KR20130099551A - 태양전지 웨이퍼 비전 검사기의 카메라 시스템 - Google Patents

태양전지 웨이퍼 비전 검사기의 카메라 시스템

Info

Publication number
KR20130099551A
KR20130099551A KR1020120021147A KR20120021147A KR20130099551A KR 20130099551 A KR20130099551 A KR 20130099551A KR 1020120021147 A KR1020120021147 A KR 1020120021147A KR 20120021147 A KR20120021147 A KR 20120021147A KR 20130099551 A KR20130099551 A KR 20130099551A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
camera
scan camera
asc
area
Prior art date
Application number
KR1020120021147A
Other languages
English (en)
Inventor
백병석
김석진
Original Assignee
주식회사 아이비에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아이비에스 filed Critical 주식회사 아이비에스
Priority to KR1020120021147A priority Critical patent/KR20130099551A/ko
Publication of KR20130099551A publication Critical patent/KR20130099551A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

본 발명은 (A) 라인 스캔 카메라(LSC) 및 상기 라인 스캔 카메라(LSC)로부터 전송된 화상프레임 중에서 배경과 접한 소정 폭을 포함한 외부의 정보를 제외한 웨이퍼(W) 화상프레임만을 조합하여 2차원 영상을 합성하는 조합프로세서를 포함하는 제1카메라모듈;과 (B) 에리어 스캔 카메라(ASC), 상기 에리어 스캔 카메라(ASC)로부터 전송된 화상프레임중에서 배경과 접한 소정 폭의 정보만을 추출하는 추출프로세서를 포함하는 제2카메라모듈;로 구성되는 태양전지용 실리콘 웨이퍼(W)의 품질검사를 위한 비전(vision) 검사기의 카메라 시스템에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 편평도검사-표면검사용 모듈과 치수검사용 모듈로 분리된 카메라 시스템을 적용함으로써 웨이퍼(W) 비전 검사기의 검사속도를 대폭 증가시킬 수 있게 된다.

Description

태양전지 웨이퍼 비전 검사기의 카메라 시스템{camera system for vision inspector of solar cell wafer}
본 발명은 비전(vision) 검사기의 카메라 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 태양전지용 웨이퍼의 품질검사를 위한 비전 검사기(광학 시스템)에서 다양한 검사 요구사항을 동시에 검출할 수 있도록 하여 안정적이고 신속한 검사결과를 도출할 수 있도록 하는 비전 검사기의 카메라 시스템에 관한 것이다.
최근 지구환경문제와 화석에너지의 고갈, 원자력발전의 폐기물처리 및 신규발전소 건설에 따른 위치선정 등의 문제로 인하여 신·재생에너지에 대한 관심이 고조되고 있으며, 그 중에서도 무공해이면서도 무한한 에너지원인 태양광발전에 대한 연구개발이 활발하게 진행되고 있다. 결정형 실리콘태양전지, 박막형 태양전지 및 염료감응형 태양전지 등이 폭넓게 연구되어 산업적으로 활용되고 있으나, 전환효율 측면에서 결정형 실리콘 태양전지가 주로 실용화되고 있다. 본 발명은 결정형 실리콘태양전지에 관한 것이다.
결정형 실리콘태양전지의 제조공정은 다음과 같이 잉곳 제조, 웨이퍼 제조, 셀 제조, 모듈 제조 공정으로 구분할 수 있다 : 크리스탈도가니에 고순도의 폴리실리콘 덩어리를 도핑물질과 함께 넣고 고온가열하여 용융시킨 다음 씨드(Seed) 물질이 발라진 봉을 용융 폴리실리콘위를 살짝 잠기게 한 후 천천히 회전 시키며 위로 당기면서 크리스탈 잉곳을 제조한다(잉곳 제조공정). 제조된 잉곳을 다아아몬드 와이어 쏘를 이용하여 소정의 두께로 절단하여 웨이퍼를 제조한다(웨이퍼 제조공정). 제조된 웨이퍼를 반도체 제조공정과 유사한 방식으로 에칭, p-n접합, 반사방지막 코팅 후 전극을 형성하여 셀(cell)을 제작(셀 제조공정)한 다음 이들을 다양하게 배선연결하여 태양전지모듈을 제작(모듈 제조공정)한다.
그런데 전체 생산공정 중에서 웨이퍼의 불량여부가 최종 태양전지모듈의 품질에 결정적인 영향을 주기 때문에 웨어퍼 자체의 흠결 또는 웨이퍼를 다루면서 발생할 수 있는 잠재적 흠결을 효과적으로 검출하고 생산라인에 피드백하는 것이 매우 중요하다.
따라서 중간단계의 웨이퍼를 셀 제조단계로 넘어가기 전에 기존의 반도체 웨이퍼에 대한 검사사항과 유사하게 ① 웨이퍼에 과도한 휨이나 절단 시 진동 등에 의한 과도한 쏘마크(saw mark) 등이 있는지 여부를 확인하는 편평도검사 및 ② 웨이퍼에 마이크로크랙이나 핀홀, 스테인(이물질) 등이 있는지를 확인하는 표면검사가 이루어져야 한다. 도 4에 결함이 있는 웨이퍼와 결함의 종류를 나타낸 예시적 사진을 첨부하였다.
이러한 검사를 육안으로 행하기 어렵기 때문에 카메라, 조명 및 화상분석장치로 이루어진 비전 검사기를 이용하게 된다. 현재 산업적으로 사용 중인 태양전지 웨이퍼 검사장치는 대부분 반도체 제조공정 중 기판(PCB)에 반도체 칩(chip)이나 각종 소자가 정상적으로 실장되었는지, 리드프레임(lead frame)은 불량이 아닌지 등을 화상으로 검사하는 검사장치나, 반도체 웨이퍼나 LCD 등 평판디스플레이용 기판의 표면결함 여부를 검사하는 검사장치를 전용하여 사용하고 있는 것이 현실이다.
이러한 종래 검사장치들에는 라인 스캔 카메라(Line Scan Camera)가 적용되고 있는데, 라인 스캔 카메라는 2차원 형태로 광소자(pixel)가 배치되어 한 번의 노출에 한 프레임을 얻을 수 있는 일반 카메라(area scan camera)와 달리 광소자가 1차원적인 선형구조(pixel line)를 하고 있다. 이러한 검사장치에서는 피검사체(웨이퍼)를 라인 스캔 카메라의 픽셀라인에 수직인 방향으로 이동시키면서 카메라에서 주기적으로 라인 프레임을 추출(grab)하고 이를 조합하여 2차원 영상을 취득하게 된다. 이렇게 취득된 영상을 소정의 이미지 분석 알고리즘을 통해 웨이퍼의 편평도검사와 표면검사를 수행하고 웨이퍼의 불량여부를 자동으로 판정하게 되는 것이다.
한편, 최종적으로 스크라이빙-커팅되어 작은 반도체로 분리되는 반도체 웨이퍼와는 달리 태양전지 웨이퍼는 그 자체가 그대로 셀로 변환제작되어 사용되기 때문에 태양전지 웨이퍼에서는 편평도검사와 표면검사 이외에도 ③ 만들어진 웨이퍼의 길이, 직각도, 변이나 모서리 부위가 일부 떨어져 나갔는지 여부 등을 확인하는 치수( geometry )검사가 필수적이며 매우 중요한 요소가 된다. 웨이퍼의 치수검사를 위해 라인 스캔 카메라로 받아들인 영상을 조합하여 완전한 웨이퍼의 2차원 영상을 얻은 다음 이 영상에서 웨이퍼의 외주연을 이미지 분석하는 과정이 필요하였다.
그런데 실제 편평도검사-표면검사에서 검출되는 결함에 의해 분석해야 할 데이터의 양에 비해 웨이퍼의 외주연 이미지 분석을 위한 데이터의 양이 월등히 많기 때문, 즉 평균적으로 하나의 웨이퍼 2차원 영상에서 웨이퍼의 표면에서 발생되는 결함의 면적(없을 수도 있고, 있다고 하더라도 상대적으로 작음)에 비해 외주연 이미지의 면적(모든 웨이퍼에 항상 존재함)이 월등히 많기 때문에 외주연 이미지 분석에 과도한 시간이 소요되어 비전 검사기의 검사속도를 제한하고 있다. 본원 발명자가 비공식적으로 분석한 바, 1.5초당 하나의 웨이퍼를 검사하는 검사기에서 약 1.2~1.3초가 외주연 이미지 분석에 소요되는 것으로 확인되었다.
본 발명은 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 검사속도를 대폭 축소하여 검사효율을 증대시킨 실리콘 웨이퍼 비전(vision) 검사기의 카메라 시스템를 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, (A) 라인 스캔 카메라 및 상기 라인 스캔 카메라로부터 전송된 화상프레임 중에서 배경과 접한 소정 폭을 포함한 외부의 정보를 제외한 웨이퍼 화상프레임만을 조합하여 2차원 영상을 합성하는 조합프로세서를 포함하는 제1카메라모듈;과 (B) 에리어 스캔 카메라, 상기 에리어 스캔 카메라로부터 전송된 화상프레임중에서 배경과 접한 소정 폭의 정보만을 추출하는 추출프로세서를 포함하는 제2카메라모듈;로 구성되는 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 품질검사를 위한 비전 검사기의 카메라 시스템에 관한 것이다.
이상과 같이 본 발명에 의하면 편평도검사-표면검사용 모듈과 치수검사용 모듈로 분리된 카메라 시스템을 적용함으로써 웨이퍼 비전 검사기의 검사속도를 대폭 증가시킬 수 있게 된다.
본 발명에 의하면 종래에 비해 신속한 웨이퍼의 검사가 가능하게 되기 때문에 궁극적으로 태양전지의 생산원가를 절감할 수 있게 된다.
도 1에 본 발명에 의한 두 종의 카메라 모듈을 포함하는 비전검사기의 개념적 구성도.
도 2a, 2b는 각각 본 발명에서 상기 라인 스캔 카메라와 상기 에리어 스캔 카메라는 웨이퍼의 진행라인상에 직렬로 배치된 예 및 웨이퍼 이동면에 대하여 대칭으로 배치된 예를 보여주는 개념도.
도 3a는 내부에 관통크랙, 표면크랙, 핀홀 또는 이물질이 있고, 외주연에 부분치핑과 완전치핑이 있는 웨이퍼의 예시도.
도 3b는 상기 웨이퍼를 종래 비전 검사장비에 의해 얻어진 2차원 영상(A)과, 본 발명에 의한 카메라 시스템에 의해 얻어진 두 개의 부분 2차원 영상(B)의 예시도.
도 4는 결함이 있는 웨이퍼와 결함의 종류를 나타낸 예시적 사진.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나 첨부된 도면은 본 발명의 기술적 사상의 내용과 범위를 쉽게 설명하기 위한 예시일 뿐, 이에 의해 본 발명의 기술적 범위가 한정되거나 변경되는 것은 아니다. 또한 이러한 예시에 기초하여 본 발명의 기술적 사상의 범위 안에서 다양한 변형과 변경이 가능함은 당업자에게는 당연할 것이다.
전술한 바와 같이, 본 발명은 잉곳을 슬라이싱하여 제조된 태양전지용 실리콘 웨이퍼(W)의 품질검사를 위해 비전 검사기에서의 카메라 시스템에 관한 것이다.
본 발명에 의한 카메라 시스템은 두 종의 카메라 모듈로 구성된다. 도 1에 본 발명에 의한 두 종의 카메라 모듈을 포함하는 비전검사기의 개념적 구성을 도시하였다.
제1카메라모듈은 라인 스캔 카메라(LSC) 및 상기 라인 스캔 카메라(LSC)로부터 전송된 화상프레임 중에서 배경과 접한 소정 폭을 포함한 외부의 정보를 제외한 웨이퍼(W) 화상프레임만을 조합하여 2차원 영상을 합성하는 조합프로세서를 포함한다. 이 모듈에 의해 도출된 2차원 영상은 별도의 이미지분석부(이미지 분석 알고리즘)에 의해 웨이퍼(W)가 굴곡이 있는지, 마이크로크랙 등이 있는지를 분석하는 대상이 되기 때문에 편평도검사-표면검사용 모듈이라 볼 수 있다.
제2카메라모듈은 에리어 스캔 카메라(ASC), 상기 에리어 스캔 카메라(ASC)로부터 전송된 화상프레임중에서 배경과 접한 소정 폭의 정보만을 추출하는 추출프로세서를 포함한다. 에리어 스캔 카메라(ASC)는 그 화각영역이 웨이퍼(W)를 포괄하는 즉, 한 프레임으로 웨이퍼 전체 영상을 촬영할 수 있는 것이 바람직하다. 이 모듈에 의해 도출된 2차원 영상은 웨이퍼(W)의 테두리 영상이며, 별도의 이미지분석부에 의해 웨이퍼의 길이, 직각도, 변이나 모서리 부위가 일부 떨어져 나갔는지 여부 등을 분석하는 대상이 되기 때문에 치수검사용 모듈이라 볼 수 있다. 치수검사는 편평도검사-표면검사에 비해 저해상도로도 불량여부를 용이하게 판별할 수 있기 때문에 본 발명에서의 에리어 스캔 카메라(ASC)는 비교적 저가의 제품을 적용해도 무방하다.
본 발명에서 '소정의 폭'은 반복적인 실행결과 검사속도와 판정의 정확도를 고려하여 실증적으로 정할 수도 있지만, 웨이퍼(W)에서 장차 유효 셀 면적으로 활용되지 않는 외곽의 2~5㎜ 정도의 폭인 것이 바람직하다.
검사의 효율을 위해 상기 라인 스캔 카메라(LSC)와 에리어 스캔 카메라(ASC), 특히 전자는 복수개가 장착될 수 있다.
본 발명에서 상기 라인 스캔 카메라(LSC)와 상기 에리어 스캔 카메라(ASC)는 웨이퍼(W)의 진행라인상에 직렬로 배치될 수도 있으며, 웨이퍼(W) 이동면에 대하여 대칭으로 배치될 수도 있다(도 2a, 2b 참조). 도면에서는 라인 스캔 카메라(LSC)가 뒤쪽 또는 위쪽에 배치되어 있지만 그 위치가 에리어 스캔 카메라(ASC)와 바뀌어도 상관없다. 도면에서 화살표는 웨이퍼(W)의 이송방향을 나타내며, 적색으로 표시된 부분이 화각영역이다. 에리어 스캔 카메라(ASC)의 경우 웨이퍼(W) 전면이 화각영역 이내임을 알 수 있다. 그러나 대형 웨이퍼(W)여서 하나의 에리어 스캔 카메라(ASC) 화각영역에 포괄되지 못하는 경우 복수개의 에리어 스캔 카메라(ASC)로 웨이퍼(W)를 분할하여 촬영한 뒤 이를 결합시키는 방식(도시 생략)을 택할 수도 있을 것이다.
한편, 에리어 스캔 카메라(ASC)는 고속으로 이동하는 피사체를 촬영하면 경계면이 퍼진 영상이 나타날 수 있다.
이를 방지하기 위하여 에리어 스캔 카메라(ASC)의 셔터 속도를 웨이퍼(W) 이송속도의 1/1500~1/750로 세팅하는 것이 바람직하다. 이에 의해 경계면이 깨끗한 영상을 얻을 수는 있지만, 노출 시간이 그만큼 짧아지기 때문에 영상이 어두워질 수 있다. 따라서, 셔터 속도를 올리는 경우에는 카메라의 조리개를 열거나, 조명을 더 밝게 하는 등 절적한 조건을 정립해야 할 것이다.
이와는 다르게, 에리어 스캔 카메라(ASC)를 이동식으로 할 수도 있다. 즉, 상기 에리어 스캔 카메라(ASC)의 화각영역 내부로 웨이퍼(W)가 들어왔을 때 웨이퍼(W) 이송속도와 동일한 속도로 동일한 방향으로 이동하였다가 복귀하는 이동수단에 에리어 스캔 카메라(ASC)를 장착하고 동일방향으로 이동하는 중에 촬영하는 방식(도시 생략)도 선택할 수 있다. 두 물체를 동기화하여 이송하는 기계적 방식은 당업계에 널리 알려진 것이므로 상세한 설명을 생략한다.
본 발명에 의한 카메라 시스템이 적용된 비전 검사기의 작동원리를 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3a는 내부에 관통크랙, 표면크랙, 핀홀 또는 이물질이 있고, 외주연에 부분치핑과 완전치핑이 있는 웨이퍼의 예시도로서 설명을 위해 결함을 과도하게 표현하였다. 도 3b는 상기 웨이퍼(W)를 종래(라인 스캔 카메라만 구비된) 비전 검사장비에 의해 얻어진 2차원 영상(A)과, 본 발명에 의한 카메라 시스템에 의해 얻어진 두 개의 부분 2차원 영상(B)의 예시도이다.
종래기술에 의하면 외주연을 포함하는 웨이퍼의 전면을 라인 스캔 카메라(LSC)만으로 촬영하고 이를 통합하여 하나의 2차원 영상을 얻은 다음 이를 이미지분석하게 된다.
반면, 본 발명에 의하면 웨이퍼의 소정의 폭 내부면은 라인 스캔 카메라(LSC)로 촬영하고 이를 통합하여 하나의 부분 2차원 영상(도 3b의 B에서 왼쪽 사진)을 얻어 이미지분석을 통해 편평도 및 표면검사를 하고, 웨이퍼(W)의 외주연 소정의 폭으로 이루어지는 면은 에리어 스캔 카메라(ASC)로 촬영하여 얻은 또 다른 부분 2차원 영상(도 3b의 B에서 오른쪽 사진)을 얻어 이미지분석하여 치수검사를 수행하게 된다(물론 순서는 무관).
앞서 설명한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 내측의 결함(마이크로크랙, 핀홀 또는 이물질 등)은 없는 경우가 많고 있다고 하더라도 그에 의한 영상 데이터양은 매우 적다. 반면 웨이퍼(W)의 치수검사를 위해서는 웨이퍼(W)의 외주연 전체를 매번 반드시 분석해야 하기 때문에 분석할 영상면적이 내측결함의 경우에 비해 훨씬 넓지만, 영상의 데이터 양(해상도)는 상대적으로 적어도 된다. 따라서 내측의 결함과 수치검사를 동일한 라인 스캔 카메라(LSC)를 기반으로 하는 종래 비전 검사기에 비해 양자를 구분하여 촬영하고 분석하는 본 발명에 의한 비전 검사기의 검사속도가 더 빠르게 된다. 나아가 본 발명에 의하면 먼저 분석된 어느 하나의 영상에서 결함이 발견되는 경우 다른 영상을 분석할 필요 없이 바로 폐기할 수 있기 때문에 공정효율을 더욱 증대시킬 수 있게 된다.
ASC : 에리어 스캔 카메라
LSC : 라인 스캔 카메라
W : 웨이퍼

Claims (5)

  1. (A) 라인 스캔 카메라(LSC) 및 상기 라인 스캔 카메라(LSC)로부터 전송된 화상프레임 중에서 배경과 접한 소정 폭을 포함한 외부의 정보를 제외한 웨이퍼(W) 화상프레임만을 조합하여 2차원 영상을 합성하는 조합프로세서를 포함하는 제1카메라모듈;
    (B) 에리어 스캔 카메라(ASC), 상기 에리어 스캔 카메라(ASC)로부터 전송된 화상프레임중에서 배경과 접한 소정 폭의 정보만을 추출하는 추출프로세서를 포함하는 제2카메라모듈;로
    구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 웨이퍼(W)의 품질검사를 위한 비전 검사기의 카메라 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 라인 스캔 카메라(LSC)와 상기 에리어 스캔 카메라(ASC)는 웨이퍼(W)의 진행라인상에 직렬로 배치되는 것을 특징으로 하는 비전 검사기의 카메라 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 라인 스캔 카메라(LSC)와 상기 에리어 스캔 카메라(ASC)는 웨이퍼(W)의 이동면에 대하여 대칭으로 배치되는 것을 특징으로 하는 비전 검사기의 카메라 시스템.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에리어 스캔 카메라(ASC)는 고정되어 있고 그 셔터 속도는 웨이퍼(W) 이송속도의 1/1500~1/750인 것을 특징으로 하는 비전 검사기의 카메라 시스템.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에리어 스캔 카메라(ASC)는 웨이퍼(W)가 화각영역 내부에 들어왔을 때 웨이퍼(W) 이송속도와 동일한 속도로 동일한 방향으로 이동하였다가 복귀하는 이동수단에 장착되며, 동일방향으로 이동하는 중에 촬영되는 것을 특징으로 하는 비전 검사기의 카메라 시스템.
KR1020120021147A 2012-02-29 2012-02-29 태양전지 웨이퍼 비전 검사기의 카메라 시스템 KR20130099551A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120021147A KR20130099551A (ko) 2012-02-29 2012-02-29 태양전지 웨이퍼 비전 검사기의 카메라 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120021147A KR20130099551A (ko) 2012-02-29 2012-02-29 태양전지 웨이퍼 비전 검사기의 카메라 시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130099551A true KR20130099551A (ko) 2013-09-06

Family

ID=49450838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120021147A KR20130099551A (ko) 2012-02-29 2012-02-29 태양전지 웨이퍼 비전 검사기의 카메라 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130099551A (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104713584A (zh) * 2013-12-17 2015-06-17 致茂电子股份有限公司 用于光学检测装置的校正方法
CN104748856A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 致茂电子股份有限公司 光学检测装置
CN110018270A (zh) * 2018-01-08 2019-07-16 波音公司 测试电池
CN112466787A (zh) * 2020-11-25 2021-03-09 上海果纳半导体技术有限公司 晶圆缺陷检测设备
CN115383619A (zh) * 2021-05-06 2022-11-25 海太半导体（无锡）有限公司 一种半导体晶圆研磨设备的自动检测系统

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104713584A (zh) * 2013-12-17 2015-06-17 致茂电子股份有限公司 用于光学检测装置的校正方法
CN104713584B (zh) * 2013-12-17 2017-04-12 致茂电子股份有限公司 用于光学检测装置的校正方法
CN104748856A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 致茂电子股份有限公司 光学检测装置
CN110018270A (zh) * 2018-01-08 2019-07-16 波音公司 测试电池
CN110018270B (zh) * 2018-01-08 2022-08-30 波音公司 测试电池
CN112466787A (zh) * 2020-11-25 2021-03-09 上海果纳半导体技术有限公司 晶圆缺陷检测设备
CN115383619A (zh) * 2021-05-06 2022-11-25 海太半导体（无锡）有限公司 一种半导体晶圆研磨设备的自动检测系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI586963B (zh) 線性檢查系統
EP2316127B1 (en) Method and system for detecting micro-cracks in wafers
US8428337B2 (en) Apparatus for detecting micro-cracks in wafers and method therefor
CN110687119A (zh) 一种缺陷检测方法、系统与装置、计算机可读存储介质
US20140204383A1 (en) On-line, Continuous Monitoring in Solar Cell and Fuel Cell Manufacturing Using Spectral Reflectance Imaging
KR20130099551A (ko) 태양전지 웨이퍼 비전 검사기의 카메라 시스템
EP2198279B1 (en) Apparatus and method for detecting semiconductor substrate anomalies
SG188094A1 (en) High resolution edge inspection
TW201502498A (zh) 檢查系統
JP2011138969A (ja) 薄膜太陽電池モジュールの検査方法及び薄膜太陽電池モジュールの製造方法
EP2351073B1 (en) Apparatus for detecting micro-cracks in wafers
JP2015105930A (ja) 透光性基板の微小欠陥検査方法および透光性基板の微小欠陥検査装置
JP2007256272A (ja) 表面検査装置
CN112718555A (zh) 一种硅太阳能电池分选工序测试系统
JP2003270170A (ja) 液晶表示パネルの検査装置及び検査方法
CN101673784B (zh) 用于在生产过程期间产生晶片形元件的数字静止图片的方法及装置
Lu et al. AOI techniques for surface defect inspection
CN103247548B (zh) 一种晶圆缺陷检测装置及方法
TW201339572A (zh) 元件內部缺陷之檢測裝置及方法
KR20100122613A (ko) Ｘ선을 이용한 태양전지의 전극 검사 장치 및 방법
KR20130099539A (ko) 태양전지 웨이퍼 비전 검사기의 조명장치
CN201673124U (zh) 自动光学检测系统
JP2010212359A (ja) ウエハの検査方法、ウエハ検査装置および半導体集積回路装置の製造方法
CN215493243U (zh) 一种检测装置
CN117894702A (zh) 一种用于检测晶圆表面缺陷的设备和方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination