CN104392923B - 异质结双极型晶体管的制作方法 - Google Patents
异质结双极型晶体管的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104392923B CN104392923B CN201410556014.1A CN201410556014A CN104392923B CN 104392923 B CN104392923 B CN 104392923B CN 201410556014 A CN201410556014 A CN 201410556014A CN 104392923 B CN104392923 B CN 104392923B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- emitter stage
- electrode
- emitter
- ohm contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 80
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims description 2
- 230000009021 linear effect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/6631—Bipolar junction transistors [BJT] with an active layer made of a group 13/15 material
- H01L29/66318—Heterojunction transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种异质结双极型晶体管的制作方法，涉及半导体微波器件的制作方法技术领域。所述方法通过调整多层低‑高‑低非均匀掺杂浓度和厚度的复合集电区，调节基极‑集电区电场分布；优化匹配基极浓度和发射极浓度及对应厚度，利用寄生电阻形成一定程度上的负反馈；实施干法和湿法相结合腐蚀工艺、发射区侧棱工艺、发射区侧墙保护工艺和集电区横向钻蚀工艺等一整套针对性工艺技术，提高了发生Kirk效应的最大电流密度，降低了基极‑集电区电容随偏压变化率，降低器件表面漏电和改善电流增益等，从而达到了提高双极型晶体管的功率、效率以及线性的目的。
Description
技术领域
本发明涉及半导体微波器件的制作方法技术领域，尤其涉及一种异质结双极型晶体管的制作方法。
背景技术
随着人们对信息获取和处理的需求日益增强，推动相关通信系统不断升级换代，诸如无线LAN、WIFI、WIMAX和个人移动设备等，其性能不断得到提升和加强，目前3G个人移动设备已经上市，而4G则将要推出，因此对相关电路和器件的性能也提出了更高的要求。
功率放大器是上述通信系统里核心电路，为了满足上述应用领域的技术要求，对功率、效率和线性度提出了更高的要求。目前，为了达到上述目标，主要从以下两个层面进行提升，其一是从电路系统方面，采用诸如功率回退、前馈和预失真以及线性化辅助电路等技术；其二是从有源器件方面出发，改善器件本身的输出功率、效率和线性。
相比于其他的有源器件，异质结双极晶体管（HBT）由于具有功率密度大、工作效率高、线性度好和高频特性好等优势，占据了通信领域里的半壁江山。但是，为了满足通信技术日新月异的发展需求，进一步提升HBT器件性能，尤其是功率、效率和线性等方面的特性，就显得非常迫切。
功率放大器通常其信号输出摆幅比较大，常导致大电流、低电压和低电流、高偏压下失真，进而影响其线性度。就其从HBT器件角度方面考虑，主要是电流增益（跨导）、CBC电容对其线性影响较大；不发生kirk效应的最大电流和适当的击穿电压以及热效应等决定着器件的输出功率；高增益，低损耗则是高效率的保证。
目前，HBT器件方面的专利，大都集中于如何提高器件的饱和功率、高频特性以及提高器件稳定性等，关于提高线性、效率方面的并不多，本专利主要针对此问题提出了一种解决方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种异质结双极型晶体管的制作方法，所述方法通过优化外延材料结构和针对性的工艺，提高了双极型晶体管的线性、功率以及效率。
为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种异质结双极型晶体管的制作方法，其特征在于包括以下步骤：
1）在半绝缘衬底上生长外延材料结构，从下到上依次生长次集电极层、集电极层、基极层、发射极层以及发射极帽层，发射极层从下到上为宽带隙材料层和窄带隙材料层；
2）在步骤1）中形成的外延材料结构的上表面通过光刻工艺和蒸发工艺，形成发射极欧姆接触电极；
3）利用光刻胶保护步骤2）中形成的发射极欧姆接触电极，利用干法和湿法腐蚀相结合，腐蚀掉发射极欧姆接触电极以外的发射极帽层以及部分发射极层，直到发射极层的宽带隙材料层剩下一半厚度，实现发射极侧棱保护功能；
4）在步骤3）的基础上，利用光刻工艺、湿法腐蚀工艺以及金属化工艺，在基极层的上表面形成基极金属欧姆接触电极；
5）利用等离子PECVD系统在步骤4）后形成的器件的上表面形成发射极侧墙保护层；
6）利用步骤5）中形成的发射极侧墙保护层和光刻胶一起保护双极型晶体管的有源区域，利用反应离子刻蚀工艺去掉有源区域以外区域的发射极侧墙保护层，并在有源区域以外的区域，利用高能离子注入机注入H+等离子，实现器件隔离；
7）在步骤6）的基础上，利用光刻胶保护步骤6）中注入H+等离子的有源区域以外的区域，在有源区域采用湿法腐蚀，直到露出次集电极层，在次集电极层上形成集电极欧姆接触电极；
8）利用等离子PECVD系统在步骤7）形成的器件的上表面形成电极保护层，借助光刻工艺、刻蚀工艺以及金属化工艺，实现发射极欧姆接触电极、基极金属欧姆接触电极以及集电极欧姆接触电极电镀加厚以及电极之间的互联；
9）将步骤8）形成的器件的绝缘衬底上进行背面减薄和背面通孔工艺，完成双极型晶体管的制作。
进一步的技术方案在于：所述集电极层为三层以上不同掺杂浓度和厚度的单层结构的组合，低、高掺杂浓度层交替设置。
进一步的技术方案在于：所述集电极层从下到上为第一低掺杂浓度层、高掺杂浓度层和第二低掺杂浓度层。
进一步的技术方案在于：所述发射极侧墙保护层以及电极保护层使用SIN薄膜介质。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：所述方法通过调整多层低-高-低非均匀掺杂和厚度的复合集电区，调节基极-集电区电场分布；优化匹配基极浓度和发射极浓度及对应厚度，利用寄生电阻形成一定程度上的负反馈；实施干法和湿法相结合腐蚀工艺、发射区侧棱工艺、发射区侧墙保护工艺和集电区横向钻蚀工艺等一整套针对性工艺技术，提高了发生Kirk效应的最大电流密度，降低了基极-集电区电容随偏压变化率，降低器件表面漏电和改善电流增益均匀性等，从而达到了提高双极型晶体管的功率、效率以及线性的目的。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1是本发明异质结双极型晶体管的外延材料结构示意图；
图2是本发明在图1结构上实现发射极金属化后的示意图；
图3是本发明图2工艺后腐蚀发射极台面直至预留侧棱处示意图；
图4是本发明图3工艺后形成基极欧姆电极示意图；
图5是本发明图4工艺后发射极侧墙形成示意图；
图6是本发明图5工艺后离子注入隔离示意图；
图7是本发明图6工艺后集电极腐蚀以及金属化示意图；
图8是本发明图7工艺后SIN介质钝化和隔离示意图；
图9是本发明图8工艺后开孔电镀互联示意图；
图10是本发明图9工艺后背面减薄和通孔示意图；
其中：1、半绝缘衬底 2、次集电极层 3、第一低掺杂浓度层 4、高掺杂浓度层 5、第二低掺杂浓度层 6、基极层 7、宽带隙材料层 8、窄带隙材料层 9、发射极帽层 21、发射极欧姆接触电极 22、基极金属欧姆接触电极 23、发射极侧墙保护层 24、有源区域以外区域25、集电极欧姆接触电极 26、电极保护层。
具体实施方式
下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
本发明公开了一种异质结双极型晶体管的制作方法，具体包括以下步骤：
1）在半绝缘衬底1上采用MOCVD系统生长异质结双极型晶体管（HBT）的外延材料结构，其结构如图1所示。制备过程为：在半绝缘GaAs衬底上使用MOCVD系统依次生长厚度500nm、浓度为4e18/cm3的N+GaAs次集电极层02，厚度200nm、浓度为3e16/cm3的N-GaAs第一低掺杂浓度层3，厚度100nm、浓度为5e17/cm3的N-GaAs高掺杂浓度层4，厚度700nm、浓度为3e16/cm3的N-GaAs第二低掺杂浓度层5(其中第一低掺杂浓度层3、高掺杂浓度层4和第二低掺杂浓度层5的厚度和浓度可调节，且不局限于三层结构，可以为三层以上的结构，所述集电极层为三层以上不同掺杂浓度和厚度的单层结构的组合，低、高掺杂浓度层交替设置)，厚度80nm、浓度为4e19/cm3的P+GaAs基极层6，厚度60nm、浓度为5e17/cm3的N-GaInP 发射极宽带隙材料层7，厚度150nm、浓度为4e18/cm3的N-GaAs发射极窄带隙材料层，厚度100nm、浓度为2e19/cm3的N+InGaAs发射极帽层9；
2）在图1所示的HBT外延材料上，通过半导体微细加工工艺中的光刻工艺和蒸发工艺，形成发射极欧姆接触电极21，完成后的结构如图2所示；
3）利用光刻胶保护步骤2）中形成的发射极欧姆接触电极21，利用干法和湿法腐蚀相结合，腐蚀掉发射极欧姆接触电极21以外的发射极帽层9以及部分发射极层，直到发射极层的宽带隙材料层7剩下一半厚度，实现发射极侧棱保护功能，其结构如图3所示；
4）在步骤3的基础上，利用光刻工艺和湿法腐蚀工艺以及金属化工艺，形成基极金属欧姆接触电极23，其结构如图4所示；
5）利用等离子PECVD系统在步骤4）后形成的器件的上表面形成高密度、低应力SIN薄膜介质的发射极侧墙保护层23，其结构如图5所示
6）利用步骤5的SIN薄膜介质和光刻胶一起保护有源区域，其余的区域，利用反应离子刻蚀（RIE）去掉步骤5）中形成的SIN薄膜介质，采用高能离子注入机，注入H+等离子，实现器件隔离，其结构如图6所示；
7）在步骤6基础上，利用光刻胶保护步骤6）形成的区域，余下区域，采用湿法腐蚀，直到露出次集电极层2，同时横向钻蚀集电极，蒸发形成集电极欧姆接触电极25，其结构如图7所示；
8）利用等离子PECVD系统在步骤7）形成的器件的上表面形成电极保护层26，借助光刻工艺、刻蚀工艺以及金属化工艺，实现发射极欧姆接触电极21、基极金属欧姆接触电极22以及集电极欧姆接触电极25以及电镀互联形成电极之间的互联，其结构如图8；
9）余下的工艺步骤包括背面较薄和背面通孔等，最终完成器件制作，其结构如图9-10所示。
所述方法通过调整多层低-高-低非均匀掺杂和厚度的复合集电区，调节基极-集电区电场分布；优化匹配基极和发射极浓度及对应厚度，利用寄生电阻形成一定程度上的负反馈；实施干法和湿法相结合腐蚀工艺、发射区侧棱工艺、发射区侧墙保护工艺和集电区横向钻蚀工艺等一整套针对性工艺技术，提高了发生Kirk效应的最大电流，降低了基极-集电区电容随偏压变化率，降低器件表面漏电和改善电流增益均匀性等，从而达到了提高其功率、效率以及线性的优点。
Claims (4)
1.一种异质结双极型晶体管的制作方法，其特征在于包括以下步骤：
1）在半绝缘衬底（1）上生长外延材料结构，从下到上依次生长次集电极层（2）、集电极层、基极层（6）、发射极层以及发射极帽层（9），发射极层从下到上为宽带隙材料层（7）和窄带隙材料层（8）；
2）在步骤1）中形成的外延材料结构的上表面通过光刻工艺和蒸发工艺，形成发射极欧姆接触电极（21）；
3）利用光刻胶保护步骤2）中形成的发射极欧姆接触电极（21），利用干法和湿法腐蚀相结合，腐蚀掉发射极欧姆接触电极（21）以外的发射极帽层（9）以及部分发射极层，直到发射极层的宽带隙材料层（7）剩下一半厚度，实现发射极侧棱保护功能；
4）在步骤3）的基础上，利用光刻工艺、湿法腐蚀工艺以及金属化工艺，在基极层（6）的上表面形成基极金属欧姆接触电极（22）；
5）利用等离子PECVD系统在步骤4）后形成的器件的上表面形成发射极侧墙保护层（23）；
6）利用步骤5）中形成的发射极侧墙保护层（23）和光刻胶一起保护双极型晶体管的有源区域，利用反应离子刻蚀工艺去掉有源区域以外区域（24）的发射极侧墙保护层，并在有源区域以外的区域，利用高能离子注入机注入H+等离子，实现器件隔离；
7）在步骤6）的基础上，利用光刻胶保护步骤6）中注入H+等离子的有源区域以外的区域，在有源区域采用湿法腐蚀，直到露出次集电极层（2），在次集电极层（2）上形成集电极欧姆接触电极（25）；
8）利用等离子PECVD系统在步骤7）形成的器件的上表面形成电极保护层（26），借助光刻工艺、刻蚀工艺以及金属化工艺，实现发射极欧姆接触电极（21）、基极金属欧姆接触电极（22）以及集电极欧姆接触电极（25）电镀加厚以及电极之间的互联；
9）将步骤8）形成的器件的半绝缘衬底（1）上进行背面减薄和背面通孔工艺，完成双极型晶体管的制作。
2.根据权利要求1所述的异质结双极型晶体管的制作方法，其特征在于：所述集电极层为三层以上不同掺杂浓度和厚度的单层结构的组合，低、高掺杂浓度层交替设置。
3.根据权利要求2所述的异质结双极型晶体管的制作方法，其特征在于：所述集电极层从下到上为第一低掺杂浓度层（3）、高掺杂浓度层（4）和第二低掺杂浓度层（5）。
4.根据权利要求1所述的异质结双极型晶体管的制作方法，其特征在于：所述发射极侧墙保护层（23）以及电极保护层（26）使用SIN薄膜介质。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410556014.1A CN104392923B (zh) | 2014-10-20 | 2014-10-20 | 异质结双极型晶体管的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410556014.1A CN104392923B (zh) | 2014-10-20 | 2014-10-20 | 异质结双极型晶体管的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104392923A CN104392923A (zh) | 2015-03-04 |
| CN104392923B true CN104392923B (zh) | 2017-03-08 |
Family
ID=52610805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410556014.1A Active CN104392923B (zh) | 2014-10-20 | 2014-10-20 | 异质结双极型晶体管的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104392923B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108022837B (zh) * | 2017-11-14 | 2020-02-11 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种制备hbt基极的蚀刻工艺 |
| CN109935558A (zh) * | 2019-02-20 | 2019-06-25 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 异质结双极晶体管的散热方法和散热结构 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1464564A (zh) * | 2002-06-26 | 2003-12-31 | 中国科学院微电子中心 | 砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管 |
| CN1628383A (zh) * | 2001-12-27 | 2005-06-15 | 空间工程股份有限公司 | 异质结双极晶体管的结构及方法 |
| CN1659712A (zh) * | 2002-04-03 | 2005-08-24 | 空间工程股份有限公司 | 用于hbt中的发射极镇流电阻器的结构和方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4895421B2 (ja) * | 2000-12-04 | 2012-03-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ヘテロ接合型バイポーラトランジスタの製造方法 |
| JP4933024B2 (ja) * | 2003-11-26 | 2012-05-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2014
- 2014-10-20 CN CN201410556014.1A patent/CN104392923B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1628383A (zh) * | 2001-12-27 | 2005-06-15 | 空间工程股份有限公司 | 异质结双极晶体管的结构及方法 |
| CN1659712A (zh) * | 2002-04-03 | 2005-08-24 | 空间工程股份有限公司 | 用于hbt中的发射极镇流电阻器的结构和方法 |
| CN1464564A (zh) * | 2002-06-26 | 2003-12-31 | 中国科学院微电子中心 | 砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104392923A (zh) | 2015-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102231379B (zh) | SiGe异质结双极晶体管多指结构 | |
| CN101478006B (zh) | 基于导通型SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法 | |
| CN104851921B (zh) | 一种垂直结构的GaN基肖特基二极管及其制作方法 | |
| CN105679667A (zh) | 一种沟槽igbt器件的终端结构制造方法 | |
| CN102779842A (zh) | 一种变形槽栅介质的cstbt器件 | |
| CN111430457B (zh) | 一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器及其制备方法 | |
| CN103745992B (zh) | 基于复合漏极的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法 | |
| CN113823675B (zh) | 一种具有新型源漏场板结构的hemt器件及制备方法 | |
| CN101276837A (zh) | 凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件及其制作方法 | |
| CN111384171A (zh) | 高沟道迁移率垂直型umosfet器件及其制备方法 | |
| CN104392923B (zh) | 异质结双极型晶体管的制作方法 | |
| WO2017135394A1 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよび電気機器 | |
| CN204243050U (zh) | 一种快恢复二极管 | |
| CN117457710A (zh) | 基于p型Ga2O3的肖特基二极管及制备方法 | |
| CN111640796A (zh) | 5G民用射频GaN基HEMT器件、MOS-HEMT器件及制备方法 | |
| CN105514176A (zh) | 一种太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法 | |
| CN205177857U (zh) | 一种快恢复二极管 | |
| CN103762234A (zh) | 基于超结漏场板的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法 | |
| CN102339868B (zh) | 带反型隔离层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法 | |
| CN205911315U (zh) | 混合阳极电极结构的GaN基肖特基二极管 | |
| CN214043676U (zh) | 一种高线性GaN基毫米波器件 | |
| CN205264759U (zh) | 一种太赫兹GaN耿氏二极管 | |
| CN103050519B (zh) | 锗硅hbt器件及制造方法 | |
| CN218351475U (zh) | 一种雪崩二极管结构 | |
| CN105870166A (zh) | 一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |