CN104508802A - 化学机械抛光设备 - Google Patents

化学机械抛光设备 Download PDF

Info

Publication number
CN104508802A
CN104508802A CN201280073810.9A CN201280073810A CN104508802A CN 104508802 A CN104508802 A CN 104508802A CN 201280073810 A CN201280073810 A CN 201280073810A CN 104508802 A CN104508802 A CN 104508802A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cmp pad
cmp
vibration acceleration
adjuster
pad adjuster
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201280073810.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104508802B (zh
Inventor
李世珖
金渊澈
李周翰
崔在光
夫在弼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ehwa Diamond Industrial Co Ltd
Original Assignee
Ehwa Diamond Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ehwa Diamond Industrial Co Ltd filed Critical Ehwa Diamond Industrial Co Ltd
Publication of CN104508802A publication Critical patent/CN104508802A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104508802B publication Critical patent/CN104508802B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/18—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the presence of dressing tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/18—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the presence of dressing tools
    • B24B49/186—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the presence of dressing tools taking regard of the wear of the dressing tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

本发明提供一种化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)设备，包括：安装成与平台分隔预定间隔的摆动单元，待调节的CMP垫置于该平台上；连接器，其在垂直于摆动单元的方向的一端安装在摆动单元的上端，且在CMP垫上方绕摆动单元枢轴旋转；旋转体，其可转动地安装在连接器的另一端上；CMP垫调节器，其与旋转体联接并在被转动时调节CMP垫；及振动计，其安装在连接器上，并且检测振动以测量CMP垫调节器的振动加速度，由此基于振动加速度及CMP垫调节器被安装或正在使用的状态来预测CMP垫的损耗率。

Description

化学机械抛光设备
技术领域
本发明有关一种化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)设备，尤其是有关于一种CMP设备，其测量用以调节化学机械抛光垫(CMP垫)的CMP垫调节器的振动加速度，由此能预测CMP垫调节器的损耗率、检查CMP垫调节器的状态并使CMP垫调节器维持在稳定状态。
背景技术
在半导体设备中，CMP技术用以使例如形成在半导体晶圆上的绝缘层或金属层的薄层平坦。
用于CMP处理中的主要消耗性补给品可包括CMP垫、抛光液及CMP垫调节器。尤其，CMP垫调节器配备有例如钻石研磨器的研磨器，该研磨器与CMP垫接触以刮擦或摩擦CMP垫的表面，由此可执行调节功能，以使新CMP垫的表面状态最优化为初始状态，该初始状态中CMP垫保留抛光液的能力优良，或恢复CMP垫保留抛光液的能力，将CMP垫的抛光能力维持在稳定状态，并改善供给至CMP垫的抛光液的流动性。
在CMP处理中，晶圆的移除率可测量，而CMP垫的损耗率则无法测量。
CMP垫的固定损耗率是指CMP垫的表面状态是固定的。“CMP垫的表面状态是固定的”的含意表示将晶圆的移除率维持固定的能力。此外，当CMP垫的损耗率显著减少或增加时，将影响到晶圆的缺陷和晶圆的移除率。因此，使CMP垫的损耗率在CMP处理中保持固定极为重要。
然而，尽管CMP垫的损耗率可基于晶圆的移除率而加以预测，排除测量晶圆的移除率的方法以外，并未提出能预测CMP垫的损耗率的设备及方法。此外，现有的CMP设备无法检查其中CMP垫调节器的使用或安装的状态。
因此，需要一种在不测量晶圆的移除率或其中CMP垫调节器的使用或安装状态的情况下能够预测CMP垫的损耗率的CMP设备。
发明内容
(一)要解决的技术问题
发明人已研究解决上述相关技术的各种缺点及问题，且已发明了在不测量晶圆的移除率的情况下，通过测量用以调节CMP垫的CMP垫调节器的振动加速度来预测CMP垫的损耗率的技术。由此，发明人完成本发明。
因此，本发明的目的在于提供一种CMP设备，包括：安装成与平台分隔预定间隔的摆动单元，待调节的CMP垫置于该平台上；连接器，该连接器在其垂直于摆动单元的方向上的一端安装在摆动单元的上端上，且在CMP垫上方绕摆动单元枢轴旋转；旋转体，其可转动安装在连接器的另一端上；CMP垫调节器，其与旋转体联接并在被转动时调节CMP垫；以及振动计(振动加速度的测量)，其安装在连接器上，且检测振动以测量CMP垫调节器的振动加速度，由此基于振动加速度及CMP垫调节器被安装或使用的状态来预测CMP垫的损耗率。
本发明的目的并不限于上述的目的，且因此未被提及的本发明的其它目的及优点可为本领域技术人员通过以下说明而了解。
(二)技术方案
为了达到上述目的，本发明提供一种化学机械抛光(CMP)设备，其测量用以调节CMP垫的CM垫调节器的振动加速度。
此外，本发明提供一种CMP设备，包括：设置成与平台分隔预定间隔的摆动单元，待调节的CMP垫放置在该平台上；连接器，其在垂直于摆动单元的方向上的一端安装在摆动单元的上端上，且在CMP垫上方绕摆动单元枢轴旋转；旋转体，其可转动地装置在连接器的另一端上；CMP垫调节器，其与旋转体联接并在被转动时调节CMP垫；及振动计(振动加速度的测量)，其设置在连接器上，且检测振动以测量CMP垫调节器的振动加速度。
在示范性实施例中，可在选自对应至摆动单元的位置、对应至旋转体的位置、及连接器的中间位置的任何位置而将振动计安装于连接器上。
在示范性实施例中，振动计可安装于连接器上且在对应于旋转体的位置上。
在示范性实施例中，CMP垫调节器的振动加速度与CMP垫的损耗率成比例。
在示范性实施例中，CMP垫调节器的振动加速度被调整以处于0.06m/s2至5.4m/s2的范围中。
在示范性实施例中，当被调整的CMP垫调节器的振动加速度处于0.06m/s2至5.4m/s2的范围之外时，可检查CMP设备或可更换CMP垫调节器。
在示范性实施例中，CMP设备可还包括控制器，当由振动计测得的振动加速度处于预先储存的范围之外时，该控制器产生针对CMP设备的检查信号或针对CMP垫调节器的更换信号。
在示范性实施例中，该预先储存的振动加速度的范围可为0.06m/s2至5.4m/s2。
(三)有益效果
本发明具有以下的卓越效果。
首先，根据本发明的CMP设备，用以调节CMP垫的CMP垫调节器的振动加速度被测量，以预测CMP垫的损耗率。
其次，该CMP设备包括：安装成与平台分隔预定间隔的摆动单元，待调节的CMP垫放置在该平台上；连接器，其在垂直于摆动单元的方向上的一端安装在摆动单元的上端上，且在CMP垫上方绕摆动单元枢轴旋转；旋转体，其可转动地安装在连接器的另一端上；CMP垫调节器，其与旋转体联接并在被转动时调节CMP垫；及振动计，其安装在连接器上，且监测振动以测量CMP垫调节器的振动加速度，由此基于振动加速度及CMP垫调节器被安装或正在使用的状态来预测CMP垫的损耗率。
附图说明
图1显示根据本发明的实施例的CMP设备的示意性构造。
图2显示根据本发明的实施例的CMP垫调节器的调节区域。
图3为描绘根据负载施加在CMP垫调节器的方法的抛光垫损耗率(pad wear rate,PWR)及振动加速度的图表。
图4及5为描绘根据施加在CMP垫调节器的负载的抛光垫损耗率(PWR)及振动加速度的图表。
图6为描绘根据振动加速度的抛光垫损耗率(PWR)的轮廓的图表。
具体实施方式
在此使用的用语在可能的情况下选自目前一般使用的通常用语。然而，该等用语中的若干用于由申请人自行选择。在此情况中，应将其解释为具有所叙述或用于本发明的详细说明中的含义、而非单纯词汇性含义。
现将参考附图而更详细地叙述本发明的示范性实施例。
然而，本发明并不限于在此叙述的实施例，并可以不同形式加以实施。在整个说明书中，应注意使用以叙述本发明的相同的参考编号指示相似或同等构件。
本发明针对化学机械抛光(CMP)设备，其测量用以调节CMP垫的CMP垫调节器的振动加速度，并基于所测振动加速度及其中CMP垫调节器被安装或正在使用的状态来预测CMP垫的损耗率。
在CMP处理中，CMP垫调节器的振动加速度在不分离地测量晶圆的移除率的情况下加以测量。在此允许CMP垫的损耗率在晶圆被抛光时得到预测，使得CMP垫调节器的使用寿命可被预测。此外，通过测量CMP垫调节器的振动加速度，可判定CMP垫调节器的使用或安装是否正常。如此一来，便可将CMP设备维持在稳定状态。
图1显示依据本发明的实施例的CMP设备的示意性构造。图2显示根据本发明的实施例的CMP垫调节器的调节区域。CMP设备100包括摆动单元130、连接器140、旋转体150、CMP垫调节器160及振动计(振动加速度的测量)170。
摆动单元130安装成以预定间隔与平台110分开，待调节的CMP垫120放置在该平台110上。例如，平台110平行于水平地面而安装在支撑件111上。摆动单元130垂直地安装在地面上。尽管未显示，但摆动单元130包括分离的马达，且通过该马达而绕摆动轴旋转。
连接器140的一端设置在摆动单元130的上端上。连接器140安装在垂直于摆动单元130的方向上，且在CMP垫120上围绕摆动单元130枢轴旋转预定角度。
旋转体150可转动地安装在连接器140的另一端。尽管未显示，旋转体150包括分离的马达，且通过该马达而绕摆动轴旋转。
CMP垫调节器160与旋转体150联接，且在由旋转体150转动时调节CMP垫120。调节处理指以下处理：在该处理中，当使CMP垫调节器160与CMP垫120紧密接触时，CMP垫调节器160转动以刮擦或摩擦CMP垫的表面，使CMP垫的表面状态在初始状态中最优化或恢复CMP垫的移除能力，来维持稳定状态。
图2所示的调节区域表示CMP垫调节器160在由连接器140枢轴旋转时调节CMP垫的区域。CMP垫调节器160在被转动时枢轴旋转，且同时平台110也转动。自此，CMP垫调节器160可调节CMP垫120的整个表面。
振动计170安装在连接器140上，且检测振动以测量CMP垫调节器160的振动加速度。
详细而言，参照图1，振动计170可被安装在选自连接器140的对应至摆动单元130的位置A、对应至旋转体150的位置C及连接器140的中间位置B的任意位置。
即使当振动计170安装在位置A、B及C的任何一者时，尽管存在由振动造成的敏感度上的差异，振动计170仍可测量CMP垫调节器160的振动加速度。
以下为若干实验性实例，用来检查CMP垫调节器160的振动加速度与CMP处理中的CMP垫的损耗率之间的关系。
实验性实例1
在CMP处理中，受驱使而与CMP垫调节器160紧密接触的CMP垫120通过施加负载至CMP垫调节器160来加以调节。施加负载至CMP垫调节器160的不同方法由CMP设备的每个制造商所使用。在此，将说明使用空气的方法、使用轴件的方法及使用荷重的方法。
首先，在使用空气的方法中，相同空气量填充整个CMP垫调节器160，并按压CMP垫120。在使用轴件的方法中，空气加压于旋转体150的旋转轴(未示出)，且被加压的旋转轴将力转移至CMP垫调节器160的中心。在使用荷重的方法中，将预定荷重置于CMP垫调节器160的旋转轴上，并将力转移至CMP垫调节器160的旋转轴。
表1指出根据各负载转移方法的CMP垫调节器160的振动加速度及所产生的CMP垫的损耗率。
在此，称为“抛光垫损耗率(pad wear rate,PWR)”。
表1
负载转移方法 PWR(μm/hr) 振动加速度(m/s2)
空气法 17.0 0.4
轴件法 20.0 0.5
荷重法 28.0 1.0
当在不改变其它处理条件的情况下将6lbf的负载施加至CMP垫调节器160时，可察觉如表1中所述的：尽管在静止状态中施加相同的负载，PWR及振动加速度仍根据负载转移方法而有所不同。参照表1及图3，可察觉PWR及振动加速度彼此成比例。
即，CMP设备依负载转移方法而具有不同的PWR及振动加速度。如此一来，可察觉不同负载被施加至CMP垫调节器，以将不同CMP设备100的PWR控制在相同水平。
实验性实例2
基于实验性实例1的结果，施加至CMP垫调节器160的负载及所产生的PWR接受测量，以具有与利用空气的负载转移设备(例如负载转移设备A)的实验性实例1相同的振动加速度，且结果显示于表2中。
表2
振动加速度(m/s2) 盘负载(lbf) PWR(μm/hr) 实验性实例1的PWR
0.4 6.0 17.0 17.0
0.5 6.7 19.8 20.0
1.0 8.8 28.4 28.0
负载施加至CMP垫调节器160的圆盘，以具有如表1中所述的0.4、0.5及1.0m/s2的振动加速度。因此，测量17.0、19.8及28.4μm/hr的PWR。该PWR几乎等于实验性实例1的PWR。
即，当调整施加至圆盘的负载以均衡振动加速度时，可调整PWR与其他CMP设备相同的水平。可发现基于此原则，振动加速度被测量，且由此可预测PWR。
实验性实例3
6lbf的负载利用负载转移设备A施加至CMP垫调节器160，且对转移负载至CMP垫调节器160的旋转轴(未示出)赋予一容限，由此人为地产生振动。在此情形中，当振动加速度变得与实验性实例1的振动加速度相等时，PWR被测量。结果显示于表3中。
表3
圆盘负载(lbf) 振动加速度(m/s2) PWR(μm/hr) 实验性实例1的PWR
6.0 0.4 17.0 17.0
6.0 0.5 19.7 20.0
6.0 1.0 28.2 28.0
即使在将相同负载施加至CMP垫调节器160时，仍可察觉如表3中所述的：PWR随振动加速度的改变而变化。因此，可见PWR可由CMP垫调节器160的振动加速度来加以预测。此外，振动计170安装在旋转体150上，且CMP垫调节器160的振动加速度被测量。由此，CMP设备100可加以设定，以检查CMP设备100的状态并具有相同的PWR。
实验性实例4
当使用负载转移设备A将不同负载施加至CMP垫调节器160时，振动加速度及所产生的PWRs被测量。结果显示于表4中。
表4
圆盘负载(lbf) 振动加速度(m/s2) PWR(μm/hr)
4.0 0.25 12.4
6.0 0.4 17.0
8.0 0.62 20.6
10.0 0.81 24.3
12.0 1.0 28.5
可察觉如表4中所述的：振动加速度与施加至CMP垫调节器160的负载成比例，且CMP垫120的PWR可通过测量振动加速度来加以预测。图4以图表方式显示表4的测量。
实验性实例5
当使用负载转移设备A将不同负载施加至CMP垫调节器160时，振动加速度、所产生的PWRs、氧化物晶圆的移除率及晶圆的缺陷被测量。结果显示于表5中
表5
表5的圆盘负载被测量而包括其为表4的圆盘负载的4.0、6.0、8.0、10.0及12.0lbf，以及小于4.0lbf及大于12.0lbf的负载。当圆盘负载为4.0、6.0、8.0、10.0及12.0lbf时的振动加速度被测量并等于表4的振动加速度，且所产生的PWRs也等于表4的PWRs。基于表4中所述的圆盘负载及所产生的PWRs的振动加速度也示出在图5中。
当振动加速度为0.06m/s2时，可观测到调节并未平顺地进行，使得晶圆移除率低，且晶圆的缺陷增加。
另一方面，当振动加速度为5.4m/s2时，可观测到PWR极高，抛光垫轮廓不均匀(即CMP垫120受到不均匀的磨损)，且CMP垫120的使用寿命缩短。
因此，可观测到通过检测CMP垫调节器160的振动来测量的振动加速度具有自0.06至5.4的范围。参照图6，PWR根据于振动加速度的图形可获得确定。可察觉该图形在振动加速度为0.06m/s2或4.0m/s2时在整体上呈均匀状，而该图形在振动加速度为5.4m/s2时不均匀。
实验性实例6
为了根据振动计170被安装的位置来检查振动计170的敏感度上的变化，振动计170在对应于摆动单元130的位置，对应于旋转体150的位置及连接器140的中间位置而安装在连接器140上。4、6、8lbf的负载被施加到CMP垫调节器160，且然后振动加速度被测量以检测敏感度(偏差)。结果显示在表6中。
表6
参照图1，如表6中所述，当振动计170在对应于摆动单元130的位置A而安装在连接器140上时，在将4、6及8lbf的负载施加至CMP垫调节器160时所测量的振动加速度具有0.06的敏感度。于此，敏感度定义为最大与最小振动加速度之间的差异。
同样地，当振动计170在连接器140的中间位置B而安装在连接器140上时，所测量的振动加速度具有0.08的敏感度。当振动计170在对应至旋转体150的位置C而安装在连接器140上时，所测量的振动加速度具有0.20的敏感度。
即，当振动计170在对应于旋转体150的位置C而安装在连接器140上时，所测量的振动加速度具有最高的敏感度。如此一来，为了准确地判定CMP设备的状态是否正常及为了敏感地检测CMP垫调节器160的振动，振动计170优选地在对应至旋转体150的位置C而安装在连接器140上。
因此，CMP垫调节器160的振动加速度可被设定成具有例如0.06m/s2至5.4m/s2的范围，在该范围内，晶圆移除率、晶圆缺陷数、PWR及抛光垫轮廓通过调整施加至CMP垫调节器160的负载、施加负载至CMP垫调节器160的方法、安装CMP垫调节器160时的旋转体150的容限及振动计170安装的位置，而提供令人满意的垫轮廓。
此可由工作者手动设定或利用控制器(未示出)来自动设定。控制器将在以下加以说明。
此外，若即使利用上述方法仍未将振动加速度调整成0.06m/s2至5.4m/s2的范围中，工作者可更换CMP垫调节器。
此外，不同的负载施加至CMP垫调节器的方法由各CMP设备制造商所使用。由此，当将预定负载施加至CMP垫调节器时，相同的负载可在CMP垫调节器处于停止状态时被转移至CMP垫调节器。然而，当连接器枢轴旋转以摆动CMP垫调节器时，转移至CMP垫调节器的负载发生改变。
此外，即使在以相同方式将负载施加至CMP垫调节器时，由于安装CMP垫调节器时所产生的容限，因此由振动计所检测到的振动仍互不相同。
本发明可通过调整CMP垫调节器的负载、施加负载至CMP垫调节器的方法、安装CMP垫调节器时的旋转体的容限、及振动计所安装的位置，而不断调整不同CMP垫调节器的振动加速度。由此，可将不同CMP设备的PWR维持不变。最终，可减少不同CMP设备之间的晶圆移除率的偏差。
同时，CMP设备可更包含控制器(未示出)。
在本发明的CMP设备100中，振动加速度的范围事先加以储存，且将振动计170所测量的振动加速度与此事先储存的振动加速度比较。若所测量到的振动加速度位于事先储存的振动加速度范围之外，控制器便产生检查CMP设备100的检查信号或更换CMP垫调节器160的更换信号。
当控制器产生检查信号时，对CMP垫调节器的负载、施加负载至CMP垫调节器的方法、CMP垫调节器时的旋转体的容限及振动计所安装的位置加以调整，使得CMP设备100可被检查，允许所测得的振动加速度处于事先储存的振动加速度的范围内。
至此，如实验性实例中所证实，事先储存的振动加速度范围优选地为0.06m/s2与5.4m/s2之间。
当CMP设备100利用各种方法加以检查以允许使所测得的振动加速度处于事先储存的振动加速度范围内时，所测得的振动加速度可能偏离事先储存的振动加速度范围。由此可推断CMP垫调节器160的使用寿命终了。于是，控制器产生更换信号来提醒工作者更换CMP垫调节器160。
尽管本发明已参照其示范性实施例而加以详细显示并叙述，但其并不限于该实施例。因此，本领域技术人员将了解，在不脱离由以下申请专利范围所定义的本发明的精神及范畴的情况下，可作出各种变化及修改。

Claims (9)

1.一种化学机械抛光(CMP)设备，其测量CMP垫调节器的振动加速，所述CMP垫调节器调节CMP垫。
2.一种化学机械抛光设备，其包含：
摆动单元，其被安装成与平台分隔预定间隔，待调节的CMP垫置于所述平台上；
连接器，其在垂直于所述摆动单元的一端安装在所述摆动单元的上端上，且在所述CMP垫上方绕所述摆动单元枢轴旋转；
旋转体，其可转动地安装在所述连接器的另一端上；
CMP垫调节器，其与所述旋转体联接，并在被转动时调节所述CMP垫；和
振动计，其安装在所述连接器上，并且检测振动以测量所述CMP垫调节器的振动加速度。
3.如权利要求2所述的化学机械抛光设备，其特征在于，所述振动计安装在所述连接器上且在选自对应于所述摆动单元的位置、对应于所述旋转体的位置及所述连接器的中间位置的任何位置上。
4.如权利要求3所述的化学机械抛光设备，其特征在于，所述振动计安装在所述连接器上且在对应于旋转体的位置上。
5.如权利要求2所述的化学机械抛光设备，其特征在于，所述CMP垫调节器的所述振动加速度与所述CMP垫的损耗率成比例。
6.如权利要求5所述的化学机械抛光设备，其特征在于，所述CMP垫调节器的所述振动加速度被调整，以处于从0.06m/s2至5.4m/s2的范围中。
7.如权利要求6所述的化学机械抛光设备，其特征在于，当所述CMP垫调节器的被调整的振动加速度处于从0.06m/s2至5.4m/s2的范围之外时，检查所述CMP设备或更换所述CMP垫调节器。
8.如权利要求1至7中任一项所述的化学机械抛光设备，还包含：
控制器，当由所述振动计测得的所述振动加速度处于预先储存的振动加速度的范围之外时，所述控制器产生针对所述CMP设备的检查信号或针对所述CMP垫调节器的更换信号。
9.如权利要求8所述的化学机械抛光设备，其特征在于，所述预先储存的振动加速度的范围为0.06m/s2至5.4m/s2。
CN201280073810.9A 2012-06-07 2012-06-07 化学机械抛光设备 Active CN104508802B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2012/004502 WO2013183799A1 (ko) 2012-06-07 2012-06-07 Ｃｍｐ 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104508802A true CN104508802A (zh) 2015-04-08
CN104508802B CN104508802B (zh) 2017-05-24

Family

ID=49712178

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280073810.9A Active CN104508802B (zh) 2012-06-07 2012-06-07 化学机械抛光设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9421668B2 (zh)
JP (1) JP6008220B2 (zh)
CN (1) CN104508802B (zh)
DE (1) DE112012006468T5 (zh)
WO (1) WO2013183799A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107953260A (zh) * 2016-10-18 2018-04-24 三星电子株式会社 化学机械抛光方法、制造半导体器件的方法和半导体制造装置
CN109807749A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 台湾积体电路制造股份有限公司 化学机械抛光设备及其操作方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117140341A (zh) * 2018-03-14 2023-12-01 应用材料公司 垫调节器的切割速率监控
US11794305B2 (en) 2020-09-28 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Platen surface modification and high-performance pad conditioning to improve CMP performance

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5222329A (en) * 1992-03-26 1993-06-29 Micron Technology, Inc. Acoustical method and system for detecting and controlling chemical-mechanical polishing (CMP) depths into layers of conductors, semiconductors, and dielectric materials
US5399234A (en) * 1993-09-29 1995-03-21 Motorola Inc. Acoustically regulated polishing process
TW320591B (zh) * 1995-04-26 1997-11-21 Fujitsu Ltd
JP4704312B2 (ja) * 1995-04-26 2011-06-15 富士通株式会社 研磨装置及び研磨方法
EP0810064B1 (en) * 1996-05-30 2002-09-25 Ebara Corporation Polishing apparatus having interlock function
JPH1058313A (ja) * 1996-05-30 1998-03-03 Ebara Corp インターロック機能を備えたポリッシング装置
KR100223953B1 (ko) 1997-05-21 1999-10-15 류흥목 화학기계적 폴리싱 장치의 패드 컨디셔너
JP4030247B2 (ja) * 1999-05-17 2008-01-09 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置及びポリッシング装置
US6288648B1 (en) * 1999-08-27 2001-09-11 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for determining a need to change a polishing pad conditioning wheel
US6306008B1 (en) * 1999-08-31 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
JP2001198794A (ja) * 2000-01-21 2001-07-24 Ebara Corp 研磨装置
US6424137B1 (en) * 2000-09-18 2002-07-23 Stmicroelectronics, Inc. Use of acoustic spectral analysis for monitoring/control of CMP processes
US6896583B2 (en) * 2001-02-06 2005-05-24 Agere Systems, Inc. Method and apparatus for conditioning a polishing pad
US6585562B2 (en) * 2001-05-17 2003-07-01 Nevmet Corporation Method and apparatus for polishing control with signal peak analysis
JP2005022028A (ja) 2003-07-02 2005-01-27 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研磨パッドのドレッシング装置及び該装置を有する加工装置
JP2005131732A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Ebara Corp 研磨装置
DE10361636B4 (de) * 2003-12-30 2009-12-10 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren und System zum Steuern des chemisch-mechanischen Polierens mittels eines seismischen Signals eines seismischen Sensors
US7163435B2 (en) * 2005-01-31 2007-01-16 Tech Semiconductor Singapore Pte. Ltd. Real time monitoring of CMP pad conditioning process
US7840305B2 (en) * 2006-06-28 2010-11-23 3M Innovative Properties Company Abrasive articles, CMP monitoring system and method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107953260A (zh) * 2016-10-18 2018-04-24 三星电子株式会社 化学机械抛光方法、制造半导体器件的方法和半导体制造装置
CN107953260B (zh) * 2016-10-18 2021-06-11 三星电子株式会社 化学机械抛光方法、制造半导体器件的方法和半导体制造装置
CN109807749A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 台湾积体电路制造股份有限公司 化学机械抛光设备及其操作方法
US10857651B2 (en) 2017-11-20 2020-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus of chemical mechanical polishing and operating method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP6008220B2 (ja) 2016-10-19
JP2015523223A (ja) 2015-08-13
WO2013183799A1 (ko) 2013-12-12
CN104508802B (zh) 2017-05-24
DE112012006468T5 (de) 2015-03-05
US9421668B2 (en) 2016-08-23
US20150140900A1 (en) 2015-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102858495B (zh) 用于经改良的研磨垫外形的闭回路控制
JP6113326B2 (ja) ドレッシングプロセスの監視方法および研磨装置
KR101680749B1 (ko) 연마 장치
TWI572445B (zh) 監控扣環厚度及壓力控制
US8096852B2 (en) In-situ performance prediction of pad conditioning disk by closed loop torque monitoring
CN102802871B (zh) 研磨装置、研磨垫及研磨信息管理系统
CN104508802A (zh) 化学机械抛光设备
CN109689295B (zh) 化学机械抛光智能环
JP2004142083A (ja) ウエハ研磨装置およびウエハ研磨方法
US20120100779A1 (en) Apparatus and method for compensation of variability in chemical mechanical polishing consumables
WO2011139501A2 (en) Pad conditioning sweep torque modeling to achieve constant removal rate
JP7287977B2 (ja) パッドコンディショナカット速度監視
KR20150085000A (ko) 캐리어 헤드용 센서들에 의한 기록 측정들
TWI763013B (zh) 經由定向的晶圓裝載作不對稱性校正
WO2017123834A1 (en) Cmp pad conditioner, pad conditioning system and method
KR20130094676A (ko) Ｃｍｐ 그루브 깊이 및 컨디셔닝 디스크 모니터링
US20130059503A1 (en) Method of and apparatus for cmp pad conditioning
JP2011143537A (ja) 研磨装置
WO2022070607A1 (ja) 研磨装置、および研磨パッドの交換時期を決定する方法
KR101327146B1 (ko) 화학 기계적 연마장치의 소모재 손상 감지 방법
CN108290269A (zh) 晶圆的研磨方法及研磨装置
US20100099333A1 (en) Method and apparatus for determining shear force between the wafer head and polishing pad in chemical mechanical polishing
TWI477354B (zh) 化學機械拋光設備
KR101272122B1 (ko) Ｃｍｐ 장치
JP2005081461A (ja) ウェハ等の研磨方法およびその装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant