CN104480356A - 一种含Bi过共晶Al-Si合金及其制备方法 - Google Patents

一种含Bi过共晶Al-Si合金及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种含Bi过共晶Al-Si合金及其制备方法。一种含Bi过共晶Al-Si合金，各组分按重量份数表示为：74～78重量份的铝，19～20重量份的硅和3～6重量份的铋。一种含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法：a、在905～915℃下，向电阻炉内加入74～78重量份的铝锭，再向电阻炉内加入19～20重量份的结晶硅，保温获得铝硅熔体；b、在795～805℃下，再向电阻炉加入3～6重量份的铋锭，并搅拌铝硅熔体，使铋锭熔化，形成铝硅铋熔体；c、在755～765℃下，将铝硅铋熔体注入砂型中，在砂型外部设有交变磁场，即得含Bi过共晶Al-Si合金。本发明的有益效果是：加入一定量的金属铋和施加了电磁搅拌处理，优化了过共晶Al-Si合金内部的金相结构，改善过共晶Al-Si合金的综合力学性能。

Description

一种含Bi过共晶Al-Si合金及其制备方法
技术领域
本发明属于合金材料领域，特别涉及一种含Bi过共晶Al-Si合金及其制备方法。
背景技术
在铝硅合金材料中，当硅含量较低时(如0.7％)，铝硅合金的延展性较好，常用来做变形合金；当硅含量较高时(如7％)，铝硅合金熔体的填充性较好，常用来做铸造合金。当硅含量超过Al-Si共晶点(硅12.6％)后形成的合金称之为过共晶Al-Si合金，过共晶Al-Si合金具有耐热耐磨性好、比强度高以及热膨胀系数低等优点，是一种理想的轻质耐磨材料。但是在过共晶Al-Si合金中，硅颗粒最高可达14.5％～25％，过共晶Al-Si合金的耐磨性与合金中初晶硅平均尺寸密切相关，随着初晶硅平均尺寸的增大，耐磨性逐渐变差。因此需要加入一定量Ni，CU，Mg等元素制成的合金变质能改善其综合力学性能。中国专利公开号CN101457318A中公开了一种含18～25％Si的高硅铝合金缸套材料，合金中Fe、Mn、Ni元素含量分别为3.5～6.0％、0.5～1.5％、1～2％，其形成的金属间化合物细小、均匀，虽然对提高合金耐磨性能有益，但在改善合金的成形工艺及变形加工性能方面有一定的难度。此外，该方法要获得细小耐磨富Fe相，需采用喷射沉积工艺，设备昂贵，成本较高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种克服现有技术中存在的不足，提供一种具有良好的金相结构并且具有良好耐磨性能的过共晶Al-Si合金及其制备方法。
为实现上述目的，本发明包括如下的技术方案：
一种含Bi过共晶Al-Si合金，合金的组分按重量份数表示，包括：74～78重量份的铝，19～20重量份的硅和3～6重量份的铋。
一种用于制造如权利要求1所述的含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，包括以下步骤：
a、预热电阻炉，使其温度达到905～915℃，向电阻炉内加入74～78重量份的铝锭，待铝锭完全熔化后，再向电阻炉内加入19～20重量份的结晶硅，待结晶硅完全溶化后，保温18～22min，获得铝硅熔体；
b、使电阻炉内炉温降至795～805℃，再向电阻炉内步骤a中获得的铝硅熔体中加入3～6重量份的铋锭，并搅拌铝硅熔体，使铋锭熔化，向电阻炉内通入六氯乙烷气体，排出电阻炉内的空气，保温8～12min，形成铝硅铋熔体；
c、将电阻炉内铝硅铋熔体的温度降至755～765℃，再将铝硅铋熔体注入砂型中，在砂型外部设有交变磁场，施加磁场的时间为6～10min，撤销磁场，待砂型内熔体凝固，即得含Bi过共晶Al-Si合金。
作为进一步优选，所述铝锭、结晶硅和铋锭的纯度为99.7％、99.9％和99.8％。
作为进一步优选，步骤c中所述的交变磁场由设置在砂型两侧的通电线圈提供。
作为进一步优选，所述通电线圈内通以电压为220V,频率为50Hz的交流电。
作为进一步优选，所述通电线圈的内的电流为3～5A。
作为进一步优选，步骤b中所述六氯乙烷气体通入的量为金属熔体质量的0.5％。
本发明的有益效果是：由于在过共晶Al-Si合金制备过程中，加入一定量的金属铋，在凝固过程中施加了电磁搅拌处理，有效地改善了过共晶Al-Si合金内部的晶粒尺寸，优化了过共晶Al-Si合金内部的金相结构，改善过共晶Al-Si合金的综合力学性能。
附图说明
图1a为不加入金属铋并且不施加电磁搅拌的过共晶Al-Si合金内部的金相结构。
图1b为铋含量为3％并且不施加电磁搅拌的过共晶Al-Si合金内部的金相结构。
图1c为不加入金属铋并且施加电流强度为3A电磁搅拌的过共晶Al-Si合金内部的金相结构。
图1d为铋含量为3％并且施加电流强度为3A电磁搅拌的过共晶Al-Si合金内部的金相结构。
图2a为铋含量为3％并且不施加电磁搅拌的过共晶Al-Si合金的扫描电镜图。
图2b为铋含量为3％并且施加电流强度为3A电磁搅拌的过共晶Al-Si合金的扫描电镜图。
图2c为铋含量为3％并且施加电流强度为5A电磁搅拌的过共晶Al-Si合金的扫描电镜图。
图3不同铋含量的合金的磨痕宽度与磁场电流的关系。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
实施例1
一种含Bi过共晶Al-Si合金，合金的组分按重量份数表示，包括：77重量份的铝，20重量份的硅和3重量份的铋。
一种用于含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，包括以下步骤：
a、预热电阻炉，使其温度达到910℃，向电阻炉内加入77重量份纯度为99.7％的铝锭，待铝锭完全熔化后，再向电阻炉内加入20重量份纯度为99.9％的结晶硅，待结晶硅完全溶化后，保温20min，获得铝硅熔体；
b、使电阻炉内炉温降至800℃，再向电阻炉内步骤a中获得的铝硅熔体中加入3重量份的铋锭，并搅拌铝硅熔体，使铋锭熔化，向电阻炉内通入六氯乙烷气体，排出电阻炉内的空气，保温10min，形成铝硅铋熔体；
c、将电阻炉内的铝硅铋熔体的温度降至760℃，再将铝硅铋熔体注入砂型中，在砂型外部两侧分别设置有通电线圈，通电线圈内通以电压为220V,频率为50Hz的交流电，通电线圈内的电流为3A。经试验测得砂型中心处的磁感应强度约为6000Gs。通过通电线圈施加磁场，持续8min，停止向通电线圈内通电撤销磁场，待砂型内熔体凝固，即得含Bi过共晶Al-Si合金。
实施例2
一种含Bi过共晶Al-Si合金，合金的组分按重量份数表示，包括：77重量份的铝，20重量份的硅和3重量份的铋。
一种用于含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，包括以下步骤：
a、预热电阻炉，使其温度达到910℃，向电阻炉内加入77重量份纯度为99.7％的铝锭，待铝锭完全熔化后，再向电阻炉内加入20重量份纯度为99.9％的结晶硅，待结晶硅完全溶化后，保温20min，获得铝硅熔体；
b、使电阻炉内炉温降至800℃，再向电阻炉内步骤a中获得的铝硅熔体中加入3重量份的铋锭，并搅拌铝硅熔体，使铋锭熔化，向电阻炉内通入六氯乙烷气体，排出电阻炉内的空气，保温10min，形成铝硅铋熔体；
c、将电阻炉内的铝硅铋熔体的温度降至760℃，再将铝硅铋熔体注入砂型中，在砂型外部两侧分别设置有通电线圈，通电线圈内通以电压为220V,频率为50Hz的交流电，通电线圈内的电流为5A。经试验测得砂型中心处的磁感应强度约为10000Gs。通过通电线圈施加磁场，持续8min，停止向通电线圈内通电撤销磁场，待砂型内熔体凝固，即得含Bi过共晶Al-Si合金。
实施例3
一种含Bi过共晶Al-Si合金，合金的组分按重量份数表示，包括：74重量份的铝，20重量份的硅和6重量份的铋。
一种用于含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，包括以下步骤：
a、预热电阻炉，使其温度达到910℃，向电阻炉内加入74重量份纯度为99.7％的铝锭，待铝锭完全熔化后，再向电阻炉内加入20重量份纯度为99.9％的结晶硅，待结晶硅完全溶化后，保温20min，获得铝硅熔体；
b、使电阻炉内炉温降至800℃，再向电阻炉内步骤a中获得的铝硅熔体中加入6重量份的铋锭，并搅拌铝硅熔体，使铋锭熔化，向电阻炉内通入六氯乙烷气体，排出电阻炉内的空气，保温10min，形成铝硅铋熔体；
c、将电阻炉内的铝硅铋熔体的温度降至760℃，再将铝硅铋熔体注入砂型中，在砂型外部两侧分别设置有通电线圈，通电线圈内通以电压为220V,频率为50Hz的交流电，通电线圈内的电流为3A。经试验测得砂型中心处的磁感应强度约为6000Gs。通过通电线圈施加磁场，持续8min，停止向通电线圈内通电撤销磁场，待砂型内熔体凝固，即得含Bi过共晶Al-Si合金。
实施例4
一种含Bi过共晶Al-Si合金，合金的组分按重量份数表示，包括：74重量份的铝，20重量份的硅和6重量份的铋。
一种用于含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，包括以下步骤：
a、预热电阻炉，使其温度达到910℃，向电阻炉内加入74重量份纯度为99.7％的铝锭，待铝锭完全熔化后，再向电阻炉内加入20重量份纯度为99.9％的结晶硅，待结晶硅完全溶化后，保温20min，获得铝硅熔体；
b、使电阻炉内炉温降至800℃，再向电阻炉内步骤a中获得的铝硅熔体中加入6重量份的铋锭，并搅拌铝硅熔体，使铋锭熔化，向电阻炉内通入六氯乙烷气体，排出电阻炉内的空气，保温10min，形成铝硅铋熔体；
c、将电阻炉内的铝硅铋熔体的温度降至760℃，再将铝硅铋熔体注入砂型中，在砂型外部两侧分别设置有通电线圈，通电线圈内通以电压为220V,频率为50Hz的交流电，通电线圈内的电流为5A。经试验测得砂型中心处的磁感应强度约为10000Gs。通过通电线圈施加磁场，持续8min，停止向通电线圈内通电撤销磁场，待砂型内熔体凝固，即得含Bi过共晶Al-Si合金。
实施例5
一种含Bi过共晶Al-Si合金，合金的组分按重量份数表示，包括：75重量份的铝，19重量份的硅和6重量份的铋。
一种用于含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，包括以下步骤：
a、预热电阻炉，使其温度达到905℃，向电阻炉内加入75重量份纯度为99.7％的铝锭，待铝锭完全熔化后，再向电阻炉内加入19重量份纯度为99.9％的结晶硅，待结晶硅完全溶化后，保温18min，获得铝硅熔体；
b、使电阻炉内炉温降至805℃，再向电阻炉内步骤a中获得的铝硅熔体中加入6重量份的铋锭，并搅拌铝硅熔体，使铋锭熔化，向电阻炉内通入六氯乙烷气体，排出电阻炉内的空气，保温12min，形成铝硅铋熔体；
c、将电阻炉内的铝硅铋熔体的温度降至755℃，再将铝硅铋熔体注入砂型中，在砂型外部两侧分别设置有通电线圈，通电线圈内通以电压为220V,频率为50Hz的交流电，通电线圈内的电流为5A。经试验测得砂型中心处的磁感应强度约为10000Gs。通过通电线圈施加磁场，持续6min，停止向通电线圈内通电撤销磁场，待砂型内熔体凝固，即得含Bi过共晶Al-Si合金。
实施例6
一种含Bi过共晶Al-Si合金，合金的组分按重量份数表示，包括：76重量份的铝，19重量份的硅和5重量份的铋。
一种用于含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，包括以下步骤：
a、预热电阻炉，使其温度达到915℃，向电阻炉内加入76重量份纯度为99.7％的铝锭，待铝锭完全熔化后，再向电阻炉内加入19重量份纯度为99.9％的结晶硅，待结晶硅完全溶化后，保温22min，获得铝硅熔体；
b、使电阻炉内炉温降至795℃，再向电阻炉内步骤a中获得的铝硅熔体中加入5重量份的铋锭，并搅拌铝硅熔体，使铋锭熔化，向电阻炉内通入六氯乙烷气体，排出电阻炉内的空气，保温8min，形成铝硅铋熔体；
c、将电阻炉内的铝硅铋熔体的温度降至765℃，再将铝硅铋熔体注入砂型中，在砂型外部两侧分别设置有通电线圈，通电线圈内通以电压为220V,频率为50Hz的交流电，通电线圈内的电流为4A。经试验测得砂型中心处的磁感应强度约为8000Gs。通过通电线圈施加磁场，持续10min，停止向通电线圈内通电撤销磁场，待砂型内熔体凝固，即得含Bi过共晶Al-Si合金。
实施例7
一种含Bi过共晶Al-Si合金，合金的组分按重量份数表示，包括：75重量份的铝，20重量份的硅和5重量份的铋。
一种用于含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，包括以下步骤：
a、预热电阻炉，使其温度达到912℃，向电阻炉内加入75重量份纯度为99.7％的铝锭，待铝锭完全熔化后，再向电阻炉内加入20重量份纯度为99.9％的结晶硅，待结晶硅完全溶化后，保温21min，获得铝硅熔体；
b、使电阻炉内炉温降至797℃，再向电阻炉内步骤a中获得的铝硅熔体中加入5重量份的铋锭，并搅拌铝硅熔体，使铋锭熔化，向电阻炉内通入六氯乙烷气体，排出电阻炉内的空气，保温9min，形成铝硅铋熔体；
c、将电阻炉内的铝硅铋熔体的温度降至763℃，再将铝硅铋熔体注入砂型中，在砂型外部两侧分别设置有通电线圈，通电线圈内通以电压为220V,频率为50Hz的交流电，通电线圈内的电流为4.5A。经试验测得砂型中心处的磁感应强度约为9000Gs。通过通电线圈施加磁场，持续9min，停止向通电线圈内通电撤销磁场，待砂型内熔体凝固，即得含Bi过共晶Al-Si合金。
实施例8
一种含Bi过共晶Al-Si合金，合金的组分按重量份数表示，包括：77重量份的铝，19重量份的硅和4重量份的铋。
一种用于含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，包括以下步骤：
a、预热电阻炉，使其温度达到907℃，向电阻炉内加入77重量份纯度为99.7％的铝锭，待铝锭完全熔化后，再向电阻炉内加入19重量份纯度为99.9％的结晶硅，待结晶硅完全溶化后，保温19min，获得铝硅熔体；
b、使电阻炉内炉温降至803℃，再向电阻炉内步骤a中获得的铝硅熔体中加入4重量份的铋锭，并搅拌铝硅熔体，使铋锭熔化，向电阻炉内通入六氯乙烷气体，排出电阻炉内的空气，保温11min，形成铝硅铋熔体；
c、将电阻炉内的铝硅铋熔体的温度降至757℃，再将铝硅铋熔体注入砂型中，在砂型外部两侧分别设置有通电线圈，通电线圈内通以电压为220V,频率为50Hz的交流电，通电线圈内的电流为3.5A。经试验测得砂型中心处的磁感应强度约为7000Gs。通过通电线圈施加磁场，持续7min，停止向通电线圈内通电撤销磁场，待砂型内熔体凝固，即得含Bi过共晶Al-Si合金。
实施例9
一种含Bi过共晶Al-Si合金，合金的组分按重量份数表示，包括：78重量份的铝，19重量份的硅和3重量份的铋。
一种用于含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，包括以下步骤：
a、预热电阻炉，使其温度达到911℃，向电阻炉内加入78重量份纯度为99.7％的铝锭，待铝锭完全熔化后，再向电阻炉内加入19重量份纯度为99.9％的结晶硅，待结晶硅完全溶化后，保温20.5min，获得铝硅熔体；
b、使电阻炉内炉温降至799℃，再向电阻炉内步骤a中获得的铝硅熔体中加入3重量份的铋锭，并搅拌铝硅熔体，使铋锭熔化，向电阻炉内通入六氯乙烷气体，排出电阻炉内的空气，保温9.5min，形成铝硅铋熔体；
c、将电阻炉内的铝硅铋熔体的温度降至759℃，再将铝硅铋熔体注入砂型中，在砂型外部两侧分别设置有通电线圈，通电线圈内通以电压为220V,频率为50Hz的交流电，通电线圈内的电流为4.5A。经试验测得砂型中心处的磁感应强度约为9000Gs。通过通电线圈施加磁场，持续7min，停止向通电线圈内通电撤销磁场，待砂型内熔体凝固，即得含Bi过共晶Al-Si合金。
对比例1
一种含Bi过共晶Al-Si合金，合金的组分按重量份数表示，包括：80重量份的铝，20重量份的硅。
一种用于含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，包括以下步骤：
a、预热电阻炉，使其温度达到910℃，向电阻炉内加入80重量份纯度为99.7％的铝锭，待铝锭完全熔化后，再向电阻炉内加入20重量份纯度为99.9％的结晶硅，待结晶硅完全溶化后，保温20min，获得铝硅熔体；
b、向电阻炉内通入六氯乙烷气体，排出电阻炉内的空气，保温10min；
c、将电阻炉内的铝硅熔体的温度降至760℃，再将铝硅熔体注入砂型中，待砂型内熔体凝固，即得含过共晶Al-Si合金。
对比例2
一种含Bi过共晶Al-Si合金，合金的组分按重量份数表示，包括：78重量份的铝，19重量份的硅和3重量份的铋。
一种用于含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，包括以下步骤：
a、预热电阻炉，使其温度达到910℃，向电阻炉内加入78重量份纯度为99.7％的铝锭，待铝锭完全熔化后，再向电阻炉内加入19重量份纯度为99.9％的结晶硅，待结晶硅完全溶化后，保温20min，获得铝硅熔体；
b、使电阻炉内炉温降至799℃，再向电阻炉内步骤a中获得的铝硅熔体中加入3重量份的铋锭，并搅拌铝硅熔体，使铋锭熔化，向电阻炉内通入六氯乙烷气体，排出电阻炉内的空气，保温10min；
c、将电阻炉内的铝硅熔体的温度降至760℃，再将铝硅熔体注入砂型中，待砂型内熔体凝固，即得含过共晶Al-Si合金。
对比例3
一种含Bi过共晶Al-Si合金，合金的组分按重量份数表示，包括：75重量份的铝，19重量份的硅和6重量份的铋。
一种用于含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，包括以下步骤：
a、预热电阻炉，使其温度达到910℃，向电阻炉内加入75重量份纯度为99.7％的铝锭，待铝锭完全熔化后，再向电阻炉内加入19重量份纯度为99.9％的结晶硅，待结晶硅完全溶化后，保温20min，获得铝硅熔体；
b、使电阻炉内炉温降至799℃，再向电阻炉内步骤a中获得的铝硅熔体中加入6重量份的铋锭，并搅拌铝硅熔体，使铋锭熔化，向电阻炉内通入六氯乙烷气体，排出电阻炉内的空气，保温10min；
c、将电阻炉内的铝硅熔体的温度降至760℃，再将铝硅熔体注入砂型中，待砂型内熔体凝固，即得含过共晶Al-Si合金。
对比例4
一种含Bi过共晶Al-Si合金，合金的组分按重量份数表示，包括：80重量份的铝，20重量份的硅。
一种用于含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，包括以下步骤：
a、预热电阻炉，使其温度达到910℃，向电阻炉内加入80重量份纯度为99.7％的铝锭，待铝锭完全熔化后，再向电阻炉内加入20重量份纯度为99.9％的结晶硅，待结晶硅完全溶化后，保温20min，获得铝硅熔体；
b、向电阻炉内通入六氯乙烷气体，排出电阻炉内的空气，保温10min；
c、将电阻炉内的铝硅铋熔体的温度降至760℃，再将铝硅铋熔体注入砂型中，在砂型外部两侧分别设置有通电线圈，通电线圈内通以电压为220V,频率为50Hz的交流电，通电线圈内的电流为3A。经试验测得砂型中心处的磁感应强度约为6000Gs。通过通电线圈施加磁场，持续8min，停止向通电线圈内通电撤销磁场，待砂型内熔体凝固，即得含Bi过共晶Al-Si合金。
如图1所示，图1a为本申请中对比例1的金相结构，即铋含量为0，并且不经过电磁搅拌处理，从图中可以看出合金组织由初生Si相和共晶Si相组成，灰色初生Si成大的块状，灰色共晶Si相成粗针状；图1b为本申请中对比例2的金相结构，即铋含量3％，并且不经过电磁搅拌处理，从图中可以看出，共晶Si相变为细的针状且数量增多；图1c为本申请中对比例4的金相结构，即铋含量为0，经3A电流的电磁搅拌处理，从图中可以看出，合金中初生Si数量大幅减少，只有很少的细小块状存在，针状共晶Si相数量增加，变得细小；图1d为本申请中实施例1的金相结构，即铋含量为3％，经3A电流的电磁搅拌处理，从图中可以看出，共晶Si相变得更加细小并出现少量树枝状初生相，由此可以看是加入铋和施加电磁搅拌后合金材料的金相结构得到了很大改善。
如图2所示，图2a为本申请中对比例1的扫描电镜图，合金中铋含量为3％，未施加电磁搅拌，从图中可见，亮的白色大的元宝状为Bi相；图2b为本申请中实施例1的扫描电镜图，合金中铋含量为3％，施加了电流为3A的电磁搅拌，从图中可见，Bi相变为短棒状或球状，数量增加；图2c为本申请中实施例2的扫描电镜图，合金中铋含量为3％，施加了电流为5A的电磁搅拌，从图中可见，Bi相基本变为细小球状。由此可以看出，在铋含量保持不变的情况下，施加3～5A的电流对合金进行电磁搅拌，有利于改善Bi相的结构形态。
采用环块摩擦试验机测定对比例1、对比例2、对比例3、实施例1、实施例2、实施例3和实施例4的合金的耐磨性能测试。将上述试样制成尺寸为12cm×12cm×19cm的块状，放在施压两个砝码(100N)的摩擦试验机上摩擦3600s，在金相显微镜下观察磨痕的宽度，得表1耐磨性能测试数据表。
表1耐磨性能测试数据表
按照表1中数据绘制的图3，如表1和图3所示，随着含Bi量的增加，试样的磨痕宽度变窄了，随着交变磁场所施加的电流的增加，试样的磨痕宽度同样越来越窄了。磨痕宽度的宽窄是衡量合金耐磨性能的高低重要参数，磨痕宽度越窄，耐磨性能越高，反之则越低。这说明随着含Bi量和交变磁场电流的增加，过共晶Al-Si合金的耐磨性能提高了。
尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节。

Claims (7)

1.一种含Bi过共晶Al-Si合金，其特征在于，合金的组分按重量份数表示，包括：74～78重量份的铝，19～20重量份的硅和3～6重量份的铋。
2.一种用于制造如权利要求1所述的含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
a、预热电阻炉，使其温度达到905～915℃，向电阻炉内加入74～78重量份的铝锭，待铝锭完全熔化后，再向电阻炉内加入19～20重量份的结晶硅，待结晶硅完全溶化后，保温18～22min，获得铝硅熔体；
b、使电阻炉内炉温降至795～805℃，再向电阻炉内步骤a中获得的铝硅熔体中加入3～6重量份的铋锭，并搅拌铝硅熔体，使铋锭熔化，向电阻炉内通入六氯乙烷气体，排出电阻炉内的空气，保温8～12min，形成铝硅铋熔体；
c、将电阻炉内铝硅铋熔体的温度降至755～765℃，再将铝硅铋熔体注入砂型中，在砂型外部设有交变磁场，施加磁场的时间为6～10min，撤销磁场，待砂型内熔体凝固，即得含Bi过共晶Al-Si合金。
3.如权利要求2所述的含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，其特征在于：所述铝锭、结晶硅和铋锭的纯度为99.7％、99.9％和99.8％。
4.如权利要求2或3所述的含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，其特征在于：步骤c中所述的交变磁场由设置在砂型两侧的通电线圈提供。
5.如权利要求4所述的含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，其特征在于：所述通电线圈内通以电压为220V,频率为50Hz的交流电。
6.如权利要求2或5所述的含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，其特征在于：所述通电线圈的内的电流为3～5A。
7.如权利要求2或3所述的含Bi过共晶Al-Si合金的制备方法，其特征在于：步骤b中所述六氯乙烷气体通入的量为金属熔体质量的0.5％。
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