CN104498910A - 一种改善pecvd制程良率的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种改善PECVD制程良率的方法，该PECVD即AS膜沉膜在GE膜21上，其中，GE膜21为设置在玻璃基板20上的金属膜，AS膜是半导体膜且进一步细分为5层，其中AS膜与GE膜直接接触的是GH层25，GH膜的厚度记为H，其特征在于，包括预沉膜、毛刷清洗、再沉膜；预沉膜，选取一定厚度的GH层22对GE膜表面进行沉膜，该厚度记为H1；毛刷清洗，使用毛刷对上述预沉膜后的半成品表面进行清洗，将此时处于表面的异物23清除，表面的异物23被清除后留下凹坑24；再沉膜，再次选取一定厚度的GH层对上述带有凹坑的表面进行二次沉膜，该厚度记为H2，且H2=H-H1；上述凹坑处的GH层厚度为H与凹坑深度之差。本发明提供一种可有效清除膜下异物的改善PECVD制程良率的方法。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器的研发与制造，特别是关于一种改善PECVD制程良率的方法。
背景技术
在TFT-LCD制程中，膜下异物引起的不良长期占据着良率损失的第一位。由于PECVD生产的特殊性，在生产过程中不能避免颗粒的产生，只能通过对玻璃基板沉膜前清洗、对机台预保养时清洁、生产中在沉膜6pcs后执行RPSCclean等手段抑制颗粒的积累而对膜层造成不良。
PECVD即AS膜沉膜在GE膜上，其中，GE膜为设置在玻璃基板上的金属膜，AS膜是半导体膜；AS膜进一步细分为5层，自下往上分别是GH层、GL层、AL层、AH层、NP层，各层有各自的功能。GH膜的成分为SiNX，作为与GE膜直接接触的GH层，主要是对GE膜起绝缘保护作用，但在沉膜后极容易在GH层与GE膜间混入异物，尤其是在金属膜即GE膜上混入异物，将严重影响PECVD薄膜的品质。如图1为玻璃基板10和GE膜11的侧视图，图2是现有技术的沉膜方式，GH膜12下存在较多的异物13。
发明内容
有鉴于此，本发明为解决上述技术问题，提供一种可有效清除膜下异物的改善PECVD制程良率的方法。
本发明的目的通过以下技术方案实现：
一种改善PECVD制程良率的方法，该PECVD即AS膜沉膜在GE膜上，其中，GE膜为设置在玻璃基板上的金属膜，AS膜是半导体膜且进一步细分为5层，其中AS膜与GE膜直接接触的是GH层，GH膜的厚度记为H，其特征在于，包括预沉膜、毛刷清洗、再沉膜；预沉膜，选取一定厚度的GH层对GE膜表面进行沉膜，该厚度记为H1；毛刷清洗，使用毛刷对上述预沉膜后的半成品表面进行清洗，将此时处于表面的异物清除，表面的异物被清除后留下凹坑；再沉膜，再次选取一定厚度的GH层对上述带有凹坑的表面进行二次沉膜，该厚度记为H2，且H2=H-H1；上述凹坑处的GH层厚度为H与凹坑深度之差。
所述厚度H1小于厚度H。
所述毛刷为滚轴毛刷，且该滚轴毛刷的数量为一个或一个以上。
本发明相较于现有技术的有益效果是：
在TFT-LCD制程中，膜下异物引起的不良长期占据着良率损失的第一位。由于PECVD生产的特殊性，在生产过程中不能避免颗粒的产生，只能通过对玻璃基板沉膜前清洗、对机台预保养时清洁、生产中在沉膜6pcs后执行RPSCclean等手段抑制颗粒的积累而对膜层造成不良。
本发明在AS沉膜时采用预沉膜、毛刷清洗、再沉膜的工艺，它能很大程度的改善在AS沉膜时造成的膜下异物引起的不良。由于大部分膜下异物是在AS沉膜初期产生的，此种沉膜工艺能有效地减少AS膜层中与GE层接触而有可能造成显示不良的异物，而且，这种工艺还能通过同批次玻璃重复进CVD腔室镀膜，减少机台由于产能低等原因而造成的机台静置，而静置就会造成机台内异物产生的几率加大，这样该工艺就可以进一步降低particle产生的可能性。
通常GH层厚度为3500埃，预沉膜时GH层的厚度为1500-2500埃，通过带毛刷的清洗机台清洗，沉膜产生的异物被毛刷刷走，留下凹坑，在再沉膜时，将剩余的2000埃的GH层进行二次沉膜，凹坑即被填满，然后沉剩余的AS膜层，即使再有膜下异物，也不会影响AS层的绝缘保护作用，能极大地改善AS膜下异物造成的亮点、漏笔、点带线等显示不良。
附图说明
利用附图对本发明作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本发明的任何限制。
图1是GE膜的结构图。
图2是现有技术的AS膜下异物的结构状态图。
图3是本发明实施例的改善PECVD制程良率的方法的预沉膜后的状态图。
图4是本发明实施例的改善PECVD制程良率的方法的毛刷清洗后的状态图。
图5是本发明实施例的改善PECVD制程良率的方法的再沉膜后的最终结构状态图。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员理解，下面将结合附图以及实施例对本发明作进一步详细描述。
请参照图3-图5，本发明实施例包括：
一种改善PECVD制程良率的方法，该PECVD即AS膜沉膜在GE膜21上，其中，GE膜21为设置在玻璃基板20上的金属膜，AS膜是半导体膜且进一步细分为5层，其中AS膜与GE膜直接接触的是GH层25，GH膜的厚度记为H，其特征在于，包括预沉膜、毛刷清洗、再沉膜；预沉膜，选取一定厚度的GH层22对GE膜表面进行沉膜，该厚度记为H1；毛刷清洗，使用毛刷对上述预沉膜后的半成品表面进行清洗，将此时处于表面的异物23清除，表面的异物23被清除后留下凹坑24；再沉膜，再次选取一定厚度的GH层对上述带有凹坑的表面进行二次沉膜，该厚度记为H2，且H2=H-H1；上述凹坑处的GH层厚度为H与凹坑深度之差。
厚度H1小于厚度H。在本实施例中，H为3500埃，H1为1500埃，H2为2000埃。
毛刷为滚轴毛刷，且在本实施例中，该滚轴毛刷的数量为4个。
在TFT-LCD制程中，膜下异物引起的不良长期占据着良率损失的第一位。由于PECVD生产的特殊性，在生产过程中不能避免颗粒的产生，只能通过对玻璃基板沉膜前清洗、对机台预保养时清洁、生产中在沉膜6pcs后执行RPSCclean等手段抑制颗粒的积累而对膜层造成不良。
本发明在AS沉膜时采用预沉膜、毛刷清洗、再沉膜的工艺，它能很大程度的改善在AS沉膜时造成的膜下异物引起的不良。由于大部分膜下异物是在AS沉膜初期产生的，此种沉膜工艺能有效地减少AS膜层中与GE层接触而有可能造成显示不良的异物，而且，这种工艺还能通过同批次玻璃重复进CVD腔室镀膜，减少机台由于产能低等原因而造成的机台静置，而静置就会造成机台内异物产生的几率加大，这样该工艺就可以进一步降低particle产生的可能性。
通常GH层厚度为3500埃，预沉膜时GH层的厚度为1500埃，通过带毛刷的清洗机台清洗，沉膜产生的异物被毛刷刷走，留下凹坑，在再沉膜时，将剩余的2000埃的GH层进行二次沉膜，凹坑即被填满，然后沉剩余的AS膜层，即使再有膜下异物，也不会影响AS层的绝缘保护作用，能极大地改善AS膜下异物造成的亮点、漏笔、点带线等显示不良。
最后应当说明的是，以上实施例说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (3)
1.一种改善PECVD制程良率的方法，该PECVD即AS膜沉膜在GE膜上，其中，GE膜为设置在玻璃基板上的金属膜，AS膜是半导体膜且进一步细分为5层，其中AS膜与GE膜直接接触的是GH层，GH膜的厚度记为H，其特征在于，包括
预沉膜，选取一定厚度的GH层对GE膜表面进行沉膜，该厚度记为H1；
毛刷清洗，使用毛刷对上述预沉膜后的半成品表面进行清洗，将此时处于表面的异物清除，表面的异物被清除后留下凹坑；
再沉膜，再次选取一定厚度的GH层对上述带有凹坑的表面进行二次沉膜，该厚度记为H2，且H2=H-H1；上述凹坑处的GH层厚度为H与凹坑深度之差。
2.根据权利要求1所述的改善PECVD制程良率的方法，其特征在于，所述厚度H1小于厚度H。
3.根据权利要求1所述的改善PECVD制程良率的方法，其特征在于，所述毛刷为滚轴毛刷，且该滚轴毛刷的数量为一个或一个以上。
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| CN203061485U (zh) * | 2013-02-07 | 2013-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 毛刷清洗装置及基板清洗装置 |
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