CN104528822B - 一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法,属于纳米晶薄膜材料制备技术领域。本发明以氧氯化锆为锆源,硝酸钇为掺杂剂,草酸为沉淀剂,来制备8%摩尔钇掺杂的稳定立方相氧化锆溶胶(记作8YSZ)。溶胶的制备过程均在室温下进行,使得操作更为简便。用单晶Si片作为衬底,结合旋转涂膜,然后退火处理的方法,制备出了立方相的ZrO2薄膜。薄膜表面平整无裂纹,在相对较低的热处理温度下就可以获得纯的立方相,并且薄膜的晶粒非常小,而且分布均匀。
Description
技术领域
本发明涉及一种制备工艺简单、成本低廉的立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法,属于纳米晶薄膜材料制备技术领域。
背景技术
核反应堆中的核燃料,如二氧化铀、二氧化钍、二氧化钚等材料具有放射性,研究这些材料在辐照环境中的演化对研究条件的要求非常苛刻,同时研究过程具有一定的危险性。立方相氧化锆(ZrO2)与上述材料具有相同的结构,但是没有放射性,而且还具有非常优良的抗辐照性能,这使得它成为研究陶瓷氧化物在核反应堆中辐照行为的理想材料[K.E.Sickafus,H.Matzke,T.Hartmann,et al.Journal ofNuclear Materials.1999,274:66-67;Y.W.Zhang,W.L.Jiang,C.M Wang,et al.Physical review B,2010,82:184105]。立方相ZrO2是高温稳定相,一般在室温条件下不易获得。目前国际上一般采用离子束辅助沉积(IBAD)方法来制备立方相ZrO2纳米晶薄膜[J.Lian,J.Zhang,F.Namavar,et al.Nanotechnology,2009,20:245303],这种方法合成的纳米晶晶粒大小比较均匀,但是其操作工艺复杂,成本较高,而且可控性也比较差。也有报道将ZrSiO4进行离子束非晶化,获得埋覆在非晶SiO2中的ZrO2纳米晶[A.Meldrum,L.A.Boatner,R.C.Ewing.Physical Review Letters,2002,88:025503],但是这种方法制备出的ZrO2纳米晶在辐照条件下容易非晶化。溶胶―凝胶方法制备工艺比较简单,而且成本比较低廉。目前已报道的采用溶胶―凝胶方法合成的立方相ZrO2纳米晶大部分是粉体材料[蒋银花,倪良,李澄,等.无机盐工业,2006,38:29-35],也有部分文献报道在衬底上制备出ZrO2纳米晶薄膜[A.Mehner,H.K.Westkamp,F.Hoffmann,et al.Thin SolidFilms,1997,308:363-368],但是仍然存在许多问题,如在衬底上涂覆的薄膜容易发生开裂、薄膜不平整、多孔、相不纯、烧结温度高等问题。
发明内容
本发明所要解决的问题是制备出一种晶粒大小均匀的、表面平滑无裂纹的、有稳定立方相的氧化锆纳米晶薄膜。提供了一种溶胶―凝胶法结合旋涂的方式,制备8YSZ的方法。
一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法,制备步骤如下:
1)、分别采用分析纯ZrOCl2·8H2O为锆源,Y(NO3)3·6H2O为钇源,加入去离子水配制成浓度为0.4-0.8mol/L的ZrOCl2溶液,其中Zr:Y的摩尔比为0.92:0.16;
2)、以H2C2O4·2H2O为沉淀剂,加入去离子水,配制成与ZrOCl2溶液浓度比为0.5-1的溶液;将ZrOCl2溶液缓慢滴加到H2C2O4溶液中,制备成溶胶前驱体;
3)、以聚乙烯醇(PVA)溶液作为分散剂,乙酰丙酮作为溶胶稳定剂,分别加入到溶胶前驱体当中;其中PVA的质量浓度为5%-10%,溶胶前驱体当中PVA的质量分数为8%-12%,乙酰丙酮的体积分数为3%-5%;
4)、旋涂;以单晶Si作为衬底,匀胶机的转速为7000-9000r/min,旋转时间为50-100s;
5)、分级干燥处理,80℃保温15-30min,50℃保温30-60min,30℃保温30-60min。将干燥好的薄膜进行300-400℃,20-50min的预烧结处理后再重复旋涂的步骤进行多次涂膜。
6)、烧结:涂膜阶段完成后,进行500-1200℃,保温0.5-1.5h的烧结处理,即可获得稳定立方相的氧化锆薄膜。
本发明以氧氯化锆(ZrOCl2·8H2O)为锆源,硝酸钇(Y(NO3)3·6H2O)为掺杂剂,草酸(H2C2O4·2H2O)为沉淀剂,来制备8%摩尔钇掺杂的稳定立方相氧化锆溶胶(记作8YSZ)。溶胶的制备过程均在室温下进行,使得操作更为简便。用单晶Si片作为衬底,结合旋转涂膜,然后退火处理的方法,制备出了立方相的ZrO2薄膜。薄膜表面平整无裂纹,在相对较低的热处理温度下就可以获得纯的立方相,并且薄膜的晶粒非常小,而且分布均匀。
本发明的优点在于:
(1)制备的ZrO2纳米晶薄膜表面平整无裂纹,并且纳米晶的平均晶粒尺寸非常小,一致性非常好。
(2)在相对较低的烧结温度下就可以获得了室温下稳定的立方相ZrO2纳米晶薄膜,并且没有杂相。
(3)溶胶的制备过程无需加热,使得操作更为简便。
(4)对薄膜进行预烧结处理,避免了再次涂膜时薄膜的重溶,从而可以进行多层涂膜。
附图说明
图1为本发明工艺流程图。
图2为8YSZ纳米晶薄膜的XRD图谱,可以看出此薄膜室温下只存在单一的立方相结构。
图3为8YSZ纳米晶薄膜的AFM的三维图像,可以看出薄膜表面十分致密,没有小气孔或者裂纹出现,整体十分平滑。
图4为8YSZ纳米晶薄膜的TEM图像,薄膜的厚度约60nm,晶粒大小比较均匀,直径约为5nm。
具体实施案例
实施例1
将H2C2O4·2H2O加去离子水溶解,配制成0.33mol/L的H2C2O4溶液;将ZrOCl2·8H2O和Y(NO3)3·6H2O加去离子水溶解,配制成ZrOCl2浓度为0.5mol/L的混合溶液,其中Zr:Y的摩尔比为0.92:0.16。
将ZrOCl2与Y(NO3)3的混合溶液缓慢滴加到H2C2O4溶液中,充分溶解后,滴加浓度为5%的PVA溶液,质量分数为10%。同时再滴加质量分数为3%的乙酰丙酮,充分搅拌均匀之后形成溶胶。
以单晶Si片作为基底,使用匀胶机,将溶胶涂覆在Si片上。匀胶机的转速设置为8000r/min,旋转时间为60s。涂膜后进行80℃保温15min,50℃保温30min,30℃保温30min的分级干燥处理。300℃保温20min预烧结之后,可重复涂膜。涂膜完成后,进行500℃保温1h的烧结后即可获得最终的立方相ZrO2薄膜。
实施例2
将H2C2O4·2H2O加去离子水溶解,配制成0.45mol/L的H2C2O4溶液;将ZrOCl2·8H2O和Y(NO3)3·6H2O加去离子水溶解,配制成ZrOCl2浓度为0.7mol/L的混合溶液,其中Zr:Y的摩尔比为0.92:0.16。
将ZrOCl2与Y(NO3)3的混合溶液缓慢滴加到H2C2O4溶液中,充分溶解后,滴加浓度为6%的PVA溶液,质量分数为10%。同时再滴加质量分数为4%的乙酰丙酮,充分搅拌均匀之后形成溶胶。
以单晶Si片作为基底,使用匀胶机,将溶胶涂覆在Si片上。匀胶机的转速设置为8500r/min,旋转时间为50s。涂膜后进行80℃保温20min,50℃保温40min,30℃保温40min的分级干燥处理。300℃保温20min预烧结之后,可重复涂膜。涂膜完成后,进行1200℃保温1h的烧结后即可获得最终的立方相ZrO2薄膜。
Claims (4)
1.一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于制备步骤如下:
1)、分别采用分析纯ZrOCl2·8H2O为锆源,Y(NO3)3·6H2O为钇源,加入去离子水配制成浓度为0.4-0.8mol/L的ZrOCl2溶液;
2)、以H2C2O4·2H2O为沉淀剂,加入去离子水,配制成H2C2O4溶液;将ZrOCl2溶液缓慢滴加到H2C2O4溶液中,制备成溶胶前驱体;
3)、以聚乙烯醇PVA溶液作为分散剂,乙酰丙酮作为溶胶稳定剂,分别加入到溶胶前驱体当中;
4)、旋涂;以单晶Si作为衬底,匀胶机的转速为7000-9000r/min,旋转时间为50-100s;
5)、分级干燥处理,80℃保温15-30min,50℃保温30-60min,30℃保温30-60min;将干燥好的薄膜进行预烧结处理后再重复旋涂的步骤进行多次涂膜;
6)、烧结:涂膜阶段完成后,进行烧结处理,即可获得稳定立方相的氧化锆薄膜;
其中步骤2)中H2C2O4溶液与ZrOCl2溶液浓度比为0.5-1;步骤6)中烧结处理温度为500-1200℃,保温0.5-1.5h。
2.根据权利要求1所述一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于步骤1)锆源和钇源中Zr:Y的摩尔比为0.92:0.16。
3.根据权利要求1所述一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于步骤3)中PVA溶液的质量浓度为5%-10%,溶胶前驱体当中分散剂的质量分数为8%-12%,乙酰丙酮的体积分数为3%-5%。
4.根据权利要求1所述一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于步骤5)中预烧结处理温度为300-400℃,时间为20-50min。
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