CN104440496A - 一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺 - Google Patents

一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN104440496A
CN104440496A CN201410625885.4A CN201410625885A CN104440496A CN 104440496 A CN104440496 A CN 104440496A CN 201410625885 A CN201410625885 A CN 201410625885A CN 104440496 A CN104440496 A CN 104440496A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cleaning
wafer
sapphire
sapphire wafer
ceramic disk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410625885.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104440496B (zh
Inventor
陆晶程
王禄宝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tunghsu Group Co Ltd
Original Assignee
JIANGSU JIXING NEW MATERIALS CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JIANGSU JIXING NEW MATERIALS CO Ltd filed Critical JIANGSU JIXING NEW MATERIALS CO Ltd
Priority to CN201410625885.4A priority Critical patent/CN104440496B/zh
Publication of CN104440496A publication Critical patent/CN104440496A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104440496B publication Critical patent/CN104440496B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B29/00—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
    • B24B29/02—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents designed for particular workpieces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明涉及一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺的为：贴片—配制体积含量5％清洗液—抛光机上轴压力：50kg，转速：40RPM—清洗10分钟—收取晶片—纯水冲洗—甩干—表面检测，利用抛光机将碱性清洗和刷洗相结合，从而达到与传统工艺清洗效果相同的品质要求，缩短了生产流程，增加了生产效率，在清洗剂和纯水的耗用上，有效的降低了耗用量，能够降低污水的排放量。

Description

一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺
技术领域
本发明涉及一种清洗工艺，具体涉及一种蓝宝石晶片的清洗工艺。
背景技术
在传统的蓝宝石清洗工艺中，首先需要经过碱性清洗剂清洗，其次通过刷洗去除表面颗粒脏污从而达到要求洁净度。在这个过程中主要有以下几点不足的地方：
1.设备的多样化：传统的清洗工艺需经过碱性清洗，刷洗；需要清洗机，刷洗机；
2.流程的繁琐：生产流程的复杂化，生产效率较低；
3.环境的污染和浪费：传统的清洗工艺，需要耗用大量的清洗剂和纯水，在排放过程中，对环境的污染较严重。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，利用抛光机将碱性清洗和刷洗相结合，从而达到与传统工艺清洗效果相同的品质要求。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺为：
(1)将陶瓷盘全部浸泡入水中，将需清洗的蓝宝石晶片贴入与陶瓷盘相互固定的无蜡抛光垫的晶片固定槽中，使蓝宝石晶片需清洗面裸露在外；
(2)将经步骤(1)浸泡后的陶瓷盘放入固定在抛光机的下盘面上的陶瓷盘卡板内，使陶瓷盘贴有蓝宝石晶片的一面与下盘面相接触，再将抛光机的上盘面通过压力轴压合陶瓷盘卡板上，使陶瓷盘卡入上盘面里，所述压力轴的压力为50～100kg；
(3)将碱性晶片清洗剂与水混合为清洗液，将清洗液加入抛光机循环缸中，清洗液循环使用，每清洗1500～2000片蓝宝石晶片更换一次清洗液，其中，碱性晶片清洗剂的体积体积浓度百分比为5％-10％；
(4)启动抛光机，向下盘面通入清洗液，使下盘面转动，下盘面带动上盘面进行转动，对蓝宝石晶片进行清洗，下盘面转速为30～40RPM，转动7～10分钟；
(5)清洗结束后，将陶瓷盘取下放入纯水中，收取蓝宝石晶片；
(6)对收取的蓝宝石晶片使用纯水进行喷淋3～5分钟，去除表面的清洗剂残留，甩干去除表面残留水分，即可得清洗干净的蓝宝石晶片。
上述一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其中，所述碱性晶片清洗剂的HP值为10.1—10.6。
上述一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其中，所述无蜡抛光垫每清洗8000～10000片蓝宝石晶片更换一次。
本发明将抛光机应用于蓝宝石晶片的清洗，缩短了生产流程，增加了生产效率，在清洗剂和纯水的耗用上，有效的降低了耗用量，能够降低污水的排放量。
附图说明
图1为本发明实例一清洗后能够达到传统工艺清洗后的效果。
图2为本发明清洗工装剖视图。
图3为本发明无蜡抛光盘结构图。
图4本发明清洗工装俯视图。
具体实施方式
本发明蓝宝石晶片的清洗工艺是基于抛光机的清洗工装，所述清洗工装包括陶瓷盘1、无蜡抛光垫2、上盘面3、下盘面4、陶瓷盘卡板5和压力轴6，所述无蜡抛光垫2的直径与陶瓷盘相同，无蜡抛光垫2上表面周向设有若干晶片固定槽7，晶片固定槽7的深度小于蓝宝石晶片12的厚度，晶片固定槽7内粘附一层绒布8，无蜡抛光垫2下表面通过背胶与陶瓷盘1固定成一体；
所述陶瓷盘卡板5为空心的圆环形结构，陶瓷盘1的数量为4个，均匀的设置在下盘面4的上表面上，所述下盘面4的下表面上粘贴一层阻尼布9，所述陶瓷盘1固定在陶瓷盘卡板5中，使贴有蓝宝石晶片12的一面与下盘面4相接触，所述压力轴6上设有压力盘10，上盘面3固定在压力盘10上，并通过压力轴6压合在陶瓷盘1上；
所述下盘面4上设有清洗液导流管11，清洗液从导流管11中流入下盘面4，在下盘面4转动过程中，清洗液会分散到整个下盘面4。
实例一
一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺为：
(1)将陶瓷盘全部浸泡入水中，将需清洗的2寸蓝宝石晶片贴入与陶瓷盘相互固定的无蜡抛光垫的晶片固定槽中，使2寸蓝宝石晶片需清洗面裸露在外，所述无蜡抛光垫每清洗8000片蓝宝石晶片更换一次；
(2)将经步骤(1)浸泡后的陶瓷盘放入固定在抛光机的下盘面上的陶瓷盘卡板内，使陶瓷盘贴有2寸蓝宝石晶片的一面与下盘面相接触，再将抛光机的上盘面通过压力轴压合陶瓷盘卡板上，使陶瓷盘卡入上盘面里，所述压力轴的压力为50kg；
(3)将碱性晶片清洗剂与水混合为清洗液，将清洗液加入抛光机循环缸中，清洗液循环使用，每清洗1600片蓝宝石晶片更换一次清洗液，其中，碱性晶片清洗剂的体积体积浓度百分比为5％，所述碱性晶片清洗剂的HP值为10.5；
(4)启动抛光机，向下盘面通入清洗液，使下盘面转动，下盘面带动上盘面进行转动，对2寸蓝宝石晶片进行清洗，下盘面转速为40RPM，转动10分钟；
(5)清洗结束后，将陶瓷盘取下放入纯水中，收取2寸蓝宝石晶片；
(6)对收取的蓝宝石晶片使用纯水进行喷淋5分钟，去除表面的清洗剂残留，甩干去除表面残留水分，即可得清洗干净的2寸蓝宝石晶片。
实例二
一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺为：
(1)将陶瓷盘全部浸泡入水中，将需清洗的2寸蓝宝石晶片贴入与陶瓷盘相互固定的无蜡抛光垫的晶片固定槽中，使2寸蓝宝石晶片需清洗面裸露在外，所述无蜡抛光垫每清洗8000片蓝宝石晶片更换一次；
(2)将经步骤(1)浸泡后的陶瓷盘放入固定在抛光机的下盘面上的陶瓷盘卡板内，使陶瓷盘贴有2寸蓝宝石晶片的一面与下盘面相接触，再将抛光机的上盘面通过压力轴压合陶瓷盘卡板上，使陶瓷盘卡入上盘面里，所述压力轴的压力为80kg；
(3)将碱性晶片清洗剂与水混合为清洗液，将清洗液加入抛光机循环缸中，清洗液循环使用，每清洗1400片蓝宝石晶片更换一次清洗液，其中，碱性晶片清洗剂的体积体积浓度百分比为10％，所述碱性晶片清洗剂的HP值为10.5；
(4)启动抛光机，向下盘面通入清洗液，使下盘面转动，下盘面带动上盘面进行转动，对2寸蓝宝石晶片进行清洗，下盘面转速为35RPM，转动8分钟；
(5)清洗结束后，将陶瓷盘取下放入纯水中，收取2寸蓝宝石晶片；
(6)对收取的蓝宝石晶片使用纯水进行喷淋4分钟，去除表面的清洗剂残留，甩干去除表面残留水分，即可得清洗干净的2寸蓝宝石晶片。
在实例2的工艺流程中，一共清洗3000片蓝宝石晶片，相关数据分析如下：
由上述实验可得到，在清洗蓝宝石晶片到2000片以上，清洗液开始逐渐失效，会导致清洗不干净，因此，每清洗1500～2000片蓝宝石晶片更换一次清洗液。
将本发明清洗工艺与传统工艺的结果进行对比，对比数据如下：
对比项目 新型清洗工艺 传统清洗工艺
清洗后5um以上脏污颗粒 35 34
每升清洗剂清洗片数 1330 1200
单片耗时(分钟/片) 0.2 0.45
每升纯水清洗片数 17.6 9.8
从上述数据分析看，此发明的新型清洗工艺，相比传统的清洗工艺，有如下几点优势：
1.在品质上，能够达到传统工艺的清洗效果；
2.在时间效率上，相比较传统工艺，缩短了生产流程，增加了生产效率；
3.在设备使用上，能够取代传统工艺上的清洗机和刷洗机；
4.在清洗剂和纯水的耗用上，有效的降低了耗用量，能够降低污水的排放量。
这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中，因此，本发明不受本实施例的限制，任何采用等效替换取得的技术方案均在本发明保护的范围内。

Claims (3)

1.一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺为：
（1）将陶瓷盘全部浸泡入水中，将需清洗的蓝宝石晶片贴入与陶瓷盘相互固定的无蜡抛光垫的晶片固定槽中，使蓝宝石晶片需清洗面裸露在外；
（2）将经步骤（1）浸泡后的陶瓷盘放入固定在抛光机的下盘面上的陶瓷盘卡板内，使陶瓷盘贴有蓝宝石晶片的一面与下盘面相接触，再将抛光机的上盘面通过压力轴压合陶瓷盘卡板上，使陶瓷盘卡入上盘面里，所述压力轴的压力为50 ~100kg；
（3）将碱性晶片清洗剂与水混合为清洗液，将清洗液加入抛光机循环缸中，清洗液循环使用，每清洗1500~2000片蓝宝石晶片更换一次清洗液，其中，碱性晶片清洗剂的体积体积浓度百分比为5%-10%；
（4）启动抛光机，向下盘面通入清洗液，使下盘面转动，下盘面带动上盘面进行转动，对蓝宝石晶片进行清洗，下盘面转速为30~40RPM，转动7 ~ 10分钟；
（5）清洗结束后，将陶瓷盘取下放入纯水中，收取蓝宝石晶片；
（6）对收取的蓝宝石晶片使用纯水进行喷淋3 ~ 5分钟，去除表面的清洗剂残留，甩干去除表面残留水分，即可得清洗干净的蓝宝石晶片。
2.如权利要求1所述的一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其特征为，所述碱性晶片清洗剂的HP值为10.1—10.6。
3.如权利要求1所述的一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其特征为，所述无蜡抛光垫每清洗8000 ~ 10000片蓝宝石晶片更换一次。
CN201410625885.4A 2014-11-07 2014-11-07 一种蓝宝石晶片的清洗工艺 Active CN104440496B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410625885.4A CN104440496B (zh) 2014-11-07 2014-11-07 一种蓝宝石晶片的清洗工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410625885.4A CN104440496B (zh) 2014-11-07 2014-11-07 一种蓝宝石晶片的清洗工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104440496A true CN104440496A (zh) 2015-03-25
CN104440496B CN104440496B (zh) 2017-04-05

Family

ID=52887657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410625885.4A Active CN104440496B (zh) 2014-11-07 2014-11-07 一种蓝宝石晶片的清洗工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104440496B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105344658A (zh) * 2015-12-03 2016-02-24 江苏吉星新材料有限公司 一种陶瓷盘清洗装置及其清洗方法
CN109365391A (zh) * 2018-10-10 2019-02-22 中国电子科技集团公司第十研究所 一种对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗方法
CN109849204A (zh) * 2019-01-25 2019-06-07 云南蓝晶科技有限公司 一种蓝宝石晶片的倒边加工方法
CN111185433A (zh) * 2020-01-14 2020-05-22 江苏京晶光电科技有限公司 可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺
CN113199397A (zh) * 2021-05-18 2021-08-03 南通大学 一种氮化镓单晶片固定装置及抛光方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101459040A (zh) * 2007-12-13 2009-06-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cmp工艺中清除晶圆表面污染物粒子的方法
JP2010262985A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 粗面化された基板の製造方法
CN101894735A (zh) * 2009-05-19 2010-11-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械研磨后残留物的去除方法
CN101912855A (zh) * 2010-07-21 2010-12-15 河北工业大学 蓝宝石衬底材料抛光后表面洁净方法
CN103521474A (zh) * 2013-08-20 2014-01-22 曾锡强 一种以抛代洗的蓝宝石衬底晶片表面洁净方法
CN103639141A (zh) * 2013-11-26 2014-03-19 浙江上城科技有限公司 一种蓝宝石触摸面板的清洗方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101459040A (zh) * 2007-12-13 2009-06-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cmp工艺中清除晶圆表面污染物粒子的方法
JP2010262985A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 粗面化された基板の製造方法
CN101894735A (zh) * 2009-05-19 2010-11-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械研磨后残留物的去除方法
CN101912855A (zh) * 2010-07-21 2010-12-15 河北工业大学 蓝宝石衬底材料抛光后表面洁净方法
CN103521474A (zh) * 2013-08-20 2014-01-22 曾锡强 一种以抛代洗的蓝宝石衬底晶片表面洁净方法
CN103639141A (zh) * 2013-11-26 2014-03-19 浙江上城科技有限公司 一种蓝宝石触摸面板的清洗方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105344658A (zh) * 2015-12-03 2016-02-24 江苏吉星新材料有限公司 一种陶瓷盘清洗装置及其清洗方法
CN109365391A (zh) * 2018-10-10 2019-02-22 中国电子科技集团公司第十研究所 一种对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗方法
CN109849204A (zh) * 2019-01-25 2019-06-07 云南蓝晶科技有限公司 一种蓝宝石晶片的倒边加工方法
CN109849204B (zh) * 2019-01-25 2021-05-18 云南蓝晶科技有限公司 一种蓝宝石晶片的倒边加工方法
CN111185433A (zh) * 2020-01-14 2020-05-22 江苏京晶光电科技有限公司 可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺
CN111185433B (zh) * 2020-01-14 2020-12-29 江苏京晶光电科技有限公司 可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺
CN113199397A (zh) * 2021-05-18 2021-08-03 南通大学 一种氮化镓单晶片固定装置及抛光方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104440496B (zh) 2017-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104440496A (zh) 一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺
CN102310065B (zh) 抛光后的磁盘清洁处理
CN207103298U (zh) 一种金刚石分层振动清洗装置
CN204159598U (zh) 一种有蜡陶瓷盘的自动清洗装置
CN104385120A (zh) 聚氨酯抛光垫的制备方法
CN103658096A (zh) 一种金刚线切割硅片的清洗方法
CN1967788A (zh) 钨cmp后的清洗方法
CN109148265A (zh) 一种太阳能多晶rie制备黑硅前的清洗工艺
CN103878148A (zh) 一种对晶圆表面硅晶渣进行清洗的方法
CN103646851A (zh) 一种减少单晶硅晶圆片划道的抛光工艺
CN201894999U (zh) 一种清洗装置
CN105655240A (zh) 一种蓝宝石晶片的加工方法
CN102615589B (zh) 一种使用抛光盘接引盘的抛光系统和方法
SG142146A1 (en) Apparatus and methods to clean copper contamination on wafer edge
CN202174074U (zh) 一种研磨盘清洗用刷轮
CN207353272U (zh) 一种赶水装置及制绒机
CN102489478A (zh) 一种硅片清洗方法
CN210936101U (zh) 一种导电玻璃自动清洗器
CN106695510A (zh) 一种自动磨削抛光铣床
CN108095640A (zh) 擦刷一体式扫地机器人
CN210819122U (zh) 一种气缸加压式环刀型修盘器
CN202825548U (zh) 研磨垫调整器清洗装置及化学机械研磨装置
CN104157546A (zh) 一种掩膜板的清洗方法
CN103659468A (zh) 一种减少单晶硅晶圆抛光片化学灼伤的有蜡抛光方法
JP5919592B1 (ja) 研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20150325

Assignee: Zhejiang Zhaojing New Material Technology Co.,Ltd.

Assignor: JIANGSU JESHINE NEW MATERIAL Co.,Ltd.

Contract record no.: X2022980008188

Denomination of invention: A cleaning process of sapphire chip

Granted publication date: 20170405

License type: Common License

Record date: 20220627

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230104

Address after: 100102 20628, Floor 2, Building A1, No. 1, Huangchang West Road, Dougezhuang, Chaoyang District, Beijing

Patentee after: Youran Walker (Beijing) Technology Co.,Ltd.

Address before: 212200 new materials Industrial Park, Youfang Town, Yangzhong City, Zhenjiang City, Jiangsu Province

Patentee before: JIANGSU JESHINE NEW MATERIAL Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230621

Address after: 050035 No. 369, Zhujiang Avenue, high tech Zone, Shijiazhuang, Hebei

Patentee after: TUNGHSU GROUP Co.,Ltd.

Address before: 100102 20628, Floor 2, Building A1, No. 1, Huangchang West Road, Dougezhuang, Chaoyang District, Beijing

Patentee before: Youran Walker (Beijing) Technology Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right