CN104502431A - 一种厚朴酚/甲基丙烯酸制备分子印迹膜修饰玻碳电极的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种厚朴酚/甲基丙烯酸制备分子印迹膜修饰玻碳电极的制备方法,1)将玻碳电极分别用金相砂纸打磨,再用0.5和0.3μm A12O3 粉抛光至镜面,冲洗掉多余的抛光粉后依次用水、1:1硝酸溶液、无水乙醇和水、水超声清洗;2)将厚朴酚、甲基丙烯酸、AIBN、EGDMA按一定体积比振荡混合得到均一、稳定的复合物溶液,然后将用移液枪吸取上述溶液滴在玻碳电极的表面,放置在60℃的恒温干燥箱中,即可得到厚朴酚/甲基丙烯酸修饰的玻碳电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种分子印迹聚合物修饰玻碳电极的制备方法。
背景技术
分子印迹聚合物(MIPs)是一种针对某种分子具有特异性识别能力的高聚物材料,由于它具有构效预定性、特异选择性、实施简便等诸多优点,在色谱分离、固相萃取、食品、膜分离、仿生传感、毛细管电色谱以及临床药物等领域均有广泛应用。
厚朴酚(magnolol)别名5',5-二烯丙基-2,2'-联苯二酚。厚朴酚为棕褐色至白色精细粉末的厚朴提取物,厚朴酚具有明显的、持久的中枢性肌肉松弛,中枢神经抑制作用,抗炎,抗菌,抗病原微生物,抗溃疡,抗氧化,抗肿瘤,抑制吗啡戒断反应,可抑制血小板聚集等药理作用,用于治疗急性肠炎.细菌性或阿米巴痢疾.慢性胃炎等。其中,在抗菌作用方面,厚朴酚对格兰氏阳性菌、耐酸性菌、丝状真菌有显著的抗菌活性,对变形链球菌有更加显著的抗菌作用,对葡萄球菌的抑制作用最强。临床上主要用作消除胸腹满闷、镇静中枢神经、运动员肌肉松弛、抗真菌、抗溃疡等药。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有的缺陷,提供了一种厚朴酚/甲基丙烯酸制备分子印迹膜修饰玻碳电极的制备方法。
本发明的目的通过以下技术方案来具体实现:
一种厚朴酚/甲基丙烯酸制备分子印迹膜修饰玻碳电极的制备方法,包括如下步骤:
1)电极的预处理
将玻碳电极分别用金相砂纸打磨,再用0.5和0.3μm A12O3 粉抛光至镜面,冲洗掉多余的抛光粉后依次用水、1:1硝酸溶液、无水乙醇和水、水超声清洗;
2)电极的制备
将厚朴酚、甲基丙烯酸、AIBN、EGDMA按一定体积比振荡混合得到均一、稳定的复合物溶液,然后将用移液枪吸取上述溶液滴在玻碳电极的表面,放置在60℃的恒温干燥箱中,即可得到厚朴酚/甲基丙烯酸修饰的玻碳电极。
优选的,所述厚朴酚、甲基丙烯酸、AIBN、EGDMA的体积比为4:2:1:2。
本发明的有益效果:
本发明以厚朴酚为模板分子,甲基丙烯酸为功能单体(MMA)为功能单体,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,二甲基丙烯酸乙二醇酯(EGDMA)为交联剂,采用热聚合制备分子印迹膜电化学传感器,成功在玻碳电极表面制备了分子印迹膜。本方法制备的电极对厚朴酚具有较高的选择性和较大的灵敏度,该印迹膜传感器的线性范围是2.5×10-6~5.0×10-5 mol/l,检出限为8.3×10-7mol/l。
具体实施方式
以下对本发明的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。
厚朴酚/甲基丙烯酸制备分子印迹膜修饰玻碳电极的制备方法
1)电极的预处理
将玻碳电极分别用金相砂纸打磨,再用0.5和0.3μm A12O3 粉抛光至镜面,冲洗掉多余的抛光粉后依次用水、1:1硝酸溶液、无水乙醇和水、水超声清洗;然后将其置于0.1 mol/L H2SO4溶液中进行CV扫描(-0.6~+0.8 V),直至得到稳定的循环伏安曲线,室温晾干待用。
2)电极的制备
将厚朴酚、甲基丙烯酸、AIBN、EGDMA按4:2:1:2的体积比振荡混合得到均一、稳定的复合物溶液,超声振荡使其混匀。然后将用移液枪吸取上述溶液滴在玻碳电极的表面,放置在60℃的恒温干燥箱中,即可得到阿魏酸/甲基丙烯酸修饰的玻碳电极。
甲基丙烯酸与厚朴酚的配合过程如下所示:
。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种厚朴酚/甲基丙烯酸制备分子印迹膜修饰玻碳电极的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
1)电极的预处理
将玻碳电极分别用金相砂纸打磨,再用0.5和0.3μm A12O3 粉抛光至镜面,冲洗掉多余的抛光粉后依次用水、1:1硝酸溶液、无水乙醇和水、水超声清洗;
2)电极的制备
将厚朴酚、甲基丙烯酸、AIBN、EGDMA按一定体积比振荡混合得到均一、稳定的复合物溶液,然后将用移液枪吸取上述溶液滴在玻碳电极的表面,放置在60℃的恒温干燥箱中,即可得到厚朴酚/甲基丙烯酸修饰的玻碳电极。
2.根据权利要求1所述的厚朴酚/甲基丙烯酸制备分子印迹膜修饰玻碳电极的制备方法,其特征在于:所述厚朴酚、甲基丙烯酸、AIBN、EGDMA的体积比为4:2:1:2。
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