CN104465430A - 检测晶圆上的晶粒的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种检测晶圆上的晶粒的方法，包含：于承载环的中空区域粘贴UV切割胶带，以形成承载盘；将设置有多个晶粒的晶圆粘贴在UV切割胶带的第一表面上；将高分子胶涂布于UV切割胶带的第二表面上，以形成涵盖第二表面中的待测区域的透光膜；将粘贴有晶圆的承载盘对齐显微镜；利用显微镜观测晶圆中的目标晶粒，以产生获取影像；将获取影像与预定比对影像进行比对；若获取影像与预定比对影像不符，则将目标晶粒判定为瑕疵晶粒。藉由前述透光膜的设置，可使显微镜清晰地观测晶圆中的晶粒内的集成电路布局。

Description

检测晶圆上的晶粒的方法

技术领域

本发明有关检测晶粒的方法，尤指一种检测晶圆上的晶粒(dies)的方法。

背景技术

在现有的集成电路制程中，在进行晶圆切割之前，晶圆会先被放置在粘贴于一承载环中的UV切割胶带(UV dicing tape)上，以避免切割晶圆时造成晶粒飞散的情况。

然而，一般使用的UV切割胶带的表面会存在细微的不平整细节，且UV切割胶带的光折射率约莫为1.5，与空气的光折射率之间的差距过大。因此，光线通过UV切割胶带表面的不平整细节时会产生光散射现象，导致无法隔着UV切割胶带利用显微镜清晰地观测到晶粒内的集成电路布局的影像。如此一来，在晶圆被切割完成之前，就无法对晶圆上的晶粒内的集成电路布局(IC layout)是否存在瑕疵进行检测，也无法对晶粒是否有因切割过程的崩裂而造成受损的瑕疵进行检测。

也因此，有瑕疵的晶粒也会经过后续的打线及/或封装程序的处理，一直要等到更后面的电路功能测试阶段才会被检测出来。很明显地，在现有的晶粒检测流程中，有太多无谓的打线材料、封装材料、打线时间、封装时间、及/或测试时间被耗费在有瑕疵的晶粒上。倘若无法在晶圆切割完成之前就先对晶圆上的晶粒进行瑕疵检测，就难以有效提升集成电路的制程效率和降低制程成本。

发明内容

有鉴于此，如何在晶圆切割完成之前，便能对晶圆上的晶粒内的集成电路布局进行检测，及/或对晶粒是否有因切割过程的崩裂而造成受损的瑕疵进行检测，以有效提升集成电路的制程效率和降低制程成本，实为业界有待解决的问题。

本说明书提供一种检测晶圆上的晶粒的方法的实施例，其包含：于一承载环的一中空区域中粘贴一UV切割胶带，以形成一承载盘；将设置有多个晶粒的一晶圆粘贴在该UV切割胶带的一第一表面上；将一高分子胶涂布于该UV切割胶带的一第二表面上，以形成涵盖该第二表面中的一待测区域的一透光膜，其中，该待测区域与该晶圆的一边界和该边界内的一全部区域相对应；将粘贴有该晶圆的该承载盘对齐一显微镜；利用该显微镜观测该晶圆中的一目标晶粒，以产生一获取影像；将该获取影像与一预定比对影像进行比对；以及若该获取影像与该预定比对影像不符，则将该目标晶粒判定为一瑕疵晶粒。

上述实施例的优点之一，是藉由该透光膜的设置，使得在晶圆切割完成之前，便能利用显微镜清晰地观测到晶圆上的晶粒是否有瑕疵存在，进而避免浪费打线材料、封装材料、打线时间、封装时间、及/或测试时间在有瑕疵的晶粒上。

上述实施例的另一优点，是可有效提升集成电路的制程效率并大幅降低制程成本。

本发明的其他优点将藉由以下的说明和附图进行更详细的解说。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。

图1为本发明检测晶圆上的晶粒的方法的一实施例简化后的流程图。

图2为本发明一实施例的承载环简化后的俯视示意图。

图3为本发明一实施例的承载盘简化后的俯视示意图。

图4为在图3中的承载盘上粘贴一晶圆的一实施例简化后的俯视示意图。

图5为图4的承载盘简化后的仰视示意图。

图6为在图5的承载盘上粘贴一可移除薄片的一实施例简化后的示意图。

图7为在图6的承载盘上形成一透光膜的一实施例简化后的示意图。

图8为图7的承载盘、晶圆、和透光膜的组合沿A-A’方向简化后的剖面示意图。

图9为承载盘上设置有透光膜的情况下，利用显微镜所观测到的晶粒与切割线的一影像照片。

图10为图7的承载盘上未设置有透光膜时沿A-A’方向简化后的剖面示意图。

图11为在未设置图7中的透光膜的情况下，利用显微镜所观测到的晶粒与切割线的一影像照片。

图12为图7中的透光膜被水膜取代的情况下，利用显微镜所观测到的晶粒与切割线的一影像照片。

【符号说明】

200    承载环

202    中空区域

300    承载盘

320    UV切割胶带

322    UV切割胶带的第一表面

430    晶圆

432    晶粒

434    切割线

524    UV切割胶带的第二表面

536    待测区域

640    可移除薄片

750    透光膜

754    透光膜的外表面

860    显微镜

具体实施方式

以下将配合相关附图来说明本发明的实施例。在附图中，相同的标号表示相同或类似的元件或方法流程。

请参考图1，其所绘示为本发明检测晶圆上的晶粒的方法的一实施例简化后的流程图。为了便于了解，以下将搭配图2至图8来说明图1的流程图所描述的方法。

为了在整个检测过程中能妥善保护晶圆，通常会将要检测和切割的晶圆粘贴在一承载盘上进行搬移的动作，以避免晶圆在移动的过程中因滑动或掉落地面而受损。

图2为本发明一实施例的用于形成承载盘的承载环200简化后的俯视示意图。在图2的实施例中，承载环200具有一中空区域202，且承载环200和中空区域202的外形皆呈圆形。实作上，承载环200和中空区域202的形状可配合半导体制程机台的需要而调整，并不局限于前述的圆形架构。

在进行图1的检测方法时，首先要进行流程102，于承载环200的中空区域202中粘贴一UV切割胶带320，以形成一承载盘300，如图3所示。在图3的实施例中，UV切割胶带320具有黏性的一第一表面322用来作为承载盘300的承载面。实作上，UV切割胶带320的光折射率通常接近于1.5。

接着，进行流程104，将设置有多个晶粒432的一晶圆430粘贴在UV切割胶带320的第一表面322上，如图4所示。前述的晶圆430是尚未切割完成的晶圆。实作上，晶圆430可以是完全未经过切割的晶圆(亦即晶圆上无切割线存在)，也可以是只经过初步切割但尚未完全切开的晶圆(亦即晶圆上有多条切割线存在、但晶粒间仍彼此相连)。例如，在图4的实施例中，晶圆430是只经过初步切割但尚未完全切开的晶圆。因此，除了多个晶粒432之外，晶圆430中还包含多条切割线434。由于UV切割胶带320的第一表面322具有粘性，故可将晶圆430固定在承载盘300上。在检测晶圆430中的晶粒432的过程中，晶圆430会随着承载盘300移动到预定的位置。当晶圆430中的晶粒432都检测完毕后，便可沿着前述的切割线434进行切割晶圆430的动作，此时，第一表面322的粘性会将晶圆430中的多个晶粒432固定在承载盘300上，可避免切割晶圆430时造成晶粒432飞散的情况。

图5为图4的承载盘300简化后的仰视示意图。在图5中，标号524代表UV切割胶带320的另一表面，以下称为第二表面524。第二表面524中包含与晶圆430的一边界和该边界内的一全部区域相对应一待测区域536。换言之，本实施例中的待测区域536相当于是晶圆430在第二表面524上的投影区域。

在流程106中，将可移除薄片640粘贴在UV切割胶带320的第二表面524上，使得可移除薄片640位于待测区域536以外，如图6所示。在一实施例中，可移除薄片640可用本身具有粘性的物体(例如一胶带)来实现。在另一实施例中，可移除薄片640可用本身不具有粘性的物体(例如一塑胶片、一纸片、一金属片)来实现。当可移除薄片640是本身不具有粘性的物体来实现时，可于流程106中利用适当的粘胶将可移除薄片640粘贴在UV切割胶带320的第二表面524上。

接着，进行流程108，将一高分子胶涂布于UV切割胶带320的第二表面524上，以形成涵盖第二表面524中的待测区域536的一透光膜750，如图7所示。如前所述，UV切割胶带320的第二表面524会存在细微的不平整细节。由于流程108中所使用的高分子胶为流质形式，故将高分子胶涂布于第二表面524上可有效填平第二表面524上的不平整细节。另外，高分子胶是由流质形式挥发形成固体形式的透光膜750。高分子胶由流质形式固化成透光膜750的过程中，会受到表面张力的作用，使得透光膜750的一外表面754较为平整。

在本实施例中，高分子胶的光折射率介于1.3至1.7之间，因此，由高分子胶构成的透光膜750的光折射率也会介于1.3至1.7之间(例如介于1.45至1.55之间)，非常接近于UV切割胶带320的光折射率或与UV切割胶带320的光折射率相等。实作上，透光膜750可以只刚好涵盖待测区域536的范围，也可以涵盖超过待测区域536的范围，且透光膜750的外形并不局限于特定形状。

在流程110中，将粘贴有晶圆430的承载盘300对齐一显微镜860，如图8所示。在图8的实施例中，可藉由移动承载盘300的方式，或是藉由移动显微镜860的方式，将透光膜750与UV切割胶带320置于晶圆430与显微镜860之间。

在流程112中，利用显微镜860观测晶圆430中的一目标晶粒，以产生一获取影像。如图8所示，入射光Lin会穿过透光膜750和UV切割胶带320照射到晶圆430内部，而反射光则会从晶圆430内部穿过UV切割胶带320和透光膜750形成出射光Lout，并射入显微镜860。由于透光膜750的外表面754较为平整，所以从显微镜860所观测的微观范围来看几乎是呈平面状。因此，当入射光Lin通过空气与透光膜750的外表面754的交界处时，几乎不会发生光散射的现象。另外，由于UV切割胶带320的第二表面524上的不平整细节已被高分子胶所填平，且透光膜750与UV切割胶带320的光折射率非常接近，所以当入射光Lin通过透光膜750与UV切割胶带320的第二表面524的交界处时，几乎不会发生光散射的现象。同样地，当反射光通过UV切割胶带320的第二表面524与透光膜750的交界处时，也几乎不会发生光散射的现象。再者，当反射光通过透光膜750的外表面754与空气的交界处而形成出射光Lout时，也几乎不会发生光散射的现象。

因此，显微镜860在流程112中便得以隔着透光膜750与UV切割胶带320清晰地获取到晶圆430中的目标晶粒的影像，亦即，目标晶粒内的集成电路布局的影像，及/或目标晶粒的边界(亦即目标晶粒旁的切割线434)附近区域的影像。

例如，图9为承载盘300上设置有透光膜750的情况下，利用显微镜860所观测到的晶粒432与切割线434的一影像照片。如图9所示，藉由在UV切割胶带320的第二表面524上以前述方式形成透光膜750的方式，显微镜860可清晰地观测到目标晶粒内的集成电路布局的影像，以及目标晶粒旁的切割线434附近区域的影像。

接着，进行流程114，将显微镜860产生的获取影像与一预定比对影像进行比对。例如，可将显微镜860产生的获取影像传送至一影像比对电路(未绘示)，并利用该影像比对电路将该获取影像与该预定比对影像进行比对，以分析目标晶粒内的集成电路布局是否有瑕疵存在，以及是否有因切割线434崩裂而造成目标晶粒受损的瑕疵存在。

若该获取影像与该预定比对影像不符，则进行流程116，将该目标晶粒判定为一瑕疵晶粒。

实作上，显微镜860于前述的流程112中所产生的获取影像，可以是与晶圆430中的单一目标晶粒相对应的影像，也可以是与晶圆430中的多个目标晶粒相对应的影像。

在某些集成电路的制程或制造机台中，并不希望透光膜750持续留在UV切割胶带320的第二表面524上。在此情况下，可进行流程118，利用一夹具夹持可移除薄片640并移动该夹具，以将可移除薄片640与粘贴于可移除薄片640的透光膜750从UV切割胶带320的第二表面524上撕除。实作上，流程118可于显微镜860产生该目标晶粒的获取影像之后进行，或是在显微镜860产生与晶圆430的所有晶粒432的获取影像之后进行。

请参考图10，其所绘示为承载盘300上未设置有透光膜750时沿图7的A-A’方向简化后的剖面示意图。如图10所示，由于UV切割胶带320的第二表面524上存在细微的不平整细节，且UV切割胶带320的光折射率与空气的光折射率之间有明显差距。因此，当入射光Lin通过空气与UV切割胶带320的第二表面524的交界处时，会发生明显的光散射现象。同样地，当反射光通过UV切割胶带320的第二表面524与空气的交界处而形成出射光Lout’时，也会发生明显的光散射现象。在此情况下，显微镜860便无法清晰地获取到晶圆430中的目标晶粒内的集成电路布局的影像，以及目标晶粒旁的切割线附近区域的影像。

例如，图11是在未设置前述透光膜750的情况下，利用显微镜860所观测到的晶粒432与切割线434的一影像照片。如图11所示，由于UV切割胶带320的第二表面524的不平整细节会造成严重的光散射现象，此时显微镜860仅能隐约观测到晶圆430中的切割线434的大略位置，却根本无法获取到目标晶粒内的集成电路布局的清晰影像，以及目标晶粒旁的切割线附近区域的影像。

另外，根据实验的结果发现，并非以任何透明流体来取代前述的透光膜750都能达成相同的功效。例如，图12为前述的透光膜750被一水膜取代的情况下，利用显微镜860所观测到的晶粒432与切割线434的一影像照片。如图12所示，由于水和UV切割胶带320间的光折射率差距，比前述的透光膜750和UV切割胶带320间的光折射率的差距要大，因此，当入射光Lin通过该水膜与UV切割胶带320的第二表面524的交界处时，仍然会发生明显的光散射现象。此外，当反射光通过UV切割胶带320的第二表面524与该水膜的交界处而形成出射光时，也会发生明显的光散射现象。如图12所示，此时显微镜860虽然能隐约观测到晶粒432内的集成电路布局的影像，以及晶粒432旁的切割线434附近区域的影像，但影像的清晰程度明显低于图9的实施例。因此，使用水膜取代前述的透光膜750时，将会大幅增加前述流程114中的影像比对程序的错误率。

另外，以水膜来取代本案提出的透光膜750时，必须增加额外的设备，才能在UV切割胶带320的第二表面524形成稳定的水膜。例如，可能要使用额外的玻璃片来固定水膜，也需要用于支撑玻璃片的额外设备，以及用于烘干水分的烘干设备。众所皆知，晶圆制程的精密程度相当高，必须在无尘室中进行，且湿度必须受到严格控制，才能确保晶粒432不会受潮而损坏。很明显地，以水膜取代前述透光膜750的做法，会增加晶圆厂中的湿度控制设备的额外负担，也会增加晶粒432受潮损坏的风险。由此可知，以水膜取代前述透光膜750的方式，并不适合应用在前述的未分割晶粒检测过程中。

倘若以甘油膜来取代前述的透光膜750，则由于甘油和UV切割胶带320间的光折射率差距，同样比前述的透光膜750和UV切割胶带320间的光折射率的差距要大，因此，当入射光Lin通过甘油膜与UV切割胶带320的第二表面524的交界处时，同样会发生明显的光散射现象。同样地，当反射光通过UV切割胶带320的第二表面524与该甘油膜的交界处而形成出射光时，也会发生明显的光散射现象。在此情况下，显微镜860也无法非常清晰地观测到晶粒432内的集成电路布局的影像，以及晶粒432旁的切割线434附近区域的影像。因此，使用甘油膜取代前述的透光膜750时，同样会大幅增加前述流程114中的影像比对程序的错误率。

另外，甘油一旦涂布在UV切割胶带320的第二表面524上便很难完全去除。若要将甘油膜从UV切割胶带320的第二表面524上去除，势必需要额外的去油污设备与清除程序，这样的作法肯定会增加晶圆厂的设备控制复杂度和制程复杂度，因此也不适合应用在前述的未分割晶粒检测过程中。

由前述说明可知，本发明检测晶圆上的晶粒的方法，只需以前述的方式在UV切割胶带320的第二表面524上形成透光膜750，便可使显微镜860得以隔着UV切割胶带320和透光膜750清楚地观测到晶圆430上的晶粒432的积体线路布局，以及晶粒432旁的切割线434附近区域的影像。如此一来，在晶圆430被切割完成之前，便能检测晶圆430上的晶粒432内的集成电路布局是否有瑕疵存在，以及是否有因切割线434崩裂而造成晶粒432受损的瑕疵存在，进而可避免浪费打线材料、封装材料、打线时间、封装时间、及/或测试时间在有瑕疵的晶粒上。因此，本发明提出的检测方法可有效提升集成电路的制程效率和降低制程成本。

另外，前述检测过程中所使用的高分子胶不会造成影响无尘室的空气湿度上升，因此，不会增加晶圆430上的晶粒432受潮损坏的风险。

再者，当后续的制程或制造机台不希望透光膜750持续留在UV切割胶带320的第二表面524上时，很轻易地便可从UV切割胶带320上将透光膜750撕除，而不会造成清除上的问题或是后续制程上的困扰。

请注意，前述图1中的流程执行顺序只是一示范性的实施例，并非局限本发明的实际实施方式。例如，流程106可以改成在流程102和104之间进行，也可以改成在流程102之前进行。另外，流程118可以改成在流程112和114之间进行，也可以改成在流程114和116之间进行。

另外，在前述的实施例的流程106中只使用了一个可移除薄片640，但这只是一示范性的实施例，并非局限本发明的实际实施方式。实作上，在流程106中也可以将多个可移除薄片640粘贴在UV切割胶带320的第二表面524上。在此情况下，流程118中可以使用多个夹具以将多个可移除薄片640与粘贴于多个可移除薄片640的透光膜750从UV切割胶带320的第二表面524上撕除。

在某些应用中，也可以省略前述的流程106和118。

在前述的流程110中，显微镜860、晶圆430、UV切割胶带320、与透光膜750四者间的相对位置，是透光膜750与UV切割胶带320位于晶圆430与显微镜860之间。但这只是一示范性的实施例，并非局限本发明的实际实施方式。实作上，亦可于前述的流程110中，藉由移动承载盘300的方式，或是藉由移动显微镜860的方式，将晶圆430与UV切割胶带320置于透光膜750与显微镜860之间，以形成如同将图8中的显微镜860移至晶圆430上方、并面向晶圆430的摆设方式。如此一来，入射光线Lin会穿过晶圆430、UV切割胶带320、和透光膜750照射到位于透光膜750后方的反射面(未绘示)，而反射光则会从该反射面穿过透光膜750、UV切割胶带320、和晶圆430以形成出射光，并射入显微镜860。在此情况下，便可于前述的流程112中，将显微镜860直接面向晶圆430以获取晶圆430中的目标晶粒内的影像，以及目标晶粒的边界(亦即前述的切割线434)附近的影像。

在说明书及申请专利范围中使用了某些词汇来指称特定的元件。然而，所属技术领域的技术人员应可理解，同样的元件可能会用不同的名词来称呼。说明书及申请专利范围并不以名称的差异作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的基准。在说明书及申请专利范围所提及的「包含」为开放式的用语，故应解释成「包含但不限定于」。

在此所使用的「及/或」的描述方式，包含所列举的其中之一或多个项目的任意组合。另外，除非说明书中特别指明，否则任何单数格的用语都同时包含复数格的涵义。

在说明书及申请专利范围当中所提及的「元件」(element)一词，包含了构件(component)、层构造(layer)、或区域(region)的概念。

附图的某些元件的尺寸及相对大小会被加以放大，或者某些元件的形状会被简化，以便能更清楚地表达实施例的内容。因此，除非申请人有特别指明，附图中各元件的形状、尺寸、相对大小及相对位置等仅是便于说明，而不应被用来限缩本发明的专利范围。此外，本发明可用许多不同的形式来体现，在解释本发明时，不应仅局限于本说明书所提出的实施例态样。

为了说明上的方便，说明书中可能会使用一些与空间中的相对位置有关的叙述，对附图中某元件的功能或是该元件与其他元件间的相对空间关系进行描述。例如，「于…上」、「在…上方」、「于…下」、「在…下方」、「高于…」、「低于…」、「向上」、「向下」等等。所属技术领域的技术人员应可理解，这些与空间中的相对位置有关的叙述，不仅包含所描述的元件在附图中的指向关系(orientation)，也包含所描述的元件在使用、运作、或组装时的各种不同指向关系。例如，若将附图上下颠倒过来，则原先用「于…上」来描述的元件，就会变成「于…下」。因此，在说明书中所使用的「于…上」的描述方式，解释上包含了「于…下」以及「于…上」两种不同的指向关系。同理，在此所使用的「向上」一词，解释上包含了「向上」以及「向下」两种不同的指向关系。

在说明书及申请专利范围中，若描述第一元件位于第二元件上、在第二元件上方、连接、接合、耦接于第二元件或与第二元件相接，则表示第一元件可直接位在第二元件上、直接连接、直接接合、直接耦接于第二元件，亦可表示第一元件与第二元件间存在其他元件。相对之下，若描述第一元件直接位在第二元件上、直接连接、直接接合、直接耦接、或直接相接于第二元件，则代表第一元件与第二元件间不存在其他元件。

以上仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (11)

1.一种检测晶圆上的晶粒的方法，其特征在于，包含：

于一承载环的一中空区域中粘贴一UV切割胶带，以形成一承载盘；

将设置有多个晶粒的一晶圆粘贴在该UV切割胶带的一第一表面上；

将一高分子胶涂布于该UV切割胶带的一第二表面上，以形成涵盖该第二表面中的一待测区域的一透光膜，其中，该待测区域与该晶圆的一边界和该边界内的一全部区域相对应；

将粘贴有该晶圆的该承载盘对齐一显微镜；

利用该显微镜观测该晶圆中的一目标晶粒，以产生一获取影像；

将该获取影像与一预定比对影像进行比对；以及

若该获取影像与该预定比对影像不符，则将该目标晶粒判定为一瑕疵晶粒。

2.如权利要求1的方法，其特征在于，另包含：

在形成该透光膜之前，将一或多个可移除薄片粘贴在该UV切割胶带的该第二表面上，使得该一或多个可移除薄片位于该待测区域以外；

其中，形成该透光膜的流程包含有：

将该高分子胶涂布于该一或多个可移除薄片中的每一可移除薄片的一局部区域上，使得该透光膜覆盖并粘贴于该一或多个可移除薄片的局部区域。

3.如权利要求2的方法，其特征在于，另包含：

在产生该获取影像之后，利用一或多个夹具夹持该一或多个可移除薄片并移动该一或多个夹具，以将该一或多个可移除薄片与粘贴于该一或多个可移除薄片的该透光膜从该UV切割胶带的该第二表面上撕除。

4.如权利要求2的方法，其特征在于，另包含：

在该显微镜产生与该晶圆的所有晶粒对应的多个获取影像之后，利用一或多个夹具夹持该一或多个可移除薄片并移动该一或多个夹具，以将该一或多个可移除薄片与粘贴于该一或多个可移除薄片的该透光膜从该UV切割胶带的该第二表面上撕除。

5.如权利要求2的方法，其特征在于，将该一或多个可移除薄片粘贴于该UV切割胶带的该第二表面上的流程，是于将该UV切割胶带粘贴于该承载环的该中空区域前进行。

6.如权利要求2的方法，其特征在于，将该一或多个可移除薄片粘贴于该UV切割胶带的该第二表面上的流程，是于将该晶圆粘贴在该UV切割胶带的该第一表面前进行。

7.如权利要求1的方法，其特征在于，另包含：

在产生该获取影像之后，将该透光膜从该UV切割胶带的该第二表面上撕除。

8.如权利要求1的方法，其特征在于，另包含：

在该显微镜产生与该晶圆的所有晶粒的获取影像之后，将该透光膜从该UV切割胶带的该第二表面上撕除。

9.如权利要求1的方法，其特征在于，将粘贴有该晶圆的该承载盘对齐该显微镜的流程包含：

将该透光膜与该UV切割胶带置于该晶圆与该显微镜之间；

其中，产生该获取影像的流程包含：

利用该显微镜隔着该透光膜与该UV切割胶带观测该晶圆中的该目标晶粒，以产生该获取影像。

10.如权利要求1的方法，其特征在于，将粘贴有该晶圆的该承载盘对齐该显微镜流程包含：

将该晶圆与该UV切割胶带置于该透光膜与该显微镜之间。

11.如权利要求1至10中任一项的方法，其特征在于，该透光膜的光折射率介于1.3至1.7之间。