CN104503132A - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可降低BM on Array结构设计中有源层受到光线照射产生光漏电流的程度，减小LCD显示时出现的画面不良。该阵列基板，包括衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管、黑矩阵；所述黑矩阵包括黑矩阵第一部分、与所述黑矩阵第一部分相连的黑矩阵挡墙；其中，所述黑矩阵第一部分用于遮挡住所述薄膜晶体管的有源层；所述黑矩阵挡墙至少用于遮挡住所述有源层沿栅线方向的一侧。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制备。

Description

一种阵列基板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)是由相互对盒的阵列基板(Array)与彩膜基板(Color film，简称CF)、位于上述两个基板之间的液晶层(Liquid Crystal，简称LC)以及背光源模组(Back Light Unit，简称BLU)构成。
其中，阵列基板中的重要组成部分薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)，是一种由半导体薄膜材料制成的绝缘栅场效应晶体管，其中的有源层(active layer)对光线非常敏感，微小的光强变化也会影响TFT器件的特性，即在TFT导通时，即使受到微弱光线的照射，对应于源极与漏极之间的有源层部分(channel)中会产生光漏电流(Photo Ioff)，随着Photo Ioff的增加，TFT器件的特性会显著下降，导致LCD显示时出现图像串扰(Cross talk)、闪烁(Flicker)以及残像等问题，影响显示画面质量。
因此，在传统的LCD中，需要在CF上设置对应于Array中的TFT、栅线(Gate line)以及数据线(Data line)的不透光的黑矩阵(BlackMatrix，简称BM)，即“BM on CF”，用来遮挡反射到TFT上的BLU的光线以及从Gate line和Data line位置处的BLU的漏光，保持显示品质。
由于在实际对盒工艺中，CF上的BM很难与上述的TFT、Gateline以及Data line非常精准地对应，因此，传统LCD设计中往往通过扩大BM的面积来减小对盒偏差。由于BM所在的区域是不透光的，因此，传统的“BM on CF“的结构设计会降低LCD的有效开口率，影响显示品质。
因此，如图1所示，现有技术通常是将BM直接设置在Array中，即“BM on Array”，从而在保持LCD具有较高开口率的同时，减小上述两个基板的对盒偏差度。
然而，参考图1所示，由于BLU射出的光线不完全是垂直于Array基板的，仍有部分光线是以一定的倾斜角度斜向上(如图中箭头所示)射出的，这部分光线穿过栅极22或栅线的边界照射到TFT的有源层21中产生Photo Ioff问题，使得LCD中还会出现一定程度的图像串扰、闪烁以及残像等问题。
发明内容
鉴于此，为解决现有技术的问题，本发明的实施例提供一种阵列基板及显示装置，可降低BM on Array结构设计中有源层受到光线照射产生光漏电流的程度，减小LCD显示时出现的画面不良。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管、黑矩阵；所述黑矩阵包括黑矩阵第一部分、与所述黑矩阵第一部分相连的黑矩阵挡墙；其中，所述黑矩阵第一部分用于遮挡住所述薄膜晶体管的有源层；所述黑矩阵挡墙至少用于遮挡住所述有源层沿栅线方向的一侧。
可选的，所述阵列基板还包括位于所述衬底基板上的栅线、覆盖所述栅线的栅绝缘层以及覆盖所述薄膜晶体管的钝化层；所述黑矩阵第一部分位于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧；所述钝化层上设置有贯穿所述栅绝缘层的贯穿孔，且所述贯穿孔露出所述衬底基板和/或所述薄膜晶体管的栅极；所述黑矩阵挡墙位于所述贯穿孔内，且所述黑矩阵挡墙与所述贯穿孔露出的所述衬底基板和/或所述薄膜晶体管的栅极相接触。
进一步可选的，所述薄膜晶体管包括依次位于所述栅绝缘层上的所述有源层、源极与漏极；其中，所述薄膜晶体管的栅极为所述栅线的一部分；所述贯穿孔位于所述有源层沿所述栅线方向的一侧或两侧。
优选的，沿所述栅线方向，所述贯穿孔的长度大于所述有源层靠近所述贯穿孔一侧的长度。
进一步可选的，所述薄膜晶体管包括与所述栅线相连的栅极、依次位于所述栅绝缘层上的所述有源层、源极与漏极；沿所述栅线方向，所述贯穿孔位于所述有源层远离所述栅线的一侧。
优选的，沿与所述栅线垂直的数据线方向，所述贯穿孔还位于所述源极的两侧；和/或，所述贯穿孔还位于所述漏极的两侧。
进一步可选的，所述薄膜晶体管包括与所述栅线相连的栅极、依次位于所述栅绝缘层上的所述有源层、源极与漏极；沿垂直于所述衬底基板的板面方向，所述源极的图形为具有一开口区域的U型；所述漏极的一部分位于所述源极的所述开口区域中；沿所述栅线方向，所述贯穿孔至少位于所述漏极的两侧。
进一步可选的，沿与所述栅线垂直的数据线方向，所述贯穿孔还位于所述源极的两侧。
在上述基础上优选的，所述有源层图案的面积小于所述栅极图案的面积。
在上述基础上优选的，所述有源层中对应于所述源极与所述漏极之间区域的面积小于所述栅极图案的面积。
在上述基础上优选的，所述阵列基板还包括位于钝化层上的像素电极；所述黑矩阵第一部分上设置有贯穿所述钝化层的连接孔，所述像素电极通过所述连接孔与所述漏极相接触。
在上述基础上优选的，所述黑矩阵除所述黑矩阵第一部分、所述黑矩阵挡墙之外的区域用于遮挡住所述栅线、与所述栅线交叉设置的数据线。
在上述基础上优选的，所述有源层采用非晶硅材料构成；所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层与所述源极、所述漏极之间的欧姆接触层。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的所述阵列基板。
通过本发明实施例提供的具有上述“BM on Array”结构设计的阵列基板，由于采用不透光的材料构成的黑矩阵的一部分即黑矩阵挡墙至少可遮挡住有源层沿栅线方向的一侧，因此，这部分黑矩阵挡墙阻止了背光源中斜向上照射到阵列基板中的光线照射到有源层中，从而减小了有源层受到光线照射产生的光漏电流(Photo Ioff)的大小，降低了阵列基板对盒后形成的液晶显示装置显示画面时出现的图像串扰(Cross talk)、闪烁(Flicker)以及残像等显示不良的程度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图一；
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图二；
图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图一；
图5为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图二；
图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图三；
图7为本发明实施例提供的一种显示装置的剖面结构示意图。
附图标记：
01-阵列基板；10-衬底基板；11-栅线；12-数据线；20-薄膜晶体管；21-有源层；22-栅极；23-源极；23a-开口区域；24-漏极；30-黑矩阵；31-黑矩阵第一部分；32-黑矩阵挡墙；40-栅绝缘层；50-钝化层；51-贯穿孔；52-连接孔；60-像素电极；02-彩膜基板；70-彩色滤光单元；80-平坦层；90-公共电极；100-配向层；03-液晶层；04-柱状隔垫物。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种阵列基板01，如图2所示，包括衬底基板10；所述阵列基板01还包括：位于所述衬底基板10上的薄膜晶体管20、黑矩阵30(图中未标示出)；所述黑矩阵30包括黑矩阵第一部分31(图中未标示出)、与所述黑矩阵第一部分31相连的黑矩阵挡墙32；其中，所述黑矩阵第一部分31用于遮挡住所述薄膜晶体管20的有源层21；所述黑矩阵挡墙32至少用于遮挡住所述有源层21沿栅线方向的一侧。
需要说明的是，第一、在本发明实施例提供的上述阵列基板01中，薄膜晶体管20的具体结构不作限定，例如可以是图2示意出的底栅型(bottom gate，即栅极22位于有源层21靠近于衬底基板10的一侧)或顶栅型(top gate，即栅极位于有源层远离衬底基板的另一侧)。
第二、黑矩阵第一部分31用于遮挡住薄膜晶体管20的有源层21，是指相对于衬底基板10而言，黑矩阵第一部分31位于有源层21的上方，从而遮挡住背光源中的光线照射到彩膜基板之后反射到有源层21上表面的部分。
参考图2所示，通过本发明实施例提供的具有上述“BM on Array”结构设计的阵列基板01，由于采用不透光的材料构成的黑矩阵30的一部分即黑矩阵挡墙32至少可遮挡住有源层21沿栅线方向的一侧，因此，这部分黑矩阵挡墙32阻止了背光源中斜向上(如图中箭头所示)照射到阵列基板01中的光线照射到有源层21中，从而减小了有源层21受到光线照射产生的光漏电流(Photo Ioff)的大小，降低了阵列基板01对盒后形成的液晶显示装置显示画面时出现的图像串扰(Cross talk)、闪烁(Flicker)以及残像等显示不良的程度。
进一步的，在上述的阵列基板01中，所述有源层21采用非晶硅材料构成；相应的，所述薄膜晶体管20还包括位于所述有源层21与所述源极23、所述漏极24之间的欧姆接触层，以提高金属材料的源极23、漏极24与半导体材料的有源层21之间的欧姆接触，使得TFT导通时，大部分的电压降在有源层21中对应于源极23、漏极24之间的沟道区域而不在源极23、漏极24与有源层21之间的接触面上。
在上述基础上，如图3所示，所述阵列基板01还包括位于所述衬底基板10上的栅线11(图中未示意出)、覆盖所述栅线11的栅绝缘层40以及覆盖所述薄膜晶体管20(图中未示意出)的钝化层50。
其中，所述黑矩阵第一部分31位于所述钝化层50远离所述衬底基板10的一侧；所述钝化层50上设置有贯穿所述栅绝缘层40的贯穿孔51，且所述贯穿孔51露出所述衬底基板10和/或所述薄膜晶体管20的栅极22；所述黑矩阵挡墙32位于所述贯穿孔51内，且所述黑矩阵挡墙32与所述贯穿孔51露出的所述衬底基板10和/或所述薄膜晶体管20的栅极22相接触。
需要说明的是，第一、考虑到采用不透光的材料(例如溶解有黑色遮光颗粒的树脂材料)构成的黑矩阵30通常采用例如涂布法制备，而钝化层50的厚度通常比栅绝缘层40的厚度更大，即钝化层50的表面相对较为平坦，因此，黑矩阵第一部分31设置在钝化层50远离衬底基板10的一侧，即钝化层50的外侧可便于这一部分黑矩阵的制备。
第二、可调整贯穿孔51的具体位置和/或其孔径截面的大小，使得贯穿孔51露出衬底基板10和/或薄膜晶体管20的栅极22。其中，当贯穿孔51仅露出衬底基板10时，背光源中斜向上的光线有可能通过黑矩阵挡墙32与栅极22边界之间的可透过区域照射到有源层21中，因此，本发明实施例进一步优选为，贯穿孔51露出衬底基板10和薄膜晶体管20的栅极22，即贯穿孔51对应于栅极22的边界处，由于位于贯穿孔51内的黑矩阵挡墙32与贯穿孔51露出的衬底基板10和栅极22相接触，且栅极22通常是采用铜等不透明的金属材质构成的；因此，不透光的栅极22、黑矩阵挡墙32以及黑矩阵第一部分31相当于一个立体的遮光包覆层将有源层21包覆住，进一步隔绝背光源中斜向上的光线照射到有源层21中。
在上述基础上，本发明实施例进一步提供包括三种不同构图的薄膜晶体管20的阵列基板以及对应于该薄膜晶体管20的贯穿孔的具体分布方式：
方式一、如图4所示，所述薄膜晶体管包括依次位于所述栅绝缘层上的所述有源层21、源极23与漏极24；其中，所述薄膜晶体管的栅极为所述栅线11的一部分；所述贯穿孔位于所述有源层21沿所述栅线方向(图中标示为Dgate line)的一侧或两侧。
在上述薄膜晶体管20中，由于栅极为所述栅线11的一部分，且沿着栅线方向Dgate line，有源层21的长度远小于栅线11的长度，因此，有源层21沿数据线12的两侧，即图4中有源层21的左右边界处受到栅线11的遮挡是难以被斜向上的光线照射到的，因此，有源层21沿数据线12的一侧或两侧无需设置黑矩阵挡墙32。但是，受限于阵列基板01开口率的限制，栅线11的线宽通常较小，因此，斜向上的光线容易从栅线11沿数据线12方向的上下两侧(如图中虚线箭头所示)照射到有源层21中，因此，针对具有上述结构的薄膜晶体管20的阵列基板01，本发明实施例优选为，所述贯穿孔位于所述有源层21沿所述栅线方向(图中标示为Dgate line)的一侧或两侧(如图4中所示)。
需要说明的是，为了便于本领域相关技术人员更清楚直接地了解本发明实施例，图4中并未示意出贯穿孔51，仅示意出位于贯穿孔51内的黑矩阵挡墙32。
在上述基础上优选的，参考图4所示，沿所述栅线方向Dgate line，所述贯穿孔的长度大于所述有源层21靠近所述贯穿孔一侧的长度，该设计结构同样是为了进一步保证有源层21不被斜向上的光线照射到。
方式二、如图5所示，所述薄膜晶体管包括与所述栅线11相连的栅极22、依次位于所述栅绝缘层上的所述有源层21、源极23与漏极24；沿所述栅线方向(图中标示为Dgate line)，所述贯穿孔位于所述有源层21远离所述栅线11的一侧。
在上述薄膜晶体管20中，由于薄膜晶体管20的栅极22位于栅线11的一侧并相连，因此，受到栅线11的遮挡，有源层21沿栅线方向Dgate line靠近栅线11的一侧，即图5中有源层21的上方处难以被斜向上的光线照射到的；因此，对应于这一处无需设置黑矩阵挡墙32。但是，同样受限于阵列基板01开口率的限制，栅线11的线宽通常较小，斜向上的光线容易从有源层21远离所述栅线11的一侧即图5中有源层21的下方处(如图中虚线箭头所示)照射到有源层21中，因此，沿栅线方向Dgate line，贯穿孔位于有源层21远离栅线11的一侧。
同样需要说明的是，为了便于本领域相关技术人员更清楚直接地了解本发明实施例，图5中并未示意出贯穿孔51，仅示意出位于贯穿孔51内的黑矩阵挡墙32。
在上述基础上，参考图5所示，由于通常栅极22与数据线12、像素电极60具有一定的间隙，斜向上的光线也容易从源极23和/或漏极24的上下两侧处(如图中虚线箭头所示)照射到有源层21中，因此，沿与所述栅线11垂直的数据线方向(图中标示为Ddate line)，所述贯穿孔还位于所述源极23的两侧；和/或，所述贯穿孔还位于所述漏极24的两侧。
方式三、如图6所示，所述薄膜晶体管包括与所述栅线11相连的栅极22、依次位于所述栅绝缘层上的所述有源层21、源极23与漏极24；沿垂直于所述衬底基板的板面方向，所述源极23的图形为具有一开口区域23a的U型；所述漏极24的一部分位于所述源极23的所述开口区域23a中；沿所述栅线方向(图中标示为Dgate line)，所述贯穿孔至少位于所述漏极24的两侧。
与图4和图5中示意出的薄膜晶体管20的结构有所不同，在图6示意出的上述薄膜晶体管20中，包括有源极23、漏极24以及与源极23相连的数据线12的源漏金属层是与有源层21采用同一次构图工艺形成的，并且由于构图工艺中的刻蚀工艺等影响，有源层21的边界轮廓比包括有源极23、漏极24以及与源极23相连的数据线12的源漏金属层的边界轮廓稍大，称为active tail。在上述薄膜晶体管20中，有源层21中对应于源极23与漏极24之间的相对区域(即沟道区域)是薄膜晶体管20导通时的有效区域，因此，贯穿孔至少位于所述漏极24的两侧，即位于贯穿孔内的黑矩阵挡墙32可以有效遮挡住斜向上照射到沟道区域的光线。
同样地，为了便于本领域相关技术人员更清楚直接地了解本发明实施例，图6中并未示意出贯穿孔51，仅示意出位于贯穿孔51内的黑矩阵挡墙32。
需要说明的是，上述的构图工艺可以是任意对膜层(由一层或多层薄膜)进行处理以形成具有特定图案的工艺。典型的一次构图工艺是应用一次掩模板，通过光刻胶曝光、显影、刻蚀、去除光刻胶的工艺。其中，掩模板可以是普通掩模板、或半色调掩模板、或灰色调掩模板，应根据具体构图工艺灵活调整。
进一步的，参考图6所示，沿与所述栅线11垂直的数据线方向(图中标示为Ddate line)，所述贯穿孔还位于所述源极23的两侧。
这样，位于源极23两侧的黑矩阵挡墙32可以更为有效地遮挡住斜向上照射到沟道区域的光线。
在上述基础上，针对图4、图5所示的方式一、方式二的阵列基板01，所述有源层21图案的面积小于所述栅极22图案的面积，从而利用栅极22边界大于有源层21边界的特点来阻挡一部分角度的斜向上的光线。
针对图6所示的方式三的阵列基板01，所述有源层21中对应于所述源极23与所述漏极24(即TFT导通时的沟道区域)之间区域的面积小于所述栅极22图案的面积，其作用同样是利用栅极22边界大于沟道区域的边界的特点来阻挡一部分角度的斜向上的光线。
在上述基础上，进一步的，参考图3所示，所述阵列基板01还包括位于钝化层50上的像素电极60；所述黑矩阵第一部分31上设置有贯穿所述钝化层50的连接孔52，所述像素电极60通过所述连接孔52与所述漏极24相接触。
进一步的，由于与栅线11、数据线12通常均采用不透明的金属材料构成，阵列基板01对盒后形成的显示装置应用于户外等强光环境条件下时，金属材质的栅线11、数据线12会产生反光现象，影响显示质量，因此，所述黑矩阵30除所述黑矩阵第一部分31、所述黑矩阵挡墙32之外的区域用于遮挡住所述栅线11、与所述栅线11交叉设置的数据线12，即遮挡住栅线11、数据线12的这一部分黑矩阵的图案形状类似于田字格。
本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的阵列基板01。
这里，上述的显示装置可以为液晶面板、液晶显示器、液晶电视等显示装置。
典型的显示装置的具体结构可如图7所示，包括上述的阵列基板01、与该阵列基板01对盒的彩膜基板02、以及位于上述两个基板之间的液晶层03以及用于制成两个基板间距的柱形隔垫物04。
其中，由于本发明实施例提供的上述阵列基板01具有“BM onArray”结构，即黑矩阵30是设置在阵列基板01上的；因此，彩膜基板02上无需再设置黑矩阵，具体结构可沿用现有设计。示例的，该彩膜基板02可包括位于衬底基板10上的由平坦层80间隔开的呈矩阵排布的至少三种颜色的彩色滤光单元70、依次位于平坦层80外侧的公共电极90和配向层100。
这里，图7中仅示意出一种典型的TN型(即Twist Nematic，扭曲向列型)液晶显示装置的结构，即阵列基板上设置有像素电极、彩膜基板上设置有公共电极。当然，公共电极也可以设置在阵列基板上，即对盒形成的液晶显示装置为ADS型(即Advanced-SuperDimensional Switching，高级超维场开关型)或IPS型(即In PlaneSwitch，横向电场效应型)，具体不作限定。
需要说明的是，本发明所有附图是上述阵列基板的简略的示意图，只为清楚描述本方案体现了与发明点相关的结构，对于其他的与发明点无关的结构是现有结构，在附图中并未体现或只体现部分。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种阵列基板，包括衬底基板；其特征在于，还包括：位于所述衬底基板上的薄膜晶体管、黑矩阵；
所述黑矩阵包括黑矩阵第一部分、与所述黑矩阵第一部分相连的黑矩阵挡墙；
其中，所述黑矩阵第一部分用于遮挡住所述薄膜晶体管的有源层；
所述黑矩阵挡墙至少用于遮挡住所述有源层沿栅线方向的一侧。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述衬底基板上的栅线、覆盖所述栅线的栅绝缘层以及覆盖所述薄膜晶体管的钝化层；
所述黑矩阵第一部分位于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧；
所述钝化层上设置有贯穿所述栅绝缘层的贯穿孔，且所述贯穿孔露出所述衬底基板和/或所述薄膜晶体管的栅极；
所述黑矩阵挡墙位于所述贯穿孔内，且所述黑矩阵挡墙与所述贯穿孔露出的所述衬底基板和/或所述薄膜晶体管的栅极相接触。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括依次位于所述栅绝缘层上的所述有源层、源极与漏极；其中，所述薄膜晶体管的栅极为所述栅线的一部分；
所述贯穿孔位于所述有源层沿所述栅线方向的一侧或两侧。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，沿所述栅线方向，所述贯穿孔的长度大于所述有源层靠近所述贯穿孔一侧的长度。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括与所述栅线相连的栅极、依次位于所述栅绝缘层上的所述有源层、源极与漏极；
沿所述栅线方向，所述贯穿孔位于所述有源层远离所述栅线的一侧。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，沿与所述栅线垂直的数据线方向，
所述贯穿孔还位于所述源极的两侧；
和/或，所述贯穿孔还位于所述漏极的两侧。
7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括与所述栅线相连的栅极、依次位于所述栅绝缘层上的所述有源层、源极与漏极；
沿垂直于所述衬底基板的板面方向，所述源极的图形为具有一开口区域的U型；所述漏极的一部分位于所述源极的所述开口区域中；
沿所述栅线方向，所述贯穿孔至少位于所述漏极的两侧。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，
沿与所述栅线垂直的数据线方向，所述贯穿孔还位于所述源极的两侧。
9.根据权利要求2至6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层图案的面积小于所述栅极图案的面积。
10.根据权利要求7或8所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层中对应于所述源极与所述漏极之间区域的面积小于所述栅极图案的面积。
11.根据权利要求2至8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于钝化层上的像素电极；
所述黑矩阵第一部分上设置有贯穿所述钝化层的连接孔，所述像素电极通过所述连接孔与所述漏极相接触。
12.根据权利要求2至8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述黑矩阵除所述黑矩阵第一部分、所述黑矩阵挡墙之外的区域用于遮挡住所述栅线、与所述栅线交叉设置的数据线。
13.根据权利要求3至8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层采用非晶硅材料构成；
所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层与所述源极、所述漏极之间的欧姆接触层。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至13任一项所述的阵列基板。
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