CN104393064A - 一种太阳能电池的背电极Mo薄膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于光纤材料领域，提供了一种太阳能电池的背电极Mo薄膜及其制备方法，所述太阳能电池的背电极Mo薄膜制备方法，首先，选择普通玻璃（载玻片）、钠钙玻璃或不锈钢为基体，将其进行洁净处理，并采用高纯氮气吹干备用，其次，采用磁控溅射法在基体上沉积一层金属层，然后再在金属层沉积Mo薄膜。该制备方法简单、易于操作、可重复性强和可精确控制Mo薄膜的厚度，同时，该方法制备的Mo薄膜具有膜基结合力高、电导率低的优点。
Description
技术领域
本发明属于薄膜太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池的背电极Mo薄膜及其制备方法。
背景技术
太阳能电池作为新能源的一种利用形式，其具有永久性，清洁性以及稳定性，从而深得人们的青睐。目前，关于太阳能电池的研究正进行的如火如荼。太阳能电池的主要结构包括衬底，背电极，吸收层，窗口层，电极。纵观目前的研究发现，众学者的研究主要集中在吸收层结构及性能的提高上。而对于背电极的研究却鲜有报道。经过调研，Mo薄膜作为太阳能电池的背电极，其质量对电池的短路电流、填充因子及串联电阻等影响重大。
在太阳能电池中，影响电池性能的，与背电极Mo薄膜质量相关的因素包括：1、所选衬底的自然性能与缺陷；2、衬底清洗的洁净程度；3、Mo薄膜和CIGS薄膜界面处MoSe2存在的可能形态；4、Na离子通过Mo薄膜向CIGS层中的扩散；5、Mo薄膜和衬底、Mo薄膜和CIGS薄膜之间的附着性。
从上述结果来看，Mo薄膜的质量对电池的制备以及性能具有十分重要的作用。而在已有的研究过程中发现，溅射在玻璃衬底上的金属背电极Mo薄膜与衬底的结合力较弱，有的在沉积CIGS薄膜的过程中脱落，有的在缓冲层工序中脱落。因此，研究Mo薄膜与衬底的附着力的提高方法变得尤为重要。这对电池的进展具有至关重要的作用。针对这个问题，已有John H.Scofield等提出分别在高气压和低气压下制备双层Mo薄膜的方法，这很好的解决了Mo薄膜与基体结合力差的问题，庄大明等及黄素梅等提出了使用Cu、Mo合金靶或Cu靶、Mo靶共溅射与基体结合力良好的Cu-Mo合金薄膜作为背电极的方法。方小红等提出以柔性材料钛箔或不锈钢箔为基体时，首先在基体上制备一层金属Cr，再制备一层金属Mo电极，以此来提高Mo薄膜附着力的方法。
发明内容
本发明是这样实现的，一方面，提供了一种简单、易于操作、可重复性强和可精确控制Mo薄膜的厚度的太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法，包括下述步骤：
（1）基体的选择；
（2）基体的清洗：将基体在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声波中清洗，然后用高纯氮气吹干；
（3）金属层的制备：
采用直流电源、直流脉冲电源或射频电源，以单一金属Al为靶材，电流为0.5A-2A，工作压强为1Pa-5Pa，在所述基体上制备得到金属A1的金属层；或
采用金属Al与Mo的合金靶溅射得到金属A1与Mo混合的金属层；或
采用金属Al靶与Mo靶共溅射制备得到金属A1与Mo混合的金属层。
（4）Mo薄膜的制备：
采用直流电源、直流脉冲电源或射频电源在所述已镀有金属A1的金属层或金属A1与Mo混合的金属层的基体上沉积一层Mo薄膜，其中，Mo靶的靶电流为0.6A-2A，工作压强为0.05Pa-0.5Pa。
具体地，在步骤(1)中，所述基体为载玻片、钠钙玻璃或不锈钢。
具体地，在步骤(2)中，所述超声波清洗的时间为5-15min。
具体地，在步骤(3)中，所述金属层的厚度为8-100nm。
具体地，在步骤(4)中，所述Mo薄膜的厚度为0.5-1.2um。另一方面，提供了一种太阳能电池的背电极Mo薄膜，该太阳能电池的背电极Mo薄膜由上述太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法制备而成，所述太阳能电池的背电极Mo薄膜包括依次层叠设置的基体、金属层和Mo薄膜；所述金属层沉积在所述基体上，所述Mo薄膜沉积在所述金属层上。
具体地，所述金属层为单一金属Al的金属层或金属Al与Mo混合的金属层。
本发明的有益效果是：本发明技术方案中，采用磁控溅射法在基体上制备一金属层，然后在金属层上制备Mo薄膜，该制备方法简单、易于操作、可重复性强和可精确控制Mo薄膜的厚度，同时，该方法制备的Mo薄膜具有膜基结合力高、电导率低的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法流程图。
图2是本发明实施例提供的太阳能电池的背电极Mo薄膜的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
本发明实施例提供了一种太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法，其制备方法参见图1所示，包括下述步骤：
S01、基体的选择；
S02、基体的清洗：将基体在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声波中清洗，然后用高纯氮气吹干；
S03、金属层的制备：
采用直流电源、直流脉冲电源或射频电源，以单一金属Al为靶材，电流为0.5A-2A，工作压强为1Pa-5Pa，在所述基体上制备得到金属A1的金属层；或
采用金属Al与Mo的合金靶溅射得到金属A1与Mo混合的金属层；或
采用金属Al靶与Mo靶共溅射制备得到金属A1与Mo混合的金属层。
S04、Mo薄膜的制备：
采用直流电源、直流脉冲电源或射频电源在所述已镀有金属A1的金属层或金属A1与Mo混合的金属层的基体上沉积一层Mo薄膜，其中，Mo靶的靶电流为0.6A-2A，工作压强为0.05Pa-0.5Pa。
具体的，上述步骤S01中，用于制备太阳能电池的背电极Mo薄膜的基板可为玻璃、陶瓷、金属、塑料基板，优选地，所述基体为载玻片、钠钙玻璃或不锈钢。
该S02 步骤中，所述基板使用前需要经过清洗，玻璃基板的清洗方法为依次用丙酮、乙醇及去离子水超声清洗1～20min，超声功率为300～600w，然后用高纯氮气吹干。
上述步骤S03中，金属层的制备采用磁控溅射法，利用直流电源，直流脉冲电源或射频电源，用单一金属Al（Cr，Cu，Ag，Au）靶材在靶电流为0.5A-2A，工作压强为1Pa-5Pa时在清洁的基体上制备厚度为8-100nm的金属Al（Cr，Cu，Ag，Au）层；
或者采用金属Al（Cr，Cu，Ag，Au）与Mo的合金靶溅射Mo与金属的混合层；或者采用金属Al（Cr，Cu，Ag，Au）靶与Mo靶共溅射制备金属与Mo的混合层，这样，在基体上沉积金属层，保证了膜基结合力。
上述步骤S04中，Mo薄膜的制备采用直流电源、直流脉冲电源或射频电源在所述已镀有金属A1的金属层或金属A1与Mo混合的金属层的基体上沉积一层Mo薄膜，其中，Mo靶的靶电流为0.6A-2A，工作压强为0.05Pa-0.5Pa，这样，薄膜具有良好的电学性能及附着力，且薄膜厚度可精确控制，减少薄膜内针孔。
本发明提供了一种太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法，该方法采用磁控溅射法在基体上制备一金属层，然后在金属层上制备Mo薄膜，该方法制备的Mo薄膜具有膜基结合力高、电导率低的特点，同时，该制备方法简单、易于操作、可重复性强和可精确控制膜层厚度。
相应地，如图2所示，本发明实施例还提供了一种太阳能电池的背电极Mo薄膜，其由上述制备方法制备而成，该太阳能电池的背电极Mo薄膜具有膜基结合力高、电导率低的优点。
具体的，该太阳能电池的背电极Mo薄膜包括依次层叠设置的基体10、金属层20和Mo薄膜30；所述金属层20沉积在所述基体10上，所述Mo薄膜30沉积在所述金属层20上，优选的，所述太阳能电池的背电极Mo薄膜为在清洁的基体10上以单一金属Al（Cr、Cu、Ag、Au）靶制备一层厚度为8-100nm的Al（Cr、Cu、Ag、Au）金属层20之后以纯Mo靶在其上制备一层厚度为0.8um-1.2um的Mo薄膜30；或者所述太阳能电池的背电极Mo薄膜也可以在清洁的基体10上首先以金属Al（Cr、Cu、Ag、Au）与Mo的合金靶溅射制备一层厚度为8-100nm的Al（Cr、Cu、Ag、Au）与Mo混合的金属层20，然后以纯Mo靶在其上制备一层厚度为0.8-1.2um的Mo薄膜30；或者所述太阳能电池的背电极Mo薄膜也可以在清洁的基体10上首先以金属Al（Cr、Cu、Ag、Au）靶和Mo靶共溅射制备一层厚度为8-100nm的Al（Cr、Cu、Ag、Au）与Mo混合的金属层20，然后以纯Mo靶在其上制备一层厚度为0.8-1.2um的Mo薄膜30。
现结合具体实例，对本发明实施例掺太阳能电池的背电极Mo薄膜及其制备方法进行进一步详细说明。
实施例1
太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法，包括如下步骤：
（1）基体选择：以不锈钢为基体；
（2）基体清洗：依次在丙酮，无水乙醇及去离子水中清洗15min，并用高纯氮气吹干；
（3）金属层制备：利用直流电源采用纯Cr靶在靶电流为0.8A，工作压强为3.2Pa时在清洁的基体上制备厚度为15nm的Cr薄膜；
（4）Mo薄膜制备：利用直流电源采用纯Mo靶在靶电流为1A，工作气压为0.1Pa时在含有纯Cr镀层的基体上制备厚度为1um的Mo薄膜；
（5）本实施例制备的太阳能电池的背电极Mo薄膜的电学性能达到8×10-5Ω·cm，与基体的结合力通过tape-test。
实施例2
太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法，包括如下步骤：
（1）基体选择：以普通载玻片为基体；
（2）基体清洗：依次在丙酮，无水乙醇及去离子水中清洗5min，并用高纯氮气吹干；
3）过渡层金属层制备：利用直流电源采用纯Al靶在靶电流为1A，工作压强为3.8Pa时在清洁的基体上制备厚度为50nm的Al薄膜；
（4）Mo薄膜制备：利用直流电源采用纯Mo靶在靶电流为1.3A，工作气压为0.15Pa时在含有纯Al镀层的基体上制备厚度为1.1um的Mo薄膜；
（5）本实施例制备的太阳能电池的背电极Mo薄膜的电学性能达到6.5×10-5Ω·cm，与基体的结合力通过tape-test。
实施例3
太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法，包括如下步骤：
（1）基体选择：以钠钙玻璃为基体；
（2）基体清洗：依次在丙酮，无水乙醇及去离子水中清洗10min，并用高纯氮气吹干；
（3）过渡层金属层制备：利用直流电源采用纯Cu靶在靶电流为1.2A，工作压强为2.5Pa时在清洁的基体上制备厚度为30nm的Cu薄膜；
（4）Mo薄膜制备：利用直流电源采用纯Mo靶在靶电流为1.5A，工作气压为0.3Pa时在含有纯Cu镀层的基体上制备厚度为0.8um的Mo薄膜；
（5）本实施例制备的太阳能电池的背电极Mo薄膜的电学性能达到7×10-5Ω·cm，与基体的结合力通过tape-test。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）基体的选择；
（2）基体的清洗：将基体在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声波中清洗，然后用高纯氮气吹干；
（3）金属层的制备：
采用直流电源、直流脉冲电源或射频电源，以金属Al为靶材，电流为0.5A-2A，工作压强为1Pa-5Pa，在所述基体上制备得到单一金属A1的金属层；或
采用金属Al与Mo的合金靶溅射得到金属A1与Mo混合的金属层；或
采用金属Al靶与Mo靶共溅射制备得到金属A1与Mo混合的金属层；
（4）Mo薄膜的制备：
采用直流电源、直流脉冲电源或射频电源在所述已镀有金属A1的金属层或金属A1与Mo混合的金属层的基体上沉积一层Mo薄膜，其中，Mo靶的靶电流为0.6A-2A，工作压强为0.05Pa-0.5Pa。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述基体为载玻片、钠钙玻璃或不锈钢。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述超声波清洗的时间为5-15min。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述金属层的厚度为8-100nm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述Mo薄膜的厚度为0.5-1.2um。
6.一种太阳能电池的背电极Mo薄膜，其特征在于，由权利要求1-5任一项所述太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法制备而成，所述太阳能电池的背电极Mo薄膜包括依次层叠设置的基体、金属层和Mo薄膜；所述金属层沉积在所述基体上，所述Mo薄膜沉积在所述金属层上。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池的背电极Mo薄膜，其特征在于，所述金属层为单一金属Al的金属层或金属Al与Mo混合的金属层。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105552148A (zh) * | 2016-02-05 | 2016-05-04 | 常州天合光能有限公司 | 用于高效太阳电池的叠层金属薄膜、制备方法及太阳电池 |
| CN107887456A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-04-06 | 周燕红 | 一种背电极钼(Mo)薄膜的制备方法 |
| CN108735825A (zh) * | 2017-04-13 | 2018-11-02 | 神华集团有限责任公司 | 太阳能电池背电极和太阳能电池及其制备方法 |
| CN113380915A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-09-10 | 湖南大学 | 一种空间太阳电池复合互连材料及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040063320A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-01 | Hollars Dennis R. | Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells |
| US20070193623A1 (en) * | 2006-02-22 | 2007-08-23 | Guardian Industries Corp. | Electrode structure for use in electronic device and method of making same |
| CN101165923A (zh) * | 2006-10-19 | 2008-04-23 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其制备方法 |
| TW201143107A (en) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Univ Nat Cheng Kung | CuInSe (CIS) thin film solar cell and method for making the same |
| CN202094129U (zh) * | 2011-03-30 | 2011-12-28 | 湘潭大学 | 太阳能电池的柔性金属衬底与背电极之间的金属扩散阻挡层 |
| WO2013081343A1 (en) * | 2011-11-29 | 2013-06-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell and method of fabricating the same |
-
2014
- 2014-10-31 CN CN201410597967.2A patent/CN104393064A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040063320A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-01 | Hollars Dennis R. | Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells |
| US20070193623A1 (en) * | 2006-02-22 | 2007-08-23 | Guardian Industries Corp. | Electrode structure for use in electronic device and method of making same |
| CN101165923A (zh) * | 2006-10-19 | 2008-04-23 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其制备方法 |
| TW201143107A (en) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Univ Nat Cheng Kung | CuInSe (CIS) thin film solar cell and method for making the same |
| CN202094129U (zh) * | 2011-03-30 | 2011-12-28 | 湘潭大学 | 太阳能电池的柔性金属衬底与背电极之间的金属扩散阻挡层 |
| WO2013081343A1 (en) * | 2011-11-29 | 2013-06-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell and method of fabricating the same |
| CN104081535A (zh) * | 2011-11-29 | 2014-10-01 | Lg伊诺特有限公司 | 太阳能电池及其制造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105552148A (zh) * | 2016-02-05 | 2016-05-04 | 常州天合光能有限公司 | 用于高效太阳电池的叠层金属薄膜、制备方法及太阳电池 |
| CN108735825A (zh) * | 2017-04-13 | 2018-11-02 | 神华集团有限责任公司 | 太阳能电池背电极和太阳能电池及其制备方法 |
| CN107887456A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-04-06 | 周燕红 | 一种背电极钼(Mo)薄膜的制备方法 |
| CN113380915A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-09-10 | 湖南大学 | 一种空间太阳电池复合互连材料及其制备方法 |
| CN113380915B (zh) * | 2021-03-24 | 2022-10-18 | 湖南大学 | 一种空间太阳电池复合互连材料及其制备方法 |
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