CN104399531B - 一种AgI基无机‑有机杂化半导体材料的合成及光催化降解染料的应用 - Google Patents
一种AgI基无机‑有机杂化半导体材料的合成及光催化降解染料的应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104399531B CN104399531B CN201410526490.9A CN201410526490A CN104399531B CN 104399531 B CN104399531 B CN 104399531B CN 201410526490 A CN201410526490 A CN 201410526490A CN 104399531 B CN104399531 B CN 104399531B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- agi
- conducting material
- inorganic
- mbt
- dye
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02W—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
- Y02W10/00—Technologies for wastewater treatment
- Y02W10/30—Wastewater or sewage treatment systems using renewable energies
- Y02W10/37—Wastewater or sewage treatment systems using renewable energies using solar energy
Landscapes
- Catalysts (AREA)
Abstract
一种AgI基无机‑有机杂化半导体材料的合成及光催化降解有机染料的应用。本发明的目的就在于合成一种能有效催化降解甲基橙染料的无机‑有机杂化半导体材料(Et2mbt)Ag2I3,其中Et=乙基;mbt=2‑巯基苯并噻唑。通过往无机AgI中引入含N、S元素的有机分子可以实现既保留无机AgI的性能而又降低Ag含量的目的。选择碘化银、二硫化二苯并噻唑、乙醇和氢碘酸为反应原料,在溶剂热条件下得到化合物(Et2mbt)Ag2I3的单晶。可利用其优良的光催化性能用于生活以及工业污水中甲基橙污染物的降解,也可利用其半导体性能用于半导体器件制作。
Description
技术领域
本发明涉及一种分子基无机-有机杂化半导体光催化材料,特别是涉及AgI基无机-有机杂化半导体材料(Et2mbt)Ag2I3的合成及应用,其中Et=乙基;mbt=2-巯基苯并噻唑。
背景技术
我国是一个水资源严重缺乏的国家,我国的淡水资源总量为28000亿m3,占全球水资源的6%,名列世界第四位,但是,由于我国人口基数大,人均水资源量又非常低,仅为世界平均水平的l/4,是全球人均水资源最贫乏的国家之一。因此,在节约用水的同时,研究生活和工业污水的降解处理技术,使污水变废为宝,净化为无毒无害甚至可以重新使用的生活用水是非常具有现实意义的,也是一项长期的艰巨任务。在生活、生产,特别是染料工厂所产生的废水中,往往残留有许多有机染料分子,倘若进入自然界水体后污染很大,如含有苯环、胺基、偶氮等基因的染料,进入人体后容易引起膀胱癌等。甲基橙(methyl orange)是一种偶氮染料也是一种酸碱指示剂。在实验室和工农业生产中广泛用作化学反应的酸碱度指示剂,用于化工反应中的酸碱度滴定分析;同时也广泛用于印染纺织品和生物染色等领域。然而含有该物质的废水色度高,有机污染物浓度大,可生化性差,难以采用传统的物化或生化法处理,对环境的危害极大,因此必须寻找一种新的处理技术。
半导体光催化分解染料是20世纪70年代发展起来的一门新兴环保技术,是指利用太阳能或可见光在室温下将废水中的有机染料氧化成H2O、CO2或无机离子等,无二次污染,具有传统的高温、常规催化技术及吸附技术无法比拟的优势。因此,半导体光催化技术是一种具有广阔应用前景的绿色污水治理技术,特别是对于传统的化学方法难以除去的低含量有机污染物,光催化降解显得更有意义。
无机AgI是一种用途非常广泛的半导体材料,可以作为催化剂用于显影和人工增雨,也用于医药工业中催化有机化学反应,同时还可以用于催化降解有机物染料。碘化银作为催化剂有其明显优势,但是Ag是一种贵金属,价格较高。因此如何尽可能的降低AgI催化剂中的Ag的含量同时又保留AgI优良的物理化学性能是一个急需解决的科学问题。传统做法主要是采用物理掺杂的手段,如在AgI半导体中掺杂不同价态的金属离子,降低Ag的相对含量,同时还可改变半导体的能带结构。然而在分子尺度上,把一些有机小分子引入到无机AgI半导体制备分子基无机-有机杂化半导体材料是一种降低Ag相对含量同时又保持无机组分AgI催化性能的新思路。按此思路制备的AgI基无机-有机杂化半导体催化材料可具备高效催化降解低浓度甲基橙染料的能力,使得其有可能作为新一代半导体光催化材料。
发明内容
本发明的目的就在于合成一种能有效催化降解甲基橙染料的无机-有机杂化半导体材料(Et2mbt)Ag2I3,其中Et=乙基;mbt=2-巯基苯并噻唑。此材料可以保留无机AgI的性能而又同时降低Ag的含量。
本发明包括如下技术方案:
1.一种能有效催化降解甲基橙染料的AgI基无机-有机杂化半导体材料(Et2mbt)Ag2I3,其中Et=乙基;mbt=2-巯基苯并噻唑,其特征在于:该化合物为三斜晶系,结晶于空间群P-1,单胞参数为α=104.63(1)°,β=101.71(1)°γ=91.51(1)°,Z=8,V=932.99(9)。
2.一种权利要求1的降低无机AgI半导体中Ag相对含量的方法,其特征在于往无机AgI半导体系统中引入含N、S原子的有机组分。
3.如项2所述的AgI基无机-有机杂化材料的制备方法,其特征在于:反应物碘化银、二硫化二苯并噻唑的摩尔比例为1:1,准确称取相应质量的固体反应物,加入乙醇,氢碘酸作为反应物和溶剂,采用溶剂热合成方法,在120゜C条件下下恒温3天,然后降至室温。
4.一种项1的AgI基无机-有机杂化半导体材料的用途,其特征在于:该化合物是一种半导体光催化材料,可利用其特性用于光催化降解废水中的甲基橙染料;也可用于半导体器件制造。
具体实施方式
我们选择了碘化银、二硫化二苯并噻唑为反应原料,乙醇和氢碘酸既作为反应原料又作为溶剂,在溶剂热条件下得到化合物(Et2mbt)Ag2I3的单晶。有机组分(Et2mbt)2+由反应原料二硫化二苯并噻唑原位生成。化合物的性质测试表明有机组分和无机组分的性质被很好地保留在化合物(Et2mbt)Ag2I3中。
本发明所提供的降低AgI半导体催化材料中Ag含量的思路简单,易操作、原料来源充足、合成成本低廉。
该发明所制备的AgI基无机-有机杂化半导体光催化材料有效的保留了无机组分的优良性能,具有良好的光催化降解甲基橙染料的能力,可利用其优良的光催化性能用于污水中甲基橙染料的降解;也可利用其半导体性能用于半导体器件制作。
附图说明:
图1为实施例1的化合物的紫外漫反射图。
图2为实施例1的化合物的光催化降解甲基橙染料浓度随时间的变化图。A曲线:甲基橙溶液不加催化剂;B曲线:甲基橙溶液加催化剂。
实施例1:
化合物的制备
称取AgI(0.25mmol),二硫化二苯并噻唑(0.25mmol),氢碘酸(4.0mL),再加入1.0mL乙醇,装入密闭的25mL的反应釜中,采用溶剂热合成方法,在120゜C恒温3天,随后取出自然降至室温,便可得到无色柱状晶体。经X射线单晶结构测定,该晶体为(Et2mbt)Ag2I3,其中Et=乙基;mbt=2-巯基苯并噻唑。
化合物性能测试
1、半导体带隙值测定
室温下在Shimadzu UV-310PC UV-vis光谱仪上进行,以BaSO4覆盖薄玻璃片为载体,Kubelka-Munk函数α/S=(1-R)2/2R,α为吸收系数,S为散射系数,R为发射系数,结果显示材料的能带宽度为2.95eV,与无机AgI的带隙值2.76eV相当,表明杂化物(Et2mbt)Ag2I3为半导体材料。
2、紫外光催化降解甲基橙染料
紫外光照射的光降解甲基橙的反应在250mL的烧杯中进行,上方以300W Xe灯作为辐射源,通过添加滤光片使得只有250–380nm的紫外光发射出来。21.3mg粉末样品(Et2mbt)Ag2I3置于120mL浓度为2mg/L的甲基橙溶液中,在暗处搅拌120min以达到吸附/脱附平衡。然后吸取4mL悬浮液为完成第一次取样,并立即开启光源照射悬浮液。在辐射过程中,每隔一定时间取样一次。总辐射时间为75min,完成最后一次取样后关闭光源。每次取样后对所取样品进行离心处理。对所获得的澄清溶液进行紫外-可见光谱的测量,通过对比各溶液在465nm位置的吸收峰高度,得出不同时间段染料降解的比率,记作C/C0,其中,C代表每次取样溶液中甲基橙的浓度,C0代表吸附/脱附过程达到平衡时的浓度。在总辐射时间为75分钟时,甲基橙溶液基本能够全部被光催化材料(Et2mbt)Ag2I3降解完全。
Claims (2)
1.一种能有效催化降解甲基橙染料的AgI基无机-有机杂化半导体材料(Et2mbt)Ag2I3,其中Et=乙基;mbt=2-巯基苯并噻唑,其特征在于:该化合物为三斜晶系,结晶于空间群P-1,单胞参数为α=104.63(1)°,β=101.71(1)°,γ=91.51(1)°,Z=8,V=932.99(9);
由以下方法制备而成:反应物碘化银、二硫化二苯并噻唑的摩尔比例为1:1,准确称取相应质量的固体反应物,加入乙醇和氢碘酸,采用溶剂热合成方法,在120゜C下恒温3天,然后降至室温。
2.一种权利要求1所述的AgI基无机-有机杂化半导体材料(Et2mbt)Ag2I3的用途,其特征在于:该化合物是一种半导体光催化材料,利用其特性用于光催化降解废水中的甲基橙染料污染物;或用于半导体器件制造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410526490.9A CN104399531B (zh) | 2014-10-09 | 2014-10-09 | 一种AgI基无机‑有机杂化半导体材料的合成及光催化降解染料的应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410526490.9A CN104399531B (zh) | 2014-10-09 | 2014-10-09 | 一种AgI基无机‑有机杂化半导体材料的合成及光催化降解染料的应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104399531A CN104399531A (zh) | 2015-03-11 |
CN104399531B true CN104399531B (zh) | 2017-05-17 |
Family
ID=52637235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410526490.9A Expired - Fee Related CN104399531B (zh) | 2014-10-09 | 2014-10-09 | 一种AgI基无机‑有机杂化半导体材料的合成及光催化降解染料的应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104399531B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105174359B (zh) * | 2015-09-16 | 2017-08-01 | 新乡学院 | 碘化银晶态杂化材料催化降解罗丹明b有机废水的方法 |
CN105170187A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-12-23 | 新乡学院 | 一种溴化银的有机无机杂化材料的制备方法 |
CN105837834B (zh) * | 2016-05-05 | 2019-04-19 | 中国计量大学 | 一种银碘阴离子高聚螺旋链基有机无机杂化半导体材料 |
CN107686130B (zh) * | 2017-09-14 | 2019-03-29 | 济南大学 | 一种铋碘杂化材料的合成及用于制备BiOI纳米片 |
CN108586538B (zh) * | 2018-04-16 | 2020-05-08 | 济南大学 | 一种使罗丹明b选择性褪色的铋碘杂化材料的制备与应用 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100594982C (zh) * | 2007-11-21 | 2010-03-24 | 南开大学 | 有机膦酸盐氧化钛杂合介孔材料的制备方法与应用 |
NO2442906T3 (zh) * | 2009-06-18 | 2018-03-31 |
-
2014
- 2014-10-09 CN CN201410526490.9A patent/CN104399531B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104399531A (zh) | 2015-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104399531B (zh) | 一种AgI基无机‑有机杂化半导体材料的合成及光催化降解染料的应用 | |
CN108579779B (zh) | 一种三维复合材料、其制备方法及在水污染物可见光催化降解去除中的应用 | |
CN107570174B (zh) | 一种高效稳定泡沫镍基光催化材料的制备方法及应用 | |
CN108080016A (zh) | 一种钾掺杂氮化碳光催化剂的制备方法和应用 | |
CN113457710A (zh) | PDI/g-C3N4/Bi2WO6复合光催化剂及制备方法和应用 | |
CN110624566B (zh) | CuInS2量子点/NiAl-LDH复合光催化剂的制备方法及其应用 | |
CN108355701A (zh) | Ag担载二维石墨相氮化碳纳米片光催化剂及其制备方法和应用 | |
CN105854898A (zh) | 一种纤维素基核壳结构CdS/ZnO光催化剂的制备方法 | |
CN110193373A (zh) | 可见光响应钇掺杂氯氧化铋催化剂的制备方法及其应用 | |
CN108543542B (zh) | 一种三维多孔复合光催化剂的制备方法及应用 | |
CN106044842A (zh) | 一种扇形羟基氟化锌的制备方法及其应用 | |
CN103803634A (zh) | 一种介孔氧化锌微球光催化剂的制备方法 | |
CN111054400B (zh) | 一种CuInS2量子点/BiOI复合光催化剂及其制备方法与应用 | |
CN107486213A (zh) | 一种中空BiVO4微米片光催化剂的制备方法 | |
CN104383914A (zh) | 一种Eu3+掺杂γ-Bi2MoO6光催化剂及其制备方法 | |
CN103785425A (zh) | 一种花状Bi2O(OH)2SO4光催化剂的制备方法及应用 | |
CN109261156B (zh) | 镍膜与氧化锌纳米棒复合材料及其制备方法与应用 | |
CN108940349A (zh) | 利用铬酸银/硫掺氮化碳z型光催化剂去除染料污染物的方法 | |
CN110803710B (zh) | 一种基于无表面活性剂微乳液制备氧化锌材料的方法 | |
CN104368324A (zh) | 介孔石墨烯/二氧化钛纳米复合材料的制备方法和应用 | |
CN108975503B (zh) | 污水中亚硝酸盐与氨氮光催化同时脱除方法 | |
CN108975505B (zh) | 一种同时脱除亚硝酸盐与氨氮的污水处理方法 | |
CN108440576B (zh) | 一种杂化铜碘簇及其光催化降解染料的应用 | |
CN108586538B (zh) | 一种使罗丹明b选择性褪色的铋碘杂化材料的制备与应用 | |
CN107961800B (zh) | 碘化银纳米粒修饰溴氧化铋复合光催化剂及其制备方法和应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170517 Termination date: 20211009 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |