# |
61.4 |
4.9 |
7.6 |
2.0 |
3.2 |
0.2 |
2.6 |
6.8 |
0.9 |
6.0 |
3.8 |
0.6 |
按表1的化学组成成分选取相应比例的粒度均小于150目的石英、钾钠长石、滑石、碳酸钙、钛白粉、氧化锌、碳酸钾、碳酸锶、锆英粉、硼砂、硼酸、磷灰石原料,按照上述组分范围配料、经混合机混合、熔块池窑熔制,熔制的温度范围1500℃~1520℃,然后水淬成熔块颗粒,烘干即得熔块a;
表2、底釉配方组成表(重量份)
制备底釉:按表2的底釉配方组成表称取熔块a、石英粉、长石粉、氧化铝粉、硅酸锆、烧滑石、高岭土、煅烧高岭土,外加羧甲基纤维素0.04~0.06份、三聚磷酸钠0.6~0.8份、水37~40份,入球磨机细碎到325目筛的筛余为质量百分比0.2%~0.4%的釉浆,再加入剩下的6~10份废釉浆混合均匀,过筛除铁储存即得底釉。
其中废釉浆为釉料在过筛时残留下来的釉渣、球釉车间清洗球磨机和除铁槽及振筛废水经沉积的废水沟釉、釉线车间清洗钟罩、釉缸及洗边废水经沉积的废水沟釉、施完釉及印花后表面有缺陷的半成品砖面上铲下的废釉粉一起混合,经搅拌或球磨加工而成。
B、制备面釉:
制备熔块b,熔块的化学组成成分见表3:
表3、熔块b的化学组成成分表(重量百分比,%)
按表3的化学组成成分选取相应比例的粒度均小于150目的石英、钾钠长石、滑石、碳酸钙、氧化锌、碳酸锶、硼砂、硼酸、碳酸钾、氧化铝粉、红丹粉原料,按照上述组分范围配料、经混合机混合、熔块池窑熔制,熔制的温度范围1500℃~1520℃,然后水淬成熔块颗粒,烘干即得熔块b;
表4、面釉配方组成表(重量份)
组分 |
熔块b |
熔块a |
高岭土 |
黑色色料 |
1# |
68 |
19 |
13 |
4 |
2# |
70 |
15 |
15 |
5 |
3# |
72 |
17 |
11 |
6 |
制备面釉:按表4的面釉配方组成表称取熔块b、熔块a、高岭土,外加羧甲基纤维素0.02~0.04份,三聚磷酸钠0.6~0.8份,水37~40份混合磨成细度为325目筛的筛余为质量百分比0.6%~0.8%的釉浆,再加入剩下的4~6份黑色色料混磨25分钟,经过筛储存即得面釉;
C、产品的制备及烧成:
将素砖坯先施上述步骤A制备得到的底釉,施釉量为0.7kg/㎡,所述的施釉量为含水釉浆重,待底釉初干时再施上述步骤B制备得到的面釉,施釉量为1.1kg/㎡,所述的施釉量为含水釉浆重,然后经过洗边、印花或不印花,进入辊道窑釉烧,烧成温度为1080℃~1130℃,烧成时间为45~65分钟,经过磨边、烘干即制得成品;
其中所述素砖坯为用陶瓷抛光废渣制造的素坯体,用陶瓷抛光废渣制造的素坯体的制造方法,在申请人的专利申请号为201210050321.3,专利名称为“利用抛光废渣制造瓷砖坯体和釉面砖的配方及方法”的发明专利申请中进行了披露。
利用WSD-3C型白度色差计对未印花产品的釉面色度(L*、a*、b*)值进行测量,其中L*(明度)值为6.25~6.43与标准碳黑的L*(明度)值为5.0接近、a*(红度)值为-0.03~1.60、b*(黄度)值为0.15~0.18,呈现如碳黑般的纯黑色,且釉面润泽光亮、无针孔、釉泡等缺陷。装饰效果及艺术美感强。
经检测产品主要指标如下表5。
表5、产品质量检验结果
综上所述,仅为本发明的较佳实例而已,并非对本发明作任何形式上的限制;凡熟悉本专业的技术人员在不脱离本发明技术方案范围内,利用以所揭示的技术内容而做出的些许变更、修饰与演变的等同变化,均视为本发明的等效实例;同时,凡根据本发明的实质技术对以上实施例所作出的任何等同变化的变更、修饰与演变,均仍属于本发明的技术方案的保护范围之内。