CN104576347B - Igbt背面金属化的改善方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种IGBT背面金属化的改善方法，包括步骤：在硅衬底的正面完成正面图形工艺；完成背面减薄工艺、背面注入工艺和激光退火工艺；对硅衬底背面进行DHF清洗；形成由Al、Ti、Ni和Ag叠加形成的背面金属层；进行烤箱烘干工艺。本发明能形成良好的背面接触，同时能避免产生背面金属的脱落，提高产品的性能和良率。

Description

IGBT背面金属化的改善方法
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种IGBT背面金属化的改善方法。
背景技术
绝缘栅双极型晶体管(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor)，是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)即耐高电压、大电流的双极结型晶体管的低导通压降两方面的优点。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
对于IGBT工艺来讲，能够形成良好的背面金属接触对降低导通电压非常重要。尤其是在新型的场中止(Field Stop，FS)型IGBT产品上，由于背面注入浓度低，如果背金不良，会导致接触电阻过大的问题。
如图1所示，现有IGBT的结构示意图；IGBT的正面图形工艺包括元胞区和耐压保护区，耐压保护区围绕在元胞区的周侧。所述元胞区形成有IGBT的单元结构，所述IGBT的单元结构包括：
P阱104，P阱104形成在衬底101的正面。
多晶硅栅102，所述多晶硅栅102和所述P阱104之间隔离有栅氧化层103。
发射区105，由形成于所述P阱104表面的N型重掺杂区组成，被所述多晶硅栅102覆盖的所述P阱104表面用于形成连接所述发射区105和所述N型漂移区的沟道。发射区105也即IGBT中的MOS器件的源区。
P阱引出区106，由P型重掺杂区组成；所述P阱引出区106穿过所述发射区105进入到所述P阱104中，所述P阱引出区106同时和所述发射区105和所述P阱104接触。
正面金属层109，栅极和发射极分别由正面金属层109组成，栅极通过穿过层间膜107的接触孔108和所述多晶硅栅102接触，发射极通过接触孔108和所述P阱引出区106接触。
背面图形包括由背面P型重掺杂离子注入形成P型注入层111,由所述P型注入层111组成IGBT的集电区；对所述P型注入层111进行激光退火激活；并在所述衬底101的背面形成背面金属层112，背面金属层112作为集电极。背面金属层112一般由Al、Ti、Ni和Ag叠加形成。
现有方法中，对于新型的FS型IGBT，所述P型注入层的杂质为硼的注入剂量已经达到1E12cm-2～1E13cm-2，和背面金属层112的铝形成的接触电阻非常大，远远大于正常IGBT器件的导通电阻。现有方法中是通过对所述背面金属层112进行烤箱烘干(oven bake)来解决铝和P型注入层的硅的接触电阻的问题，但是现有oven bake工艺同时也带来背面金属脱落(peeling)的问题。
Oven bake及金属peeling的原理：
Oven Bake改善接触电阻：高温处理使金属铝和硅之间形成更好更紧密的接触。
现有oven bake工艺中往往通过增加处理的温度如200℃以上的高温一般为350℃，以及增加处理时间如1小时以上，也即通过增加处理温度和时间来保证金属铝和硅之间具有较好的接触电阻。
但是现有的长时间的高温处理的oven bake会导致的金属peeling：oven Bake使金属Ag的晶粒尺寸(grain size)变大，这样金属Ag的晶粒之间的缝隙也会变大，氧会通过细小的缝隙到达金属Ni的表面使之氧化，使Ni和Ag的附着力变小，导致Ag脱落。
所以，如何当背面P型注入层的硼杂质浓度减少时，使背面金属铝能够保持和硅形成良好的接触，同时又不会产生背面金属脱离成为本领域技术人员重要研究课题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种IGBT背面金属化的改善方法，能形成良好的背面接触，同时能避免产生背面金属的脱落，提高产品的性能和良率。
为解决上述技术问题，本发明提供的IGBT背面金属化的改善方法包括如下步骤：
步骤一、在硅衬底的正面完成正面图形工艺。
步骤二、在所述硅衬底背面依次完成背面减薄工艺、背面注入工艺和激光退火工艺。
步骤三、采用DHF清洗液对所述硅衬底背面进行DHF清洗，该DHF清洗用于去除所述硅衬底背面的自然氧化层以及在步骤一和二中形成的缺陷，所述DHF清洗的时间参数根据后续形成的背面金属层的Al和所述硅衬底背面的硅形成的接触电阻来确定，要求保证所述接触电阻满足要求。
步骤四、在进行了所述DHF清洗后的所述硅衬底背面形成由Al、Ti、Ni和Ag叠加形成的所述背面金属层。
步骤五、进行烤箱烘干工艺，所述烤箱烘干工艺的温度条件、时间条件和气氛条件根据所述背面金属层的Al和所述硅衬底背面的硅形成的接触电阻以及防止所述背面金属层的Ag脱落两个条件来确定；在保证所述接触电阻满足要求的条件下，通过降低所述烤箱烘干工艺的温度、时间或气氛中的氧浓度来防止所述背面金属层的Ag脱落。
进一步的改进是，所述DHF清洗液为体积比为1:100的HF和H2O2混合液。
进一步的改进是，所述DHF清洗的时间为大于30秒。
进一步的改进是，当通过调节所述DHF清洗的时间使所述接触电阻达到最低值后，所述DHF清洗的时间不再增加以提高清洗效率。
进一步的改进是，步骤四中所述背面金属层的Al的厚度为Ti的厚度为Ni的厚度为Ag的厚度为
进一步的改进是，步骤五中所述烤箱烘干工艺的温度小于200℃，时间小于1小时，气氛中的氧的体积比浓度小于1％。
进一步的改进是，步骤五中所述烤箱烘干工艺的温度小于150℃～200℃，时间为20分钟～30分钟，气氛为氮气。
进一步的改进是，步骤二中的所述背面注入工艺包括形成P型注入层的注入，由所述P型注入层组成IGBT的集电区，所述P型注入层的注入杂质为硼，注入剂量为1E12cm-2～1E13cm-2。
进一步的改进是，所述正面图形工艺包括元胞区和耐压保护区。
进一步的改进是，所述元胞区形成有IGBT的单元结构，所述IGBT的单元结构包括：
多晶硅栅，所述多晶硅栅和所述P阱之间隔离有栅氧化层。
发射区，由形成于所述P阱表面的N型重掺杂区组成，被所述多晶硅栅覆盖的所述P阱表面用于形成连接所述发射区和所述N型漂移区的沟道。
P阱引出区，由P型重掺杂区组成；所述P阱引出区穿过所述发射区进入到所述P阱中，所述P阱引出区同时和所述发射区和所述P阱接触。
正面金属层，栅极和发射极分别由正面金属层组成，栅极通过接触孔和所述多晶硅栅接触，发射极通过接触孔和所述P阱引出区接触。
本发明通过在背面金属层形成前增加DHF清洗工艺，通过背面金属层的Al和硅的接触电阻来调节DHF清洗工艺，使得通过DHF清洗工艺来保证背面金属层的Al和硅的接触电阻能够得到减小，这样通过DHF清洗工艺结合后续的烤箱烘干工艺能够使得采用较低的温度和时间的烤箱烘干工艺就能使背面金属层的Al和硅的接触电阻达到要求，而较低的烤箱烘干工艺的温度、时间或气氛中的氧浓度能防止背面金属层的Ag脱落，所以本发明通过增加DHF清洗工艺并通过DHF清洗工艺和烤箱烘干工艺的参数的调节能够形成良好的背面接触，同时能避免产生背面金属的脱落，提高产品的性能和良率。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是现有方法形成的IGBT的结构示意图；
图2是本发明实施例方法的流程图；
图3是本发明实施例方法形成的IGBT器件在烤箱烘干工艺前后的Vcesat即集电极和发射极饱和电压的比较曲线。
具体实施方式
如图2所示，是本发明实施例方法的流程图；本发明实施例方法形成的IGBT的器件结构请参考图1所示，本发明实施例IGBT背面金属化的改善方法包括如下步骤：
步骤一、在硅衬底101的正面完成正面图形工艺。
如图1所示，IGBT的正面图形工艺包括元胞区和耐压保护区，耐压保护区围绕在元胞区的周侧。所述元胞区形成有IGBT的单元结构，所述IGBT的单元结构包括：
P阱104，P阱104形成在硅衬底101的正面。
多晶硅栅102，所述多晶硅栅102和所述P阱104之间隔离有栅氧化层103。
发射区105，由形成于所述P阱104表面的N型重掺杂区组成，被所述多晶硅栅102覆盖的所述P阱104表面用于形成连接所述发射区105和所述N型漂移区的沟道。发射区105也即IGBT中的MOS器件的源区。
P阱引出区106，由P型重掺杂区组成；所述P阱引出区106穿过所述发射区105进入到所述P阱104中，所述P阱引出区106同时和所述发射区105和所述P阱104接触。
正面金属层109，栅极和发射极分别由正面金属层109组成，栅极通过穿过层间膜107的接触孔108和所述多晶硅栅102接触，发射极通过接触孔108和所述P阱引出区106接触。
步骤二、在所述硅衬底101背面依次完成背面减薄工艺、背面注入工艺和激光退火工艺。
所述背面注入工艺包括形成N型场终止层110的注入工艺。
所述背面注入工艺还包括进行背面P型重掺杂离子注入形成P型注入层111的注入工艺,由所述P型注入层111组成IGBT的集电区；所述激光退火工艺同时对所述P型注入层111进行激光退火激活。本发明实施例中所述P型注入层的注入杂质为硼，注入剂量为1E12cm-2～1E13cm-2。
在其它实施例中，所述背面减薄工艺和所述背面注入工艺的N型场终止层110的注入工艺也可以放置在步骤一的所述正面图形工艺之前完成。
步骤三、采用DHF清洗液对所述硅衬底101背面进行DHF清洗，该DHF清洗用于去除所述硅衬底101背面的自然氧化层以及在步骤一和二中形成的缺陷，所述DHF清洗的时间参数根据后续形成的背面金属层112的Al和所述硅衬底101背面的硅形成的接触电阻来确定，要求保证所述接触电阻满足要求。
较佳为，所述DHF清洗液为体积比为1:100的HF和H2O2混合液，所述DHF清洗的时间为大于30秒，最佳为所述DHF清洗的时间为90秒。当通过调节所述DHF清洗的时间使所述接触电阻达到最低值后，所述DHF清洗的时间不再增加以提高清洗效率，即节约清洗时间，如大于90秒后再增加所述DHF清洗的时间对所述接触电阻的降低帮助不大。
步骤四、在进行了所述DHF清洗后的所述硅衬底101背面形成由Al、Ti、Ni和Ag叠加形成的所述背面金属层112。所述背面金属层112作为集电极。较佳为，所述背面金属层112的Al的厚度为Ti的厚度为Ni的厚度为Ag的厚度为
步骤五、进行烤箱烘干工艺，所述烤箱烘干工艺的温度条件、时间条件和气氛条件根据所述背面金属层112的Al和所述硅衬底101背面的硅形成的接触电阻以及防止所述背面金属层112的Ag脱落两个条件来确定；在保证所述接触电阻满足要求的条件下，通过降低所述烤箱烘干工艺的温度、时间或气氛中的氧浓度来防止所述背面金属层112的Ag脱落。
较佳为，所述烤箱烘干工艺的温度小于200℃，时间小于1小时，气氛中的氧的体积比浓度小于1％。更佳为，所述烤箱烘干工艺的温度小于150℃～200℃，时间为20分钟～30分钟，气氛为氮气。
如图3所示，是本发明实施例方法形成的IGBT器件在烤箱烘干工艺前后的Vcesat即集电极和发射极饱和电压的比较曲线。
现有技术中所述P型注入层111的杂质硼的注入剂量为2.0E13cm-2时，不采用烤箱烘干工艺时IGBT的Vcesat为2.10V。在一些新型IGBT器件中，所述P型注入层111的硼注入剂量要降低，图3中的曲线201和202都对应于所述P型注入层111的注入剂量为1.0E13cm-2时的情形，其中曲线202对应于采用本发明实施例方法对的背面金属层进行处理后形成的IGBT的Vcesat曲线，其中步骤五的烤箱烘干工艺的温度为150℃、时间为20分钟；曲线201相对于曲线202少了本发明实施例方法的步骤五的烤箱烘干工艺。从曲线201可以看出烤箱烘干工艺之前IGBT的Vcesat为3.0V左右；从曲线202可以看出烤箱烘干工艺之后IGBT的Vcesat为2.46V左右，2.46V处于正常值范围，Vcesat变小是由于背面金属层112的Al和硅的接触电阻降低的结果。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种IGBT背面金属化的改善方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在硅衬底的正面完成正面图形工艺；
步骤二、在所述硅衬底背面依次完成背面减薄工艺、背面注入工艺和激光退火工艺；
步骤三、采用DHF清洗液对所述硅衬底背面进行DHF清洗，该DHF清洗用于去除所述硅衬底背面的自然氧化层以及在步骤一和二中形成的缺陷，所述DHF清洗的时间参数根据后续形成的背面金属层的Al和所述硅衬底背面的硅形成的接触电阻来确定，要求保证所述接触电阻满足要求；
步骤四、在进行了所述DHF清洗后的所述硅衬底背面形成由Al、Ti、Ni和Ag叠加形成的所述背面金属层；
步骤五、进行烤箱烘干工艺，所述烤箱烘干工艺的温度条件、时间条件和气氛条件根据所述背面金属层的Al和所述硅衬底背面的硅形成的接触电阻以及防止所述背面金属层的Ag脱落两个条件来确定；在保证所述接触电阻满足要求的条件下，通过降低所述烤箱烘干工艺的温度、时间或气氛中的氧浓度来防止所述背面金属层的Ag脱落。
2.如权利要求1所述的IGBT背面金属化的改善方法，其特征在于：所述DHF清洗液为体积比为1:100的HF和H2O2混合液。
3.如权利要求2所述的IGBT背面金属化的改善方法，其特征在于：所述DHF清洗的时间为大于30秒。
4.如权利要求1或2或3所述的IGBT背面金属化的改善方法，其特征在于：当通过调节所述DHF清洗的时间使所述接触电阻达到最低值后，所述DHF清洗的时间不再增加以提高清洗效率。
5.如权利要求1所述的IGBT背面金属化的改善方法，其特征在于：步骤四中所述背面金属层的Al的厚度为Ti的厚度为Ni的厚度为Ag的厚度为
6.如权利要求1所述的IGBT背面金属化的改善方法，其特征在于：步骤五中所述烤箱烘干工艺的温度小于200℃，时间小于1小时，气氛中的氧的体积比浓度小于1％。
7.如权利要求6所述的IGBT背面金属化的改善方法，其特征在于：步骤五中所述烤箱烘干工艺的温度为150℃～200℃，时间为20分钟～30分钟，气氛为氮气。
8.如权利要求1所述的IGBT背面金属化的改善方法，其特征在于：步骤二中的所述背面注入工艺包括形成P型注入层的注入，由所述P型注入层组成IGBT的集电区，所述P型注入层的注入杂质为硼，注入剂量为1E12cm-2～1E13cm-2。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述正面图形工艺包括元胞区和耐压保护区。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：所述元胞区形成有IGBT的单元结构，所述IGBT的单元结构包括：
多晶硅栅，所述多晶硅栅和P阱之间隔离有栅氧化层；
发射区，由形成于所述P阱表面的N型重掺杂区组成，被所述多晶硅栅覆盖的所述P阱表面用于形成连接所述发射区和N型漂移区的沟道；
P阱引出区，由P型重掺杂区组成；所述P阱引出区穿过所述发射区进入到所述P阱中，所述P阱引出区同时和所述发射区和所述P阱接触；
正面金属层，栅极和发射极分别由正面金属层组成，栅极通过接触孔和所述多晶硅栅接触，发射极通过接触孔和所述P阱引出区接触。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105047602B (zh) * 2015-06-10 2017-10-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 改善半导体器件接触孔形貌的方法
CN106683995B (zh) * 2015-11-10 2019-08-06 北大方正集团有限公司 一种背金产品的加工方法
CN107785257A (zh) * 2016-08-24 2018-03-09 比亚迪股份有限公司 Igbt器件背面工艺方法及igbt器件
CN107968048B (zh) * 2016-10-20 2021-03-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法
CN106896005A (zh) * 2017-02-13 2017-06-27 北京工业大学 用于观测IGBT芯片Al金属化层剖面微结构的试样制备方法
CN108321191A (zh) * 2017-12-27 2018-07-24 杭州士兰集成电路有限公司 功率半导体器件及其制造方法
CN114868235A (zh) 2019-11-21 2022-08-05 德克萨斯仪器股份有限公司 具有低电阻背面触点的封装电子器件

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56105631A (en) * 1980-01-25 1981-08-22 Mitsubishi Electric Corp Electrode formation of semiconductor device
CN102522326A (zh) * 2011-12-14 2012-06-27 杭州立昂微电子股份有限公司 一种适于丝网印刷的半导体分立器件背面金属的生产方法
CN102569035A (zh) * 2012-02-27 2012-07-11 上海先进半导体制造股份有限公司 背面金属工艺中断后晶片的返工方法
CN102693912A (zh) * 2011-03-24 2012-09-26 上海北车永电电子科技有限公司 制作igbt器件的方法及其装置
CN103871838A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 上海华虹宏力半导体制造有限公司 功率器件的制造方法
CN103985743A (zh) * 2014-05-14 2014-08-13 中国电子科技集团公司第十三研究所 双极型功率晶体管基片及其制作方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5545000B2 (ja) * 2010-04-14 2014-07-09 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56105631A (en) * 1980-01-25 1981-08-22 Mitsubishi Electric Corp Electrode formation of semiconductor device
CN102693912A (zh) * 2011-03-24 2012-09-26 上海北车永电电子科技有限公司 制作igbt器件的方法及其装置
CN102522326A (zh) * 2011-12-14 2012-06-27 杭州立昂微电子股份有限公司 一种适于丝网印刷的半导体分立器件背面金属的生产方法
CN102569035A (zh) * 2012-02-27 2012-07-11 上海先进半导体制造股份有限公司 背面金属工艺中断后晶片的返工方法
CN103871838A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 上海华虹宏力半导体制造有限公司 功率器件的制造方法
CN103985743A (zh) * 2014-05-14 2014-08-13 中国电子科技集团公司第十三研究所 双极型功率晶体管基片及其制作方法

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