CN104425406B - 功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法。该功率半导体装置具有功率半导体模块和冷却体，冷却体具有第一和第二冷却壳体构件，第一冷却壳体构件具有穿透过该第一冷却壳体构件的缺口，冷却板布置在缺口中，第一和第二冷却壳体构件具有的形状和相互之间的布置使得在冷却板的背离功率半导体器件的侧上构造出空腔，冷却板借助围绕该冷却板的第一焊缝与第一冷却壳体构件连接，第一焊缝使冷却板相对于第一冷却壳体构件密封，第二冷却壳体构件与第一冷却壳体构件连接。本发明提供的功率半导体装置具有从功率半导体器件到功率半导体装置的能被液体流过的冷却体的良好的热传导，并且在功率半导体装置中冷却体是长期且稳定地密封的。

Description

功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法
技术领域
本发明涉及一种功率半导体装置。此外，本发明还涉及一种用于制造功率半导体装置的方法。
背景技术
在现有技术已知的功率半导体装置中，一般情况下在基底上都布置有功率半导体器件，如例如功率半导体开关和二极管，并且这些功率半导体器件借助基底的导体层以及键合线和/或复合薄膜彼此导电连接。功率半导体开关在此通常以晶体管，如例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)，或MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效晶体管)的形式存在。
布置在基底上的功率半导体元件在此经常在电学上与单个或多个所谓的半桥电路互连，这些半桥电路例如用于对电压和电流的整流和逆变。
在功率半导体装置运行时，在功率半导体器件上出现电损耗，其导致功率半导体器件的加温。为了冷却功率半导体器件，技术上常见的功率半导体装置常常具有被冷却液体流过的冷却体，该冷却体导热地耦联到功率半导体器件上。
由DE 10 2010 043 446 B3公知，设置了一种被冷却液体流过的且具有缺口的冷却体，并且具有功率半导体器件的功率半导体模块的冷却板布置到这些缺口中。由此实现了从功率半导体器件到冷却液体的良好的热输出。在这里不利的是，冷却板必须长期且可靠地相对于冷却体密封，以便经过功率半导体装置的通常设置得很长的使用期仍可靠地防止冷却液体溢出。
发明内容
本发明的任务在于，提供一种功率半导体装置，其具有从功率半导体器件到功率半导体装置的能被液体流过的冷却体的良好的热传导，并且在功率半导体装置中冷却体是长期且可靠地密封的。
该任务通过一种具有功率半导体模块和能被液体流过的冷却体的功率半导体装置来解决，其中，功率半导体模块具有功率半导体器件，这些功率半导体器件均布置在导电的迹线(Leiterbahn)上，其中，功率半导体模块具有不导电的绝缘层和冷却板，其中，绝缘层布置在迹线与冷却板之间，其中，冷却体具有第一冷却壳体构件和第二冷却壳体构件，第一冷却壳体构件具有穿透过该第一冷却壳体构件的缺口，其中，冷却板布置在缺口中，其中，第一和第二冷却壳体构件具有的形状和相互之间的布置使得在冷却板的背离功率半导体器件的侧上构造出空腔，其中，冷却板借助围绕冷却板的第一焊缝与第一冷却壳体构件连接，其中，第一焊缝使冷却板相对于第一冷却壳体构件密封，其中，第二冷却壳体构件与第一冷却壳体构件连接。
此外，该任务还通过一种用于制造功率半导体装置的方法来解决，其具有如下步骤：
a)提供功率半导体模块、功率半导体器件，这些功率半导体器件均布置在导电的迹线上，其中，功率半导体模块具有不导电的绝缘层和冷却板，其中，绝缘层布置在迹线与冷却板之间；并且提供第一冷却壳体构件，其具有穿透过该第一冷却壳体构件的缺口；并且提供第二冷却壳体构件，
b)将冷却板布置在第一冷却壳体构件的缺口中，
c)将冷却板与第一冷却壳体构件焊接，使得生成围绕冷却板的第一焊缝，第一焊缝使冷却板相对于第一冷却壳体构件密封，其中，在冷却板的背离功率半导体器件的侧上进行对冷却板与第一冷却壳体构件的焊接，
d)将第二冷却壳体构件相对第一冷却壳体构件布置，其中，第二冷却壳体构件相对第一冷却壳体构件的布置及第一和第二冷却壳体构件具有的形状使得在冷却板的背离功率半导体器件的侧上构造出空腔，
e)将第二冷却壳体构件与第一冷却壳体构件连接。
与功率半导体装置的构造方案相类似地得出该方法的有利的构造方案，并且反之亦然。
本发明的有利的构造方案将在下文中进行描述。
被证实为有利的是，第一焊缝将冷却板的侧向侧面与第一冷却壳体构件的限定出缺口的侧向侧面连接起来。由此确保了冷却体的可靠密封。
此外，被证实为有利的是，第一焊缝布置在空腔侧。要指出的是，在本发明的意义中，布置在空腔侧的焊缝被理解为从空腔那侧实施的焊缝。这具有显著的优势，即，在焊接第一焊缝时所需的大量的热输入在冷却板的背离功率半导体器件的侧上并因此不在功率半导体器件那侧上进行，这样就可靠地避免了在焊接第一焊缝时对敏感的功率半导体器件的损害。此外，冷却板还针对在焊接时可能脱落的液体材料对功率半导体开关和迹线起到保护作用。冷却板可靠地在空间上将焊接过程与功率半导体器件和迹线隔离。
此外被证实为有利的是，第一焊缝布置在冷却体的朝向功率半导体器件的第一外侧上。要指出的是，在本发明的意义中，布置在冷却体的朝向功率半导体器件的第一外侧上的焊缝被理解为从冷却体的朝向功率半导体器件的第一外侧那侧实施的焊缝。在此情况下不在空间上提供对焊接过程与功率半导体开关和迹线的隔离。为此，即使在第二冷却壳体构件与第一冷却壳体构件连接之后也还可以进行第一焊缝的焊接，这样就能够使功率半导体装置的制造具有高度灵活性。
此外被证实为有利的是，第一冷却壳体构件的限定出缺口的侧向侧面的区段具有与冷却板的侧向侧面的区段相对应的形状。由此能够使冷却板在第一冷却壳体构件中的布置变得轻巧而精确，这样就能够使对冷却板以及与第一冷却壳体构件的焊接变得精确。
进而被证实为有利的是，冷却板的侧向侧面的区段具有到冷却板的朝向功率半导体器件的主面的91°至115°或89°至65°的角度，而第一冷却壳体构件的限定出缺口的侧向侧面的区段到冷却板的朝向功率半导体器件的主面具有等于冷却板的侧向侧面的区段到冷却板的朝向功率半导体器件的主面的角度的角度。由此能够使冷却板在第一冷却壳体构件上的布置变得轻巧而精确，这样就能够使对冷却板以及与第一冷却壳体构件的焊接变得非常精确。
此外被证实为有利的是，冷却板具有伸入到空腔中的冷却叶片(Kühlfinne)和/或冷却针(Kühlpins)。由此实现了从冷却板到流过冷却体的液体的良好的热传递。
此外被证实为有利的是，第一焊缝构造为激光焊缝、电子束焊缝或搅拌摩擦焊缝。由此实现了冷却板与第一冷却壳体构件的可靠而精确的连接。
此外被证实为有利的是，第二冷却壳体构件借助围绕第二冷却壳体构件的第二焊缝与第一冷却壳体构件连接，其中，第二焊缝使第二冷却壳体构件相对于第一冷却壳体构件密封。由此实现了第二冷却壳体构件与第一冷却壳体构件的可靠的连接。
进而被证实为有利的是，第一冷却壳体构件从侧向上包围第二冷却壳体构件，其中，第二焊缝将第二冷却壳体构件的侧向侧面与第一冷却壳体构件的内置侧向侧面连接起来。由此实现了第二冷却壳体构件与第一冷却壳体构件可靠的连接。
进而被证实为有利的是，第二焊缝布置在冷却体的背离功率半导体器件的第二外侧上。要指出的是，在本发明的意义中，布置在冷却体的背离功率半导体器件的第二外侧上的焊缝被理解为在冷却体的背离功率半导体器件的第二外侧那侧实施的焊缝。由此能够使第一和第二冷却体从外部的焊接变得简单。
此外被证实为有利的是，第二冷却壳体构件具有离第一冷却壳体构件而去地突起的腹部，其中，第二焊缝将第二冷却壳体构件的侧向侧面与第一冷却壳体构件的背离功率半导体器件的第一主面连接起来。由此实现了第二冷却壳体构件与第一冷却壳体构件的可靠的连接。
此外被证实为有利的是，第二焊缝构造为激光焊缝、电子束焊缝或搅拌摩擦焊缝。由此实现了第二冷却壳体构件与第一冷却壳体构件的可靠而精确的连接。
此外被证实为有利的是，冷却板的邻接第一焊缝的侧面区域和第一冷却壳体构件的邻接第一焊缝的侧面区域相互齐平地布置。由此实现了冷却板与第一冷却壳体构件的特别可靠而精确的连接。冷却板的邻接第一焊缝的侧面区域和第一冷却壳体构件的邻接第一焊缝的侧面区域优选与绝缘层相平行地延展。
附图说明
本发明的实施例在附图中示出，并在下文中进一步阐明。附图中：
图1示出根据本发明的功率半导体装置的立体的前视图，
图2示出根据本发明的功率半导体装置的截面视图，
图3示出第一冷却壳体构件的立体的后视图，冷却板焊接到该第一冷却壳体构件中，
图4示出根据本发明的功率半导体装置的立体的后视图，
图5示出在还未装配的状态下的根据本发明的功率半导体装置的立体的前视图，
图6示出根据本发明的功率半导体装置的构造变体的截面视图，
图7示出另一根据本发明的功率半导体装置的立体的前视图，
图8示出另一根据本发明的功率半导体装置的截面视图，
图9示出第一冷却壳体构件的立体的后视图，冷却板焊接到该第一冷却壳体构件中，
图10示出另一根据本发明的功率半导体装置的立体的后视图，
图11示出在还未装配的状态下的根据本发明的功率半导体装置的立体的前视图。
具体实施方式
在图1、图2和图4中示出了根据本发明的功率半导体装置1，其中，在图2以及其余的截面视图中仅示出了对于理解本发明有实质意义的功率半导体装置1的元件。在图3中示出了第一冷却壳体构件4的立体的后视图，冷却板5焊接到第一冷却壳体构件中。在图5中示出了在还未装配的状态下的根据本发明的功率半导体装置1的立体的前视图。根据本发明的功率半导体装置具有至少一个功率半导体模块3，其中，根据本发明的功率半导体装置可以具有数个功率半导体模块3，而在该实施例中具有三个功率半导体模块3。相应的功率半导体模块3均具有功率半导体器件9，这些功率半导体器件布置在导电的迹线13上。迹线13由导电的且结构化的第一导电层31构造而成。功率半导体器件9与迹线13，优选经由钎焊层或烧结金属层来导电连接。相应的功率半导体器件优选以功率半导体开关或二极管的形式存在。功率半导体开关在此优选以晶体管，像例如IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，或MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管)的形式存在。相应的功率半导体模块3优选具有第一直流电压载荷电流联接元件DC+和第二直流电压载荷电流联接元件DC-和交流电压载荷联接元件AC，它们均与第一导电层31优选经由钎焊层或烧结金属层来导电连接。在所示出的实施例的范围内，相应的功率半导体模块3由在直流电压载荷电流接口DC+与DC-之间供应的直流电压在交流电压载荷电流接口AC上产生交流电压。此外，相应的功率半导体模块3在该实施例的范围内具有控制联接元件S，这些控制联接元件与功率半导体模块3的功率半导体开关的控制接口导电连接。
此外，相应的功率半导体模块3均具有不导电的绝缘层6和冷却板5，其中，绝缘层6布置在迹线13与冷却板5之间。迹线13与绝缘层6连接。在本实施例的范围内，在绝缘层6与冷却板5之间布置有导电的、优选未经结构化的第二导电层8，该第二导电层与绝缘层6连接。绝缘层6优选以陶瓷体的形式存在。第一和第二导电层31和8以及绝缘层6优选一起由直接覆铜基底(Direct Copper Bonded Substrat，DCB基底)构造而成。
在此处要指出的是，第一和第二导电层可以由单层或者也可以由多个上下叠加的层组成。因此，第一和第二导电层例如可以具有铜层，这些铜层具有单个或多个上下叠加的、例如由贵金属(例如银)或由贵金属化合物制成的覆层，这些覆层可以用作增附剂涂层和/或保护层。
冷却板5优选由铝(例如Al 99.5)组成，并且可以在它的朝向功率半导体器件9的侧C上以单个的或多个上下叠加的层进行涂覆，这些层例如可以用作增附剂涂层和/或保护层，和/或可以用于降低在绝缘层6与冷却板5之间当产生温度变化时由于绝缘层6和冷却板5的不同的热膨胀系数而可能会出现的机械的应力。在该实施例的范围内，冷却板5在它的朝向功率半导体器件5的侧C上以铜层12进行涂覆，该铜层可以再例如以覆层，特别是贵金属覆层(例如银)进行涂覆。铜层12布置在冷却板5与绝缘层6之间，并且尤其是在冷却板5与第二导电层8之间。第二导电层8与冷却板5优选经由钎焊层或烧结金属层直接地或(假如冷却板在它的朝向功率半导体器件的侧上以单层或多个上下叠加的层进行涂覆时)间接地连接。
为了概览，在图2中没有示出钎焊层和烧结金属层。此外要指出的是，层的厚度和功率半导体器件的厚度并不按照比例示出。
此处要指出的是，冷却板也可以以绝缘金属基材(Insulated Metal Substrat，IMS)的铝材体的形式存在。
冷却板5优选在它的背离功率半导体器件9的侧D上具有冷却叶片或冷却针19。
此外，功率半导体装置1具有能被液体流过的冷却体2，该冷却体具有第一冷却壳体构件4和第二冷却壳体构件7。第一冷却壳体构件4为相应的功率半导体模块3具有穿透过该第一冷却壳体构件4的相应的缺口25(见图5)，其中，相应的功率半导体模块3的冷却板5均布置在相应的缺口25中。相应的冷却板5的一部分在此可以从相应的缺口25中探伸出来。相应的冷却板5封闭了相应的缺口25。第一和第二冷却壳体构件4和7具有的形状和相互之间的布置使得在冷却板的背离功率半导体器件9的侧D上构造出空腔18。第二冷却壳体构件7与第一冷却壳体构件4连接。液体以液体流过空腔18的方式流过冷却体2。冷却板5的热量被传递到液体并被液体输送走。
下面，结合功率半导体模块3中的一个对功率半导体模块3的布置方案和功率半导体模块3与第一冷却壳体构件4的连接方案进行描述，其中，其它的功率半导体模块3均以类似的方式进行布置并且与第一冷却壳体构件4连接。
功率半导体模块3的冷却板5借助围绕冷却板5的第一焊缝17与第一冷却壳体构件4连接，其中，第一焊缝17使冷却板5相对于第一冷却壳体构件4密封。第一焊缝17闭合地围绕冷却板5延展。
第一焊缝17在此优选将冷却板5的侧向侧面15与第一冷却壳体构件4的限定出缺口25的侧向侧面16连接起来。
第一焊缝17优选仅布置在空腔侧，也就是说，仅布置在空腔18那侧上。第一焊缝17优选仅布置在冷却板5的背离功率半导体器件的侧D上。如此，使得第一焊缝17并不完全从空腔18的侧延展贯穿至冷却体2的朝向功率半导体器件9的第一外侧A。这具有如下的显著的优势，即，在焊接第一焊缝17时所需的大量的热输入在冷却板5的背离功率半导体器件9的侧D上并因此不在功率半导体器件9的侧上进行，这样就可靠地避免了在焊接第一焊缝时对敏感的功率半导体器件9的损害。冷却板5针对在焊接时可能脱落的液体材料对功率半导体开关9和迹线13起到保护作用。因此，冷却板5可靠地在空间上将焊接过程与功率半导体器件和迹线隔离。此外，在将第一焊缝布置在空腔侧的情况下还确保了在冷却板与第一冷却壳体构件之间不留有使得来自空腔18的液体能够渗入到其中的空隙，这是因为这些液体停留在空隙中会导致对冷却板和第一冷却壳体构件的腐蚀。
如图6所示，作为对此的替选，第一焊缝17也可以仅布置在冷却体2的朝向功率半导体器件的第一外侧A上。在此情况下，第一焊缝17仅布置在冷却板5的朝向功率半导体器件9的侧C上。如此，使得焊缝17并不完全从冷却体2的朝向功率半导体器件9的第一外侧A延展贯穿至空腔18的侧。在此情况下，不在空间上提供对焊接过程与功率半导体开关9和迹线13的隔离。为此，即使在第二冷却壳体构件7与第一冷却壳体4连接之后也还可以进行第一焊缝的焊接，这样就能够使功率半导体装置1的制造具有高度灵活性。
第一冷却壳体构件4的限定出缺口25的侧向侧面16的区段16a具有与冷却板5的侧向侧面15的区段15a相对应的形状。为此，冷却板5的侧向侧面15的区段15a优选具有到冷却板5的朝向功率半导体器件9的主面14的91°至115°或89°至65°的角度α，而第一冷却壳体构件4的限定出缺口25的侧向侧面16的区段16a到冷却板5朝向功率半导体器件9的主面14具有角度β，该角度β等于冷却板5的侧向侧面15的区段15a到冷却板5的朝向功率半导体器件9的主面14的角度α。在冷却板5的侧向侧面15的区段15a与第一冷却壳体构件4的限定出缺口25的侧向侧面16的区段16a之间优选构造有空隙。
作为对此的替选，冷却板的侧向侧面的区段还可以具有第一阶梯形的形状，而第一冷却壳体构件的限定出缺口的侧向侧面具有与第一阶梯形的形状相对应的第二阶梯形的形状。
对第一焊缝17的焊接优选借助激光实现，从而使第一焊缝17优选构造为激光焊缝。替选地，对第一焊缝17的焊接例如也可以借助电子束焊接实现，从而使第一焊缝17可以构造为电子束焊缝。此外，替选地，对第一焊缝17的焊接例如还可以借助搅拌摩擦焊接实现，从而使第一焊缝17可以构造为搅拌摩擦焊缝。当然，用其它焊接方法来构造出第一焊缝也是可以的。
冷却板5优选具有伸入到空腔18中的冷却叶片和/或冷却针19。
优选地，第二冷却壳体构件7借助围绕第二冷却壳体构件7的第二焊缝22与第一冷却壳体构件4连接，其中，第二焊缝22使第二冷却壳体构件7相对于第一冷却壳体构件4密封。第二焊缝22闭合地围绕第二冷却壳体构件7延展。
在该实施例的范围内，根据图1至图6，第一冷却壳体构件4从侧向上包围第二冷却壳体构件7，其中，第二焊缝22将第二冷却壳体构件7的侧向侧面20与第一冷却壳体构件4的内置的侧向侧面21连接起来。第一冷却壳体构件4构造出冷却体2的侧向外壁。第二焊缝22布置在冷却体2的背离功率半导体器件9的第二外侧B上。如此，使得第二焊缝22布置在冷却体的与在该冷却体的朝向功率半导体器件9的第一外侧A相对置的第二外侧B上。
对第二焊缝的焊接优选借助激光实现，从而使第二焊缝22优选构造为激光焊缝。替选地，对第二焊缝22的焊接例如也可以借助电子束焊接实现，从而使第二焊缝22可以构造为电子束焊缝。此外，替选地，对第二焊缝22的焊接例如还可以借助搅拌摩擦焊接实现，从而使第二焊缝22可以构造为搅拌摩擦焊缝。当然，用其它焊接方法来构造出第二焊缝也是可以的。
第二冷却壳体构件7优选在它的背离功率半导体器件9的侧上具有冷却叶片和/或冷却针24。
此外，冷却体2优选具有液体送流输入口10a和与液体入流输入口10a对准地布置的液体送流输出口10b，以及液体回流输入口11a和与液体回流输入口11a对准地布置的液体回流输出口11b。在功率半导体装置1运行时，用于冷却功率半导体器件9的液体(例如水)流入到冷却体2的液体送流输入口10a中。液体的一部分通过液体送流输出口10b再从冷却体2流出，而另一部分流过冷却体2并且尤其流过空腔18，并且在液体回流输出口11b处从冷却体2中流出。液体流入到空腔18中或从其中流出都经由通道实现，其中，在图3中仅能看到通道23。液体送流输入口10a、液体送流输出口10b、液体回流输入口11a、液体回流输出口11b的布置方案允许了多个冷却体2或多个根据本发明的功率半导体装置1一个接一个地布置到功率半导体装置系统，其中，冷却体的相应的所属的液体开口彼此连接。
在图7、图8、图10中示出了根据本发明的另一功率半导体装置1'，其中，在图8中仅示出了对于理解本发明有实质意义的功率半导体装置1'的元件。在图9中示出了第一冷却壳体构件4'的立体的后视图。在图11中示出了在还未装配的状态下的功率半导体装置1'。功率半导体装置1'在此与功率半导体装置1相类似地构建，其中，第一和第二冷却壳体构件4'和7'相对于第一和第二冷却壳体构件4和7经修改地构造而成。在此，相同的元件在图7至图11中像图1至图6那样配设有相同的附图标记。在功率半导体装置1'中，第二冷却壳体构件7'具有离第一冷却壳体构件4'而去地突起的腹部28，其中，第二焊缝22'将第二冷却构件7'的侧向侧面20与第一冷却构件4'的背离功率半导体器件9的第一主面29连接起来。第一冷却壳体构件4'没有从侧向上包围第二冷却壳体构件7'。第二冷却壳体构件7'在离功率半导体器件9而去的方向上设置在第一冷却壳体构件4'的旁边。
在此要指出的是，第一冷却壳体构件优选由铝(例如Al 99.5)或者优选由铝合金，像例如AlSi10Mg-F或AlMg4.5Mn组成。此外要指出的是，第二冷却壳体构件优选由铝(例如Al 99.5)或优选由铝合金，像例如AlSi10Mg-F或AlMg4.5Mn组成。优选地，铝和铝合金应当在相应的焊缝区域内是少孔或无孔的。第一和/或第二冷却壳体构件可以相应地例如以铸造构件的形式或例如以深冲构件的形式存在。
进而要指出的是，第一和第二冷却壳体构件可以各自一件式地构造，或者可以各自由彼此连接的块构造而成。
此外要指出的是，优选地，冷却板的邻接第一焊缝的侧面区域和第一冷却壳体构件的邻接第一焊缝的侧面区域相互齐平地布置。冷却板的邻接第一焊缝的侧面区域和第一冷却壳体构件的邻接第一焊缝的侧面区域优选与绝缘层相平行地延展。
此外要指出的是，理所当然地，本发明的不同实施例的特征只要这些特征不互相排斥，就可以任意地彼此组合。
下面，对制造本发明的功率半导体装置1或1'的方法进行说明。
在第一方法步骤中实现：提供功率半导体模块3、功率半导体器件9，这些功率半导体器件均布置在导电的迹线13上，其中，功率半导体模块3具有不导电的绝缘层6和冷却板5，其中，绝缘层6布置在迹线13与冷却板5之间；并且提供第一冷却壳体构件4或4'，其具有穿透过该第一冷却壳体构件4或4'的缺口25；并且提供第二冷却壳体构件7或7'。
在另一方法步骤中实现：将冷却板5布置在第一冷却壳体构件4或4'的缺口25中。
在另一方法步骤中实现：将冷却板5与第一冷却壳体构件4或4'焊接，使得生成围绕冷却板5的第一焊缝17，第一焊缝使冷却板5相对于第一冷却壳体构件4或4'密封，其中，在冷却板5的背离功率半导体器件9的侧D上进行对冷却板5与第一冷却壳体构件4或4'的焊接。
在另一方法步骤中实现：将第二冷却壳体构件7或7'相对第一冷却壳体构件4或4'布置，其中，第二冷却壳体构件7或7'相对第一冷却壳体构件4或4'的布置及第一和第二冷却壳体构件具有的形状使得在冷却板5的背离功率半导体器件9的侧D上构造出空腔18。
在另一方法步骤中实现：将第二冷却壳体构件7或7'与第一冷却壳体构件4或4'连接。优选地，通过将第二冷却壳体构件7或7'与第一冷却壳体构件4或4'焊接起来实现第二冷却壳体构件7或7'与第一冷却壳体构件4或4'的连接，其中，施行对第二冷却壳体构件7或7'与第一冷却壳体构件4或4'的焊接，使得借助围绕第二冷却壳体构件7或7'的第二焊缝22或22'使第二冷却壳体构件7或7'与第一冷却壳体构件4或4'连接起来，其中，第二焊缝22或22'使第二冷却壳体构件7或7'相对于第一冷却壳体构件4或4'密封。

Claims (12)

1.一种具有功率半导体模块(3)和能被液体流过的冷却体(2)的功率半导体装置，其中，所述功率半导体模块(3)具有功率半导体器件(9)，所述功率半导体器件布置在导电的迹线(13)上，其中，所述功率半导体模块(3)具有不导电的绝缘层(6)和冷却板(5)，其中，所述绝缘层(6)布置在所述迹线(13)与所述冷却板(5)之间，其中，所述冷却体(2)具有第一冷却壳体构件和第二冷却壳体构件，所述第一冷却壳体构件具有穿透过所述第一冷却壳体构件的缺口(25)，其中，所述冷却板(5)布置在所述缺口(25)中，其中，所述第一冷却壳体构件和所述第二冷却壳体构件具有的形状和相互之间的布置使得在所述冷却板(5)的背离所述功率半导体器件(9)的侧(D)上构造出空腔(18)，其中，所述冷却板(5)借助围绕所述冷却板(5)的第一焊缝(17)与所述第一冷却壳体构件连接，其中，所述第一焊缝(17)使所述冷却板(5)相对于所述第一冷却壳体构件密封，其中，所述第二冷却壳体构件与所述第一冷却壳体构件连接，并且其中，所述第一焊缝(17)将所述冷却板的侧向侧面(15)与所述第一冷却壳体构件的限定出所述缺口(25)的侧向侧面(16)连接起来，其中，所述第一冷却壳体构件的限定出所述缺口(25)的侧向侧面(16)的区段(16a)具有与所述冷却板(5)的侧向侧面(15)的区段(15a)相对应的形状，其中，所述冷却板(5)的侧向侧面(15)的区段(15a)具有到所述冷却板的朝向所述功率半导体器件(9)的主面(14)的91°至115°或89°至65°的角度(α)，而所述第一冷却壳体构件的限定出所述缺口(25)的侧向侧面(16)的区段(16a)到所述冷却板(5)的朝向功率半导体器件(9)的主面(14)具有等于所述冷却板(5)的侧向侧面(15)的区段(15a)到所述冷却板(5)的朝向功率半导体器件(9)的主面(14)的角度(α)的角度(β)。
2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一焊缝(17)布置在空腔侧。
3.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一焊缝(17)布置在所述冷却体(2)的朝向所述功率半导体器件(9)的第一外侧(A)上。
4.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述冷却板(5)具有伸入到所述空腔(18)中的冷却叶片和/或冷却针(19)。
5.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一焊缝(17)构造为激光焊缝、电子束焊缝或搅拌摩擦焊缝。
6.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第二冷却壳体构件借助围绕所述第二冷却壳体构件的第二焊缝与所述第一冷却壳体构件连接，其中，所述第二焊缝使所述第二冷却壳体构件相对于所述第一冷却壳体构件密封。
7.根据权利要求6所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一冷却壳体构件从侧向上包围所述第二冷却壳体构件，其中，所述第二焊缝将所述第二冷却壳体构件的侧向侧面(20)与所述第一冷却壳体构件的内置的侧向侧面(21)连接起来。
8.根据权利要求7所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第二焊缝布置在所述冷却体(2)的背离所述功率半导体器件(9)的第二外侧(B)上。
9.根据权利要求6所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第二冷却壳体构件具有离所述第一冷却壳体构件而去地突起的腹部(28)，其中，所述第二焊缝将所述第二冷却壳体构件的侧向侧面(20)与所述第一冷却壳体构件的背离所述功率半导体器件(9)的第一主面(29)连接起来。
10.根据权利要求6所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第二焊缝构造为激光焊缝、电子束焊缝或搅拌摩擦焊缝。
11.一种用于制造根据权利要求1至10中任一项所述的功率半导体装置的方法，其带有下述步骤：
a)提供功率半导体模块(3)、功率半导体器件(9)，所述功率半导体器件布置在导电的迹线(13)上，其中，所述功率半导体模块(3)具有不导电的绝缘层(6)和冷却板(5)，其中，所述绝缘层(6)布置在所述迹线(13)与所述冷却板(5)之间；并且提供第一冷却壳体构件，所述第一冷却壳体构件具有穿透过所述第一冷却壳体构件的缺口(25)；并且提供第二冷却壳体构件，
b)将所述冷却板(5)布置在所述第一冷却壳体构件的缺口(25)中，
c)将所述冷却板(5)与所述第一冷却壳体构件焊接，使得生成围绕所述冷却板(5)的第一焊缝(17)，所述第一焊缝使所述冷却板(5)相对于所述第一冷却壳体构件密封，其中，在所述冷却板(5)的背离所述功率半导体器件(9)的侧(D)上进行对所述冷却板(5)与所述第一冷却壳体构件的焊接，
d)将所述第二冷却壳体构件相对所述第一冷却壳体构件布置，其中，所述第二冷却壳体构件相对所述第一冷却壳体构件的布置及所述第一冷却壳体构件和第二冷却壳体构件具有的形状使得在所述冷却板(5)的背离功率半导体器件(9)的侧(D)上构造出空腔(18)，
e)将所述第二冷却壳体构件与所述第一冷却壳体构件连接。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，通过将所述第二冷却壳体构件与所述第一冷却壳体构件焊接起来实现所述第二冷却壳体构件与所述第一冷却壳体构件的连接，其中，施行对所述第二冷却壳体构件与所述第一冷却壳体构件的焊接，使得借助围绕所述第二冷却壳体构件的第二焊缝使所述第二冷却壳体构件与所述第一冷却壳体构件连接起来，其中，所述第二焊缝使所述第二冷却壳体构件相对于所述第一冷却壳体构件密封。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015211160A1 (de) * 2015-06-17 2016-12-22 Zf Friedrichshafen Ag Anordnung zum Kühlen eines Leistungsmoduls
WO2016203885A1 (ja) * 2015-06-17 2016-12-22 富士電機株式会社 パワー半導体モジュール及び冷却器
DE102015211163A1 (de) * 2015-06-17 2016-12-22 Zf Friedrichshafen Ag Anordnung zum Kühlen eines Leistungsmoduls
EP3116292B1 (de) 2015-07-06 2021-03-17 EDAG Engineering AG Elektronikmodul mit generativ erzeugtem kühlkörper
DE102015114188B4 (de) * 2015-08-26 2019-03-07 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronisches Submodul mit einem zweiteiligen Gehäuse
DE102015223413A1 (de) * 2015-11-26 2017-06-01 Zf Friedrichshafen Ag Kupfer-Alu-Kühlkörper
US9824953B1 (en) 2016-05-16 2017-11-21 Caterpillar Inc. Mounting and environmental protection device for an IGBT module
JP6811551B2 (ja) * 2016-05-27 2021-01-13 日産自動車株式会社 電力変換装置の製造方法と冷却構造
KR101956983B1 (ko) 2016-09-20 2019-03-11 현대자동차일본기술연구소 파워 모듈 및 그 제조 방법
DE102017101269B4 (de) 2017-01-24 2019-03-07 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlkörper
DE102017001351A1 (de) * 2017-02-11 2018-08-16 Leopold Kostal Gmbh & Co. Kg Elektrisches Gerät und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Geräts
JP6496845B2 (ja) * 2017-02-13 2019-04-10 新電元工業株式会社 電子機器
JP6988432B2 (ja) * 2017-12-18 2022-01-05 株式会社デンソー リアクトルユニット
DE102019200142A1 (de) * 2019-01-08 2020-07-09 Volkswagen Aktiengesellschaft Kühleinheit zur Abfuhr von Abwärme von zumindest einem Leistungsbauteil
DE102019202902A1 (de) * 2019-03-04 2020-09-10 Abb Schweiz Ag Direkte Kühlung eines Stromrichters durch Verwendung einer geprägten Platte
DE102019202903A1 (de) * 2019-03-04 2020-09-10 Abb Schweiz Ag Elektronischer Konverter ausgebildet basierend auf Schweißtechnologien
CN110173957B (zh) * 2019-06-19 2023-09-08 广东文轩热能科技股份有限公司 一种新型液冷板
EP3824494B1 (en) * 2019-07-25 2021-12-22 Hitachi Energy Switzerland AG Power semiconductor module and method of forming the same
DE102020207966A1 (de) * 2019-11-25 2021-05-27 Volkswagen Aktiengesellschaft Kühlanordnung für elektronische Komponenten eines Kraftfahrzeugs
DE102020110937B4 (de) 2020-04-22 2022-06-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Kühleinrichtung zur Kühlung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102020111528A1 (de) * 2020-04-28 2021-10-28 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Anordnung mit einem Mehrphasen-Leistungshalbleitermodul
CN215935363U (zh) * 2020-09-02 2022-03-01 春鸿电子科技(重庆)有限公司 液冷头
CN114361122A (zh) * 2021-08-11 2022-04-15 华为技术有限公司 功率模块的封装结构及封装方法
DE102022201557B3 (de) 2022-02-15 2023-07-20 Magna powertrain gmbh & co kg Baueinheit für Leistungsmodule sowie Montageverfahren für die Baueinheit für Leistungsmodule

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107170724A (zh) * 2015-10-09 2017-09-15 台湾积体电路制造股份有限公司 冷却器件、封装的半导体器件和封装半导体器件的方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5323292A (en) * 1992-10-06 1994-06-21 Hewlett-Packard Company Integrated multi-chip module having a conformal chip/heat exchanger interface
US5514906A (en) * 1993-11-10 1996-05-07 Fujitsu Limited Apparatus for cooling semiconductor chips in multichip modules
JP3946018B2 (ja) * 2001-09-18 2007-07-18 株式会社日立製作所 液冷却式回路装置
WO2005088714A1 (en) * 2004-03-08 2005-09-22 Remmele Engineering, Inc. Cold plate and method of making the same
US7071552B2 (en) * 2004-03-29 2006-07-04 Intel Corporation IC die with directly bonded liquid cooling device
JP4600199B2 (ja) * 2005-07-29 2010-12-15 三菱マテリアル株式会社 冷却器及びパワーモジュール
US8369090B2 (en) * 2009-05-12 2013-02-05 Iceotope Limited Cooled electronic system
DE102010043446B3 (de) 2010-11-05 2012-01-12 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitersystem

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107170724A (zh) * 2015-10-09 2017-09-15 台湾积体电路制造股份有限公司 冷却器件、封装的半导体器件和封装半导体器件的方法

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DE102013109589B3 (de) 2015-03-05
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