CN104466915A - Dc-dc变换器以及半导体集成电路 - Google Patents

Dc-dc变换器以及半导体集成电路 Download PDF

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木村秀树
池田贞男
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Abstract

一种DC－DC变换器，具备将对使过电流检测结果信号屏蔽的屏蔽期间进行规定的过电流检测屏蔽信号输出的屏蔽控制电路。DC－DC变换器具备根据电源电压来调整上述屏蔽期间的长度的屏蔽调整电路。DC－DC变换器具备对过电流检测结果信号和过电流检测屏蔽信号进行运算、输出在屏蔽期间将过电流检测结果信号屏蔽的过电流控制信号的运算电路。

Description

DC-DC变换器以及半导体集成电路
本申请主张2013年9月12日申请的在先日本专利申请第2013－189726号的优先权，其全部内容通过引用包含于此。 
技术领域
本发明的实施方式涉及DC－DC变换器以及半导体集成电路。 
背景技术
以往的DC－DC变换器中，为了防止以周边电路的动作噪声或动作切换时产生的在开关元件中流过的电流的误检测为主要原因的过电流的误判定，有设置使过电流检测暂时无效的检测屏蔽的情况。 
发明内容
本发明要解决的课题在于，提供一种能够抑制过电流的误检测的DC－DC变换器以及半导体集成电路。 
一实施方式的DC－DC变换器，是向输出端子输出将电源电压降压或升压后的输出电压的DC－DC变换器，其特征在于，具备：开关元件，控制向上述输出端子的电流的供给；过电流检测电路，对与流过上述开关元件的电流相对应的检测电压、和基准电压进行比较，将规定该比较结果的过电流检测结果信号输出；屏蔽控制电路，将规定使上述过电流检测结果信号屏蔽的屏蔽期间的过电流检测屏蔽信号输出；屏蔽调整电路，根据上述电源电压来调整上述屏蔽期间的长度；运算电路，对上述过电流检测结果信号和上述过电流检测屏蔽信号进行运算，输出在上述屏蔽期间对上述过电流检测结果信号进行屏蔽的过电流控制信号；以及输出控制电路，以使基于上述输出电压的反馈信号接近于所设定的目标值的方式，对上述开关元件进行PWM控制，并且，根据上述过电流控制信号，使上述开关元件强制性地断开。 
其它实施方式的半导体集成电路，适用于向输出端子输出将电源电压降压或升压后的输出电压的DC－DC变换器，其特征在于，具备：开关元件，控制向上述输出端子的电流的供给；过电流检测电路，对与流过上述开关元件的电流相对应的检测电压、和基准电压进行比较，输出与该比较结果相对应的过电流检测结果信号；屏蔽控制电路，将规定使上述过电流检测结果信号屏蔽的屏蔽期间的过电流检测屏蔽信号输出；屏蔽调整电路，根据上述电源电压来调整上述屏蔽期间的长度；运算电路，对上述过电流检测结果信号和上述过电流检测屏蔽信号进行运算，输出在上述屏蔽期间对上述过电流检测结果信号进行屏蔽的过电流控制信号；以及输出控制电路，以使基于上述输出电压的反馈信号接近于所设定的目标值的方式，对上述开关元件进行PWM控制，并且，根据上述过电流控制信号，使上述开关元件强制性地断开。 
根据上述构成的DC－DC变换器以及半导体集成电路，能够抑制过电流的误检测。 
附图说明
图1是表示实施例1的DC－DC变换器1000的构成的一例的电路图。 
图2是表示DC－DC变换器1000动作时的各信号的一例的波形图。 
图3是表示实施例2的DC－DC变换器2000的构成的一例的电路图。 
图4是表示实施例3的DC－DC变换器3000的构成的一例的电路图。 
具体实施方式
本发明的一实施方式的DC－DC变换器是将使电源电压降压或升压后的输出电压向输出端子输出的DC－DC变换器。DC－DC变换器具备控制向上述输出端子的电流供给的开关元件。DC－DC变换器具备过电流检测电路，该过电流检测电路将与流过上述开关元件的电流相应的检测电压、和基准电压进行比较，输出对应于该比较结果的过电流检测结果信号。DC－DC变换器具备输出过电流检测屏蔽信号的屏蔽控制电路，该过电流检测屏蔽信号规定将上述过电流检测结果信号屏蔽的屏蔽期间。DC－DC变换器具备根据上述电源电压来调整上述屏蔽期间的长度的屏蔽调整电路。DC －DC变换器具备运算电路，该运算电路对上述过电流检测结果信号和上述过电流检测屏蔽信号进行运算，输出在上述屏蔽期间将上述过电流检测结果信号屏蔽的过电流控制信号。DC－DC变换器具备输出控制电路，该输出控制电路以使基于上述输出电压的反馈信号接近于所设定的目标值的方式，对上述开关元件进行PWM控制，并且该输出控制电路根据上述过电流控制信号，强制性地使上述开关元件断开。 
以下，根据附图说明实施例。实施例中，说明将使电源电压降压或升压后的输出电压向输出端子输出的DC－DC变换器。 
【实施例1】 
首先，本实施例1中，说明降压型的DC－DC变换器的构成的一例。 
图1是表示实施例1的DC－DC变换器1000的构成的一例的电路图。 
如图1所示，DC－DC变换器1000例如具备输出端子TOUT、分压电路RC、线圈L、电容器C、二极管D和半导体集成电路100。并且，该半导体集成电路100具备输入端子TIN、控制端子TX、反馈端子TFB、开关元件（这里，例如是n沟道型MOS晶体管）SW、过电流检测电路（这里，例如是比较器）X、屏蔽控制电路MC、屏蔽调整电路MA、运算电路Y、输出控制电路OC、基准电压生成电路VGC、第一变换电路VIC和第二变换电路IVC。 
该DC－DC变换器1000使将电源电压VIN降压后的输出电压VOUT向输出端子TOUT输出。 
这里，如图1所示，线圈L连接在输出端子TOUT与控制端子TX之间。 
电容器C连接在输出端子TOUT与接地之间。 
二极管D的阴极与控制端子TX连接，阳极与接地连接。 
分压电路RC连接在输出端子TOUT与接地之间，将对输出电压VOUT分压后的电压作为反馈信号FB输出。 
该分压电路RC例如如图1所示那样，包含在输出端子TOUT与接地之间串联连接的分压电阻R1、R2。 
输入端子TIN连接开关元件SW的电流路径的一端，供给电源电压VIN。 
控制端子TX连接开关元件SW的电流路径的另一端。 
反馈端子TFB供给反馈信号FB。 
开关元件SW的一端（漏极）与输入端子TIN连接，另一端（源极）与控制端子Tx连接。从输出控制电路OC向该开关元件SW的控制端子（栅极）供给栅极信号VG，开关元件SW被进行PWM控制。由此，开关元件SW控制向输出端子TOUT的电流供给。 
第一变换电路VIC检测开关元件SW的一端（漏极）与另一端（源极）之间的电位差VDS，将该电位差VDS变换为检测电流并输出。 
这里，当流过开关元件SW的电流增加时，开关元件SW的一端（漏极）与另一端（源极）之间的电位差VDS增加，另一方面，当流过开关元件SW的电流减少时，开关元件SW的一端（漏极）与另一端（源极）之间的电位差VDS减少。即，电位差VDS与流过开关元件SW的电流具有相关关系。因而，通过检测该电位差VDS，能够检测流过开关元件SW的过电流。 
第二变换电路IVC将上述第一变换电路VIC输出的检测电流变换为检测电压Va并输出。 
基准电压生成电路VGC生成预先设定的基准电压Vref。 
过电流检测电路X对检测电压Va和预先设定的基准电压Vref进行比较，输出与该比较结果相对应的过电流检测结果信号CS。 
例如，在检测电压Va小于基准电压Vref的情况下，过电流检测电路X将规定检测电压Va小于基准电压Vref（在开关元件SW中不流过过电流）这一情况的过电流检测结果信号CS输出。 
换言之，在开关元件SW的一端（漏极）与另一端（源极）之间的电位差VDS小于预先设定的过电流判定阈值th2的情况下，过电流检测电路X将规定在开关元件SW中不流过过电流这一情况的过电流检测结果信号CS输出。 
另一方面，在检测电压Va是基准电压Vref以上的情况下，过电流检测电路X将规定检测电压Va是基准电压Vref以上（在开关元件SW中流过过电流）这一情况的过电流检测结果信号CS输出。 
换言之，在开关元件SW的一端（漏极）与另一端（源极）之间的电 压VDS在预先设定的过电流判定阈值th2以上的情况下，过电流检测电路X将规定在开关元件SW中流过过电流这一情况的过电流检测结果信号CS输出。 
此外，屏蔽控制电路MC将规定屏蔽期间的过电流检测屏蔽信号MS输出，该屏蔽期间是对由过电流检测结果信号CS规定的比较结果进行屏蔽的期间。 
这里，屏蔽调整电路MA例如在电源电压VIN是预先设定的切换阈值th1以上的情况下将屏蔽期间调整为第一屏蔽期间。 
另一方面，屏蔽调整电路MA在电源电压VIN小于切换阈值th1的情况下将屏蔽期间调整为比第一屏蔽期间长的第二屏蔽期间。 
并且，运算电路Y对过电流检测结果信号CS和过电流检测屏蔽信号MS进行运算，输出将由过电流检测结果信号CS规定的比较结果在屏蔽期间中屏蔽（无效化）的过电流控制信号SD。 
该运算电路Y例如是将过电流检测结果信号CS和过电流检测屏蔽信号MS输入、且将过电流控制信号SD输出的NOR电路。 
此外，输出控制电路OC对开关元件SW进行PWM控制，以使基于输出电压VOUT的反馈信号FB接近于预先设定的目标值。由此，DC－DC变换器1000的输出电压VOUT被维持在该目标值。 
进而，输出控制电路OC根据过电流控制信号SD，使开关元件SW强制性地断开。由此，过电流被截断。 
特别是，输出控制电路OC，在除了上述屏蔽期间以外的期间中，在规定检测电压Va是基准电压Vref以上的比较结果的情况下，过电流控制信号SD使开关元件SW强制性地断开。 
另外，屏蔽期间例如在开关元件SW被控制为导通时开始。 
此外，屏蔽期间例如被设定得比开关元件SW连续导通的期间短。 
接着，说明具有以上那样的构成的DC－DC变换器1000的动作的一例。这里，图2是表示DC－DC变换器1000动作时的各信号的一例的波形图。 
如图2所示，例如，在时刻t1～t3，通过PWM控制，当栅极信号VG成为“高”电平时，开关元件SW导通。此时，开关元件SW的电位差VDS上重叠开关噪声。另外，由于电源电压VIN较高（30V）（时刻tx以前）， 所以设定为开关元件SW的导通占空比变小（时刻t1～t3例如是62.5ns）。 
这里，由于电源电压VIN是预先设定的切换阈值th1以上（30V）（时刻tx以前），所以屏蔽调整电路MA将屏蔽期间调整为第一屏蔽期间M1（例如，40ns）。 
因而，屏蔽控制电路MC将规定对过电流检测结果信号CS进行屏蔽的第一屏蔽期间M1（时刻t1～t2）的过电流检测屏蔽信号MS（“高”电平）输出。 
另一方面，时刻t1～t2中，当电位差VDS成为预先设定的过电流判定阈值th2以上时，过电流检测电路X将规定在开关元件SW中流过过电流这一情况的过电流检测结果信号CS（“高”电平）输出。 
该“高”电平的过电流检测结果信号CS在第一屏蔽期间M1中发生。因而，运算电路Y对过电流检测结果信号CS和过电流检测屏蔽信号MS进行运算，输出在第一屏蔽期间M1对过电流检测结果信号CS进行屏蔽（无效化）的过电流控制信号SD（“低”电平）（时刻t1～t2）。 
由此，能够抑制由于开关元件SW导通而发生的开关噪声所引起的过电流的误检测。 
接着，在时刻t4～t6，通过PWM控制，当栅极信号VG成为“高”电平时，开关元件SW导通。由此，开关元件SW的电位差VDS上重叠开关噪声。另外，由于电源电压VIN较低（7V）（时刻tx以后），所以设定为开关元件SW的导通占空比变大（时刻t4～t6例如是290ns）。 
这里，由于电源电压VIN小于切换阈值th1（7V）（时刻tx以后），所以屏蔽调整电路MA将屏蔽期间调整为比第一屏蔽期间M1长的第二屏蔽期间M2（例如，100ns）。 
因而，屏蔽控制电路MC将规定对过电流检测结果信号CS进行屏蔽的第二屏蔽期间M2（时刻t4～t5）的过电流检测屏蔽信号MS（“高”电平）输出。 
另一方面，时刻t4～t5中，当电位差VDS成为预先设定的过电流判定阈值th2以上时，过电流检测电路X将规定在开关元件SW中流过过电流这一情况的过电流检测结果信号CS（“高”电平）输出。 
该“高”电平的过电流检测结果信号CS在第二屏蔽期间M2中发生。 因而，运算电路Y对过电流检测结果信号CS和过电流检测屏蔽信号MS进行运算，将在第二屏蔽期间M2对过电流检测结果信号CS进行屏蔽（无效化）的过电流控制信号SD（“低”电平）输出（时刻t4～t5）。 
由此，能够抑制由于开关元件SW导通而发生的开关噪声所引起的过电流的误检测。 
如以上那样，根据电源电压VIN，执行将屏蔽期间的长度改变的控制，由此能够根据使用条件而以最适合的屏蔽期间进行过电流的检测。 
特别是，在电源电压VIN低的情况下，由于降压比变小，所以开关元件SW的导通时间变长。该情况下，即使将屏蔽期间设定得较长，也能够确保过电流的检测期间。由此，在电源电压VIN低的条件下，通过使屏蔽期间较长，能够在使DC－DC变换器高速化的同时抑制过电流的误检测。 
如以上那样，根据本实施例1的DC－DC变换器，能够抑制过电流的误检测。 
【实施例2】 
上述的实施例1中，说明了降压型的DC－DC变换器的构成的一例。 
检测了与流过开关元件SW的电流具有相关关系的、开关元件SW的一端（漏极）与另一端（源极）之间的电位差VDS。但是，开关元件SW的一端（漏极）的电压也与流过开关元件SW的电流具有相关关系。 
因此，本实施例2中，说明将开关元件SW的电流路径的一端（漏极）的电压用作检测电压Va的降压型的DC－DC变换器的构成的其它例。 
图3是表示实施例2的DC－DC变换器2000的构成的一例的电路图。另外，该图3中，与图1相同的符号表示与实施例1相同的构成，将说明省略。 
如图3所示，DC－DC变换器2000例如具备输出端子TOUT、分压电路RC、线圈L、电容器C、二极管D和半导体集成电路200。并且，该半导体集成电路200具备输入端子TIN、控制端子TX、反馈端子TFB、开关元件（这里，例如是n沟道型MOS晶体管）SW、过电流检测电路（这里，例如是比较器）X、屏蔽控制电路MC、屏蔽调整电路MA、运算电路Y、输出控制电路OC和基准电压生成电路VGC。 
即，DC－DC变换器2000（半导体集成电路200）与实施例1相比， 将第一变换电路VIC和第二变换电路IVC省略。 
这里，如上述那样，开关元件SW的一端（漏极）的电压也与流过开关元件SW的电流具有相关关系。 
因此，过电流检测电路X将与流过开关元件SW的电流（开关元件SW的一端（漏极）的电压）相对应的检测电压Va、和预先设定的基准电压Vref进行比较，输出与该比较结果相对应的过电流检测结果信号CS。 
即，如上述那样，本实施例2中，将开关元件SW的一端（漏极）的电压用作检测电压Va。 
另外，DC－DC变换器2000的其它构成与实施例1的DC－DC变换器1000相同。 
此外，DC－DC变换器2000的动作与实施例1的DC－DC变换器1000相同。 
即，根据本实施例2的DC－DC变换器，与实施例1同样地能够抑制过电流的误检测。 
【实施例3】 
上述的实施例1、2中，说明了降压型的DC－DC变换器的构成例。本实施例3中，说明升压型的DC－DC变换器的构成例。 
图4是表示实施例3的DC－DC变换器3000的构成的一例的电路图。另外，该图4中，与图1相同的符号表示与实施例1相同的构成，将说明省略。 
如图4所示，DC－DC变换器3000例如具备输出端子TOUT、分压电路RC、线圈L、电容器C、二极管D和半导体集成电路300。并且，该半导体集成电路300具备输入端子TIN、反馈端子TFB、开关元件（这里，例如是MOS晶体管）SW、过电流检测电路（这里，例如是比较器）X、屏蔽控制电路MC、屏蔽调整电路MA、运算电路Y、输出控制电路OC、基准电压生成电路VGC、第一变换电路VIC和第二变换电路IVC。 
这里，如图4所示，向线圈L的一端供给电源电压VIN。 
此外，二极管D的阳极与线圈L的另一端连接，阴极与输出端子TOUT连接。 
电容器C连接在输出端子TOUT与接地之间。 
输入端子TIN与线圈L的另一端连接，在输入端子TIN与接地之间连接开关元件SW。 
反馈端子TFB供给反馈信号FB。 
分压电路RC连接在输出端子TOUT与接地之间连接，输出将输出电压VOUT分压后的电压来作为反馈信号FB。 
这样，DC－DC变换器3000具有升压型的DC－DC变换器的构成。 
这里，与上述实施例1同样地，输出控制电路OC对开关元件SW进行PWM控制，以使得基于输出电压VOUT的反馈信号FB接近于预先设定的目标值。由此，DC－DC变换器3000的输出电压VOUT被维持在该目标值。 
由此，DC－DC变换器3000向输出端子TOUT输出将电源电压VIN升压后的输出电压VOUT。 
进而，输出控制电路OC与实施例1同样地根据过电流控制信号SD使开关元件SW强制性地断开。由此，过电流被截断。 
特别是，输出控制电路OC在除了上述的屏蔽期间以外的期间中，在规定了检测电压VA是基准电压Vref以上的比较结果的情况下，过电流控制信号SD使开关元件SW强制地断开。 
另外，DC－DC变换器3000的其它构成与实施例1的DC－DC变换器1000相同。 
并且，DC－DC变换器3000的其它动作、功能与实施例1的DC－DC变换器1000相同。 
另外，DC－DC变换器3000中，即使代替半导体集成电路300而替换为在实施例2中说明的半导体集成电路200也能得到同样的效果。 
即，根据本实施例3的DC－DC变换器，能够抑制过电流的误检测。 
说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式是作为例子而提示的，并不意欲限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其它各种形态实施，在不脱离发明主旨的范围内，能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围及主旨中，并且包含在权利要求书所记载的发明及其等价的范围内。 

Claims (20)

1.一种DC－DC变换器，向输出端子输出将电源电压降压或升压后的输出电压，其特征在于，
具备：
开关元件，控制向上述输出端子的电流的供给；
过电流检测电路，对与流过上述开关元件的电流相对应的检测电压、和基准电压进行比较，将规定该比较结果的过电流检测结果信号输出；
屏蔽控制电路，将规定使上述过电流检测结果信号屏蔽的屏蔽期间的过电流检测屏蔽信号输出；
屏蔽调整电路，根据上述电源电压来调整上述屏蔽期间的长度；
运算电路，对上述过电流检测结果信号和上述过电流检测屏蔽信号进行运算，输出在上述屏蔽期间对上述过电流检测结果信号进行屏蔽的过电流控制信号；以及
输出控制电路，以使基于上述输出电压的反馈信号接近于所设定的目标值的方式，对上述开关元件进行PWM控制，并且，根据上述过电流控制信号，使上述开关元件强制性地断开。
2.如权利要求1记载的DC－DC变换器，其特征在于，
上述屏蔽调整电路，在上述电源电压为切换阈值以上的情况下将上述屏蔽期间调整为第一屏蔽期间，在上述电源电压小于切换阈值的情况下将上述屏蔽期间调整为比上述第一屏蔽期间长的第二屏蔽期间。
3.如权利要求1记载的DC－DC变换器，其特征在于，
上述输出控制电路，在除了上述屏蔽期间以外的期间中，在上述检测电压为上述基准电压以上的情况下，使上述开关元件强制性地断开。
4.如权利要求2记载的DC－DC变换器，其特征在于，
上述输出控制电路，在上述电源电压为上述切换阈值以上的情况下的除了上述第一屏蔽期间以外的期间中，在上述检测电压为上述基准电压以上的情况下，使上述开关元件强制性地断开，
上述输出控制电路，在上述电源电压小于上述切换阈值的情况下的除了上述第二屏蔽期间以外的期间中，在上述检测电压为基准电压以上的情况下，使上述开关元件强制性地断开。
5.如权利要求1记载的DC－DC变换器，其特征在于，
上述屏蔽期间在将上述开关元件控制为导通时开始。
6.如权利要求4记载的DC－DC变换器，其特征在于，
上述屏蔽期间比上述开关元件连续导通的期间短。
7.如权利要求1记载的DC－DC变换器，其特征在于，
上述DC－DC变换器还具备：
第一变换电路，检测上述开关元件的电流路径的两端的电位差，将上述电位差变换为检测电流并输出；以及
第二变换电路，将上述检测电流变换为上述检测电压并输出。
8.如权利要求1记载的DC－DC变换器，其特征在于，
上述DC－DC变换器还具备：
输入端子，与上述开关元件的电流路径的一端连接，被供给上述电源电压；
控制端子，与上述开关元件的电流路径的另一端连接；
反馈端子，被供给上述反馈信号；
线圈，连接在上述输出端子与上述控制端子之间；
电容器，连接在上述输出端子与接地之间；
二极管，阴极与上述控制端子连接，阳极与上述接地连接；以及
分压电路，连接在上述输出端子与上述接地之间，输出将上述输出电压分压后的电压来作为上述反馈信号，
该DC－DC变换器向上述输出端子输出将上述电源电压降压后的上述输出电压。
9.如权利要求1记载的DC－DC变换器，其特征在于，
上述DC－DC变换器还具备：
线圈，对该线圈的一端供给上述电源电压；
二极管，阳极与上述线圈的另一端连接，阴极与上述输出端子连接；
电容器，连接在上述输出端子与接地之间；
输入端子，与上述线圈的另一端连接，在该输入端子与上述接地之间连接有上述开关元件；
反馈端子，被供给上述反馈信号；以及
分压电路，连接在上述输出端子与上述接地之间，输出将上述输出电压分压后的电压来作为上述反馈信号，
该DC－DC变换器向上述输出端子输出将上述电源电压升压后的上述输出电压。
10.如权利要求1记载的DC－DC变换器，其特征在于，
上述运算电路是被输入上述过电流检测结果信号和上述过电流检测屏蔽信号、并输出上述过电流控制信号的NOR电路。
11.一种半导体集成电路，适用于向输出端子输出将电源电压降压或升压后的输出电压的DC－DC变换器，其特征在于，
具备：
开关元件，控制向上述输出端子的电流的供给；
过电流检测电路，对与流过上述开关元件的电流相对应的检测电压、和基准电压进行比较，输出与该比较结果相对应的过电流检测结果信号；
屏蔽控制电路，将规定使上述过电流检测结果信号屏蔽的屏蔽期间的过电流检测屏蔽信号输出；
屏蔽调整电路，根据上述电源电压来调整上述屏蔽期间的长度；
运算电路，对上述过电流检测结果信号和上述过电流检测屏蔽信号进行运算，输出在上述屏蔽期间对上述过电流检测结果信号进行屏蔽的过电流控制信号；以及
输出控制电路，以使基于上述输出电压的反馈信号接近于所设定的目标值的方式，对上述开关元件进行PWM控制，并且，根据上述过电流控制信号，使上述开关元件强制性地断开。
12.如权利要求11记载的半导体集成电路，其特征在于，
上述屏蔽调整电路，在上述电源电压为切换阈值以上的情况下将上述屏蔽期间调整为第一屏蔽期间，在上述电源电压小于切换阈值的情况下将上述屏蔽期间调整为比上述第一屏蔽期间长的第二屏蔽期间。
13.如权利要求11记载的半导体集成电路，其特征在于，
上述输出控制电路，在除了上述屏蔽期间以外的期间中，在上述检测电压为上述基准电压以上的情况下，使上述开关元件强制性地断开。
14.如权利要求12记载的半导体集成电路，其特征在于，
上述输出控制电路，在上述电源电压为上述切换阈值以上的情况下的除了上述第一屏蔽期间以外的期间中，在上述检测电压为上述基准电压以上的情况下，使上述开关元件强制性地断开，
上述输出控制电路，在上述电源电压小于上述切换阈值的情况下的除了上述第二屏蔽期间以外的期间中，在上述检测电压为基准电压以上的情况下，使上述开关元件强制性地断开。
15.如权利要求11记载的半导体集成电路，其特征在于，
上述屏蔽期间在将上述开关元件控制为导通时开始。
16.如权利要求14记载的半导体集成电路，其特征在于，
上述屏蔽期间比上述开关元件连续导通的期间短。
17.如权利要求11记载的半导体集成电路，其特征在于，
上述半导体集成电路还具备：
第一变换电路，检测上述开关元件的电流路径的两端的电位差，将上述电位差变换为检测电流并输出；以及
第二变换电路，将上述检测电流变换为上述检测电压并输出。
18.如权利要求11记载的半导体集成电路，其特征在于，
上述半导体集成电路还具备：
输入端子，与上述开关元件的电流路径的一端连接，被供给上述电源电压；
控制端子，与上述开关元件的电流路径的另一端连接；
反馈端子，被供给上述反馈信号；
线圈，连接在上述输出端子与上述控制端子之间；
电容器，连接在上述输出端子与接地之间；
二极管，阴极与上述控制端子连接，阳极与上述接地连接；以及
分压电路，连接在上述输出端子与上述接地之间，输出将上述输出电压分压后的电压来作为上述反馈信号；
该半导体集成电路向上述输出端子输出将上述电源电压降压后的上述输出电压。
19.如权利要求11记载的半导体集成电路，其特征在于，
上述半导体集成电路还具备：
线圈，对该线圈的一端供给上述电源电压；
二极管，阳极与上述线圈的另一端连接，阴极与上述输出端子连接；
电容器，连接在上述输出端子与接地之间；
输入端子，与上述线圈的另一端连接，在该输入端子与上述接地之间连接有上述开关元件；
反馈端子，被供给上述反馈信号；以及
分压电路，连接在上述输出端子与上述接地之间，输出将上述输出电压分压后的电压来作为上述反馈信号；
该半导体集成电路向上述输出端子输出将上述电源电压升压后的上述输出电压。
20.如权利要求11记载的半导体集成电路，其特征在于，
上述运算电路是被输入上述过电流检测结果信号和上述过电流检测屏蔽信号、并输出上述过电流控制信号的NOR电路。
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