CN104498876A - 摄像头盖板的真空镀膜方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种摄像头盖板的真空镀膜方法,包括将基板打磨、印刷、固化、清洗;置于真空镀膜机镀膜,基板向上或向下依次镀上五氧化三钛层、二氧化硅层、五氧化三钛层、二氧化硅层;镀膜室真空度3-5×103Pa,加热到145-155℃、真空度1.5-2.5Pa时,调整真空度达到1-1.3×10-1Pa,开启离子源充气,离子源灯丝电流为20-23A、电压20-22V,放电电流2-4A、放电电压145-155V,充气时间为4-6min,关闭;当真空度达到1.4-1.6×10-2Pa,充氧气至真空度到2.5-3.5×10-2pa自动镀膜,镀膜完成后取出基板,冷却。本发明具有镀层均匀、透过率高且耐磨损的优点。
Description
技术领域
本发明涉及摄像头盖板处理技术领域,具体涉及一种摄像头盖板的真空镀膜方法。
背景技术
现有技术的手机摄像头的像素越来越高,要求其上的盖板的清晰度和透过率也相应提高;为了实现上述效果,往往采用真空镀膜工艺在盖板上镀上不同的涂层,以达到清晰度的要求,同时兼顾实现耐磨损、透过率高等效果。但是目前的真空镀膜工艺,往往存在镀层不均匀的现象,这就导致其透过率和耐磨损等性能受到影响。
发明内容
本发明针对现有技术的上述不足,提供一种镀层均匀、透过率高且耐磨损的摄像头盖板的真空镀膜方法。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:一种摄像头盖板的真空镀膜方法,制备步骤包括:
(1)首先将盖板的基板进行打磨,打磨至直径为8-10mm,厚度为0.3-0.6mm的圆形基板;
(2)然后将基板进行油墨印刷,再置于140-160℃下、25-35min进行固化;
(3)将固化后的基板置于体积浓度为25-55%的乙醇溶液中进行清洗,去除表面的浮尘;
(4)将清洗后的基板晾干,然后置于真空镀膜机中进行真空镀膜,真空镀膜的基板上下两面,以基板为基础向上或向下依次镀上五氧化三钛层、二氧化硅层、五氧化三钛层、二氧化硅层;上述各镀层的厚度依次为五氧化三钛层25-30nm、二氧化硅层34-40nm、五氧化三钛层25-30nm、二氧化硅层100-110nm;
真空镀膜过程:首先开启真空镀膜装置的电源,冷却循环水;开启粗抽泵将真空镀膜室内抽真空至真空度3-5×103Pa,开启罗茨泵;然后开始加热,当温度达到145-155℃、真空度达到1.5-2.5Pa时,关闭粗抽泵,开启精抽泵至真空度达到1-1.3×10-1Pa,开启离子源充气,观察离子源灯丝电流,并维持灯丝电流为20-23A、灯丝电压为20-22V,放电电流为2-4A、放电电压为145-155V,离子源充气时间为4-6min,然后关闭;当真空度达到1.4-1.6×10-2Pa,充氧气至真空度到2.5-3.5×10-2pa开始自动镀膜,镀膜完成后取出基板,自然冷却即可。
作为优选,步骤(2)固化温度150℃下、固化时间30min;采用该参数,可以进一步增加油墨与基板的结合牢固度,不易掉墨,不易脱落。
作为优选,步骤(4)所述的各镀层的厚度依次为五氧化三钛层28nm、二氧化硅层36nm、五氧化三钛层28nm、二氧化硅层108nm;采用该厚度,可以增加整个盖板的耐磨损效果,提高透过率,从而使得盖板更耐磨,透过率高,提高摄像头整体的像素。
作为优选,步骤(4)所述的开启粗抽泵将真空镀膜室内抽真空至真空度5×103Pa,采用该真空度可以实现更高的镀膜,使得膜层与基板粘结的更加牢固。
作为优选,所述的镀层,在最外层的镀层上还设置有一层AF防水层(防指纹油纳米涂料是由氟基团与硅基团组合而成的纳米涂层,主要是采用自动喷涂机将AF防指纹药水通过喷涂的方式设置在镀层上),厚度为10-15nm;采用该厚度可以使得盖板充分防水,有效保护摄像头的安全。
作为优选,所述的真空镀膜室在待镀膜的基板与镀层原料之间设置于叶片状挡板,在对镀层原料加热2-5s后将挡板撤离;采用该工序,由于在镀层原料加热初始的2-5s,各个原料的蒸汽扩散的不均匀,如果此时直接镀到基板上,会造成膜层厚度不均匀,不一致的现象,而采用上述工序有效防止上述现象的出现,使得膜层镀的更加均匀。
本发明的优点和有益效果:
1.本发明在盖板上下表面分别镀上五氧化三钛层25-30nm、二氧化硅层34-40nm、五氧化三钛层25-30nm、二氧化硅层100-110nm;使得盖板更加耐磨损、且透过率高;检测在420nm波段透过率95%以上,500nm波段透过率98%以上;580nm波段透过率98%以上,600nm波段透过率95%以上;因此具有良好的透过率;此外采用钢丝绒来回在盖板表面摩擦200次以上,其滴水角仍然能保持大于110度,其具有良好的浸水性能。
2.本发明采用在所述的真空镀膜室在待镀膜的基板与镀层原料时间设置于叶片状挡板,在对镀层原料加热2-5s后将挡板撤离;采用该工序,由于在镀层原料加热初始的2-5s,各个原料的蒸汽扩散的不均匀,如果此时直接镀到基板上,会造成膜层厚度不均匀,不一致的现象,而采用上述工序有效防止上述现象的出现,使得膜层镀的更加均匀。
附图说明
图1本发明镀膜盖板结构示意图。
图2设置叶片状挡板真空镀膜室结构示意图。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步具体描述,但不局限于此。本发明的真空镀膜机可采用行业常规真空镀膜机,也可采用201310453456.9中涉及的真空镀膜机或申请号为00113303.9中涉及到的真空镀膜机。
实施例1
(1)首先将盖板的基板(强化玻璃)进行打磨,打磨至直径为10mm,厚度为0.5mm的圆形基板;
(2)然后将基板进行油墨印刷(IR油墨,主要采用常规的丝网印刷工艺,如日本精工油墨有限公司在中国的“精工油墨(四会)有限公司”提供的丝网油墨如HFGV2/3),再置于150℃下、30min进行固化;
(3)将固化后的基板置于体积浓度为35%的乙醇溶液中进行清洗,去除表面的浮沉;
(4)将清洗后的基板晾干,然后置于真空镀膜机中进行真空镀膜,真空镀膜的基板上下两面,以基板为基础向上或向下依次镀上五氧化三钛层、二氧化硅层、五氧化三钛层、二氧化硅层;上述各镀层的厚度依次为五氧化三钛层28nm、二氧化硅层36nm、五氧化三钛层28nm、二氧化硅层108nm;
真空镀膜过程:开总电源,循环水之后,先开维持泵,3秒后开扩散泵,检查电流表是否正常,开粗抽泵,3s后开粗抽阀,当真空度到5*103pa,开罗茨泵,开始加热,当扩散温度达到150度真空度2pa时关闭粗抽泵,3s后打开前置阀,3s后打开精抽阀,当真空度都1.2*10-1pa时,开离子源充气,开离子源电源阳极-启动/停止-阴极,观察离子源灯丝电流(22.5A),灯丝电压21.9v,放电电流3A,放电电压150V,若数值偏差较大则旋转进行调节;离子源充气5分钟后关闭,关闭离子源阴极-启动/停止-阳极,关离子源充气,当真空度到1.5*10-2pa,开灯丝充氧气当真空度达到3.0*10-2pa、在膜层控制仪上选取要进行的镀膜过程,电机高压开、灯丝开,自动镀膜,镀膜完成后再触摸屏上点击高压关、灯丝关,检查环形窝灯丝是否关闭,高压是否关闭;缓慢增加电流,看到膜层控制仪上开始出现速率时停止,等到膜层控制仪上速率下降到1以下时,马上关闭蒸发电流,关精抽阀,3s后关闭前置阀,再3s后关上罗茨泵,然后打开真空镀膜室充气退机,实现自动镀膜过程。
如图1所示,本实施例制备的镀膜盖板结构示意图:基板1为基础向上或向下依次镀上五氧化三钛层2、二氧化硅层3、五氧化三钛层2、二氧化硅层3。
如图2在待镀膜的基板与镀层原料之间设置于叶片状挡板,具体为真空镀膜室4,上部设置安装待镀膜的基板的料板5(即真空度模室的旋转盘),为上凹的球缺状,真空室内底部设置若干盛放原料(如二氧化硅、五氧化三钛等原料)的料盒6,在料盒和球缺状在料板之间设置叶片状挡板7;对镀层原料加热5s后将挡板撤离;叶片挡板7下端连接有由真空镀膜机电机带动旋转的旋转杆,方便在加热5s后将挡板旋转撤离,使得原料蒸汽与上方安装待镀膜的基板的料板5充分接触,实现镀膜。
对本实施例制备的基板进行检查,首先检测在420nm波段透过率95%以上,500nm波段透过率98%以上;580nm波段透过率98%以上,600nm波段透过率95%以上;因此具有良好的透过率;此外采用钢丝绒来回在盖板表面摩擦200次以上,其滴水角仍然能保持大于110度,其具有良好的浸水性能。然后采用钢丝绒来回在盖板表面摩擦200次以上,其滴水角仍然能保持大于110度,其具有良好的浸水性能。
实施例2
制备步骤同实施例1,在摄像头盖板安装处于远离摄像头的一面的最外层喷涂上厚度为12nm的AF防水膜层,从而提高整个盖板的防水性能。
Claims (6)
1.一种摄像头盖板的真空镀膜方法,其特征在于,制备步骤包括:
(1)首先将盖板的基板进行打磨,打磨至直径为8-10mm,厚度为0.3-0.6mm的圆形基板;
(2)然后将基板进行油墨印刷,再置于140-160℃下、25-35min进行固化;
(3)将固化后的基板置于体积浓度为25-55%的乙醇溶液中进行清洗,去除表面的浮沉;
(4)将清洗后的基板晾干,然后置于真空镀膜机中进行真空镀膜,真空镀膜的基板上下两面,以基板为基础向上或向下依次镀上五氧化三钛层、二氧化硅层、五氧化三钛层、二氧化硅层;上述各镀层的厚度依次为五氧化三钛层25-30nm、二氧化硅层34-40nm、五氧化三钛层25-30nm、二氧化硅层100-110nm;
真空镀膜过程:首先开启真空镀膜装置的电源,冷却循环水;开启粗抽泵将真空镀膜室内抽真空至真空度3-5×103Pa,开启罗茨泵;然后开始加热,当温度达到145-155℃、真空度达到1.5-2.5Pa时,关闭粗抽泵,开启精抽泵至真空度达到1-1.3×10-1Pa,开启离子源充气,观察离子源灯丝电流,并维持灯丝电流为20-23A、灯丝电压为20-22V,放电电流为2-4A、放电电压为145-155V,离子源充气时间为4-6min,然后关闭;当真空度达到1.4-1.6×10-2Pa,充氧气至真空度到2.5-3.5×10-2pa开始自动镀膜,镀膜完成后取出基板,自然冷却即可。
2.根据权利要求1所述的摄像头盖板的真空镀膜方法,其特征在于,步骤(2)固化温度150℃下、固化时间30min。
3.根据权利要求1所述的摄像头盖板的真空镀膜方法,其特征在于,步骤(4)所述的各镀层的厚度依次为五氧化三钛层28nm、二氧化硅层36nm、五氧化三钛层28nm、二氧化硅层108nm。
4.根据权利要求1所述的摄像头盖板的真空镀膜方法,其特征在于,步骤(4)所述的开启粗抽泵将真空镀膜室内抽真空至真空度5×103Pa。
5.根据权利要求1所述的摄像头盖板的真空镀膜方法,其特征在于,所述的镀层,在最外层的镀层上还镀有一层AF层,厚度为10-15nm。
6.根据权利要求1所述的摄像头盖板的真空镀膜方法,其特征在于,所述的真空镀膜室在待镀膜的基板与镀层原料之间设置有叶片状挡板,在对镀层原料加热2-5s后将挡板撤离。
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