CN104401061A - 一种单面复合铜板及其生产方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种单面复合铜板及其生产方法，包括普碳钢基材（1）、纯铜金属面材（2），所述普碳钢基材（1），其特征在于由Q195～Q235普碳钢经热轧和冷轧成型，所述纯铜金属面材（2），其特征在于由T2紫铜材料制成，将所述普碳钢基材（1）通过精确设置规格尺寸后，置于专门耐热器皿内，将一定重量的所述纯铜金属面材（2）溶化后均匀水平地浇覆在所述普碳钢基材（1）上面，将冷却后形成的一种原子间结合的单面复合铜板坯，在常温下通过连续冷轧工艺加工生产成型。本发明设计科学，生产工艺容易实现，加工设备和加工成本相对较低，材料性能稳定优良，既能保持纯铜金属使用性能，又能大幅度降低成本，节约铜金属资源。

Description

一种单面复合铜板及其生产方法
技术领域
本发明涉及低成本、高性能金属复合材料技术领域，具体涉及一种单面复合铜板及其生产方法。 
背景技术
近年来,由于全球范围内铜金属资源日益紧缺，铜价持续上涨 ,国内以铜为主要原材料的行业均受到了较大冲击,整个行业急需一种既能保证铜金属使用性能,又能大幅度降低材料成本的新型复合材料代替纯铜。 
发明内容
本发明所要解决的问题是提供一种单面复合铜板及其生产方法，达到既节省纯铜金属资源,大幅度降低成本，又保持纯铜金属使用性能的重要目的。为了解决上述问题，本发明采用的技术方案是：一种单面复合铜板及其生产方法，包括普碳钢基材、纯铜金属面材，所述纯铜金属面材通过热熔浇覆在所述普碳钢基材上面，待冷却后通过连续冷轧生产加工工艺，使纯铜金属材料以原子间结合形式均匀地覆盖在所述普碳钢基材上面，从而形成一体化的一种单面复合铜板。作为本发明的进一步优化，一种单面复合铜板及其生产方法，所述普碳钢基材，由Q195～Q235普碳钢板经热轧和冷轧成型。作为本发明的进一步优化，一种单面复合铜板及其生产方法，所述纯铜金属面材，由T2紫铜材料制成。作为本发明的进一步优化，一种单面复合铜板及其生产方法，所述普碳钢基材和纯铜金属面材厚度以及成型后的单面复合铜板总厚度，均可根据实际应用需要精确设置。本发明的优点是：设计科学，生产工艺容易实现，加工设备和加工成本相对较低，材料性能稳定优良，既能保持纯铜金属使用性能，又能大幅度降低成本，节约铜金属资源。 
附图说明     
下面对本说明书附图1所表达的内容及图中的标记作简要说明： 
附图1为本发明一种单面复合铜板结构示意图。 
附图1中：1.普碳钢基材、  2. 纯铜金属面材。 
具体实施方式
下面对照附图1，通过对最优实施例的描述，对本发明具体实施方式作进一步详细的说明。 
一种单面复合铜板及其生产方法，包括普碳钢基材1、纯铜金属面材2，所述普碳钢基材1，其特征在于由Q195～Q235普碳钢经热轧和冷轧成型，所述纯铜金属面材2，其特征在于由T2紫铜材料制成。 
将所述普碳钢基材1通过精确设置规格尺寸后，置于专门耐热器皿内，将所述一定重量的纯铜金属面材2溶化后均匀水平地浇覆在所述普碳钢基材1上面，待冷却后，形成一种原子间结合的单面复合铜板坯。将所述单面铜复合板坯，在常温下通过连续冷轧工艺加工生产到指定厚度，再经定尺包装等后续处理，便形成本发明一种单面复合铜板。
作为本发明的进一步优化，一种单面复合铜板及其生产方法，所述普碳钢基材1和纯铜金属面材2厚度以及成型后的单面复合铜板总厚度，均可根据实际应用需要精确设置。     
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明保护范围之内。 

Claims (4)

1.一种单面复合铜板及其生产方法，包括普碳钢基材（1）、纯铜金属面材（2），所述普碳钢基材（1）通过精确设置规格尺寸后，置于专门耐热器皿内，将一定重量的所述纯铜金属面材（2）溶化后均匀水平地浇覆在所述普碳钢基材（1）上面，待冷却后，形成一种原子间结合的单面复合铜板坯，再经常温下通过连续冷轧工艺加工生产成型。
2.根据权利要求1所述的一种单面复合铜板及其生产方法，所述普碳钢基材（1），其特征在于由Q195～Q235普碳钢经热轧和冷轧成型。
3.根据权利要求1所述的一种单面复合铜板及其生产方法，所述纯铜金属面材（2），其特征在于由T2紫铜材料制成。
4.根据权利要求1所述的一种单面复合铜板及其生产方法，所述普碳钢基材（1）和纯铜金属面材（2）厚度以及成型后的单面复合铜板总厚度，均可根据实际应用需要精确设置。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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