CN102244036A - 一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法 - Google Patents

一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法,该制作方法包括:提供完成通用电极或像素电极制作的阵列基板;在阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜;在该第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜以生成预设厚度的电极绝缘层。该制作方法制作出的电极绝缘层中导电微粒的数量较少,体积较小,能降低生成的导电微粒导通通用电极和像素电极的概率,从而提高广视角显示器的显示效果。

Description

一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法
技术领域
本发明涉及广视角液晶显示器技术领域,更具体的说是涉及一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法。
背景技术
为了解决传统液晶显示器由于观看者角度不同而产生亮度以及对比度的差异的现象,广视角液晶显示屏应运而生。广视角液晶显示器是应用横向电场广视角技术(IPS)制作而成,具有广视角、高光效、高对比度等优点。
基于横向电场广视角技术的广角液晶显示器的通用电极和像素电极是制作在同一玻璃基板上的,在通用电极和像素电极之间设置有电极绝缘层(或者称为电场绝缘层)。制作该电极绝缘层的方式主要有化学气相沉积、物理溅射沉积、狭缝涂布或旋转涂布等方式。例如,等离子化学气相沉积技术,是采用辉光放电装置解离相应的气体,使气体发生化学反应和等离子反应在阵列基板(阵列基板是已经完成像素电极或通用电极制作的基板)上沉积形成一层固态薄膜得到绝缘层。电极绝缘层会有一定的厚度可以起到隔离通用电极和像素电极的作用,并能保护基板上的薄膜晶体管。
但是在制作电极绝缘层的过程中会产生数量较多且体积较大的导电微粒,这些导电微粒可能会将像素电极和绝缘电极导通,从而使得制成的广视角显示器在显示时屏幕中会出现一些亮点或断线,影响广视角显示器的显示效果,降低了广视角液晶显示器的生产合格率。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法,该方法在制作电极绝缘层时,能降低生成的导电微粒导通通用电极和像素电极的概率,从而提高生产的广视角显示器的产品合格率。
为实现上述目的,本发明提供一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法,包括:
提供完成像素电极或通用电极制作的阵列基板;
在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜;
在所述第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜以生成预设厚度的电极绝缘层。
优选的,所述第一绝缘膜的厚度小于所述电极绝缘层的厚度。
优选的,所述在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜,包括:
采用化学气相沉积技术在所述阵列基板上沉积具有绝缘性质的第一绝缘膜;
或,采用物理溅射沉积的方式在所述阵列基板上沉积具有绝缘性质的第一绝缘膜;
或,采用狭缝涂布的方式在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜;
或,采用旋转涂布的方式在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜。
优选的,所述在所述第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜,包括:
采用化学气相沉积技术在所述第一绝缘膜上沉积具有绝缘性质的绝缘膜;
或,采用物理溅射沉积的方式在所述第一绝缘膜上沉积具有绝缘性质的绝缘膜;
或,采用狭缝涂布的方式在所述第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜;
或,采用旋转涂布的方式在所述第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜。
优选的,在所述第一绝缘膜上制作绝缘性质的绝缘膜以生成具有预设厚度的电极绝缘层,包括:
在所述第一绝缘膜上通过一次或多次制作具有绝缘性质的绝缘膜来生成预设厚度的电极绝缘层。
优选的,在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜之后,还包括:
清洁所述第一绝缘膜表面产生的导电微粒。
优选的,所述清洁所述第一绝缘膜表面产生的导电微粒,包括:
采用清洁溶剂、高压水喷淋和/或超声波振动来清洗沉积有所述第一绝缘膜的阵列基板,以减少第一绝缘膜上附着的导电微粒。
优选的,当采用化学气相沉积或物理溅射技术在所述阵列基板上制作所述第一绝缘膜时,所述清洁所述第一绝缘膜表面产生的导电微粒,包括:
采用气体等离子体对所述第一绝缘膜进行清洁,以减少所述第一绝缘膜表面的导电微粒。
优选的,当在所述第一绝缘膜上通过多次制作具有绝缘性质的绝缘膜来生成预设厚度的电极绝缘层时,还包括:
每次在所述第一绝缘膜上生成一层具有绝缘性质的绝缘薄膜后,清洁所述在第一绝缘膜上制作生成的绝缘膜上附着的导电微粒,并继续在已生成的绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜直至生成预设厚度的电极绝缘层。
优选的,当在所述第一绝缘膜上通过制作一次具有绝缘性质的绝缘膜生成预设厚度的电极绝缘层时,所述第一绝缘膜的厚度小于或等于所述电极绝缘层厚度的1/2。
经由上述的技术方案可知,与现有技术相比,本发明公开提供了一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法,该制作方法在阵列基板制作具有绝缘性质的第一绝缘膜,进而在第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜以生成预设厚度的电极绝缘层,在第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜可以将第一绝缘膜上的导电微粒覆盖住,减少导电微粒在此处积聚的可能性,降低了导电微粒的体积,使得导电微粒不能贯通通用电极和像素电极,也就无法导通通用电极和电极。同时,在第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜的过程中生成的导电微粒,由于第一绝缘膜的阻隔也不可能导通像素电极和通用电极,进而提高了广视角液晶显示器的显示效果,提高了广视角液晶显示器的产品合格率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法实施例一的步骤流程图;
图2为发明一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法实施例二的步骤流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
现有技术中在阵列基板上生成电极绝缘层的过程中会生成数量较多且体积较大的导电微粒,这些导电微粒可能会穿透电极绝缘层将通用电极和像素电极导通,从而使得影响广视角液晶显示屏的质量,进而导致当广视角液晶显示器在显示时会在显示屏上出现亮点和断线。
经发明人研究发现,现有技术中在阵列基板上生成电极绝缘层均为一次成型,即,采用现有技术在阵列基板上进过一次沉积或涂布直接生成预设厚度的电极绝缘层。例如,采用化学气相沉积技术在阵列基板上讲过一次沉积直接生成预设厚度的电极绝缘层。采用这种一次成型的方式制作电极绝缘层时,导电微粒的数量会不断增加,且导电微粒会在同一个地方逐渐积聚最终形成贯通电极绝缘层的粒子,因此该体积较大的导电微粒可以导通像素电极和绝缘电极。
由于导电微粒的产生与生成电极绝缘层的材料、制作电极绝缘层的装置以及工艺参数等均有关系,本领域技术人员也许会想到通过调节工艺参数,或者通过减少制作电极绝缘层的装置内的杂质等方法来减少导电粒子的数量,并降低导电粒子的体积。但是导电微粒的产生是受以上三个因素的影响,单纯就某一方面进行调整不可能有效的降低导电微粒导通通用电极和像素电极的现象。
因此本发明人转化思考角度,将通过一次成型的方式在阵列基板上生成电极绝缘层的过程改为:在阵列基板上制作多层绝缘膜之间生成预设厚度的电极绝缘层,也就是说在阵列基板上逐层生成绝缘膜,直至绝缘膜的厚度达到预设厚度生成预设厚度的电极绝缘层。如,在阵列基板上经过多次化学气相沉积来生成预设厚度的电极绝缘层。首先在完成像素电极或通用电极制作的阵列基板上制作绝缘性质的第一绝缘膜,之后在第一绝缘膜上继续制作具有绝缘性质的绝缘膜,这样第一绝缘膜上的导电微粒会被后续生成的绝缘膜覆盖住,阻隔第一绝缘膜上的导电微粒导通通用电极和像素电极。由于第一绝缘层上的导电微粒被后续生成的绝缘膜覆盖住,也进一步减少了导电微粒的数量。同时在第一绝缘膜上进行气体离子沉积或旋转涂布绝缘材料生成绝缘膜过程中,在第一绝缘膜上制作的绝缘膜上的导电微粒由于第一绝缘膜的阻隔导通像素电极和通用电极的可能性较低,进而提高了广视角液晶显示器的显示效果,提高了生产广视角液晶显示器的产品合格率。
参见图1,本发明一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法实施例一的步骤流程图,本实施例的制作方法包括:
步骤S101:提供完成通用电极或像素电极制作的阵列基板;
基于横向电场转化技术的广视角液晶显示屏的通用电极和像素电极是制作于同一玻璃基板上的,本发明实施例中的阵列基板与现有技术中制作电极绝缘膜的阵列基板相同。
步骤S102:在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜;
在阵列基板上生成第一绝缘薄膜,该第一绝缘薄膜与电极绝缘层的构成以及作用相同,但第一绝缘薄膜的厚度要小于电极绝缘层的厚度。
在阵列基板上制作第一绝缘膜的方式有多种,可以为:采用化学气相沉积技术在所述阵列基板上沉积具有绝缘性质的第一绝缘膜;或,采用物理溅射沉积在所述阵列基板上沉积具有绝缘性质的第一绝缘膜;或,采用狭缝涂布的方式在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜;或,采用旋转涂布的方式在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜。当然,还可以采用其他制作电极绝缘层的方式在阵列基板上制作第一绝缘膜,具体采用哪种方式可以根据需要进行设定。
步骤S103:在所述第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜以生成预设厚度的电极绝缘层。
在第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜时也可以有多种方式,可以为:采用化学气相沉积技术在第一绝缘膜上上沉积具有绝缘性质的绝缘膜;或,采用物理溅射沉积在第一绝缘膜上沉积具有绝缘性质的绝缘膜;或,采用狭缝涂布的方式在第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜;或,采用旋转涂布的方式在第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜。在第一绝缘膜上制作绝缘膜时同样可以根据需要选择绝缘膜的制作方式。
在第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜时,可以采用与在阵列基板制作第一绝缘膜相同的制作方式,也可以采用不同的方式。例如,当采用化学气相沉积的方式在阵列基板上制作第一绝缘膜时,在第一绝缘膜上也可以继续采用化学气相沉积的方式制作绝缘膜。当然,还可以为:在阵列基板上采用化学气相沉积的方式制作第一绝缘膜,而在第一绝缘膜上采用其他的方式来制作具有绝缘性质的绝缘膜。
当在阵列基板上生成第一绝缘膜的过程中,一些导电微粒会逐渐聚集在第一绝缘膜的某位置处,从而在第一绝缘膜中生成一些体积较大的导电微粒,为了防止该导电微粒体积继续增大,在该第一绝缘膜上制作覆盖在第一绝缘膜的具有绝缘性质的绝缘膜,直至包含第一绝缘膜在内的整个绝缘膜厚度达到预设厚度,从而得到预设厚度的电极绝缘层。其中,该电极绝缘层的厚度要大于第一绝缘膜的厚度。
在第一绝缘膜上生成具有绝缘性质的绝缘膜的过程中也会有一些导电微粒逐渐积聚,但是由于第一绝缘膜上导电微粒聚集的位置和后续在第一绝缘膜上生成电极绝缘层过程中导电微粒聚集的位置不可能完全相同,这样在第一绝缘膜上继续生成绝缘膜的过程中,第一绝缘膜上积聚的导电微粒就会被在第一绝缘膜上后续生成的绝缘膜覆盖住,从而避免了第一绝缘膜上导电微粒导通通用电极和像素电极。
另外,在第一绝缘膜上进行气体离子沉淀或旋转涂布绝缘材料的过程中产生的导电微粒也由于被第一绝缘膜阻隔也不能导通像素电极和通用电极,这样可以减少广视角液晶显示器成像时屏幕上出现的亮点和断线数量,提高了广视角液晶显示器的显示效果。
需要说明的是,当在阵列基板上生成第一绝缘膜后,可以在第一绝缘膜上经过一次或多次制作绝缘性质的绝缘膜来生成预设厚度的电极绝缘层。也就是说,在第一绝缘膜上生成预设厚度的电极绝缘层可以是一次完成,也可以是多次沉积或涂布生成预设厚度的电极绝缘层。
例如,当在阵列基板上生成第一绝缘膜后,可以采用一次化学气相沉积来生成预设厚度的电极绝缘层;也可以在第一绝缘膜上采用化学气相沉积生成具有绝缘性质的绝缘膜,在继续进行化学气相沉积已生成绝缘膜,直至生成的绝缘膜的总厚度达到预设厚度,得到预设厚度的电极绝缘层。也可以在第一绝缘膜上采用一次化学气相沉积生成绝缘膜,并在已生成的绝缘膜上涂布有机绝缘材料生成绝缘膜,并最终得到预设厚度的电极绝缘层。当然,在第一绝缘膜上采用一次或多次制作绝缘膜生成预设厚度的电极绝缘层的方式有多种,在此不一一列举。
当在第一绝缘膜上采用某制作方式一次成型制作出预设厚度的电极绝缘层时,第一绝缘膜的厚度可以设定为该电极绝缘层厚度的1/2,也可以将第一绝缘膜的厚度设定为小于该电极绝缘层厚度的1/2,当然第一绝缘膜的厚度也可以根据需要进行设定。如,当在第一绝缘膜上通过一次化学气相沉积成预设厚度的电极绝缘层时,第一绝缘层的厚度可以为电极绝缘层厚度的一半。。
为了使电极绝缘层上导电微粒的数量减少的更多,在阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜之后,还可以包括:清洁所述第一绝缘膜表面产生的导电微粒。清洁第一绝缘膜表面产生的导电微粒的方式可以有多种,可以为:
采用清洁溶剂、高压水喷淋和/或超声波振动来清洗沉积有所述第一绝缘膜的阵列基板,以减少第一绝缘膜上附着的导电微粒。
进一步的,当采用化学气相沉积或物理溅射沉积的方式在阵列基板上制作第一绝缘膜时,还可以采用气体等离子体对所述第一绝缘膜进行清洁,以减少所述第一绝缘膜表面的导电微粒。采用气体等离子体清洗第一绝缘膜表面上的导电微粒,可以去除悬浮在第一绝缘膜表面和反应腔体内部的导电微粒,进而减少生成的电极绝缘层中导电微粒的数量。
另外,由于采用化学气相沉积或物理溅射沉积的方式生成电极绝缘层的过程是在真空下生成的,针对该种方式生成第一绝缘膜后,还可以采用真空抽气和充气的循环过程来减少反应腔体内部和第一绝缘膜上的导电微粒。
对于在第一绝缘膜上采用多次制作绝缘膜来生成预设厚度的电极绝缘层时,每次在第一绝缘膜上生成一层具有绝缘性质的绝缘薄膜后,清洁在第一绝缘膜上制作生成的绝缘膜的附着的导电微粒,并继续在已生成的绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜,直至生成预设厚度的电极绝缘层。
也就是说,当在第一绝缘膜上多次进行化学气相沉积或物理溅射沉积来生成预设厚度的电极绝缘层的过程还可以包括:每次在第一绝缘膜上进行化学气相沉积或物理溅射沉积得到绝缘薄膜后,清洁第一绝缘膜上沉积得到的绝缘膜上附着的导电微粒,并继续进行化学气相沉积或物理溅射沉积(当然也可以采用涂布的方式)直至生成预设厚度的电极绝缘层。为了更清楚的描述生成电极绝缘层的过程,参见图2,为本发明一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法实施例二的步骤流程图,本实施例以采用化学气相沉积来生成电极绝缘层为例进行介绍,本实施例的制作方法包括:
步骤S201:提供完成通用电极或像素电极制作的阵列基板;
步骤S202:在阵列基板上进行化学气相沉积生成具有绝缘性质的第一绝缘膜;
步骤203:清除第一绝缘膜表面的生成的导电微粒;
步骤S204:在第一绝缘膜上继续进行化学气相沉积生成中间状态绝缘膜;
中间状态绝缘膜是指在第一绝缘膜上进行化学气相沉积得到的厚度大于第一绝缘膜的绝缘膜或绝缘层。
步骤S205:清洁所述中间状态绝缘膜表面的导电微粒;
步骤S206:判断中间状态绝缘膜的厚度是否达到预设厚度,如果是,则电极绝缘层生成,结束;如果否,则进入步骤S207;
步骤S207:在中间状态绝缘膜上进行化学气相沉积以增加中间状态绝缘膜的厚度,进入步骤S205。
需要说明的是,当在阵列基板上采用化学气相沉积生成第一绝缘膜时,在第一绝缘膜上制作中间状态绝缘膜也可以采用其他的方式,在此不加以限制。
采用物理溅射沉积、狭缝涂布、或旋转涂布等方式在阵列基板上来制作电极绝缘层的过程与实施例二的步骤相似,在此不再赘述。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法,其特征在于,包括:
提供完成像素电极或通用电极制作的阵列基板;
在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜;
在所述第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜以生成预设厚度的电极绝缘层。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一绝缘膜的厚度小于所述电极绝缘层的厚度。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜,包括:
采用化学气相沉积技术在所述阵列基板上沉积具有绝缘性质的第一绝缘膜;
或,采用物理溅射沉积的方式在所述阵列基板上沉积具有绝缘性质的第一绝缘膜;
或,采用狭缝涂布的方式在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜;
或,采用旋转涂布的方式在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜。
4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述在所述第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜,包括:
采用化学气相沉积技术在所述第一绝缘膜上沉积具有绝缘性质的绝缘膜;
或,采用物理溅射沉积的方式在所述第一绝缘膜上沉积具有绝缘性质的绝缘膜;
或,采用狭缝涂布的方式在所述第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜;
或,采用旋转涂布的方式在所述第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜。
5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述在所述第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜以生成具有预设厚度的电极绝缘层,包括:
在所述第一绝缘膜上通过一次或多次制作具有绝缘性质的绝缘膜来生成预设厚度的电极绝缘层。
6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜之后,还包括:
清洁所述第一绝缘膜表面产生的导电微粒。
7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述清洁所述第一绝缘膜表面产生的导电微粒,包括:
采用清洁溶剂、高压水喷淋和/或超声波振动来清洗沉积有所述第一绝缘膜的阵列基板,以减少第一绝缘膜上附着的导电微粒。
8.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,当采用化学气相沉积或物理溅射技术在所述阵列基板上制作所述第一绝缘膜时,所述清洁所述第一绝缘膜表面产生的导电微粒,包括:
采用气体等离子体对所述第一绝缘膜进行清洁,以减少所述第一绝缘膜表面的导电微粒。
9.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,当在所述第一绝缘膜上通过多次制作具有绝缘性质的绝缘膜来生成预设厚度的电极绝缘层时,还包括:
每次在所述第一绝缘膜上生成一层具有绝缘性质的绝缘薄膜后,清洁所述在第一绝缘膜上制作生成的绝缘膜上附着的导电微粒,并继续在已生成的绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜直至生成预设厚度的电极绝缘层。
10.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,当在所述第一绝缘膜上通过制作一次具有绝缘性质的绝缘膜生成预设厚度的电极绝缘层时,所述第一绝缘膜的厚度小于或等于所述电极绝缘层厚度的1/2。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103439839A (zh) * 2013-08-06 2013-12-11 京东方科技集团股份有限公司 一种形成膜层的方法和基板
CN104498910A (zh) * 2014-11-28 2015-04-08 信利(惠州)智能显示有限公司 一种改善pecvd制程良率的方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040263701A1 (en) * 2003-04-21 2004-12-30 Nobutaka Ukigaya Electrophoretic display apparatus
JP2006086514A (ja) * 2004-08-20 2006-03-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
CN101051134A (zh) * 2006-04-06 2007-10-10 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备、半导体器件和电子设备
KR20080086158A (ko) * 2007-03-22 2008-09-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
CN101299122A (zh) * 2007-04-30 2008-11-05 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示面板及其制造方法
JP2008304744A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示パネルの製造方法及び液晶表示パネル
CN101354490A (zh) * 2007-06-15 2009-01-28 奇美电子股份有限公司 半透射半反射式液晶显示装置及其制造方法
US20100128192A1 (en) * 2008-11-25 2010-05-27 Hee-Joon Kim Liquid crystal display and method of manufacturing the same
CN101847641A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和宽视角液晶显示器

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040263701A1 (en) * 2003-04-21 2004-12-30 Nobutaka Ukigaya Electrophoretic display apparatus
JP2006086514A (ja) * 2004-08-20 2006-03-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
CN101051134A (zh) * 2006-04-06 2007-10-10 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备、半导体器件和电子设备
KR20080086158A (ko) * 2007-03-22 2008-09-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
CN101299122A (zh) * 2007-04-30 2008-11-05 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示面板及其制造方法
JP2008304744A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示パネルの製造方法及び液晶表示パネル
CN101354490A (zh) * 2007-06-15 2009-01-28 奇美电子股份有限公司 半透射半反射式液晶显示装置及其制造方法
US20100128192A1 (en) * 2008-11-25 2010-05-27 Hee-Joon Kim Liquid crystal display and method of manufacturing the same
CN101847641A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和宽视角液晶显示器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103439839A (zh) * 2013-08-06 2013-12-11 京东方科技集团股份有限公司 一种形成膜层的方法和基板
CN103439839B (zh) * 2013-08-06 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 一种形成膜层的方法和基板
US9546421B2 (en) 2013-08-06 2017-01-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for forming film layer and substrate including the film layer
CN104498910A (zh) * 2014-11-28 2015-04-08 信利(惠州)智能显示有限公司 一种改善pecvd制程良率的方法

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