CN104557034B - 一种锆钛酸铅铁电薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及铁电薄膜与器件制备技术领域,具体涉及一种锆钛酸铅铁电薄膜的制备方法。其通过溶液改性与紫外辐照结合的办法,使得薄膜的烧结温度降低到了500℃以下,解决了现有PZT铁电薄膜烧结温度高,Pb元素容易挥发等缺陷,并达到了与Si集成电路兼容的目的。本发明采用的制备方法包括以下步骤:1)前驱溶液的制备;2)凝胶膜的制备;3)PZT凝胶膜的预处理;4)PZT前驱膜的终处理。
Description
一、技术领域
本发明涉及铁电薄膜与器件制备技术领域,具体涉及一种锆钛酸铅铁电薄膜的制备方法。
二、背景技术
由于铁电体特殊的介电、电光、声光、光折变、非线性光学、热释电和压电性能,是一种极具商业应用前景的材料,因此铁电体的应用很早就引起了物理学界和材料科学界的注意。七十年代以来,由于对铁电体认识的深入,人工铁电材料种类的扩大,微电子集成技术的进步,特别是随着铁电薄膜制备技术的一系列突破,成功地制备出性能优良的铁电薄膜,工作电压可在3-5V,可与Si或GaAs电路集成,铁电薄膜制备工艺与集成电路工艺兼容成为可能,极大地促进了铁电薄膜的制备与器件应用研究的发展,使之在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广泛的应用前景,成为国际上新型功能材料研究的热点之一。
但是如何获得高品质的铁电薄膜,如何让铁电薄膜的制备与集成电路的工艺兼容,是困扰着人们的难题,这在很大程度上限制了铁电材料的应用与发展。近二十年来,随着微纳技术的发展及实际应用的需要,采用低成本的、易于商业化的溶胶凝胶或化学溶液沉积等湿化学法,制备具有各种磁、光、电学特性的薄膜逐渐受到人们重视。采用溶胶凝胶技术制备氧化物纳米薄膜,并形成相应的器件,逐渐成为近年来的研发热点。
然而,传统的溶胶-凝胶法制备铁电氧化物薄膜存在一个重要的难题没有克服,即溶胶凝胶法制备的这类铁电薄膜的结晶温度较高,一般都在600℃以上。而这一温度是与当前Si基半导体工艺技术并不兼容(要求500℃以下)。发展新颖的低温溶胶凝胶制备技术,是这类铁电氧化物材料得以在微电子领域应用的关键。
铁电材料中,锆钛酸铅(简称PZT)固然具有优良的铁电特性。这一材料具有高剩余极化值,良好的耐疲劳特性,因此,在未来的非挥发存储器中将有很大的应用价值。但溶胶凝胶制备的PZT薄膜,一般都需要600℃以上的结晶温度,如何改进溶液成分,或借助其他措施,降低烧结温度,使之与Si集成电路融合,是溶胶凝胶制备PZT薄膜得以应用必须解决的问题。另外,PZT中含有Pb,在热处理过程中容易挥发,从而造成组分的不均匀,如何改进热处理措施,减少Pb的损失,也是一个重要的难题。
三、发明内容
本发明为了解决上述背景技术中的不足之处,提供一种锆钛酸铅铁电薄膜的制备方法,其通过溶液改性与紫外辐照结合的办法,使得薄膜的烧结温度降低到了500℃以下,解决了现有PZT铁电薄膜烧结温度高,Pb元素容易挥发等缺陷,并达到了与Si集成电路兼容的目的。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案为 :一种锆钛酸铅铁电薄膜的制备方法,其特征在于:所述的制备方法包括以下步骤:
1)前驱溶液的制备:
1.1将醋酸铅溶解在含有溶剂的溶液中,搅拌澄清后获得溶液A;
1.2将钛酸丁酯溶液倒入含有溶剂和乙酰丙酮的混合溶液中,搅拌澄清后,获得溶液B;溶液B中,乙酰丙酮和钛酸丁酯的摩尔比为 1~2: 1;
1.3将乙酰丙酮锆溶液倒入含有溶剂和硝酸的混合溶液中,搅拌澄清后,获得溶液C;溶液C中,乙酰丙酮锆和硝酸的摩尔比为1: 1;
1.4将溶液A,溶液B和溶液C按照Pb:Zr:Ti摩尔比为1:0.52:0.48的比例混合,获得锆钛酸铅(以下简称PZT)前驱溶液;
通过调节溶剂用量,使得溶液中Pb,Zr和Ti离子的总浓度控制在0.2~0.4mol/l范围内;
2) 凝胶膜的制备:
利用步骤1)获得的PZT前驱溶液,在镀有Pt、ITO或LaNiO3导电层的Si基底上,通过提拉或旋涂法,制得PZT凝胶膜;
3)PZT凝胶膜的预处理:
将步骤2)获得的PZT凝胶膜,置于250-300℃的加热板上,利用波长为184-254nm的紫外灯辐照20-50min,获得PZT前驱膜;
4)PZT前驱膜的终处理:
将步骤3)紫外灯辐照后的PZT前驱膜,置入红外感应加热炉中,快速升温至460-480℃,并保温30分钟,得PZT薄膜;
为了增加PZT薄膜的厚度,需重复步骤2),步骤3)及步骤4)5-6次,即可获得晶化的PZT薄膜。
所述的步骤1) 中所述的溶剂为甲醇或者乙二醇甲醚。
所述的步骤3)紫外灯发射的紫外光中,波长184nm的紫外线占10%以上,而波长254nm的紫外线占80%以上。
步骤3) 中所述的紫外灯与PZT前驱膜的距离保持在1-5cm范围内。
步骤4) 中所述的PZT前驱膜快速升温速度控制在每秒钟25-50℃范围内。
与现有技术相比,本发明具有的优点和效果如下:
1、在溶液中添加乙酰丙酮为稳定剂,与钛酸丁酯络合,形成了不易水解缩聚的钛金属络合物,从而使得溶液稳定,不发生沉淀。另外,这种钛金属络合物及锆的乙酰丙酮盐对254nm波长的紫外线具有强烈的吸收作用,吸收的能量促进了金属有机物的分解,并形成金属-氧-金属框架,为后续的低温烧结提供了基础。同时,通过在溶液中加入硝酸作为氧化剂,避免了分解后的薄膜缺氧现象的发生。形成了相应的氧化物。总之,本发明通过化学溶液组份和添加剂的精确控制,和紫外线辅助照射提供能量,使得原本需要600ºC以上结晶的钛酸铋薄膜的烧结温度降低到了500ºC以下, 即实现了Si半导体所能容忍的温度以下。这样,为将来Si基铁电薄膜器件提供了一种新思路。
2、由于短波长的紫外线辐照作用,与凝胶薄膜发生光化学反应,分解凝胶膜中的氧离子,而形成臭氧,具有强烈的活性及氧化作用,从而与凝胶膜中的碳发生反应,形成CO2带出薄膜,极大程度地降低了薄膜内碳的残留,从而保障了薄膜的铁电特性。
3、PZT薄膜中的Pb具有很强的挥发性,热处理温度越高,挥发的越多,本专利通过短波长的紫外线辐照的作用而降低了烧结温度,从而降低了Pb的挥发性,有效地保证了PZT中Pb与Zr, Ti的化学计量比,从而确保了所得PZT薄膜具有良好的特性。
四、附图说明
图1 PZT薄膜的XRD图;
图2 PZT薄膜的极化强度与外加电场的关系。
五、具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
实施例1
1)前驱溶液的制备
1.1将醋酸铅溶解在含有甲醇的溶液中,搅拌澄清后获得溶液A;
1.2将钛酸丁酯溶液倒入含有甲醇和乙酰丙酮的混合溶液中,搅拌澄清后,获得溶液B,溶液B中,乙酰丙酮和钛酸丁酯的摩尔比例1: 1;
1.3将乙酰丙酮锆溶液倒入含有甲醇和硝酸的混合溶液中,搅拌澄清后,获得溶液C,溶液C中,乙酰丙酮锆和硝酸的摩尔比例1: 1;
1.4将溶液A,溶液B和溶液C按照Pb:Zr:Ti摩尔比=1:0.52:0.48混合,获得锆钛酸铅(以下简称PZT)前驱溶液,通过调节甲醇用量,使得溶液中Pb,Zr和Ti离子的总浓度为0.25mol/l;
2) 凝胶膜的制备
利用步骤1)获得的PZT前驱溶液,在镀有LaNiO3导电层的Si基底上,通过提拉或旋涂法,制得PZT凝胶膜;
3)PZT凝胶膜的预处理
将步骤2)获得的PZT凝胶膜,置于300℃的加热板上,利用波长为184-254nm的紫外灯辐照30min,获得PZT前驱膜;
4)PZT前驱膜的终处理
将步骤3)获得PZT前驱膜,置入红外感应加热炉中,快速升温至480℃,并保温30分钟,得PZT薄膜;
为了增加薄膜的厚度,需重复步骤2),步骤3)及步骤4)共5次,即可获得晶化的PZT薄膜。
实施例1制备得到的PZT薄膜XRD图参见图1,该PZT是制备在Si基底的LaNiO3(LNO)导电电极之上。从图1可知,实施例1制备的PZT薄膜无其他杂相产生。XRD 中除了基底LNO外,无其他杂相存在,说明所得薄膜为纯PZT薄膜;实施例1制备的PZT薄膜的电极化曲线如图2所示。图2可知,薄膜在外加电场作用下,具有良好的电滞回线特点,当外加电场达到25V/cm2时,薄膜的剩余极化值可达到18μC/cm2左右,表现出良好的铁电特性。
实施例2
1)前驱溶液的制备
1.1将醋酸铅溶解在含有乙二醇甲醚的溶液中,搅拌澄清后获得溶液A;
1.2将钛酸丁酯溶液倒入含有乙二醇甲醚和乙酰丙酮的混合溶液中,搅拌澄清后,获得溶液B;溶液B中,乙酰丙酮和钛酸丁酯的摩尔比例为;2: 1.
1.3将乙酰丙酮锆溶液倒入含有乙二醇甲醚和硝酸的混合溶液中,搅拌澄清后,获得溶液C。溶液C中,乙酰丙酮锆和硝酸的摩尔比例为1: 1.
1.4将溶液A,溶液B和溶液C按照Pb:Zr:Ti摩尔比=1:0.52:0.48混合,获得锆钛酸铅(以下简称PZT)前驱溶液,通过调节乙二醇甲醚用量,使得溶液中Pb,Zr和Ti离子的总浓度为0.3mol/l。
2) 凝胶膜的制备
利用步骤1)获得的PZT前驱溶液,在镀有Pt导电层的Si基底上,通过提拉或旋涂法,制得PZT凝胶膜;
3)PZT凝胶膜的预处理
将步骤2)获得的凝胶膜,置于300℃的加热板上,利用波长为184-254nm的紫外灯辐照50min,获得PZT前驱膜;
4)PZT前驱膜的终处理
将步骤3)获得PZT前驱膜,置入红外感应加热炉中,快速升温至480℃,并保温30分钟,得PZT薄膜;
为了增加薄膜的厚度,需重复步骤2),步骤3)及步骤4)共5次,即可获得晶化的PZT薄膜。
实施例2制备的PZT薄膜剩余极化值可达到15μC/cm2。
实施例3
1) 前驱溶液的制备
1.1将醋酸铅溶解在含有甲醇的溶液中,搅拌澄清后获得溶液A;
1.2将钛酸丁酯溶液倒入含有甲醇和乙酰丙酮的混合溶液中,搅拌澄清后,获得溶液B;溶液B中,乙酰丙酮和钛酸丁酯的摩尔比例为2: 1;
1.3将乙酰丙酮锆溶液倒入含有甲醇和硝酸的混合溶液中,搅拌澄清后,获得溶液C。溶液C中,乙酰丙酮锆和硝酸的摩尔比例为1: 2.
1.4将溶液A,溶液B和溶液C按照Pb:Zr:Ti摩尔比=1:0.52:0.48混合,获得锆钛酸铅(以下简称PZT)前驱溶液,通过调节甲醇用量,使得溶液中Pb,Zr和Ti离子的总浓度0.4mol/l。
2) 凝胶膜的制备
利用步骤1)获得的PZT前驱溶液,在镀有Pt导电层的Si基底上,通过提拉或旋涂法,制得PZT凝胶膜;
3)PZT凝胶膜的预处理
将步骤2)获得的PZT凝胶膜,置于250℃的加热板上,利用波长为184-254nm的紫外灯辐照50min,获得PZT前驱膜;
4)PZT前驱膜的终处理
将步骤3)获得PZT前驱膜,置入红外感应加热炉中,快速升温至460℃,并保温30分钟,得PZT薄膜;
为了增加薄膜的厚度,需重复步骤2),步骤3)及步骤4)共6次,即可获得晶化的PZT薄膜。
实施例3制备的PZT薄膜剩余极化值可达到17μC/cm2。
上述3个实施例中步骤3)紫外灯发射的紫外光中,波长184nm的紫外线占10%以上,而波长254nm的紫外线占80%以上;所述的紫外灯与PZT前驱膜的距离保持在1-5cm范围内。
上述3个实施例中步骤4)中所述的PZT前驱膜快速升温速度控制在每秒钟25-50℃范围内。
Claims (1)
1.一种锆钛酸铅铁电薄膜的制备方法,其特征在于:所述的制备方法包括以下步骤:
1)前驱溶液的制备:
1.1将醋酸铅溶解在含有溶剂的溶液中,搅拌澄清后获得溶液A;
1.2将钛酸丁酯溶液倒入含有溶剂和乙酰丙酮的混合溶液中,搅拌澄清后,获得溶液B;溶液B中,乙酰丙酮和钛酸丁酯的摩尔比为 1~2: 1;
1.3将乙酰丙酮锆溶液倒入含有溶剂和硝酸的混合溶液中,搅拌澄清后,获得溶液C;溶液C中,乙酰丙酮锆和硝酸的摩尔比为1: 1;
1.4将溶液A,溶液B和溶液C按照Pb:Zr:Ti摩尔比为1:0.52:0.48的比例混合,获得锆钛酸铅前驱溶液,所述的锆钛酸铅简称PZT;
通过调节溶剂用量,使得溶液中Pb,Zr和Ti离子的总浓度控制在0.2~0.4mol/L范围内;
2) 凝胶膜的制备:
利用步骤1)获得的PZT前驱溶液,在镀有Pt、ITO或LaNiO3导电层的Si基底上,通过提拉或旋涂法,制得PZT凝胶膜;
3)PZT凝胶膜的预处理:
将步骤2)获得的PZT凝胶膜,置于250-300℃的加热板上,利用波长为184-254nm的紫外灯辐照20-50min,获得PZT前驱膜;
4)PZT前驱膜的终处理:
将步骤3)紫外灯辐照后的PZT前驱膜,置入红外感应加热炉中,快速升温至460-480℃,并保温30分钟,得PZT薄膜;
为了增加PZT薄膜的厚度,需重复步骤2),步骤3)及步骤4)5-6次,即可获得晶化的PZT薄膜;
所述的步骤1) 中所述的溶剂为甲醇或者乙二醇甲醚;
所述的步骤3)紫外灯发射的紫外光中,波长184nm的紫外线占10%以上,而波长254nm的紫外线占80%以上;
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